JPH07142288A - 積層薄膜コンデンサの製造方法 - Google Patents

積層薄膜コンデンサの製造方法

Info

Publication number
JPH07142288A
JPH07142288A JP5312495A JP31249593A JPH07142288A JP H07142288 A JPH07142288 A JP H07142288A JP 5312495 A JP5312495 A JP 5312495A JP 31249593 A JP31249593 A JP 31249593A JP H07142288 A JPH07142288 A JP H07142288A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
thin film
electrodes
film capacitor
dielectric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP5312495A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomoyuki Ishihara
知幸 石原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Priority to JP5312495A priority Critical patent/JPH07142288A/ja
Publication of JPH07142288A publication Critical patent/JPH07142288A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 簡単な方法にて電極取り出し端面に一方の電
極のみを露出させる。 【構成】 一方の電極2の電極取り出し端面側において
は他方の電極4の端部のみを部分的にエッチングし、他
方の電極4の電極取り出し端面側においては一方の電極
2の端部のみを部分的にエッチングする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電極と誘電体とを交互に
積層してなる積層薄膜コンデンサの製造方法に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】プリント基板への高密度実装に対応する
ため、コンデンサの分野でも表面実装し得るチップ化が
図られており、中でも積層セラミックコンデンサや薄膜
コンデンサは早くからチップ型に着手されている。
【0003】ここで、チップ型セラミックコンデンサの
製造法の一例を説明すると、まず、鉛系またはチタン酸
バリウム系の素材を調合した誘電体材料に適当なバイン
ダーを混合してスラリー化する。
【0004】次に、このスラリーを所定の基板上にスク
リーン印刷し乾燥させた後、電極をスクリーン印刷し乾
燥させる。これを所定回数繰り返して多層構造とする。
また、別の方法としては、スラリーをグリーンシート化
し、これに電極を印刷したものを積層、圧着して多層構
造とする場合もある。
【0005】しかる後、所望のチップサイズに切断し、
脱バインダーおよび焼成を行ない、最後に外部電極を塗
布焼き付けし、その外部電極にハンダ付け性を良くする
ためにメッキを施す。
【0006】薄膜コンデンサは、シリコン、アルミナ、
ガラス、サファイアなどの基板上にスパッタリングや蒸
着物等の物理的生膜方法もしくはMOCVD(Meta
lOxide Chmical Vapour Dep
osition)などの化学的生膜方法で誘電体膜を電
極膜で挟むようにして形成され、積層型の場合はこれを
繰り返して多層構造とされる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】セラミックコンデンサ
は今後さらにチップ化、小型化、大容量化していく傾向
にある。静電容量を大きくするには次式より誘電体膜を
薄くすれば良い。
【0008】C(F)=8.85×10−12εS(m
)/D(m) なお、Fはコンデンサの静電容量、εは比誘電率、Sは
誘電体を挟んで相対する電極の面積、Dは誘電体の厚み
である。
【0009】しかしながら、セラミックコンデンサの誘
電体膜の厚さを薄くするには、誘電体材料の微粒子化お
よびその粒径の均一化や、薄いグリーンシートの作成な
どの点において多くの困難な技術的課題があり、現状で
は誘電体の膜厚を5μm以下とするセラミック積層コン
デンサは量産されていない。
【0010】また、焼成を行なう工程を経るため、内部
電極はその焼成温度(1000℃以上)で酸化しない必
要があり、貴金属を使わざるを得ないため高価になる。
【0011】これに対して、薄膜コンデンサでは誘電体
の厚みを数μm以下にできるというメリットがあるが、
例えば特開昭60−94716号公報や特開平3−20
0307号公報で提案されているように、誘電体と電極
とを交互に積層し、かつ、相対する電極間の電気的絶縁
を確保するため、誘電体と電極を成膜するごとに、ウエ
ットエッチングやマスキングにより電極の成膜を工夫す
る必要がある。
【0012】すなわち、電極を誘電体を挟んで積層する
際、電極取出し端面方向に電極を交互に数百μmずつず
らして、その後の工程で電極取出し端面に外部電極を取
り付ける際に、2つの外部電極同士が導通しないように
する必要がある。
【0013】しかしながら、ウエットエッチングを行な
うには、その都度スパッタリングや蒸着などの高真空を
破らなければならず、その工程に長時間を要することに
なり好ましくない。
【0014】これを回避して高真空中でマスキングを行
なう方法もあるが、これにはマスクを上記のように数百
μm単位の精度で動かすことが要求され、技術的にかな
りの困難が伴う。これらの技術的課題は、コンデンサの
サイズが小さくなるに連れてその困難さが増すことにな
る。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の積層薄膜
コンデンサが持つ課題を解決するためになされたもの
で、その構成上の特徴は、一方の電極と他方の電極とを
それらの間に誘電体を介在させて交互に積層し、対向す
る異なる側面側に電極取り出し端面を露出させ、その各
々に外部電極を形成してなる積層薄膜コンデンサにおい
て、上記一方の電極の電極取り出し端面側においては上
記他方の電極の端部のみを部分的にエッチングし、上記
他方の電極の電極取り出し端面側においては上記一方の
電極の端部のみを部分的にエッチングし、各電極の電極
取り出し端面が対向する異なる側面側に露出されるよう
にしたことを特徴とする積層薄膜コンデンサの製造方
法。
【0016】この場合、上記各電極を異なる導電性材料
から形成し、上記一方の電極の電極取り出し端面側にお
いては上記他方の電極は溶解するが、同一方の電極は溶
解しない第1エッチャントで上記他方の電極の端部をエ
ッチングし、上記他方の電極の電極取り出し端面側にお
いては上記一方の電極は溶解するが、同他方の電極は溶
解しない第2エッチャントで上記一方の電極の端部をエ
ッチングすることが好ましい。
【0017】ここで、各電極の材質および第1、第2エ
ッチャントの組み合わは種々考えられ、例えば特定の酸
には溶け易いが、別の酸には溶けにくい金属とその酸の
組み合わせから選択されるが、それには次ぎのような組
み合わせを例示することができる。
【0018】 一方の電極 (第1エッチャント) 他方の電極 (第2エッチャント) パラジウム (硝酸) 鉄 (塩酸または硫酸) パラジウム (硝酸) 亜鉛 (塩酸または硫酸) パラジウム (硝酸) クロム (塩酸または硫酸) ニッケル (硝酸) アルミニウム(塩酸または硫酸) 銀 (硝酸) 鉄 (塩酸または硫酸) 銀 (硝酸) アルミニウム(塩酸または硫酸) 銀 (硝酸) 亜鉛 (塩酸または硫酸) 銀 (硝酸) クロム (塩酸) 銅 (硝酸) アルミニウム(塩酸または硫酸) モリブデン (硝酸) アルミニウム(塩酸または硫酸) 鉛 (硝酸) アルミニウム(塩酸または硫酸) モリブデン (硝酸) 亜鉛 (塩酸または硫酸) モリブデン (硝酸) クロム (塩酸または硫酸) 鉛 (硝酸) クロム (塩酸または硫酸) なお、上記電極および誘電体は物理的もしくは化学的成
膜法にて形成されるものであることが好ましい。
【0019】
【作用】上記構成によると、一方の電極は溶かすが他方
の電極は溶かさないエッチャントにて一方の端面側をエ
ッチングすることにより、その端面側には他方の電極の
みが残る。また、一方の電極は溶かさないが他方の電極
は溶かすエッチャントにて他方の端面側をエッチングす
ることにより、その端面側には一方の電極のみが残るた
め、電極の位置ずらしを行なったのと同等の効果が得ら
れ、外部電極を取り付ける際、それらの電気的絶縁が確
保される。
【0020】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面を参照し
ながら説明する。なお、電極と誘電体の積層方法はスク
リーン印刷やグリーンシートの圧着による方法、もしく
は物理的、化学的成膜方法のいずれでも良いが、ここで
はスパッタ法による場合について説明する。
【0021】まず、スパッタターゲットとして所望の誘
電体と異なる2種類の電極とを用意し、シャッターなど
で任意のターゲットから成膜できるようにスパッタ装置
をセットする。
【0022】次に、図1に示されているように、シリコ
ン、ガラス、アルミナ、サファイアなどからなる基板1
を同スパッタ装置の所定部位に配置し、同基板1の温度
を成膜が良好となるような温度に保持する。
【0023】そして、スパッタ法にてこの基板1上に一
方の電極2を形成するとともに、同電極2上に誘電体3
を同じくスパッタ成膜する。しかる後、同誘電体3上に
他方の電極4をスパッタ成膜し、さらにその上に誘電体
3をスパッタ成膜する(第1の工程)。
【0024】この第1の工程を繰り返して、誘電体3と
電極2,4とを所望とする数だけ積層することにより、
基板1上に誘電体3と電極2,4の薄膜積層体5を作製
する(第2の工程)。
【0025】このようにして、薄膜積層体5が形成され
た基板1をスパッタ装置から取り外し、所望のサイズに
切断する(第3の工程)。
【0026】図2にはこの切断されたチップ状のコンデ
ンサ素子5aが示されており、これによると、まず第1
のエッチング槽6内において他方の電極4の端部がエッ
チングされる。
【0027】すなわち、このエッチング槽6内には他方
の電極4は溶かすが、一方の電極2は溶かさないエッチ
ャント6aが貯留されており、コンデンサ素子5aの一
方の側面側を同エッチャント6aに浸漬して、電極4の
みをわずかにエッチングする(第4の工程)。
【0028】次に、図3に示されているように、コンデ
ンサ素子5aを逆様にして上記とは反対側の側面を第2
のエッチング槽7内に浸漬する。このエッチング槽7内
には、上記とは反対に一方の電極2は溶かすが、他方の
電極4は溶かさないエッチャント7aが貯留されてお
り、これにより電極2のみがわずかにエッチングされる
(第5の工程)。
【0029】このようにして、コンデンサ素子5aの一
方の側面側には一方の電極2の電極取り出し端面が露出
され、同コンデンサ素子5aの他方の側面側には他方の
電極4の電極取り出し端面が露出されることになり、図
4に示されているように、各側面部においてその露出部
分を覆うように外部電極8,9を形成する(第6の工
程)。この場合、同外部電極8,9は通常の塗布焼き付
け法によっても良いが、スパッタや蒸着にて形成しても
良い。
【0030】《実施例1》30cm角、厚さ2mmのガ
ラス板を基板として用いた。成膜方法はAr雰囲気中で
の高周波スパッタ法とした。誘電材料は(Ba0.5
0.5)TiO、内部電極材料にはNiとAlをそ
れぞれターゲットとして用いた。なお、基板は500℃
に加熱した。
【0031】図示しないスパッタ装置のホルダーに上記
のガラス基板を取り付け、まず、Niをターゲットとし
てスパッタを行ない、Ni電極を約100nmの厚さに
成膜した。
【0032】次に、誘電体として(Ba0.5Sr
0.5)TiOを約200nmの厚さに成膜するとと
もに、その上にAl電極を約100nmの厚さに成膜し
た。そして、再び(Ba0.5Sr0.5)TiO
約200nmの厚さに成膜した。
【0033】上記の工程を再度繰り返し、電極に挟まれ
た3層の誘電体層を有する薄膜積層体を作製した。な
お、最上層の誘電体層は内部電極が剥きだしにならない
ようにするための保護膜としてのものである。
【0034】上記のようにして成膜した基板をスパッタ
装置から取り出し、4.5mm×3.2mm角のチップ
を約3800個切り出した。
【0035】そして、そのチップの一方の側面側を塩酸
に浸漬してAl電極の端部を溶かした後洗浄した。次
に、同チップの他方の側面側を硝酸に浸漬し、Ni電極
の端部を溶かした後洗浄した。
【0036】しかる後、そのAl電極およびNi電極が
露出されているチップの各側面に公知の方法にて外部電
極を形成して、その静電容量を測定したところ1μFで
あった。
【0037】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
チップ型積層薄膜コンデンサの電極取り出し端面に一方
の電極のみを露出させるにあたって、従来のようにマス
クを数百μm単位の精度でその位置を制御する必要がな
く、高真空中で連続的に成膜することができるととも
に、工程の簡略化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る積層薄膜コンデンサの中間製品と
しての薄膜積層体を示した断面図。
【図2】一方の電極の端部をエッチングする状態を説明
するための模式図。
【図3】他方の電極の端部をエッチングする状態を説明
するための模式図。
【図4】外部電極が取り付けられた最終製品としての積
層薄膜コンデンサを示した断面図。
【符号の説明】
1 基板 2,4 電極 3 誘電体 6a,7a エッチャント 8,9 外部電極

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一方の電極と他方の電極とをそれらの間
    に誘電体を介在させて交互に積層し、対向する異なる側
    面側に電極取り出し端面を露出させ、その各々に外部電
    極を形成してなる積層薄膜コンデンサにおいて、上記一
    方の電極の電極取り出し端面側においては上記他方の電
    極の端部のみを部分的にエッチングし、上記他方の電極
    の電極取り出し端面側においては上記一方の電極の端部
    のみを部分的にエッチングし、各電極の電極取り出し端
    面が対向する異なる側面側に露出されるようにしたこと
    を特徴とする積層薄膜コンデンサの製造方法。
  2. 【請求項2】 上記各電極は異なる導電性材料からな
    り、上記一方の電極の電極取り出し端面側においては上
    記他方の電極は溶解するが、同一方の電極は溶解しない
    第1エッチャントで上記他方の電極の端部をエッチング
    し、上記他方の電極の電極取り出し端面側においては上
    記一方の電極は溶解するが、同他方の電極は溶解しない
    第2エッチャントで上記一方の電極の端部をエッチング
    することを特徴とする請求項1に記載の積層薄膜コンデ
    ンサの製造方法。
  3. 【請求項3】 上記電極および誘電体は物理的もしくは
    化学的成膜法にて形成されることを特徴とする請求項1
    または2に記載の積層薄膜コンデンサの製造方法。
JP5312495A 1993-11-18 1993-11-18 積層薄膜コンデンサの製造方法 Withdrawn JPH07142288A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5312495A JPH07142288A (ja) 1993-11-18 1993-11-18 積層薄膜コンデンサの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5312495A JPH07142288A (ja) 1993-11-18 1993-11-18 積層薄膜コンデンサの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07142288A true JPH07142288A (ja) 1995-06-02

Family

ID=18029909

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5312495A Withdrawn JPH07142288A (ja) 1993-11-18 1993-11-18 積層薄膜コンデンサの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07142288A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997044797A1 (de) * 1996-05-21 1997-11-27 Siemens Aktiengesellschaft Dünnfilm mehrschichtkondensator

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997044797A1 (de) * 1996-05-21 1997-11-27 Siemens Aktiengesellschaft Dünnfilm mehrschichtkondensator

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6769055B2 (ja) 積層セラミックコンデンサの製造方法
JPS63169014A (ja) チツプコンデンサ−の外部電極端子の形成方法
KR20040084785A (ko) 적층형 전자부품 및 그 제조방법
JP2014093517A (ja) 積層セラミック電子部品及びその製造方法
JP4573956B2 (ja) 積層型電子部品およびその製法
JP2004235377A (ja) セラミック電子部品
KR102902806B1 (ko) 세라믹 전자 부품 및 그 제조 방법, 그리고 회로 기판
JPH05335174A (ja) 積層セラミック電子部品
JP2749489B2 (ja) 回路基板
JPH05335173A (ja) 積層セラミック電子部品及びその製造方法
JP3544569B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ
US7180155B2 (en) Method for manufacturing thin-film multilayer electronic component and thin-film multilayer electronic component
JPH1126284A (ja) チップ状電子部品とその製造方法
JPS63104314A (ja) チツプコンデンサの電極端子の形成方法
JP3934983B2 (ja) 積層型電子部品およびその製法
JPH07142288A (ja) 積層薄膜コンデンサの製造方法
CN113764185B (zh) 电子组件及其制造方法
JP2000306763A (ja) 積層セラミックコンデンサとその製造方法
KR100392218B1 (ko) Ce를 첨가한 Ba(Zr,Ti)O₃ 적층형 박막콘덴서의 제조방법
JPH11195554A (ja) 積層型セラミック電子デバイス及びその製造方法
KR100922943B1 (ko) 적층 세라믹 전자 부품의 제조 방법
JP2002260953A (ja) 積層型電子部品
KR20060099266A (ko) 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법
KR102946063B1 (ko) 적층형 전자 부품
JPH07201642A (ja) 積層セラミック電子部品の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20010130