JPH07142309A - ウエハの露光方法 - Google Patents
ウエハの露光方法Info
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- JPH07142309A JPH07142309A JP5172588A JP17258893A JPH07142309A JP H07142309 A JPH07142309 A JP H07142309A JP 5172588 A JP5172588 A JP 5172588A JP 17258893 A JP17258893 A JP 17258893A JP H07142309 A JPH07142309 A JP H07142309A
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、ウエハのエッジ近傍に、角が欠け
た状態で形成されるチップを排除して、プローブ検査工
程と外観検査工程におけるスループットの向上を図る。 【構成】 縮小投影露光装置1 を用いてレチクル3 の製
品パターン32をウエハ91に転写した後、ウエハ91に形成
した製品パターン像42のうちウエハ91のエッジ近傍に生
じる一部分が欠けた状態の製品パターン像42d を二重露
光する。例えば、製品パターン32に対してずらした位置
でレチクルブラインド2 の開口部23を１チップの大きさ
に設定して、所望の製品パターン像42d を二重露光す
る。また上記レチクル3 を取り外してから二重露光して
もよい。あるいは図示しないが、開口パターンを形成し
た二重露光用レチクルを用いて二重露光する。さらに
は、所望の位置に開口部を設けたマスクを用いて、等倍
投影露光装置により二重露光する。
た状態で形成されるチップを排除して、プローブ検査工
程と外観検査工程におけるスループットの向上を図る。 【構成】 縮小投影露光装置1 を用いてレチクル3 の製
品パターン32をウエハ91に転写した後、ウエハ91に形成
した製品パターン像42のうちウエハ91のエッジ近傍に生
じる一部分が欠けた状態の製品パターン像42d を二重露
光する。例えば、製品パターン32に対してずらした位置
でレチクルブラインド2 の開口部23を１チップの大きさ
に設定して、所望の製品パターン像42d を二重露光す
る。また上記レチクル3 を取り外してから二重露光して
もよい。あるいは図示しないが、開口パターンを形成し
た二重露光用レチクルを用いて二重露光する。さらに
は、所望の位置に開口部を設けたマスクを用いて、等倍
投影露光装置により二重露光する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造プロ
セスの感光工程におけるウエハの露光方法に関するもの
である。
セスの感光工程におけるウエハの露光方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来の感光工程での縮小投影露光装置に
よる露光では、図８（１）に示すようなレチクル１１０
を用いる。このレチクル１１０には、透光性の基板１１
１上に、複数チップの製品パターン１１２（１１２ａ，
１１２ｂ，１１２ｃ，１１２ｄ）が形成されている。
よる露光では、図８（１）に示すようなレチクル１１０
を用いる。このレチクル１１０には、透光性の基板１１
１上に、複数チップの製品パターン１１２（１１２ａ，
１１２ｂ，１１２ｃ，１１２ｄ）が形成されている。
【０００３】そして図８の（２）に示すように、縮小投
影露光装置（図示せず）によって、上記レチクル（１１
０）を用いてウエハ１２０に製品パターン（１１２）を
転写した場合には、ウエハ１２０のエッジ近傍に形成し
た製品パターン像１２２ｄ（斜線で示す領域）は角が欠
けた状態に露光される。
影露光装置（図示せず）によって、上記レチクル（１１
０）を用いてウエハ１２０に製品パターン（１１２）を
転写した場合には、ウエハ１２０のエッジ近傍に形成し
た製品パターン像１２２ｄ（斜線で示す領域）は角が欠
けた状態に露光される。
【０００４】上記のように製品パターン像１２２ｄを有
するチップは、プローブ検査工程で良品か不良品かの判
定ができない場合がある。そのため、外観検査工程を追
加して、上記チップを不良品として取り除いていた。
するチップは、プローブ検査工程で良品か不良品かの判
定ができない場合がある。そのため、外観検査工程を追
加して、上記チップを不良品として取り除いていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記説
明したように、角が欠けたチップを取り除くために、プ
ローブ検査工程と外観検査工程とを行っているため、二
重に検査することになり、検査工程のスループットが低
下する。
明したように、角が欠けたチップを取り除くために、プ
ローブ検査工程と外観検査工程とを行っているため、二
重に検査することになり、検査工程のスループットが低
下する。
【０００６】本発明は、検査工程のスループットを高め
ることに優れたウエハ露光方法を提供することを目的と
する。
ることに優れたウエハ露光方法を提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたウエハ露光方法である。すなわ
ち、縮小投影露光装置を用いてレチクルに形成した製品
パターンをウエハに転写する感光工程において、レチク
ルの製品パターンをウエハに転写した後、製品パターン
を転写して形成した製品パターン像のうち、当該ウエハ
のエッジ近傍に生じる一部分が欠けた状態の製品パター
ン像を二重露光する。
成するためになされたウエハ露光方法である。すなわ
ち、縮小投影露光装置を用いてレチクルに形成した製品
パターンをウエハに転写する感光工程において、レチク
ルの製品パターンをウエハに転写した後、製品パターン
を転写して形成した製品パターン像のうち、当該ウエハ
のエッジ近傍に生じる一部分が欠けた状態の製品パター
ン像を二重露光する。
【０００８】例えば、レチクルの製品パターンをウエハ
に転写した後、縮小投影露光装置のレチクルブラインド
で形成される開口部を当該レチクルの製品パターンに対
してずらした位置に設定し、続いて、製品パターンを転
写して形成した製品パターン像のうち、当該ウエハのエ
ッジ近傍に生じる一部分が欠けた状態の製品パターン像
を二重露光する。
に転写した後、縮小投影露光装置のレチクルブラインド
で形成される開口部を当該レチクルの製品パターンに対
してずらした位置に設定し、続いて、製品パターンを転
写して形成した製品パターン像のうち、当該ウエハのエ
ッジ近傍に生じる一部分が欠けた状態の製品パターン像
を二重露光する。
【０００９】または、レチクルの製品パターンをウエハ
に転写した後、縮小投影露光装置より当該レチクルを取
り外して、縮小投影露光装置のレチクルブラインドの開
口部を所定の大きさに設定し、続いて、製品パターンを
転写して形成した製品パターン像のうち、当該ウエハの
エッジ近傍に生じる一部分が欠けた状態の製品パターン
像を二重露光する。
に転写した後、縮小投影露光装置より当該レチクルを取
り外して、縮小投影露光装置のレチクルブラインドの開
口部を所定の大きさに設定し、続いて、製品パターンを
転写して形成した製品パターン像のうち、当該ウエハの
エッジ近傍に生じる一部分が欠けた状態の製品パターン
像を二重露光する。
【００１０】あるいは、レチクルの製品パターンをウエ
ハに転写した後、縮小投影露光装置に設置した当該レチ
クルを取り外して、所定の大きさの開口パターンを形成
した二重露光用レチクルを設置し、続いて、製品パター
ンを転写して形成した製品パターン像のうち、当該ウエ
ハのエッジ近傍に生じる一部分が欠けた状態の製品パタ
ーン像を二重露光する。
ハに転写した後、縮小投影露光装置に設置した当該レチ
クルを取り外して、所定の大きさの開口パターンを形成
した二重露光用レチクルを設置し、続いて、製品パター
ンを転写して形成した製品パターン像のうち、当該ウエ
ハのエッジ近傍に生じる一部分が欠けた状態の製品パタ
ーン像を二重露光する。
【００１１】もしくは、縮小投影露光装置に製品パター
ンと二重露光用の開口パターンとを形成したレチクルを
設置し、続いて、当該レチクルの製品パターンを用いて
当該製品パターンをウエハに転写した後、製品パターン
を転写して形成した製品パターン像のうち、当該ウエハ
のエッジ近傍に生じる一部分が欠けた状態の製品パター
ン像を当該レチクルの開口パターンを用いて二重露光す
る。
ンと二重露光用の開口パターンとを形成したレチクルを
設置し、続いて、当該レチクルの製品パターンを用いて
当該製品パターンをウエハに転写した後、製品パターン
を転写して形成した製品パターン像のうち、当該ウエハ
のエッジ近傍に生じる一部分が欠けた状態の製品パター
ン像を当該レチクルの開口パターンを用いて二重露光す
る。
【００１２】さらには、レチクルの製品パターンを前記
ウエハに転写した後、ウエハのエッジ近傍に生じる一部
分が欠けた状態で転写された製品パターンの領域に対応
する位置に開口部を設けたマスクを用いて、等倍投影露
光装置によって、製品パターンを転写して形成した製品
パターン像のうち、当該ウエハのエッジ近傍に生じる一
部分が欠けた状態の製品パターン像を二重露光する。
ウエハに転写した後、ウエハのエッジ近傍に生じる一部
分が欠けた状態で転写された製品パターンの領域に対応
する位置に開口部を設けたマスクを用いて、等倍投影露
光装置によって、製品パターンを転写して形成した製品
パターン像のうち、当該ウエハのエッジ近傍に生じる一
部分が欠けた状態の製品パターン像を二重露光する。
【００１３】上記露光方法は、半導体装置の製造プロセ
スにおける複数の露光工程のうち、イオン注入マスクを
形成する露光工程とパッド上のパッシベーション膜に開
口パターンを形成する際に用いるエッチングマスクを形
成する露光工程等の特定の露光工程を除く少なくとも一
つの露光工程に適用される。
スにおける複数の露光工程のうち、イオン注入マスクを
形成する露光工程とパッド上のパッシベーション膜に開
口パターンを形成する際に用いるエッチングマスクを形
成する露光工程等の特定の露光工程を除く少なくとも一
つの露光工程に適用される。
【００１４】
【作用】上記ウエハの露光方法では、製品パターンを転
写して形成した製品パターン像のうち、当該ウエハのエ
ッジ近傍に生じる一部分が欠けた状態の製品パターン像
を二重露光することにより、その領域には、少なくとも
正常なパターンが形成されなくなる。したがって、プロ
ーブ検査工程で、一部分が欠けた製品パターンを有する
製品を不良品として取り除ける。したがって、外観検査
も行う必要がない。
写して形成した製品パターン像のうち、当該ウエハのエ
ッジ近傍に生じる一部分が欠けた状態の製品パターン像
を二重露光することにより、その領域には、少なくとも
正常なパターンが形成されなくなる。したがって、プロ
ーブ検査工程で、一部分が欠けた製品パターンを有する
製品を不良品として取り除ける。したがって、外観検査
も行う必要がない。
【００１５】例えば、縮小投影露光装置のレチクルブラ
インドで形成される開口部を当該レチクルの製品パター
ンに対してずらした位置に設定して、製品パターンを転
写して形成した製品パターン像のうち、当該ウエハのエ
ッジ近傍に生じる一部分が欠けた状態の製品パターン像
を二重露光することにより、その領域に転写されるパタ
ーンは、正常なパターンがずれた状態で二重に転写され
るので、正常なパターンにならない。
インドで形成される開口部を当該レチクルの製品パター
ンに対してずらした位置に設定して、製品パターンを転
写して形成した製品パターン像のうち、当該ウエハのエ
ッジ近傍に生じる一部分が欠けた状態の製品パターン像
を二重露光することにより、その領域に転写されるパタ
ーンは、正常なパターンがずれた状態で二重に転写され
るので、正常なパターンにならない。
【００１６】または、レチクルの製品パターンをウエハ
に転写した後、縮小投影露光装置より当該レチクルを取
り外して、縮小投影露光装置のレチクルブラインドの開
口部を所定の大きさに設定し、製品パターンを転写して
形成した製品パターン像のうち、当該ウエハのエッジ近
傍に生じる一部分が欠けた状態の製品パターン像を二重
露光することにより、その領域にはパターンが形成され
ない。さらに、二重露光する領域の全面に露光光が照射
されるので、確実に二重露光される。
に転写した後、縮小投影露光装置より当該レチクルを取
り外して、縮小投影露光装置のレチクルブラインドの開
口部を所定の大きさに設定し、製品パターンを転写して
形成した製品パターン像のうち、当該ウエハのエッジ近
傍に生じる一部分が欠けた状態の製品パターン像を二重
露光することにより、その領域にはパターンが形成され
ない。さらに、二重露光する領域の全面に露光光が照射
されるので、確実に二重露光される。
【００１７】あるいは、レチクルの製品パターンをウエ
ハに転写した後、縮小投影露光装置に設置した当該レチ
クルを取り外して、所定の大きさの開口パターンを形成
した二重露光用レチクルを設置した後、製品パターンを
転写して形成した製品パターン像のうち、当該ウエハの
エッジ近傍に生じる一部分が欠けた状態の製品パターン
像を二重露光することにより、その領域にはパターンが
形成されない。さらに、レチクルを二重露光用レチクル
に交換する手間はかかるが、二重露光する領域の全面に
露光光が照射されるので、確実に二重露光される。
ハに転写した後、縮小投影露光装置に設置した当該レチ
クルを取り外して、所定の大きさの開口パターンを形成
した二重露光用レチクルを設置した後、製品パターンを
転写して形成した製品パターン像のうち、当該ウエハの
エッジ近傍に生じる一部分が欠けた状態の製品パターン
像を二重露光することにより、その領域にはパターンが
形成されない。さらに、レチクルを二重露光用レチクル
に交換する手間はかかるが、二重露光する領域の全面に
露光光が照射されるので、確実に二重露光される。
【００１８】もしくは、縮小投影露光装置に製品パター
ンと二重露光用の開口パターンとを形成したレチクルを
設置し、当該レチクルの製品パターンを用いて当該製品
パターンをウエハに転写した後、製品パターンを転写し
て形成した製品パターン像のうち、当該ウエハのエッジ
近傍に生じる一部分が欠けた状態の製品パターン像を、
当該レチクルの開口パターンを用いて二重露光すること
により、その領域にはパターンが形成されない。さら
に、レチクルを交換しないので、レチクルを交換する手
間はかからない。しかも二重露光する領域の全面に露光
光が照射されるので、確実に二重露光される。
ンと二重露光用の開口パターンとを形成したレチクルを
設置し、当該レチクルの製品パターンを用いて当該製品
パターンをウエハに転写した後、製品パターンを転写し
て形成した製品パターン像のうち、当該ウエハのエッジ
近傍に生じる一部分が欠けた状態の製品パターン像を、
当該レチクルの開口パターンを用いて二重露光すること
により、その領域にはパターンが形成されない。さら
に、レチクルを交換しないので、レチクルを交換する手
間はかからない。しかも二重露光する領域の全面に露光
光が照射されるので、確実に二重露光される。
【００１９】さらには、レチクルの製品パターンを前記
ウエハに転写した後、ウエハのエッジ近傍に生じる一部
分が欠けた状態で転写された製品パターンの領域に対応
する位置に開口部を設けたマスクを用いて、等倍投影露
光装置により、製品パターンを転写して形成した製品パ
ターン像のうち、当該ウエハのエッジ近傍に生じる一部
分が欠けた状態の製品パターン像を二重露光することに
より、その領域にはパターンが形成されない。さらに、
二重露光を等倍投影露光装置で行うので、縮小投影露光
装置のスループットが二重露光を行わない場合と同様に
なる。
ウエハに転写した後、ウエハのエッジ近傍に生じる一部
分が欠けた状態で転写された製品パターンの領域に対応
する位置に開口部を設けたマスクを用いて、等倍投影露
光装置により、製品パターンを転写して形成した製品パ
ターン像のうち、当該ウエハのエッジ近傍に生じる一部
分が欠けた状態の製品パターン像を二重露光することに
より、その領域にはパターンが形成されない。さらに、
二重露光を等倍投影露光装置で行うので、縮小投影露光
装置のスループットが二重露光を行わない場合と同様に
なる。
【００２０】また上記各露光方法を、半導体装置の製造
プロセスにおける複数の露光工程のうち、イオン注入マ
スクを形成する露光工程とパッド上のパッシベーション
膜に開口パターンを形成する際に用いるエッチングマス
クを形成する露光工程とを除く少なくとも一つの露光工
程に適用することにより、ウエハのエッジ近傍に生じる
一部分が欠けた状態の製品は、導通不良や短絡等の電気
的不良になるので、プローブ検査工程で確実に取り除け
る。
プロセスにおける複数の露光工程のうち、イオン注入マ
スクを形成する露光工程とパッド上のパッシベーション
膜に開口パターンを形成する際に用いるエッチングマス
クを形成する露光工程とを除く少なくとも一つの露光工
程に適用することにより、ウエハのエッジ近傍に生じる
一部分が欠けた状態の製品は、導通不良や短絡等の電気
的不良になるので、プローブ検査工程で確実に取り除け
る。
【００２１】
【実施例】本発明の第１の実施例を、図１のウエハの露
光説明図により説明する。図１の（１）に示すように、
縮小投影露光装置１は、照明系１１と、この照明系１１
より発振した光線１２を集光してウエハ９１に照射する
縮小投影部１３と、上記縮小投影部１３で集光した光線
１２の集光位置にウエハ９１を載置しかつ移動可能なス
テージ１４と、上記照明系１１と上記縮小投影部１３と
の間の光路に設けたレチクルブラインド２とよりなる。
そしてレチクル３は、上記レチクルブラインド２と上記
縮小投影部１３との間の光路に設置される。
光説明図により説明する。図１の（１）に示すように、
縮小投影露光装置１は、照明系１１と、この照明系１１
より発振した光線１２を集光してウエハ９１に照射する
縮小投影部１３と、上記縮小投影部１３で集光した光線
１２の集光位置にウエハ９１を載置しかつ移動可能なス
テージ１４と、上記照明系１１と上記縮小投影部１３と
の間の光路に設けたレチクルブラインド２とよりなる。
そしてレチクル３は、上記レチクルブラインド２と上記
縮小投影部１３との間の光路に設置される。
【００２２】上記レチクルブラインド２は、例えば略Ｌ
字形状の遮光板２１，２２の組合せによって構成されて
いて、遮光板２１を矢印アまたはイ方向に移動させると
ともに、遮光板２２を矢印ウまたはエ方向に適宜移動さ
せて、開口部２３の大きさと位置とを調節する。また上
記レチクル３は、透光性の基板３１と、その表面に形成
した製品パターン３２（３２ａ〜３２ｄ）とよりなる。
字形状の遮光板２１，２２の組合せによって構成されて
いて、遮光板２１を矢印アまたはイ方向に移動させると
ともに、遮光板２２を矢印ウまたはエ方向に適宜移動さ
せて、開口部２３の大きさと位置とを調節する。また上
記レチクル３は、透光性の基板３１と、その表面に形成
した製品パターン３２（３２ａ〜３２ｄ）とよりなる。
【００２３】まず第１の工程で、縮小投影露光装置１を
用いて、レチクル３に形成した製品パターン３２をウエ
ハ９１に転写する。このウエハ９１には、図示しない
が、感光性膜（例えばレジスト膜）が成膜されている。
また転写するときのレチクルブラインド２の開口部２３
は、上記製品パターン３２の大きさに対応した大きさに
開口させておく。
用いて、レチクル３に形成した製品パターン３２をウエ
ハ９１に転写する。このウエハ９１には、図示しない
が、感光性膜（例えばレジスト膜）が成膜されている。
また転写するときのレチクルブラインド２の開口部２３
は、上記製品パターン３２の大きさに対応した大きさに
開口させておく。
【００２４】その結果、図１の（２）に示すように、ウ
エハ９１には、製品パターン（３２）が転写されて、製
品パターン像４２（４２ａ〜４２ｄ）が形成される。こ
のとき、ウエハ９１のエッジ近傍における製品パターン
像４２ｄは、一部分が欠けた状態で転写される。
エハ９１には、製品パターン（３２）が転写されて、製
品パターン像４２（４２ａ〜４２ｄ）が形成される。こ
のとき、ウエハ９１のエッジ近傍における製品パターン
像４２ｄは、一部分が欠けた状態で転写される。
【００２５】次いで図１の（３）に示すように、第２の
工程で、例えば、レチクルブラインド２で形成される開
口部２３を、当該レチクル３の複数の製品パターン３２
に重なる状態に対応する位置にずらして設定する。その
際、開口部２３の大きさは、１チップの大きさに対応さ
せる。
工程で、例えば、レチクルブラインド２で形成される開
口部２３を、当該レチクル３の複数の製品パターン３２
に重なる状態に対応する位置にずらして設定する。その
際、開口部２３の大きさは、１チップの大きさに対応さ
せる。
【００２６】そして図１の（４）に示すように、第３の
工程で、ステージ（１４）を駆動して、縮小投影露光装
置（１）の露光位置に二重露光しようとするウエハ９１
の領域を位置合わせし、例えば一部分が欠けた状態で転
写されている製品パターン像４２ｄ（斜線で示す部分）
の領域を二重露光する。その結果、製品パターン像４２
ｄの領域には、正常なパターンをずらした状態で二重露
光されるので、その結果、正常なパターンは形成されな
い。たとえパターンが形成されたとしても、そのパター
ンは正常な形状のパターンにならない。
工程で、ステージ（１４）を駆動して、縮小投影露光装
置（１）の露光位置に二重露光しようとするウエハ９１
の領域を位置合わせし、例えば一部分が欠けた状態で転
写されている製品パターン像４２ｄ（斜線で示す部分）
の領域を二重露光する。その結果、製品パターン像４２
ｄの領域には、正常なパターンをずらした状態で二重露
光されるので、その結果、正常なパターンは形成されな
い。たとえパターンが形成されたとしても、そのパター
ンは正常な形状のパターンにならない。
【００２７】上記露光方法では、一部分が欠けた状態で
転写されている製品パターン像４２ｄの領域を二重露光
することにより、その領域には正常なパターンが形成さ
れないため、正常な製品はできない。この結果、プロー
ブ検査工程で、当該製品は不良品として検出されるの
で、外観検査を行う必要がなくなる。したがって、検査
時間が短縮される。
転写されている製品パターン像４２ｄの領域を二重露光
することにより、その領域には正常なパターンが形成さ
れないため、正常な製品はできない。この結果、プロー
ブ検査工程で、当該製品は不良品として検出されるの
で、外観検査を行う必要がなくなる。したがって、検査
時間が短縮される。
【００２８】また上記露光方法では、レチクルブライン
ド２を操作して、製品パターン像４２ｄの位置を二重露
光すればよいので、操作性がよい。
ド２を操作して、製品パターン像４２ｄの位置を二重露
光すればよいので、操作性がよい。
【００２９】上記第１の実施例では、レチクルブライン
ド２の開口部２３の大きさを１チップ分の大きさに設定
したが、例えば図２の（１）に示すように、一部分が欠
けた状態で転写されている製品パターン像４２ｂ，４２
ｄが縦に並んで形成されている場合には、レチクルブラ
インド２（２点鎖線で示す領域）の開口部２３を製品パ
ターン像４２ｂ，４２ｄの２チップ分の大きさに対応さ
せて設定し、その後、製品パターン像４２ｂ，４２ｄを
同時に二重露光してもよい。
ド２の開口部２３の大きさを１チップ分の大きさに設定
したが、例えば図２の（１）に示すように、一部分が欠
けた状態で転写されている製品パターン像４２ｂ，４２
ｄが縦に並んで形成されている場合には、レチクルブラ
インド２（２点鎖線で示す領域）の開口部２３を製品パ
ターン像４２ｂ，４２ｄの２チップ分の大きさに対応さ
せて設定し、その後、製品パターン像４２ｂ，４２ｄを
同時に二重露光してもよい。
【００３０】また図２の（２）に示すように、一部分が
欠けた状態で転写されている製品パターン像４２ａ，４
２ｂが横に並んで形成されている場合には、レチクルブ
ラインド２（２点鎖線で示す領域）の開口部２３を製品
パターン像４２ａ，４２ｂの２チップ分の大きさに対応
させて設定し、その後、製品パターン像４２ａ，４２ｂ
を同時に二重露光してもよい。
欠けた状態で転写されている製品パターン像４２ａ，４
２ｂが横に並んで形成されている場合には、レチクルブ
ラインド２（２点鎖線で示す領域）の開口部２３を製品
パターン像４２ａ，４２ｂの２チップ分の大きさに対応
させて設定し、その後、製品パターン像４２ａ，４２ｂ
を同時に二重露光してもよい。
【００３１】次に第２の実施例を、図３のウエハの露光
説明図により説明する。第１の工程では、図３の（１）
に示すように、上記図１の（１），（２）により説明し
たと同様にして、ウエハ９１にレチクル（３）の製品パ
ターン（３２）を転写して、製品パターン像４２を形成
する。なお縮小投影露光装置（１），レチクルブライン
ド（２），レチクル（３）等の詳細な説明は、図１で行
った説明と同様なので、ここでの説明は省略する。
説明図により説明する。第１の工程では、図３の（１）
に示すように、上記図１の（１），（２）により説明し
たと同様にして、ウエハ９１にレチクル（３）の製品パ
ターン（３２）を転写して、製品パターン像４２を形成
する。なお縮小投影露光装置（１），レチクルブライン
ド（２），レチクル（３）等の詳細な説明は、図１で行
った説明と同様なので、ここでの説明は省略する。
【００３２】次いで図３の（２）に示すように、第２の
工程を行う。この工程では、縮小投影露光装置（１）よ
りレチクル（３）を取り外して、縮小投影露光装置
（１）のレチクルブラインド２の開口部２３を所定の大
きさに設定する。例えば製品パターン像（４２ｄ）に対
応する大きさに設定する。
工程を行う。この工程では、縮小投影露光装置（１）よ
りレチクル（３）を取り外して、縮小投影露光装置
（１）のレチクルブラインド２の開口部２３を所定の大
きさに設定する。例えば製品パターン像（４２ｄ）に対
応する大きさに設定する。
【００３３】その後図３の（３）に示すように、第３の
工程で、縮小投影露光装置（１）のステージ（１４）を
駆動して、露光位置にウエハ９１を位置合わせし、製品
パターン像４２ｄ（斜線で示す部分）を二重露光する。
その結果、製品パターン像４２ｄの領域は、全面露光さ
れるので、この領域にはパターンが形成されない。
工程で、縮小投影露光装置（１）のステージ（１４）を
駆動して、露光位置にウエハ９１を位置合わせし、製品
パターン像４２ｄ（斜線で示す部分）を二重露光する。
その結果、製品パターン像４２ｄの領域は、全面露光さ
れるので、この領域にはパターンが形成されない。
【００３４】上記露光方法では、一部分が欠けた状態で
転写されている製品パターン像４２ｄの領域を二重露光
することにより、その領域にはパターンが形成されない
ため、正常な製品はできない。この結果、プローブ検査
工程では、その領域のプローブ検査を行う必要がない。
また、外観検査を行う必要がない。よって、検査時間が
短縮される。
転写されている製品パターン像４２ｄの領域を二重露光
することにより、その領域にはパターンが形成されない
ため、正常な製品はできない。この結果、プローブ検査
工程では、その領域のプローブ検査を行う必要がない。
また、外観検査を行う必要がない。よって、検査時間が
短縮される。
【００３５】また上記露光方法では、レチクル３を外す
手間はかかるが、二重露光する領域の全面に光線（１
２）が照射されるので、確実に二重露光される。さらに
レチクルブラインド２を操作して、製品パターン像４２
ｄの位置を二重露光すればよいので、操作性がよい。
手間はかかるが、二重露光する領域の全面に光線（１
２）が照射されるので、確実に二重露光される。さらに
レチクルブラインド２を操作して、製品パターン像４２
ｄの位置を二重露光すればよいので、操作性がよい。
【００３６】上記第２の実施例も上記図２で説明したと
同様に、レチクルブラインド２の開口部２３を製品パタ
ーン像４２の２チップ分の大きさに対応させて設定し、
その後、製品パターン像４２の２チップ分を同時に二重
露光してもよい。
同様に、レチクルブラインド２の開口部２３を製品パタ
ーン像４２の２チップ分の大きさに対応させて設定し、
その後、製品パターン像４２の２チップ分を同時に二重
露光してもよい。
【００３７】次に第３の実施例を、図４のウエハの露光
説明図により説明する。第１の工程では、図４の（１）
に示すように、上記図１の（１），（２）により説明し
たと同様にして、ウエハ９１にレチクル（３）の製品パ
ターン（３２）を転写して、製品パターン像４２を形成
する。なお縮小投影露光装置（１），レチクルブライン
ド（２），レチクル（３）等の詳細な説明は、図１でし
た説明と同様なので、ここでの説明は省略する。
説明図により説明する。第１の工程では、図４の（１）
に示すように、上記図１の（１），（２）により説明し
たと同様にして、ウエハ９１にレチクル（３）の製品パ
ターン（３２）を転写して、製品パターン像４２を形成
する。なお縮小投影露光装置（１），レチクルブライン
ド（２），レチクル（３）等の詳細な説明は、図１でし
た説明と同様なので、ここでの説明は省略する。
【００３８】次いで図４の（２）に示すように、第２の
工程を行う。この工程では、縮小投影露光装置（１）よ
りレチクル（３）を取り外した後、縮小投影露光装置
（１）に二重露光用レチクル５を設置する。この二重露
光用レチクル５は、例えば透光性の基板５１とその上面
に形成した遮光膜５２（斜線で示す領域）と遮光膜５２
に形成した開口パターン５３とよりなり、上記開口パタ
ーン５３は、例えば１チップの大きさに形成されてい
る。
工程を行う。この工程では、縮小投影露光装置（１）よ
りレチクル（３）を取り外した後、縮小投影露光装置
（１）に二重露光用レチクル５を設置する。この二重露
光用レチクル５は、例えば透光性の基板５１とその上面
に形成した遮光膜５２（斜線で示す領域）と遮光膜５２
に形成した開口パターン５３とよりなり、上記開口パタ
ーン５３は、例えば１チップの大きさに形成されてい
る。
【００３９】その後図４の（３）に示すように、第３の
工程で、縮小投影露光装置（１）のステージ（１４）を
駆動して、露光位置にウエハ（９１）を位置合わせし、
製品パターン像４２ｄ（斜線で示す部分）を二重露光す
る。その結果、製品パターン像４２ｄの領域は、全面露
光されるので、この領域にはパターンが形成されない。
工程で、縮小投影露光装置（１）のステージ（１４）を
駆動して、露光位置にウエハ（９１）を位置合わせし、
製品パターン像４２ｄ（斜線で示す部分）を二重露光す
る。その結果、製品パターン像４２ｄの領域は、全面露
光されるので、この領域にはパターンが形成されない。
【００４０】上記露光方法では、一部分が欠けた状態で
転写されている製品パターン像４２ｄの領域を二重露光
することにより、その領域にはパターンが形成されない
ため、正常な製品はできない。この結果、プローブ検査
工程でその領域をプローブ検査する必要がない。また外
観検査を行う必要がない。したがって、検査時間が短縮
される。
転写されている製品パターン像４２ｄの領域を二重露光
することにより、その領域にはパターンが形成されない
ため、正常な製品はできない。この結果、プローブ検査
工程でその領域をプローブ検査する必要がない。また外
観検査を行う必要がない。したがって、検査時間が短縮
される。
【００４１】また上記露光方法では、レチクル３を二重
露光用レチクル５に交換する手間はかかるが、二重露光
する領域の全面に光線（１２）が照射されるので、確実
に二重露光でき、パターンが形成されなくなる。さらに
レチクルブラインド２を操作する必要はない。
露光用レチクル５に交換する手間はかかるが、二重露光
する領域の全面に光線（１２）が照射されるので、確実
に二重露光でき、パターンが形成されなくなる。さらに
レチクルブラインド２を操作する必要はない。
【００４２】上記露光方法で用いた二重露光用レチクル
５は、開口パターン５３を１チップの大きさに形成した
が、例えば２チップ以上の大きさに形成することも可能
である。
５は、開口パターン５３を１チップの大きさに形成した
が、例えば２チップ以上の大きさに形成することも可能
である。
【００４３】例えば図５の（１）に示すように、ウエハ
９１のエッジ部分に、一部分が欠けた状態で転写されて
いる製品パターン像４２（４２ｂ，４２ｃ，４２ｄ）が
存在する場合には、例えば、図面上、開口パターン５３
の左側を製品パターン像４２ｂ，４２ｄに対応させて二
重露光を行う。そして図５の（２）に示すように、図面
上、開口パターン５３の上部側を製品パターン像４２
ｃ，４２ｄに対応させて二重露光を行ってもよい。
９１のエッジ部分に、一部分が欠けた状態で転写されて
いる製品パターン像４２（４２ｂ，４２ｃ，４２ｄ）が
存在する場合には、例えば、図面上、開口パターン５３
の左側を製品パターン像４２ｂ，４２ｄに対応させて二
重露光を行う。そして図５の（２）に示すように、図面
上、開口パターン５３の上部側を製品パターン像４２
ｃ，４２ｄに対応させて二重露光を行ってもよい。
【００４４】あるいは、上記図５の（２）に示した工程
を先に行った後、上記図５の（１）に示した工程を行っ
てもよい。図示しないが、または、複数の製品パターン
像にまたがって、マスク（５）の開口パターン（５３）
を対応させて、二重露光を行ってもよい。
を先に行った後、上記図５の（１）に示した工程を行っ
てもよい。図示しないが、または、複数の製品パターン
像にまたがって、マスク（５）の開口パターン（５３）
を対応させて、二重露光を行ってもよい。
【００４５】次に第４の実施例を、図６のウエハの露光
説明図により説明する。図６の（１）に示すように、第
１の工程では、縮小投影露光装置（図示せず）にレチク
ル６を設置する。このレチクル６は、透光性の基板６１
に、製品パターン（３２）と同様の製品パターン６２と
二重露光用の開口パターン６３とを形成したものであ
る。この開口パターン６３は、例えば製品パターン６３
の１チップに対応する大きさに形成されている。なお縮
小投影露光装置の詳細な説明は、図１を用いて行った説
明と同様なので、ここでの説明は省略する。
説明図により説明する。図６の（１）に示すように、第
１の工程では、縮小投影露光装置（図示せず）にレチク
ル６を設置する。このレチクル６は、透光性の基板６１
に、製品パターン（３２）と同様の製品パターン６２と
二重露光用の開口パターン６３とを形成したものであ
る。この開口パターン６３は、例えば製品パターン６３
の１チップに対応する大きさに形成されている。なお縮
小投影露光装置の詳細な説明は、図１を用いて行った説
明と同様なので、ここでの説明は省略する。
【００４６】続いて図６の（２）に示すように、製品パ
ターン６２に対応するように、縮小投影露光装置（図示
せず）のレチクルブラインド２を操作して、開口部２３
を製品パターン６２に対応する大きさに設定する。なお
レチクルブラインド２の詳細な説明は、図１を用いて行
った説明と同様なので、ここでの説明は省略する。
ターン６２に対応するように、縮小投影露光装置（図示
せず）のレチクルブラインド２を操作して、開口部２３
を製品パターン６２に対応する大きさに設定する。なお
レチクルブラインド２の詳細な説明は、図１を用いて行
った説明と同様なので、ここでの説明は省略する。
【００４７】そして上記図６の（３）に示すように、縮
小投影露光装置（図示せず）によって、レチクル（６）
の製品パターン（６２）をウエハ９１に転写して、製品
パターン像４２を形成する。
小投影露光装置（図示せず）によって、レチクル（６）
の製品パターン（６２）をウエハ９１に転写して、製品
パターン像４２を形成する。
【００４８】次いで図６の（４）に示すように、第２の
工程を行う。この工程では、レチクルブラインド２の開
口部２３を、レチクル６の開口パターン６３に対応する
大きさに設定し、かつ開口パターン６３に対応する位置
に移動する。
工程を行う。この工程では、レチクルブラインド２の開
口部２３を、レチクル６の開口パターン６３に対応する
大きさに設定し、かつ開口パターン６３に対応する位置
に移動する。
【００４９】その後図６の（５）に示すように、第３の
工程で、縮小投影露光装置のステージ（図示せず）を駆
動して、当該縮小投影露光装置の露光位置にウエハ９１
の二重露光しようとする領域（この場合には製品パター
ン像４２ｄの領域）を位置合わせし、製品パターン像４
２ｄ（斜線で示す部分）を二重露光する。その結果、製
品パターン像４２ｄの領域は、全面露光されるので、こ
の領域にはパターンが形成されない。
工程で、縮小投影露光装置のステージ（図示せず）を駆
動して、当該縮小投影露光装置の露光位置にウエハ９１
の二重露光しようとする領域（この場合には製品パター
ン像４２ｄの領域）を位置合わせし、製品パターン像４
２ｄ（斜線で示す部分）を二重露光する。その結果、製
品パターン像４２ｄの領域は、全面露光されるので、こ
の領域にはパターンが形成されない。
【００５０】上記露光方法では、一部分が欠けた状態で
転写されている製品パターン像４２ｄの領域を二重露光
することにより、その領域にはパターンが形成されない
ため、正常な製品はできない。この結果、その領域には
製品が形成されていないため、プローブ検査工程で、当
該製品のプローブ検査を行う必要がない。また、外観検
査も必要がない。よって、検査時間が短縮される。
転写されている製品パターン像４２ｄの領域を二重露光
することにより、その領域にはパターンが形成されない
ため、正常な製品はできない。この結果、その領域には
製品が形成されていないため、プローブ検査工程で、当
該製品のプローブ検査を行う必要がない。また、外観検
査も必要がない。よって、検査時間が短縮される。
【００５１】また上記露光方法では、レチクル６を交換
しないので、レチクルを交換する手間はかからない。し
かも二重露光する領域の全面に光線（１２）が照射され
るので、確実に二重露光でき、その領域にはパターンが
形成されない。ただしチップサイズによっては、レチク
ル６に形成できる製品パターン数が減少する場合があ
る。
しないので、レチクルを交換する手間はかからない。し
かも二重露光する領域の全面に光線（１２）が照射され
るので、確実に二重露光でき、その領域にはパターンが
形成されない。ただしチップサイズによっては、レチク
ル６に形成できる製品パターン数が減少する場合があ
る。
【００５２】次に第５の実施例を、図７のウエハの露光
説明図により説明する。第１の工程では、図７の（１）
に示すように、上記図１の（１），（２）により説明し
たと同様にして、ウエハ９１にレチクル（３）の製品パ
ターン（３２）を転写して、複数の製品パターン像４２
を形成する。なお縮小投影露光装置（１），レチクルブ
ラインド（２），レチクル（３）等の詳細な説明は、図
１を用いて行った説明と同様なので、ここでの説明は省
略する。
説明図により説明する。第１の工程では、図７の（１）
に示すように、上記図１の（１），（２）により説明し
たと同様にして、ウエハ９１にレチクル（３）の製品パ
ターン（３２）を転写して、複数の製品パターン像４２
を形成する。なお縮小投影露光装置（１），レチクルブ
ラインド（２），レチクル（３）等の詳細な説明は、図
１を用いて行った説明と同様なので、ここでの説明は省
略する。
【００５３】次いで第２の工程を行う。この工程では、
図７の（２）に示すようなマスク７を用い、等倍投影露
光装置（図示せず）によって、二重露光を行う。上記マ
スク７は、透光性の基板７１に、遮光膜７２を形成し、
上記製品パターン像の領域４４に対応する位置に開口部
７３を設けたものである。
図７の（２）に示すようなマスク７を用い、等倍投影露
光装置（図示せず）によって、二重露光を行う。上記マ
スク７は、透光性の基板７１に、遮光膜７２を形成し、
上記製品パターン像の領域４４に対応する位置に開口部
７３を設けたものである。
【００５４】そして図７の（３）に示すように、上記マ
スク７を用い、等倍投影露光装置（図示せず）によっ
て、ウエハ９１のエッジ近傍に生じる一部分が欠けた状
態で転写された製品パターン像の領域４４（斜線で示す
領域）を二重露光する。その結果、上記製品パターン像
の領域４４（斜線で示す領域）は、全面露光されるの
で、その領域にはパターンが形成されない。
スク７を用い、等倍投影露光装置（図示せず）によっ
て、ウエハ９１のエッジ近傍に生じる一部分が欠けた状
態で転写された製品パターン像の領域４４（斜線で示す
領域）を二重露光する。その結果、上記製品パターン像
の領域４４（斜線で示す領域）は、全面露光されるの
で、その領域にはパターンが形成されない。
【００５５】上記露光方法では、等倍投影露光装置によ
って、製品パターン像の領域４４を二重露光することに
より、その領域には、パターンが形成されないため正常
な製品はできない。この結果、その領域には製品が形成
されていないため、プローブ検査工程で、当該製品のプ
ローブ検査を行う必要がない。また、外観検査も必要が
ない。したがって、検査時間が短縮される。
って、製品パターン像の領域４４を二重露光することに
より、その領域には、パターンが形成されないため正常
な製品はできない。この結果、その領域には製品が形成
されていないため、プローブ検査工程で、当該製品のプ
ローブ検査を行う必要がない。また、外観検査も必要が
ない。したがって、検査時間が短縮される。
【００５６】また上記露光方法では、二重露光を等倍投
影露光装置で行うので、縮小投影露光装置のスループッ
トが二重露光を行わない状態と同様になる。また製品パ
ターン像の領域４４が全面露光されるので、確実に二重
露光される。
影露光装置で行うので、縮小投影露光装置のスループッ
トが二重露光を行わない状態と同様になる。また製品パ
ターン像の領域４４が全面露光されるので、確実に二重
露光される。
【００５７】次に上記図１〜図７により説明した各露光
方法の内の一つの露光方法を、半導体装置の製造プロセ
スに適用する場合を、ダイナミックＲＡＭの製造プロセ
スを一例として説明する。
方法の内の一つの露光方法を、半導体装置の製造プロセ
スに適用する場合を、ダイナミックＲＡＭの製造プロセ
スを一例として説明する。
【００５８】上記説明した露光方法を適用するには、プ
ローブ検査工程で、確実に不良になることが要求され
る。このため、ダイナミックＲＡＭの製造プロセスにお
ける複数の露光工程のうち、イオン注入工程で用いるレ
ジストよりなるイオン注入マスクを形成する露光工程に
適用することは避けたほうがよい。イオン注入工程は、
素子分離領域等を用いて自己整合的に行われることがあ
るため、上記露光方法をイオン注入マスクを形成する工
程に適用しても、プローブ検査で不良を検出できない場
合がある。またパッド上のパッシベーション膜に開口パ
ターンを形成する場合に、上記露光方法を適用しても、
パッド上は少なくとも開口されるので、適用することは
できない。
ローブ検査工程で、確実に不良になることが要求され
る。このため、ダイナミックＲＡＭの製造プロセスにお
ける複数の露光工程のうち、イオン注入工程で用いるレ
ジストよりなるイオン注入マスクを形成する露光工程に
適用することは避けたほうがよい。イオン注入工程は、
素子分離領域等を用いて自己整合的に行われることがあ
るため、上記露光方法をイオン注入マスクを形成する工
程に適用しても、プローブ検査で不良を検出できない場
合がある。またパッド上のパッシベーション膜に開口パ
ターンを形成する場合に、上記露光方法を適用しても、
パッド上は少なくとも開口されるので、適用することは
できない。
【００５９】そこで上記露光方法を適用するのに適した
工程としては、例えば素子分離領域形成工程、ゲート電
極形成工程、コンタクトホール形成工程、配線工程等が
あげられる。
工程としては、例えば素子分離領域形成工程、ゲート電
極形成工程、コンタクトホール形成工程、配線工程等が
あげられる。
【００６０】例えばＬＯＣＯＳ法によって、ポジ型レジ
ストを用いて素子分離領域を形成するためのエッチング
マスクを形成する際に、上記露光方法を適用した場合を
説明する。例えば二重露光によって当該チップの全面を
露光した場合には、当該チップの全面にＬＯＣＯＳ酸化
膜が形成されることになるので、半導体基板にトランジ
スタのソース・ドレイン領域等の拡散層を形成すること
ができなくなる。このため、プローブ検査で当該製品を
電気的不良品として取り除くことが可能になる。
ストを用いて素子分離領域を形成するためのエッチング
マスクを形成する際に、上記露光方法を適用した場合を
説明する。例えば二重露光によって当該チップの全面を
露光した場合には、当該チップの全面にＬＯＣＯＳ酸化
膜が形成されることになるので、半導体基板にトランジ
スタのソース・ドレイン領域等の拡散層を形成すること
ができなくなる。このため、プローブ検査で当該製品を
電気的不良品として取り除くことが可能になる。
【００６１】なおネガ型レジストを用いた場合には、チ
ップの全面にレジストが残るため、ＬＯＣＯＳ酸化膜が
形成されない。このため、素子間で短絡が生じるので、
プローブ検査で当該製品を電気的不良品として取り除く
ことが可能になる。
ップの全面にレジストが残るため、ＬＯＣＯＳ酸化膜が
形成されない。このため、素子間で短絡が生じるので、
プローブ検査で当該製品を電気的不良品として取り除く
ことが可能になる。
【００６２】または、例えばポジ型レジストを用いてゲ
ート電極を形成するためのエッチングマスクを形成する
際に、上記露光方法を適用した場合を説明する。例えば
二重露光によって当該チップの全面を露光した場合に
は、エッチングマスクが形成されないので、当該チップ
にゲート電極を形成することができない。このため、プ
ローブ検査で当該製品を電気的不良品として取り除くこ
とが可能になる。
ート電極を形成するためのエッチングマスクを形成する
際に、上記露光方法を適用した場合を説明する。例えば
二重露光によって当該チップの全面を露光した場合に
は、エッチングマスクが形成されないので、当該チップ
にゲート電極を形成することができない。このため、プ
ローブ検査で当該製品を電気的不良品として取り除くこ
とが可能になる。
【００６３】なおネガ型レジストを用いた場合には、チ
ップの全面にレジストが残る。このため、エッチングを
行っても、チップ全面にゲート電極を形成する膜が残る
ので、素子間で短絡が生じる。したがって、プローブ検
査で当該製品を電気的不良品として取り除くことが可能
になる。
ップの全面にレジストが残る。このため、エッチングを
行っても、チップ全面にゲート電極を形成する膜が残る
ので、素子間で短絡が生じる。したがって、プローブ検
査で当該製品を電気的不良品として取り除くことが可能
になる。
【００６４】また、例えばポジ型レジストを用いてコン
タクトホールを形成するためのエッチングマスクを形成
する際に、上記露光方法を適用した場合を説明する。例
えば二重露光によって当該チップの全面を露光した場合
には、エッチングマスクが形成されないので、エッチン
グ工程で当該チップに形成した絶縁膜が除去される。こ
のため、配線工程で配線を形成した際に、短絡が生じ
る。したがって、プローブ検査で当該製品を電気的不良
品として取り除くことが可能になる。
タクトホールを形成するためのエッチングマスクを形成
する際に、上記露光方法を適用した場合を説明する。例
えば二重露光によって当該チップの全面を露光した場合
には、エッチングマスクが形成されないので、エッチン
グ工程で当該チップに形成した絶縁膜が除去される。こ
のため、配線工程で配線を形成した際に、短絡が生じ
る。したがって、プローブ検査で当該製品を電気的不良
品として取り除くことが可能になる。
【００６５】なおネガ型レジストを用いた場合には、チ
ップの全面にレジストが残る。このため、エッチングを
行ってもコンタクトホールを形成することができないの
で、導通不良が生じる。したがって、プローブ検査で当
該製品を電気的不良品として取り除くことが可能にな
る。
ップの全面にレジストが残る。このため、エッチングを
行ってもコンタクトホールを形成することができないの
で、導通不良が生じる。したがって、プローブ検査で当
該製品を電気的不良品として取り除くことが可能にな
る。
【００６６】または、例えばポジ型レジストを用いて配
線（パッドを含む場合も有り）形成を行うためのエッチ
ングマスクを形成する際に、上記露光方法を適用した場
合を説明する。例えば二重露光によって当該チップの全
面を露光した場合には、エッチングマスクが形成されな
いので、当該チップに配線（パッドを含む場合も有り）
を形成することができない。このため、プローブ検査用
のパッドが形成されないため、プローブ検査ができな
い。したがって、当該製品を電気的不良品として取り除
くことが可能になる。
線（パッドを含む場合も有り）形成を行うためのエッチ
ングマスクを形成する際に、上記露光方法を適用した場
合を説明する。例えば二重露光によって当該チップの全
面を露光した場合には、エッチングマスクが形成されな
いので、当該チップに配線（パッドを含む場合も有り）
を形成することができない。このため、プローブ検査用
のパッドが形成されないため、プローブ検査ができな
い。したがって、当該製品を電気的不良品として取り除
くことが可能になる。
【００６７】なおネガ型レジストを用いた場合には、チ
ップの全面にレジストが残る。このため、エッチングを
行っても、チップ全面に配線（パッドを含む場合も有
り）を形成する膜が残るので、素子間で短絡が生じる。
したがって、プローブ検査で当該製品を電気的不良品と
して取り除くことが可能になる。
ップの全面にレジストが残る。このため、エッチングを
行っても、チップ全面に配線（パッドを含む場合も有
り）を形成する膜が残るので、素子間で短絡が生じる。
したがって、プローブ検査で当該製品を電気的不良品と
して取り除くことが可能になる。
【００６８】また第１の実施例で説明したように、製品
パターン像を形成したレチクルに対してレチクルブライ
ンドをずらして二重露光する場合には、電気的不良が確
実に生じるように当該レチクルブラインドをずらす必要
がある。そのずらし量は、個々の製品によって、適宜決
定される。
パターン像を形成したレチクルに対してレチクルブライ
ンドをずらして二重露光する場合には、電気的不良が確
実に生じるように当該レチクルブラインドをずらす必要
がある。そのずらし量は、個々の製品によって、適宜決
定される。
【００６９】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
製品パターンを転写して形成した製品パターン像のう
ち、当該ウエハのエッジ近傍に生じる一部分が欠けた状
態の製品パターン像を二重露光するので、二重露光した
領域には、少なくとも正常なパターンが形成されない。
または全くパターンが形成されない。したがって、プロ
ーブ検査工程で、不良品として検出されるので、外観検
査を行う必要もなくなる。このため、検査工程のスルー
プットを向上することができる。
製品パターンを転写して形成した製品パターン像のう
ち、当該ウエハのエッジ近傍に生じる一部分が欠けた状
態の製品パターン像を二重露光するので、二重露光した
領域には、少なくとも正常なパターンが形成されない。
または全くパターンが形成されない。したがって、プロ
ーブ検査工程で、不良品として検出されるので、外観検
査を行う必要もなくなる。このため、検査工程のスルー
プットを向上することができる。
【００７０】また本発明の露光方法を、半導体装置の製
造プロセスにおける複数の露光工程のうち、特定の露光
工程（イオン注入マスクの形成工程，パッシベーション
膜のエッチングマスクの形成工程）を除く少なくとも一
つの露光工程に適用することにより、ウエハのエッジ近
傍に生じる一部分が欠けた状態の製品を導通不良や短絡
等の電気的不良品にすることができる。このため、プロ
ーブ検査工程で当該製品を確実に取り除くことができ
る。また二重露光の回数を１回にすることが可能になる
ので、スループットの向上が図れる。
造プロセスにおける複数の露光工程のうち、特定の露光
工程（イオン注入マスクの形成工程，パッシベーション
膜のエッチングマスクの形成工程）を除く少なくとも一
つの露光工程に適用することにより、ウエハのエッジ近
傍に生じる一部分が欠けた状態の製品を導通不良や短絡
等の電気的不良品にすることができる。このため、プロ
ーブ検査工程で当該製品を確実に取り除くことができ
る。また二重露光の回数を１回にすることが可能になる
ので、スループットの向上が図れる。
【図１】第１の実施例の露光説明図である。
【図２】レチクルブラインドの別の設定例の説明図であ
る。
る。
【図３】第２の実施例の露光説明図である。
【図４】第３の実施例の露光説明図である。
【図５】開口パターンと二重露光領域との対応を説明す
る図である。
る図である。
【図６】第４の実施例の露光説明図である。
【図７】第５の実施例の露光説明図である。
【図８】従来例の露光説明図である。
１ 縮小投影露光装置 ２ レチクルブラインド ３ レチクル ５ レチクル ６ レチクル ７ マスク ２３ 開口部 ３２ 製品パターン ４２ 製品パターン像 ５３ 開口パターン ６２ 製品パターン ６３ 開口パターン ７３ 開口部 ９１ ウエハ
Claims (7)
- 【請求項１】 縮小投影露光装置を用いてレチクルに形
成した製品パターンをウエハに転写する感光工程におい
て、 前記レチクルの製品パターンを前記ウエハに転写した
後、前記製品パターンを転写して形成した製品パターン
像のうち、当該ウエハのエッジ近傍に生じる一部分が欠
けた状態の製品パターン像を二重露光することを特徴と
するウエハの露光方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のウエハの露光方法におい
て、 前記レチクルの製品パターンを前記ウエハに転写した
後、当該縮小投影露光装置のレチクルブラインドの開口
部を当該レチクルの製品パターンに対してずらした位置
に設定し、続いて、前記製品パターンを転写して形成し
た製品パターン像のうち、当該ウエハのエッジ近傍に生
じる一部分が欠けた状態の製品パターン像を二重露光す
ることを特徴とするウエハの露光方法。 - 【請求項３】 請求項１記載のウエハの露光方法におい
て、 前記レチクルの製品パターンを前記ウエハに転写した
後、当該縮小投影露光装置より当該レチクルを取り外し
て、当該縮小投影露光装置のレチクルブラインドの開口
部を所定の大きさに設定し、続いて、前記製品パターン
を転写して形成した製品パターン像のうち、当該ウエハ
のエッジ近傍に生じる一部分が欠けた状態の製品パター
ン像を二重露光することを特徴とするウエハの露光方
法。 - 【請求項４】 請求項１記載のウエハの露光方法におい
て、 前記レチクルの製品パターンを前記ウエハに転写した
後、縮小投影露光装置に設置した当該レチクルを取り外
して、所定の大きさの開口パターンを形成した二重露光
用レチクルを設置し、続いて、前記製品パターンを転写
して形成した製品パターン像のうち、当該ウエハのエッ
ジ近傍に生じる一部分が欠けた状態の製品パターン像を
二重露光することを特徴とするウエハの露光方法。 - 【請求項５】 請求項１記載のウエハの露光方法におい
て、 縮小投影露光装置に製品パターンと二重露光用の開口パ
ターンとを形成したレチクルを設置し、続いて、当該レ
チクルの製品パターンを用いて当該製品パターンを前記
ウエハに転写した後、当該レチクルの開口パターンを用
いて、前記製品パターンを転写して形成した製品パター
ン像のうち、当該ウエハのエッジ近傍に生じる一部分が
欠けた状態の製品パターン像を二重露光することを特徴
とするウエハの露光方法。 - 【請求項６】 請求項１記載のウエハの露光方法におい
て、 レチクルの製品パターンを前記ウエハに転写した後、前
記ウエハのエッジ近傍に生じる一部分が欠けた状態で転
写された製品パターンの領域に対応する位置に開口部を
設けたマスクを用いて、等倍投影露光装置によって、製
品パターンを転写して形成した製品パターン像のうち、
当該ウエハのエッジ近傍に生じる一部分が欠けた状態の
製品パターン像を二重露光することを特徴とするウエハ
の露光方法。 - 【請求項７】 半導体装置の製造プロセスにおける複数
の露光工程のうち、イオン注入マスクを形成する露光工
程とパッド上のパッシベーション膜に開口パターンを形
成する際に用いるエッチングマスクを形成する露光工程
とを除く少なくとも一つの露光工程で、前記請求項１，
請求項２，請求項３，請求項４，請求項５または請求項
６のうちのいづれか１項に記載のウエハの露光方法を用
いることを特徴とするウエハの露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5172588A JPH07142309A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | ウエハの露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5172588A JPH07142309A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | ウエハの露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142309A true JPH07142309A (ja) | 1995-06-02 |
Family
ID=15944634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5172588A Pending JPH07142309A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | ウエハの露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07142309A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6232051B1 (en) | 1997-10-20 | 2001-05-15 | Fujitsu Limited | Method for production of semiconductor devices |
| JP2007019223A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| CN102866592A (zh) * | 2012-09-17 | 2013-01-09 | 上海华力微电子有限公司 | 一种提高多层整合光罩工艺套准精度的光刻曝光方法 |
| US8383323B2 (en) | 2006-09-13 | 2013-02-26 | Samsung Austin Semiconductor, L.P. | Selective imaging through dual photoresist layers |
-
1993
- 1993-06-18 JP JP5172588A patent/JPH07142309A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6232051B1 (en) | 1997-10-20 | 2001-05-15 | Fujitsu Limited | Method for production of semiconductor devices |
| KR100305552B1 (ko) * | 1997-10-20 | 2001-11-30 | 아끼구사 나오유끼 | 반도체장치의제조방법 |
| JP2007019223A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US7879532B2 (en) | 2005-07-07 | 2011-02-01 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
| US8383323B2 (en) | 2006-09-13 | 2013-02-26 | Samsung Austin Semiconductor, L.P. | Selective imaging through dual photoresist layers |
| CN102866592A (zh) * | 2012-09-17 | 2013-01-09 | 上海华力微电子有限公司 | 一种提高多层整合光罩工艺套准精度的光刻曝光方法 |
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