JPH07142310A - 露光装置及びそれを用いた半導体チップの製造方法 - Google Patents
露光装置及びそれを用いた半導体チップの製造方法Info
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- JPH07142310A JPH07142310A JP5179927A JP17992793A JPH07142310A JP H07142310 A JPH07142310 A JP H07142310A JP 5179927 A JP5179927 A JP 5179927A JP 17992793 A JP17992793 A JP 17992793A JP H07142310 A JPH07142310 A JP H07142310A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レチクル面上のパターンをウエハ面上に投影
レンズで投影露光する際、露光光と異なった波長の光を
用いてレチクルとウエハとの位置合わせを行った露光装
置及びそれを用いた半導体チップの製造方法を得るこ
と。 【構成】 露光光で第１物体のパターンを第２物体上に
投影する投影レンズ系と、該露光光とは波長が異なる検
出光で第２物体を照明し、該第２物体上のマーク情報を
検出し、これより該第１物体と第２物体との相対的位置
合わせを行う検出手段とを有しており、該検出手段は色
収差の補正された光学要素を光軸から偏心させることに
より、該検出手段で発生したコマ収差を補正しているこ
と。
レンズで投影露光する際、露光光と異なった波長の光を
用いてレチクルとウエハとの位置合わせを行った露光装
置及びそれを用いた半導体チップの製造方法を得るこ
と。 【構成】 露光光で第１物体のパターンを第２物体上に
投影する投影レンズ系と、該露光光とは波長が異なる検
出光で第２物体を照明し、該第２物体上のマーク情報を
検出し、これより該第１物体と第２物体との相対的位置
合わせを行う検出手段とを有しており、該検出手段は色
収差の補正された光学要素を光軸から偏心させることに
より、該検出手段で発生したコマ収差を補正しているこ
と。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は露光装置及びそれを用い
た半導体チップの製造方法に関し、特にレチクル（マス
ク）面上に形成されているＩＣ，ＬＳＩ等の微細な電子
回路パターンを投影レンズ系（投影光学系）によりウエ
ハ面上に投影し露光すると共に、この露光の為の光とは
波長が異なる光で投影レンズ系を介してウエハ面上の状
態を観察する機能を有する露光装置及びそれを用いた半
導体チップの製造方法に関する。
た半導体チップの製造方法に関し、特にレチクル（マス
ク）面上に形成されているＩＣ，ＬＳＩ等の微細な電子
回路パターンを投影レンズ系（投影光学系）によりウエ
ハ面上に投影し露光すると共に、この露光の為の光とは
波長が異なる光で投影レンズ系を介してウエハ面上の状
態を観察する機能を有する露光装置及びそれを用いた半
導体チップの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造用の微少投影型の露光装置で
は、第１物体としてのレチクルの回路パターンを投影レ
ンズ系により第２物体としてのウエハ上に投影し露光す
るが、この投影露光に先立って観察装置（検出手段）を
用いてウエハ面を観察することによりウエハ上のアライ
メントマークを検出し、この検出結果に基づいてレチク
ルとウエハとの位置整合、所謂アライメントを行ってい
る。
は、第１物体としてのレチクルの回路パターンを投影レ
ンズ系により第２物体としてのウエハ上に投影し露光す
るが、この投影露光に先立って観察装置（検出手段）を
用いてウエハ面を観察することによりウエハ上のアライ
メントマークを検出し、この検出結果に基づいてレチク
ルとウエハとの位置整合、所謂アライメントを行ってい
る。
【０００３】このときのアライメント精度は観察装置の
光学性能に大きく依存している。この為、観察装置の性
能は露光装置において重要な要素となっている。
光学性能に大きく依存している。この為、観察装置の性
能は露光装置において重要な要素となっている。
【０００４】従来より、露光装置において、ウエハ面に
形成したアライメントマークを観察顕微鏡系によって観
察し、投影された画像信号を用いてアライメントマーク
の位置を検出し、ウエハの位置情報を得ることが良く行
われている。
形成したアライメントマークを観察顕微鏡系によって観
察し、投影された画像信号を用いてアライメントマーク
の位置を検出し、ウエハの位置情報を得ることが良く行
われている。
【０００５】特に近年、主に次の２つの理由から非露光
光で比較的波長幅の広い光が観察用照明光として用いら
れるようになってきた。
光で比較的波長幅の広い光が観察用照明光として用いら
れるようになってきた。
【０００６】第一の理由は、ウエハ面に形成したアライ
メントマークを観察する際、多くの場合、ウエハ面上に
は電子回路パターンを転写される感光材（レジスト）が
塗布されている。レジストは通常、露光波長で吸収が多
いため、露光波長ではウエハ上のアライメントマークを
レジスト膜を通して検出することが困難になってきた
り、さらに、露光光でアライメントマークを観察しよう
とすると、露光光によりレジストが感光してアライメン
トマークの検出が不安定になったり、検出できなくなっ
たりするという問題点があり、非露光光による検出方式
が望まれている。
メントマークを観察する際、多くの場合、ウエハ面上に
は電子回路パターンを転写される感光材（レジスト）が
塗布されている。レジストは通常、露光波長で吸収が多
いため、露光波長ではウエハ上のアライメントマークを
レジスト膜を通して検出することが困難になってきた
り、さらに、露光光でアライメントマークを観察しよう
とすると、露光光によりレジストが感光してアライメン
トマークの検出が不安定になったり、検出できなくなっ
たりするという問題点があり、非露光光による検出方式
が望まれている。
【０００７】第二の理由は、非露光光の観察用の照明光
として、例えばハロゲンランプによる比較的波長幅の広
い光を用いると、Ｈｅ−Ｎｅレーザのような単色光源を
用いてウエハ上のＡＡマークを観察した時に発生しがち
な、レジスト膜や半導体プロセスに用いる種々の機能膜
の膜厚ムラによる干渉縞を低減することができ、より良
好なアライメントが行なえるというものである。
として、例えばハロゲンランプによる比較的波長幅の広
い光を用いると、Ｈｅ−Ｎｅレーザのような単色光源を
用いてウエハ上のＡＡマークを観察した時に発生しがち
な、レジスト膜や半導体プロセスに用いる種々の機能膜
の膜厚ムラによる干渉縞を低減することができ、より良
好なアライメントが行なえるというものである。
【０００８】このような理由から、アライメントマーク
の観察顕微鏡系としては、非露光光で比較的波長幅の広
い観察用照明光に対して各種収差を補正して、良好なア
ライメントマークの検出が行なえるようにしている。
の観察顕微鏡系としては、非露光光で比較的波長幅の広
い観察用照明光に対して各種収差を補正して、良好なア
ライメントマークの検出が行なえるようにしている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このように
観察用の照明光として波長幅の広い光を用いた場合に、
観察顕微鏡全体で発生しているコマ収差を補正するため
に、例えばコマ収差調整用のレンズを用い、該レンズを
光軸から偏心させると、いわゆるプリズム効果により色
ずれが発生し、検出面上に投影された画像信号の位置が
色によって異なった位置に投影されるという問題点が生
じてくる。
観察用の照明光として波長幅の広い光を用いた場合に、
観察顕微鏡全体で発生しているコマ収差を補正するため
に、例えばコマ収差調整用のレンズを用い、該レンズを
光軸から偏心させると、いわゆるプリズム効果により色
ずれが発生し、検出面上に投影された画像信号の位置が
色によって異なった位置に投影されるという問題点が生
じてくる。
【００１０】又、観察用の照明光として波長幅の広い光
を用いると、図９（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）に示すように
観察顕微鏡系の各要素の加工誤差あるいは組立て誤差な
どの誤差、具体的にはプリズムのくさび成分や光軸に対
する傾き、レンズの偏心誤差などにより検出面上に投影
された画像信号の位置が色によって異なった位置に投影
されるという問題点が生じてくる。図９（Ａ），
（Ｂ），（Ｃ）はそれぞれプリズム９１のくさび成分、
プリズム９１の光軸に対する傾き、レンズの偏心誤差に
より投影画面上で色ずれが発生する様子を示している。
を用いると、図９（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）に示すように
観察顕微鏡系の各要素の加工誤差あるいは組立て誤差な
どの誤差、具体的にはプリズムのくさび成分や光軸に対
する傾き、レンズの偏心誤差などにより検出面上に投影
された画像信号の位置が色によって異なった位置に投影
されるという問題点が生じてくる。図９（Ａ），
（Ｂ），（Ｃ）はそれぞれプリズム９１のくさび成分、
プリズム９１の光軸に対する傾き、レンズの偏心誤差に
より投影画面上で色ずれが発生する様子を示している。
【００１１】その結果、ウエハ面上に塗布したレジスト
の膜厚や半導体プロセスに用いる種々の機能膜の膜厚、
ウエハ面上に形成したアライメントマークの膜厚などが
変化した場合、例えば図１０に示すようにウエハ面に形
成したアライメントマーク検出信号の分光特性の変化に
伴って、検出面上に投影される画像信号の位置が変化し
てアライメント誤差となり、アライメント精度を劣化さ
せるという問題点が生じてくる。
の膜厚や半導体プロセスに用いる種々の機能膜の膜厚、
ウエハ面上に形成したアライメントマークの膜厚などが
変化した場合、例えば図１０に示すようにウエハ面に形
成したアライメントマーク検出信号の分光特性の変化に
伴って、検出面上に投影される画像信号の位置が変化し
てアライメント誤差となり、アライメント精度を劣化さ
せるという問題点が生じてくる。
【００１２】本発明は露光光と波長が異なる検出光（ア
ライメント光）で投影レンズ系を介してマークの検出を
行なう場合にマーク像の位置を高精度に検出することが
可能な、改良されたマーク検出機能を有する露光装置及
びそれを用いた半導体チップの製造方法の提供を目的と
する。
ライメント光）で投影レンズ系を介してマークの検出を
行なう場合にマーク像の位置を高精度に検出することが
可能な、改良されたマーク検出機能を有する露光装置及
びそれを用いた半導体チップの製造方法の提供を目的と
する。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の露光装置は、 （１−１）露光光で第１物体のパターンを第２物体上に
投影する投影レンズ系と、該露光光とは波長が異なる検
出光で第２物体を照明し、該第２物体上のマーク情報を
検出し、これより該第１物体と第２物体との相対的位置
合わせを行う検出手段とを有しており、該検出手段は色
収差の補正された光学要素を光軸から偏心させることに
より、該検出手段で発生したコマ収差を補正しているこ
とを特徴としている。
投影する投影レンズ系と、該露光光とは波長が異なる検
出光で第２物体を照明し、該第２物体上のマーク情報を
検出し、これより該第１物体と第２物体との相対的位置
合わせを行う検出手段とを有しており、該検出手段は色
収差の補正された光学要素を光軸から偏心させることに
より、該検出手段で発生したコマ収差を補正しているこ
とを特徴としている。
【００１４】特に、前記光学要素は分散の異なる材質よ
り成る２つのレンズを接合した貼合わせレンズより構成
していることを特徴としている。
り成る２つのレンズを接合した貼合わせレンズより構成
していることを特徴としている。
【００１５】（１−２）露光光で第１物体のパターンを
第２物体上に投影する投影レンズ系と、該露光光とは波
長が異なる検出光で第２物体を照明し、該第２物体上の
マーク情報を検出し、これより該第１物体と第２物体と
の相対的位置合わせを行う検出手段とを有しており、該
検出手段は検出面上で発生する色によるマーク像のずれ
を補正する光学部材を有していることを特徴としてい
る。
第２物体上に投影する投影レンズ系と、該露光光とは波
長が異なる検出光で第２物体を照明し、該第２物体上の
マーク情報を検出し、これより該第１物体と第２物体と
の相対的位置合わせを行う検出手段とを有しており、該
検出手段は検出面上で発生する色によるマーク像のずれ
を補正する光学部材を有していることを特徴としてい
る。
【００１６】特に、前記光学部材をくさび板より又は分
散の異なる材質の２つのくさび板より又は分散の異なる
材質の２つのレンズより構成したことを特徴としてい
る。
散の異なる材質の２つのくさび板より又は分散の異なる
材質の２つのレンズより構成したことを特徴としてい
る。
【００１７】又、本発明の半導体チップの製造方法は （２−１）ウエハを感光させない検出光を用い該ウエハ
上の位置合わせ用のマークを検出手段で検出し、該検出
に基づき得られるマーク像の位置情報により該ウエハの
位置合わせを行ない、該ウエハを感光させる露光光でマ
スクの回路パターンを照明することにより投影レンズ系
を介して該回路パターンの像を該ウエハ上に投影して転
写し、半導体チップを製造する際、該検出手段は色収差
の補正された光学要素を光軸から偏心させることによ
り、該検出手段で発生したコマ収差を補正していること
を特徴としている。
上の位置合わせ用のマークを検出手段で検出し、該検出
に基づき得られるマーク像の位置情報により該ウエハの
位置合わせを行ない、該ウエハを感光させる露光光でマ
スクの回路パターンを照明することにより投影レンズ系
を介して該回路パターンの像を該ウエハ上に投影して転
写し、半導体チップを製造する際、該検出手段は色収差
の補正された光学要素を光軸から偏心させることによ
り、該検出手段で発生したコマ収差を補正していること
を特徴としている。
【００１８】（２−２）ウエハを感光させない検出光を
用い該ウエハ上の位置合わせ用のマークを検出手段で検
出し、該検出に基づき得られるマーク像の位置情報によ
り該ウエハの位置合わせを行ない、該ウエハを感光させ
る露光光でマスクの回路パターンを照明することにより
投影レンズ系を介して該回路パターンの像を該ウエハ上
に投影して転写し、半導体チップを製造する際、該検出
手段は検出面上で発生する色によるマーク像のずれを補
正する光学部材を有していることを特徴としている。
用い該ウエハ上の位置合わせ用のマークを検出手段で検
出し、該検出に基づき得られるマーク像の位置情報によ
り該ウエハの位置合わせを行ない、該ウエハを感光させ
る露光光でマスクの回路パターンを照明することにより
投影レンズ系を介して該回路パターンの像を該ウエハ上
に投影して転写し、半導体チップを製造する際、該検出
手段は検出面上で発生する色によるマーク像のずれを補
正する光学部材を有していることを特徴としている。
【００１９】
【実施例】図１は本発明を半導体素子製造用の露光装置
に適用したときの実施例１の光学系の要部概略図であ
る。
に適用したときの実施例１の光学系の要部概略図であ
る。
【００２０】同図において８は第１物体としてのレチク
ルでレチクルステージ１０に載置されている。３は第２
物体としてのウエハであり、その面上にはアライメント
用のマーク（ＡＡマーク）４が設けられている。５は投
影光学系で投影レンズ系よりなり、レチクル（マスク）
８面上の回路パターン等をウエハ３面上に投影してい
る。投影レンズ系５はレチクル８側とウエハ３側で共に
テレセントリック系となっている。
ルでレチクルステージ１０に載置されている。３は第２
物体としてのウエハであり、その面上にはアライメント
用のマーク（ＡＡマーク）４が設けられている。５は投
影光学系で投影レンズ系よりなり、レチクル（マスク）
８面上の回路パターン等をウエハ３面上に投影してい
る。投影レンズ系５はレチクル８側とウエハ３側で共に
テレセントリック系となっている。
【００２１】９は照明系であり、露光光でレチクル８を
照明している。２はθ，Ｚステージでウエハ３を載置し
ており、ウエハ３のθ回転及びフォーカス調整、即ちＺ
方向の調整を行っている。θ，Ｚステージ２はステップ
動作を高精度に行う為のＸＹステージ１上に載置されて
いる。ＸＹステージ１にはステージ位置計測の基準とな
る光学スクウェアー（バーミラー）６が置かれており、
この光学スクウェアー６をレーザ干渉計７でモニターし
ている。
照明している。２はθ，Ｚステージでウエハ３を載置し
ており、ウエハ３のθ回転及びフォーカス調整、即ちＺ
方向の調整を行っている。θ，Ｚステージ２はステップ
動作を高精度に行う為のＸＹステージ１上に載置されて
いる。ＸＹステージ１にはステージ位置計測の基準とな
る光学スクウェアー（バーミラー）６が置かれており、
この光学スクウェアー６をレーザ干渉計７でモニターし
ている。
【００２２】本実施例におけるレチクル８とウエハ３と
の位置合わせ（アライメント）は予め位置関係が求めら
れている後述する基準マーク１７に対して各々位置合わ
せを行うことにより間接的に行なっている。又は実際レ
ジスト像パターン等をアライメントを行なって露光を行
ない、その誤差（オフセット）を測定し、それ以後のそ
の値を考慮してオフセット処理している。
の位置合わせ（アライメント）は予め位置関係が求めら
れている後述する基準マーク１７に対して各々位置合わ
せを行うことにより間接的に行なっている。又は実際レ
ジスト像パターン等をアライメントを行なって露光を行
ない、その誤差（オフセット）を測定し、それ以後のそ
の値を考慮してオフセット処理している。
【００２３】次にウエハ３面のマーク４の位置検出を行
なう検出手段１０１の各要素について説明する。
なう検出手段１０１の各要素について説明する。
【００２４】１１は観察顕微鏡であり、非露光光でウエ
ハ３面上のＡＡマーク４を観察している。
ハ３面上のＡＡマーク４を観察している。
【００２５】本実施例では投影レンズ５を介さないでア
ライメントを行なうオフアクシス方式を用いている。
ライメントを行なうオフアクシス方式を用いている。
【００２６】１４はＡＡマーク４の検出用の光源で、露
光光の波長とは異なる波長の光束（非露光光）を発する
ハロゲンランプから成っている。１５はレンズであり、
光源１４からの光束（検出光）を集光して照明用のビー
ムスプリッター１６に入射させている。１２は対物レン
ズである。
光光の波長とは異なる波長の光束（非露光光）を発する
ハロゲンランプから成っている。１５はレンズであり、
光源１４からの光束（検出光）を集光して照明用のビー
ムスプリッター１６に入射させている。１２は対物レン
ズである。
【００２７】１３は光学要素としてのレンズ群であり、
観察顕微鏡１１で発生したコマ収差を補正する為に光軸
Ｓから偏心可能となるように構成している。
観察顕微鏡１１で発生したコマ収差を補正する為に光軸
Ｓから偏心可能となるように構成している。
【００２８】尚、本実施例においてレンズ群１３は分散
の異なる材質の正レンズと負レンズの２つのレンズより
成り、色収差も補正するようにしている。
の異なる材質の正レンズと負レンズの２つのレンズより
成り、色収差も補正するようにしている。
【００２９】ビームスプリッター１６で反射したレンズ
１５からの検出光はミラーＭ1 で反射させ、レンズ群１
３と対物レンズ１２を介してウエハ３面上のＡＡマーク
４に導光して照明している。
１５からの検出光はミラーＭ1 で反射させ、レンズ群１
３と対物レンズ１２を介してウエハ３面上のＡＡマーク
４に導光して照明している。
【００３０】１９は基準マーク１７の照明用の光源でＬ
ＥＤ等から成っている。１８はレンズである。光源１９
からの光束はレンズ１８で集光し、基準マーク１７に導
光し、照明している。２０は基準マーク用のビームスプ
リッターであり、基準マーク１７からの光束を反射させ
てミラーＭ2 を介してエレクターレンズ２１に入射して
いる。エレクターレンズ２１は基準マーク１７及びウエ
ハ３面上のＡＡマーク４を各々ＣＣＤカメラ２２の撮像
面に結像している。本実施例における検出手段１０１は
以上の各要素を有している。
ＥＤ等から成っている。１８はレンズである。光源１９
からの光束はレンズ１８で集光し、基準マーク１７に導
光し、照明している。２０は基準マーク用のビームスプ
リッターであり、基準マーク１７からの光束を反射させ
てミラーＭ2 を介してエレクターレンズ２１に入射して
いる。エレクターレンズ２１は基準マーク１７及びウエ
ハ３面上のＡＡマーク４を各々ＣＣＤカメラ２２の撮像
面に結像している。本実施例における検出手段１０１は
以上の各要素を有している。
【００３１】本実施例において光源１４から出射した非
露光光（検出光）は順にレンズ１５、ビームスプリッタ
ー１６、ミラーＭ1 、レンズ群１３、対物レンズ１２を
経て、ウエハ３上のＡＡマーク４を照明する。ウエハ３
上のＡＡマーク４の観察像情報は、順にレンズ群１３、
対物レンズ１２、ミラーＭ1 、ビームスプリッター１
６、ビームスプリッター２０、ミラーＭ2 、エレクター
レンズ２１を経てＣＣＤカメラ２２上に結像する。
露光光（検出光）は順にレンズ１５、ビームスプリッタ
ー１６、ミラーＭ1 、レンズ群１３、対物レンズ１２を
経て、ウエハ３上のＡＡマーク４を照明する。ウエハ３
上のＡＡマーク４の観察像情報は、順にレンズ群１３、
対物レンズ１２、ミラーＭ1 、ビームスプリッター１
６、ビームスプリッター２０、ミラーＭ2 、エレクター
レンズ２１を経てＣＣＤカメラ２２上に結像する。
【００３２】本実施例においては観察顕微鏡１１で発生
したコマ収差を後述するように光軸Ｓから偏心可能に設
けたレンズ群１３で補正している。これにより良好なＡ
Ａマーク４の観察像がＣＣＤカメラ２２上に形成される
ようにしている。
したコマ収差を後述するように光軸Ｓから偏心可能に設
けたレンズ群１３で補正している。これにより良好なＡ
Ａマーク４の観察像がＣＣＤカメラ２２上に形成される
ようにしている。
【００３３】一方、基準マーク１７は基準マーク照明用
のＬＥＤより成る光源１９から出射した光をレンズ１８
により集光して照明され、ビームスプリッター２０、ミ
ラーＭ2 を介しエレクターレンズ２１を経てＣＣＤカメ
ラ２２上に結像する。
のＬＥＤより成る光源１９から出射した光をレンズ１８
により集光して照明され、ビームスプリッター２０、ミ
ラーＭ2 を介しエレクターレンズ２１を経てＣＣＤカメ
ラ２２上に結像する。
【００３４】このＣＣＤカメラ２２上に結像したウエハ
３上のＡＡマーク４の観察像のＣＣＤカメラ２２上の位
置を不図示の信号処理装置で計測し、同じく信号処理装
置で計測したＣＣＤカメラ２２上に結像し、常に固定さ
れている基準マーク１７の投影像の位置とを比較するこ
とによって正確なＸＹステージ１の位置情報を得て、こ
れにより高精度のアライメントを行っている。
３上のＡＡマーク４の観察像のＣＣＤカメラ２２上の位
置を不図示の信号処理装置で計測し、同じく信号処理装
置で計測したＣＣＤカメラ２２上に結像し、常に固定さ
れている基準マーク１７の投影像の位置とを比較するこ
とによって正確なＸＹステージ１の位置情報を得て、こ
れにより高精度のアライメントを行っている。
【００３５】次に本実施例のコマ収差調整用のレンズ群
１３の光学的作用について図２を用いて説明する。
１３の光学的作用について図２を用いて説明する。
【００３６】本実施例のレンズ群１３は分散の異なる２
つのレンズを接合してレンズ群１３で発生する色収差を
補正した接合色補正レンズを光軸から偏心させるように
構成して、検出面２２上に色による像ずれを発生させな
いで観察顕微鏡１１全体で発生しているコマ収差を補正
できるようにしている。
つのレンズを接合してレンズ群１３で発生する色収差を
補正した接合色補正レンズを光軸から偏心させるように
構成して、検出面２２上に色による像ずれを発生させな
いで観察顕微鏡１１全体で発生しているコマ収差を補正
できるようにしている。
【００３７】図２（Ａ）は顕微鏡用結像レンズにより検
出面上に像を形成している様子を示したもので、図２
（Ｂ）は１枚のレンズ１３を光軸から偏心させたとき
に、いわゆるプリズム効果による色ずれが発生している
様子を示している。
出面上に像を形成している様子を示したもので、図２
（Ｂ）は１枚のレンズ１３を光軸から偏心させたとき
に、いわゆるプリズム効果による色ずれが発生している
様子を示している。
【００３８】図２（Ｃ）は分散の異なる２つのレンズを
接合して色収差を補正した接合色補正レンズ１３により
検出面上に像を形成している様子を示している。
接合して色収差を補正した接合色補正レンズ１３により
検出面上に像を形成している様子を示している。
【００３９】図２（Ｄ）は図２（Ｃ）の接合色補正レン
ズ１３を光軸から偏心させたときに、検出面上に色によ
る像ずれが発生しないことを示している。
ズ１３を光軸から偏心させたときに、検出面上に色によ
る像ずれが発生しないことを示している。
【００４０】本実施例では以上のようにレンズ群１３を
構成することにより、観察顕微鏡１１全体で発生するコ
マ収差を補正し、検出面（ＣＣＤカメラ２２の撮像面）
に良好なるＡＡマーク４の像を形成している。
構成することにより、観察顕微鏡１１全体で発生するコ
マ収差を補正し、検出面（ＣＣＤカメラ２２の撮像面）
に良好なるＡＡマーク４の像を形成している。
【００４１】又、本実施例では非露光光としてハロゲン
ランプによる露光光の波長より中心波長が異なり、かつ
比較的波長幅の広い光源（例えば６３３±３０ｎｍ）を
用い、Ｈｅ−Ｎｅレーザのような単色光源を用いてウエ
ハ上のＡＡマークを観察するときに発生しがちなレジス
ト膜による干渉縞を低減し、これにより良好なアライメ
ントを行っている。
ランプによる露光光の波長より中心波長が異なり、かつ
比較的波長幅の広い光源（例えば６３３±３０ｎｍ）を
用い、Ｈｅ−Ｎｅレーザのような単色光源を用いてウエ
ハ上のＡＡマークを観察するときに発生しがちなレジス
ト膜による干渉縞を低減し、これにより良好なアライメ
ントを行っている。
【００４２】図３は本発明を半導体素子製造用の露光装
置に適用したときの実施例２の光学系の要部概略図であ
る。図３において図１で示した部材と同じ部材には同一
符番を付している。
置に適用したときの実施例２の光学系の要部概略図であ
る。図３において図１で示した部材と同じ部材には同一
符番を付している。
【００４３】本実施例は図１の実施例１に比べて、ウエ
ハ３上のＡＡマーク４を投影レンズ５を介した光を用い
て観察している点が異っており、即ちＴＴＬ方式でアラ
イメントを行っている点と光学系２４を用いた点が異っ
ており、その他の構成は略同じである。
ハ３上のＡＡマーク４を投影レンズ５を介した光を用い
て観察している点が異っており、即ちＴＴＬ方式でアラ
イメントを行っている点と光学系２４を用いた点が異っ
ており、その他の構成は略同じである。
【００４４】図３において光学系２４は投影レンズ５で
発生した収差（例えば非点収差）を補正する為の平行平
面板より成っている。
発生した収差（例えば非点収差）を補正する為の平行平
面板より成っている。
【００４５】本実施例においてハロゲンランプ１４から
出射した非露光光は順にレンズ１５、ビームスプリッタ
ー１６、レンズ群１３、対物レンズ１２、光学系２４、
ミラー２３、投影レンズ系５を経てウエハ３上のＡＡマ
ーク４を照明する。
出射した非露光光は順にレンズ１５、ビームスプリッタ
ー１６、レンズ群１３、対物レンズ１２、光学系２４、
ミラー２３、投影レンズ系５を経てウエハ３上のＡＡマ
ーク４を照明する。
【００４６】ウエハ３上のＡＡマーク４の観察像情報は
順に投影レンズ５、ミラー２３、光学系２４、対物レン
ズ１２、レンズ群１３、ビームスプリッター１６、ビー
ムスプリッター２０、エレクターレンズ２１を経てＣＣ
Ｄカメラ２２上に結像する。このとき、投影レンズ系５
はレチクル８上に描かれた電子回路パターンをウエハ３
上に投影する為に露光光に対して良好に収差補正されて
いる。この為、非露光光が投影レンズ５を通過した際、
収差が発生する。
順に投影レンズ５、ミラー２３、光学系２４、対物レン
ズ１２、レンズ群１３、ビームスプリッター１６、ビー
ムスプリッター２０、エレクターレンズ２１を経てＣＣ
Ｄカメラ２２上に結像する。このとき、投影レンズ系５
はレチクル８上に描かれた電子回路パターンをウエハ３
上に投影する為に露光光に対して良好に収差補正されて
いる。この為、非露光光が投影レンズ５を通過した際、
収差が発生する。
【００４７】本実施例においては投影レンズ系５で発生
した球面収差と軸上色収差等を対物レンズ１２で補正
し、同じくコマ収差を光軸から偏心可能に設けたレンズ
群１３で補正するように構成し、良好なＡＡマーク４の
観察像がＣＣＤカメラ２２上に形成されるようにしてい
る。
した球面収差と軸上色収差等を対物レンズ１２で補正
し、同じくコマ収差を光軸から偏心可能に設けたレンズ
群１３で補正するように構成し、良好なＡＡマーク４の
観察像がＣＣＤカメラ２２上に形成されるようにしてい
る。
【００４８】一方、基準マーク１７は基準マーク照明用
のＬＥＤ光源１９から出射した光をレンズ１８により集
光して照明され、ビームスプリッター２０、対物エレク
ターレンズ２１を経てＣＣＤカメラ２２上に結像する。
のＬＥＤ光源１９から出射した光をレンズ１８により集
光して照明され、ビームスプリッター２０、対物エレク
ターレンズ２１を経てＣＣＤカメラ２２上に結像する。
【００４９】このＣＣＤカメラ２２上に結像したウエハ
３上のＡＡマーク４の観察像のＣＣＤカメラ２２上の位
置を不図示の信号処理装置で計測し、同じく信号処理装
置で計測したＣＣＤカメラ２２上に結像し、常に固定さ
れている基準マーク１７の投影像の位置とを比較するこ
とによって正確なステージの位置情報を得て、これによ
り高精度のアライメントを行っている。
３上のＡＡマーク４の観察像のＣＣＤカメラ２２上の位
置を不図示の信号処理装置で計測し、同じく信号処理装
置で計測したＣＣＤカメラ２２上に結像し、常に固定さ
れている基準マーク１７の投影像の位置とを比較するこ
とによって正確なステージの位置情報を得て、これによ
り高精度のアライメントを行っている。
【００５０】以上のように実施例１，２においてはウエ
ハ上のＡＡマークを非露光光で観察してアライメントを
行う際、観察顕微鏡全体で発生しているコマ収差を補正
するための光学系要素を色収差の補正された光学系要素
で構成することで、観察顕微鏡全体で発生しているコマ
収差を補正した際、検出面上に色による像ずれを防止し
ている。
ハ上のＡＡマークを非露光光で観察してアライメントを
行う際、観察顕微鏡全体で発生しているコマ収差を補正
するための光学系要素を色収差の補正された光学系要素
で構成することで、観察顕微鏡全体で発生しているコマ
収差を補正した際、検出面上に色による像ずれを防止し
ている。
【００５１】これによりウエハ面上に塗布したレジスト
の膜厚や半導体プロセスに用いる種々の機能膜の膜厚、
ウエハ面上に形成したアライメントマークの膜厚などが
変化した場合、ウエハ面に形成したアライメントマーク
検出信号の分光特性の変化に伴って、検出面上に投影さ
れる画像信号の位置が変化したときのアライメント誤差
を少なくし、アライメント精度の向上を図っている。
の膜厚や半導体プロセスに用いる種々の機能膜の膜厚、
ウエハ面上に形成したアライメントマークの膜厚などが
変化した場合、ウエハ面に形成したアライメントマーク
検出信号の分光特性の変化に伴って、検出面上に投影さ
れる画像信号の位置が変化したときのアライメント誤差
を少なくし、アライメント精度の向上を図っている。
【００５２】図４は本発明を半導体素子製造用の露光装
置に適用したときの実施例３の光学系の要部概略図であ
る。図４において図１で示した部材と同じ部材には同一
符番を付している。
置に適用したときの実施例３の光学系の要部概略図であ
る。図４において図１で示した部材と同じ部材には同一
符番を付している。
【００５３】本実施例は図１の実施例１に比べて、ＣＣ
Ｄカメラ２２の前方に後述するように少なくとも２つの
透明な楔形プリズムより成る光学部材４１を配置し、観
察顕微鏡１１の各光学要素の誤差等により発生した色に
よるＡＡマーク像のＣＣＤカメラ２２面上での位置ずれ
を補正していること、そしてコマ収差補正のレンズ群１
３を省略していることが異っており、その他の構成は略
同じである。
Ｄカメラ２２の前方に後述するように少なくとも２つの
透明な楔形プリズムより成る光学部材４１を配置し、観
察顕微鏡１１の各光学要素の誤差等により発生した色に
よるＡＡマーク像のＣＣＤカメラ２２面上での位置ずれ
を補正していること、そしてコマ収差補正のレンズ群１
３を省略していることが異っており、その他の構成は略
同じである。
【００５４】次に本実施例の構成について図１の説明と
一部重複するが順次説明する。
一部重複するが順次説明する。
【００５５】本実施例においてハロゲンランプ１４から
出射した非露光光は順にレンズ１５、ビームスプリッタ
１６、ミラーＭ1 、対物レンズ１２を経てウエハ３上の
ＡＡマーク４を照明する。
出射した非露光光は順にレンズ１５、ビームスプリッタ
１６、ミラーＭ1 、対物レンズ１２を経てウエハ３上の
ＡＡマーク４を照明する。
【００５６】ウエハ３上のＡＡマーク４の観察像情報は
順に対物レンズ１２、ミラーＭ1 、ビームスプリッター
１６、ビームスプリッター２０、ミラーＭ2 、エレクタ
ーレンズ２１、光学部材４１を経てＣＣＤカメラ２２上
に結像する。
順に対物レンズ１２、ミラーＭ1 、ビームスプリッター
１６、ビームスプリッター２０、ミラーＭ2 、エレクタ
ーレンズ２１、光学部材４１を経てＣＣＤカメラ２２上
に結像する。
【００５７】一方、基準マーク１７は基準マーク照明用
のＬＥＤ光源１９から出射した光をレンズ１８により集
光して照明され、ビームスプリッター２０、ミラーＭ
2 、対物エレクターレンズ２１を経てＣＣＤカメラ２２
上に結像する。
のＬＥＤ光源１９から出射した光をレンズ１８により集
光して照明され、ビームスプリッター２０、ミラーＭ
2 、対物エレクターレンズ２１を経てＣＣＤカメラ２２
上に結像する。
【００５８】このＣＣＤカメラ２２上に結像したウエハ
３上のＡＡマーク４の観察像のＣＣＤカメラ２２上の位
置を不図示の信号処理装置で計測し、同じく信号処理装
置で計測したＣＣＤカメラ２２上に結像し、常に固定さ
れている基準マーク１７の投影像の位置とを比較するこ
とによって正確なステージの位置情報を得て、これによ
り高精度のアライメントを行っている。
３上のＡＡマーク４の観察像のＣＣＤカメラ２２上の位
置を不図示の信号処理装置で計測し、同じく信号処理装
置で計測したＣＣＤカメラ２２上に結像し、常に固定さ
れている基準マーク１７の投影像の位置とを比較するこ
とによって正確なステージの位置情報を得て、これによ
り高精度のアライメントを行っている。
【００５９】本実施例では実施例１と同様に非露光光と
してハロゲンランプによる露光光の波長より中心波長が
異なり、かつ比較的波長幅の広い光源（例えば６３３±
３０ｎｍ）を用い、Ｈｅ−Ｎｅレーザのような単色光源
を用いてウエハ上のＡＡマークを観察するときに発生し
がちなレジスト膜による干渉縞を低減し、これにより良
好なアライメントを行っている。
してハロゲンランプによる露光光の波長より中心波長が
異なり、かつ比較的波長幅の広い光源（例えば６３３±
３０ｎｍ）を用い、Ｈｅ−Ｎｅレーザのような単色光源
を用いてウエハ上のＡＡマークを観察するときに発生し
がちなレジスト膜による干渉縞を低減し、これにより良
好なアライメントを行っている。
【００６０】次に本実施例の光学部材４１の光学的作用
について図５を用いて説明する。
について図５を用いて説明する。
【００６１】本実施例において光学部材４１は２枚のく
さび板４１ａ，４１ｂを用いて観察顕微鏡系１１の光学
系要素の誤差等によって発生した色による投影像の位置
ずれを補正している。
さび板４１ａ，４１ｂを用いて観察顕微鏡系１１の光学
系要素の誤差等によって発生した色による投影像の位置
ずれを補正している。
【００６２】図５（Ａ）は１枚のくさび板５１のいわゆ
るプリズム効果により色ずれが発生している様子を示し
ている。
るプリズム効果により色ずれが発生している様子を示し
ている。
【００６３】図５（Ｂ）は観察顕微鏡系１１の光学系要
素の誤差等によって発生した色による投影像の位置ずれ
の様子を示している。
素の誤差等によって発生した色による投影像の位置ずれ
の様子を示している。
【００６４】図５（Ｃ）は２枚のくさび板４１ａ，４１
ｂを用いて図５（Ｂ）に示した投影像の位置ずれを補正
したもので、２枚のくさび板４１ａ，４１ｂの設定角度
を調整して、任意の方向と大きさに発生している色によ
る投影像の位置ずれを補正可能としている。
ｂを用いて図５（Ｂ）に示した投影像の位置ずれを補正
したもので、２枚のくさび板４１ａ，４１ｂの設定角度
を調整して、任意の方向と大きさに発生している色によ
る投影像の位置ずれを補正可能としている。
【００６５】図６，図７は本発明の実施例４，５の一部
分の光学部材４１に関する説明図である。
分の光学部材４１に関する説明図である。
【００６６】実施例４，５では図４の実施例３に比べて
光学部材４１の構成が異っているだけで、その他の構成
は同じである。
光学部材４１の構成が異っているだけで、その他の構成
は同じである。
【００６７】図６の実施例４では光学部材４１として分
散の異なる２つのくさび板４１ａ１，４１ａ２（４１ｂ
１，４１ｂ２）を接合した２つの平行平面板４１ａ，４
１ｂを用いて、図４で示す観察顕微鏡１１の光学系要素
の誤差等によって発生した色による投影像（ＡＡマーク
像）の位置ずれを補正している。
散の異なる２つのくさび板４１ａ１，４１ａ２（４１ｂ
１，４１ｂ２）を接合した２つの平行平面板４１ａ，４
１ｂを用いて、図４で示す観察顕微鏡１１の光学系要素
の誤差等によって発生した色による投影像（ＡＡマーク
像）の位置ずれを補正している。
【００６８】本実施例では２組のくさび板の設定角度を
調整して、任意の方向と大きさに発生している色による
投影像の位置ずれを補正可能としている。特に本実施例
において、分散の異なる２枚のくさび板４１ａ１，４１
ａ２（４１ｂ１，４１ｂ２）を構成する硝材をアライメ
ントに用いる照明波長のうちある一波長（例えば中心波
長λ0 ）において屈折率が同じで分散が異なるものにす
れば、この２枚のくさび板は波長λ0 に対して屈折力を
持たないので、色による投影像の位置ずれを補正するた
めに光路中にくさび板を挿入した際に、ＣＣＤカメラ２
２上に結像した観察像の光軸が変化しないという特長が
ある。
調整して、任意の方向と大きさに発生している色による
投影像の位置ずれを補正可能としている。特に本実施例
において、分散の異なる２枚のくさび板４１ａ１，４１
ａ２（４１ｂ１，４１ｂ２）を構成する硝材をアライメ
ントに用いる照明波長のうちある一波長（例えば中心波
長λ0 ）において屈折率が同じで分散が異なるものにす
れば、この２枚のくさび板は波長λ0 に対して屈折力を
持たないので、色による投影像の位置ずれを補正するた
めに光路中にくさび板を挿入した際に、ＣＣＤカメラ２
２上に結像した観察像の光軸が変化しないという特長が
ある。
【００６９】図７の実施例５では光学部材４１として、
分散の異なる材質より成る２つのレンズ４１ｃ，４１ｄ
を接合した、全体として平行平面板となるようにしたも
のを用いており、これにより図４で示した観察顕微鏡系
１１の光学系要素の誤差等によって発生した色による投
影像の位置ずれを補正するようにしている。
分散の異なる材質より成る２つのレンズ４１ｃ，４１ｄ
を接合した、全体として平行平面板となるようにしたも
のを用いており、これにより図４で示した観察顕微鏡系
１１の光学系要素の誤差等によって発生した色による投
影像の位置ずれを補正するようにしている。
【００７０】本実施例ではレンズの偏心方向と偏心量を
調整して、任意の方向と大きさに発生している色による
投影像の位置ずれを補正可能としている。
調整して、任意の方向と大きさに発生している色による
投影像の位置ずれを補正可能としている。
【００７１】特に本実施例において、分散の異なる材質
より成る２枚のレンズ４１ｃ，４１ｄを構成する硝材
を、アライメントに用いる照明波長のうちある一波長
（例えば中心波長λ0 ）において屈折率が同じで分散が
異なるものにすれば、この２枚のレンズ波長λ0 に対し
て屈折力を持たないので、色による投影像の位置ずれを
補正するために光路中にレンズを挿入した際に、ＣＣＤ
カメラ２２上に結像した観察像の光軸が変化しないとい
う特長がある。
より成る２枚のレンズ４１ｃ，４１ｄを構成する硝材
を、アライメントに用いる照明波長のうちある一波長
（例えば中心波長λ0 ）において屈折率が同じで分散が
異なるものにすれば、この２枚のレンズ波長λ0 に対し
て屈折力を持たないので、色による投影像の位置ずれを
補正するために光路中にレンズを挿入した際に、ＣＣＤ
カメラ２２上に結像した観察像の光軸が変化しないとい
う特長がある。
【００７２】図８は本発明を半導体素子製造用の露光装
置に適用したときの実施例６の光学系の要部概略図であ
る。図８において図４に示した部材と同じ部材に同一符
番を付している。
置に適用したときの実施例６の光学系の要部概略図であ
る。図８において図４に示した部材と同じ部材に同一符
番を付している。
【００７３】本実施例は図４の実施例３に比べて、ウエ
ハ３上のＡＡマーク４を投影レンズ５を介した光を用い
て観察している点が異っており、即ちＴＴＬ方式でアラ
イメントを行っている点が異っており、その他の構成は
略同じである。
ハ３上のＡＡマーク４を投影レンズ５を介した光を用い
て観察している点が異っており、即ちＴＴＬ方式でアラ
イメントを行っている点が異っており、その他の構成は
略同じである。
【００７４】本実施例においてハロゲンランプ１４から
出射した非露光光は順にレンズ１５、ビームスプリッタ
１６、対物レンズ１２、ミラーＭ1 、投影レンズ系５を
経てウエハ３上のＡＡマーク４を照明する。
出射した非露光光は順にレンズ１５、ビームスプリッタ
１６、対物レンズ１２、ミラーＭ1 、投影レンズ系５を
経てウエハ３上のＡＡマーク４を照明する。
【００７５】ウエハ３上のＡＡマーク４の観察像情報は
順に投影レンズ５、ミラーＭ1 、対物レンズ１２、ビー
ムスプリッター１６、ビームスプリッター２０、エレク
ターレンズ２１、光学部材４１を経てＣＣＤカメラ２２
上に結像する。
順に投影レンズ５、ミラーＭ1 、対物レンズ１２、ビー
ムスプリッター１６、ビームスプリッター２０、エレク
ターレンズ２１、光学部材４１を経てＣＣＤカメラ２２
上に結像する。
【００７６】一方、基準マーク１７は基準マーク照明用
のＬＥＤ光源１９から出射した光をレンズ１８により集
光して照明され、ビームスプリッター２０、対物エレク
ターレンズ２１、光学部材４１を経てＣＣＤカメラ２２
上に結像する。
のＬＥＤ光源１９から出射した光をレンズ１８により集
光して照明され、ビームスプリッター２０、対物エレク
ターレンズ２１、光学部材４１を経てＣＣＤカメラ２２
上に結像する。
【００７７】このＣＣＤカメラ２２上に結像したウエハ
３上のＡＡマーク４の観察像のＣＣＤカメラ２２上の位
置を不図示の信号処理装置で計測し、同じく信号処理装
置で計測したＣＣＤカメラ２２上に結像し、常に固定さ
れている基準マーク１７の投影像の位置とを比較するこ
とによって正確なステージの位置情報を得て、これによ
り高精度のアライメントを行っている。
３上のＡＡマーク４の観察像のＣＣＤカメラ２２上の位
置を不図示の信号処理装置で計測し、同じく信号処理装
置で計測したＣＣＤカメラ２２上に結像し、常に固定さ
れている基準マーク１７の投影像の位置とを比較するこ
とによって正確なステージの位置情報を得て、これによ
り高精度のアライメントを行っている。
【００７８】以上のように実施例３〜６ではウエハ面上
のＡＡマークを非露光光で観察してアライメントを行う
際、検出面上に発生した色による像ずれを補正する光学
部材を有することで、ウエハ面上に塗布したレジストや
半導体プロセスに用いる種々の機能膜やウエハ面上に形
成したアライメントマークの膜厚などが変化した場合、
ウエハ面に形成したアライメントマーク検出信号の分光
特性の変化に伴って、検出面上に投影される画像信号の
位置が変化したときのアライメント誤差を少なくし、ア
ライメント精度の向上を図っている。
のＡＡマークを非露光光で観察してアライメントを行う
際、検出面上に発生した色による像ずれを補正する光学
部材を有することで、ウエハ面上に塗布したレジストや
半導体プロセスに用いる種々の機能膜やウエハ面上に形
成したアライメントマークの膜厚などが変化した場合、
ウエハ面に形成したアライメントマーク検出信号の分光
特性の変化に伴って、検出面上に投影される画像信号の
位置が変化したときのアライメント誤差を少なくし、ア
ライメント精度の向上を図っている。
【００７９】
【発明の効果】本発明によれば以上のように各要素を設
定することにより、露光光と波長が異なる検出光（アラ
イメント光）で投影レンズ系を介してマークの検出をな
行う場合にマーク像の位置を高精度に検出することが可
能な、改良されたマーク検出機能を有する露光装置及び
それを用いた半導体チップの製造方法を達成することが
できる。
定することにより、露光光と波長が異なる検出光（アラ
イメント光）で投影レンズ系を介してマークの検出をな
行う場合にマーク像の位置を高精度に検出することが可
能な、改良されたマーク検出機能を有する露光装置及び
それを用いた半導体チップの製造方法を達成することが
できる。
【図１】 本発明の露光装置の実施例１の光学系の要部
概略図
概略図
【図２】 図１の観察顕微鏡のコマ収差を補正する一実
施例の説明図
施例の説明図
【図３】 本発明の露光装置の実施例２の光学系の要部
概略図
概略図
【図４】 本発明の露光装置の実施例３の光学系の要部
概略図
概略図
【図５】 図４の色によるＡＡマーク像の位置ずれの補
正を示す説明図
正を示す説明図
【図６】 図４の色によるＡＡマーク像の位置ずれの補
正を示す説明図
正を示す説明図
【図７】 図４の色によるＡＡマーク像の位置ずれの補
正を示す説明図
正を示す説明図
【図８】 本発明の露光装置の実施例４の光学系の要部
概略図
概略図
【図９】 従来の装置における色によるＡＡマーク像の
位置ずれの説明図
位置ずれの説明図
【図１０】 膜厚による分光反射率変化を示す説明図
１ ＸＹステージ ２ θステージ ３ ウエハ ４ ウエハ上にあるアライメントマーク（ＡＡマーク） ５ 投影レンズ ６ バーミラー ７ ＸＹステージの位置を計測するレーザ干渉計 ８ レチクル ９ 露光用照明系 １０ レチクルのステージ １１ 色による投影像の位置ずれを補正する光学系 １２ 対物レンズ １３ 非露光光によるウエハ上のＡＡマークを観察する
観察光学系 １４ 照明用のハロゲンランプ光源 １５ 照明用レンズ １６ 照明用のビームスプリッタ １７ 基準マーク １８ 基準マーク照明用のレンズ １９ 基準マーク照明用のＬＥＤ光源 ２０ 基準マーク用のビームスプリッタ ２１ エレクターレンズ ２２ ＣＣＤカメラ
観察光学系 １４ 照明用のハロゲンランプ光源 １５ 照明用レンズ １６ 照明用のビームスプリッタ １７ 基準マーク １８ 基準マーク照明用のレンズ １９ 基準マーク照明用のＬＥＤ光源 ２０ 基準マーク用のビームスプリッタ ２１ エレクターレンズ ２２ ＣＣＤカメラ
Claims (6)
- 【請求項１】 露光光で第１物体のパターンを第２物体
上に投影する投影レンズ系と、該露光光とは波長が異な
る検出光で第２物体を照明し、該第２物体上のマーク情
報を検出し、これより該第１物体と第２物体との相対的
位置合わせを行う検出手段とを有しており、該検出手段
は色収差の補正された光学要素を光軸から偏心させるこ
とにより、該検出手段で発生したコマ収差を補正してい
ることを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 前記光学要素は分散の異なる材質より成
る２つのレンズを接合した貼合わせレンズより構成して
いることを特徴とする請求項１の露光装置。 - 【請求項３】 ウエハを感光させない検出光を用い該ウ
エハ上の位置合わせ用のマークを検出手段で検出し、該
検出に基づき得られるマーク像の位置情報により該ウエ
ハの位置合わせを行ない、該ウエハを感光させる露光光
でマスクの回路パターンを照明することにより投影レン
ズ系を介して該回路パターンの像を該ウエハ上に投影し
て転写し、半導体チップを製造する際、該検出手段は色
収差の補正された光学要素を光軸から偏心させることに
より、該検出手段で発生したコマ収差を補正しているこ
とを特徴とする半導体チップの製造方法。 - 【請求項４】 露光光で第１物体のパターンを第２物体
上に投影する投影レンズ系と、該露光光とは波長が異な
る検出光で第２物体を照明し、該第２物体上のマーク情
報を検出し、これより該第１物体と第２物体との相対的
位置合わせを行う検出手段とを有しており、該検出手段
は検出面上で発生する色によるマーク像のずれを補正す
る光学部材を有していることを特徴とする露光装置。 - 【請求項５】 前記光学部材をくさび板より又は分散の
異なる材質の２つのくさび板より又は分散の異なる材質
の２つのレンズより構成したことを特徴とする請求項４
の露光装置。 - 【請求項６】 ウエハを感光させない検出光を用い該ウ
エハ上の位置合わせ用のマークを検出手段で検出し、該
検出に基づき得られるマーク像の位置情報により該ウエ
ハの位置合わせを行ない、該ウエハを感光させる露光光
でマスクの回路パターンを照明することにより投影レン
ズ系を介して該回路パターンの像を該ウエハ上に投影し
て転写し、半導体チップを製造する際、該検出手段は検
出面上で発生する色によるマーク像のずれを補正する光
学部材を有していることを特徴とする半導体チップの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17992793A JP3352161B2 (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 露光装置及びそれを用いた半導体チップの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17992793A JP3352161B2 (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 露光装置及びそれを用いた半導体チップの製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002169088A Division JP3679782B2 (ja) | 2002-06-10 | 2002-06-10 | 露光装置及びそれを用いた半導体チップの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142310A true JPH07142310A (ja) | 1995-06-02 |
| JP3352161B2 JP3352161B2 (ja) | 2002-12-03 |
Family
ID=16074365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17992793A Expired - Lifetime JP3352161B2 (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 露光装置及びそれを用いた半導体チップの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3352161B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6707533B2 (en) | 2000-11-22 | 2004-03-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Detection apparatus and exposure apparatus using the same |
| CN113066748A (zh) * | 2021-03-22 | 2021-07-02 | 拾斛科技(南京)有限公司 | 晶圆对准检测装置、光刻机、键合机及压印机 |
| CN116171406A (zh) * | 2020-09-14 | 2023-05-26 | 株式会社V技术 | 投影曝光装置以及投影曝光方法 |
-
1993
- 1993-06-25 JP JP17992793A patent/JP3352161B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6707533B2 (en) | 2000-11-22 | 2004-03-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Detection apparatus and exposure apparatus using the same |
| CN116171406A (zh) * | 2020-09-14 | 2023-05-26 | 株式会社V技术 | 投影曝光装置以及投影曝光方法 |
| CN113066748A (zh) * | 2021-03-22 | 2021-07-02 | 拾斛科技(南京)有限公司 | 晶圆对准检测装置、光刻机、键合机及压印机 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3352161B2 (ja) | 2002-12-03 |
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