JPH07142323A - レジストパターン形成法 - Google Patents
レジストパターン形成法Info
- Publication number
- JPH07142323A JPH07142323A JP5148860A JP14886093A JPH07142323A JP H07142323 A JPH07142323 A JP H07142323A JP 5148860 A JP5148860 A JP 5148860A JP 14886093 A JP14886093 A JP 14886093A JP H07142323 A JPH07142323 A JP H07142323A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- resist pattern
- photoresist
- forming
- resist
- Prior art date
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- Pending
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明の目的は、レジストを用いて、形状の制
御しやすいマスク材の製法を提供することにある。 【構成】ダミー層にポリイミド樹脂，ポリジメチルグル
タルイミド等を用い、この上にフォトレジスト層を形成
する。フォトレジスト層を硬化後、ダミー層を除去し、
アンダーカットをもつリフトオフ用マスク材を作製す
る。 【効果】アンダーカット量，パターン形状および寸法の
制御が容易な高精度かつ高耐熱性のリフトオフ用マスク
材が作製できる。
御しやすいマスク材の製法を提供することにある。 【構成】ダミー層にポリイミド樹脂，ポリジメチルグル
タルイミド等を用い、この上にフォトレジスト層を形成
する。フォトレジスト層を硬化後、ダミー層を除去し、
アンダーカットをもつリフトオフ用マスク材を作製す
る。 【効果】アンダーカット量，パターン形状および寸法の
制御が容易な高精度かつ高耐熱性のリフトオフ用マスク
材が作製できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リフトオフ用マスク材
として用いるレジストパターンの形成方法に関する。
として用いるレジストパターンの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】特開平1−120832 号公報には、ダミー層
の側壁にレジスト層を形成後、光照射を行って、レジス
ト層の所定厚さを硬化層とした後、ダミー層，非硬化層
を除去してひさしパターンを形成する方法が開示されて
いる。
の側壁にレジスト層を形成後、光照射を行って、レジス
ト層の所定厚さを硬化層とした後、ダミー層，非硬化層
を除去してひさしパターンを形成する方法が開示されて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の特開平1−12083
2 号公報に記載の発明では、ダミー層の側壁のレジスト
層に光を照射し、レジスト層に形成される硬化層と非硬
化層との溶剤への溶解性の違いにより、リフトオフ用の
マスクを形成しているために、マスクの形状の制御が難
しい。そこで、本発明の目的は、レジストを用いて形状
の制御しやすいマスク材作製法を提供することにある。
2 号公報に記載の発明では、ダミー層の側壁のレジスト
層に光を照射し、レジスト層に形成される硬化層と非硬
化層との溶剤への溶解性の違いにより、リフトオフ用の
マスクを形成しているために、マスクの形状の制御が難
しい。そこで、本発明の目的は、レジストを用いて形状
の制御しやすいマスク材作製法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明では、レジストパ
ターン形成は、（１）基板にダミー層パターンを形成す
る工程と、（２）前記のパターン上にフォトレジストを
塗布する工程と、(３)前記フォトレジスト層にフォトマ
スクを介して紫外線を照射し、現像する工程と、（４）
フォトレジストを硬化させる工程と、（５）ダミー層の
みを除去する工程を順次、あるいは（５）の次に（４）
の順序で行うことにより達成される。
ターン形成は、（１）基板にダミー層パターンを形成す
る工程と、（２）前記のパターン上にフォトレジストを
塗布する工程と、(３)前記フォトレジスト層にフォトマ
スクを介して紫外線を照射し、現像する工程と、（４）
フォトレジストを硬化させる工程と、（５）ダミー層の
みを除去する工程を順次、あるいは（５）の次に（４）
の順序で行うことにより達成される。
【０００５】本発明におけるレジストパターン形成は、
数ｎｍから数十μｍの膜厚で、サブミクロンから数mmの
大きさのパターンに関するものである。基板には金属，
金属酸化物および半導体等を用い、必要ならば、脱水処
理またはＨＭＤＳ処理を行っておく。基板上には既に別
種のパターンが形成され段差があっても良い。ダミー層
を形成する物質はフォトレジストと混合層を形成しない
ことが必要で、樹脂を用いる場合、フォトレジストと混
合層を形成しない樹脂としては、通常のポリイミド樹脂
あるいは感光性ポリイミド樹脂，ポリジメチルグルタル
イミド(PMGI)，ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）
およびその誘導体，ポリメチルイソプロピルケトン（Ｐ
ＭＩＰＫ）がある。
数ｎｍから数十μｍの膜厚で、サブミクロンから数mmの
大きさのパターンに関するものである。基板には金属，
金属酸化物および半導体等を用い、必要ならば、脱水処
理またはＨＭＤＳ処理を行っておく。基板上には既に別
種のパターンが形成され段差があっても良い。ダミー層
を形成する物質はフォトレジストと混合層を形成しない
ことが必要で、樹脂を用いる場合、フォトレジストと混
合層を形成しない樹脂としては、通常のポリイミド樹脂
あるいは感光性ポリイミド樹脂，ポリジメチルグルタル
イミド(PMGI)，ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）
およびその誘導体，ポリメチルイソプロピルケトン（Ｐ
ＭＩＰＫ）がある。
【０００６】ダミー層としてポリイミド樹脂を用いる場
合、基板上にポリイミド樹脂をスピンナーで塗布後ベー
クし、ポリイミド層を形成する。このポリイミド層上に
フォトレジストを塗布後、露光，現像を行い、フォトレ
ジスト層のパターン形成を行う。下層のポリイミド層
は、上層のフォトレジスト層をマスクにして、ウェット
エッチング法あるいはドライエッチング法等の公知の手
法によりパターン形成を行えば良い。またポリイミド層
をポリイミド樹脂がハーフキュアとなる温度条件でベー
クすると、レジスト用現像液でポリイミドが溶解除去で
きるため、フォトレジスト層の現像と同時に、ポリイミ
ド層のパターン形成が可能となる。次にフォトレジスト
層を剥離、あるいはそのまま剥離しない状態にして、更
にこの上にフォトレジストを塗布する。ここで再び露
光，現像を行い、フォトレジストにパターンを形成す
る。次に、ポリイミド層を除去し、マスク材のパターン
を作製する。レジスト層の硬化処理はポリイミド層除去
前でも後でもよい。除去前にレジスト層を硬化させた場
合は、ポリイミド層除去時のレジスト層の膜減りによる
パターン寸法，精度の劣化を少なくできる。レジストの
硬化は、加熱，光照射等により行うことができる。光照
射は、例えば、遠紫外線を、必要ならば真空中でベーク
しながら照射することによって達成できる。
合、基板上にポリイミド樹脂をスピンナーで塗布後ベー
クし、ポリイミド層を形成する。このポリイミド層上に
フォトレジストを塗布後、露光，現像を行い、フォトレ
ジスト層のパターン形成を行う。下層のポリイミド層
は、上層のフォトレジスト層をマスクにして、ウェット
エッチング法あるいはドライエッチング法等の公知の手
法によりパターン形成を行えば良い。またポリイミド層
をポリイミド樹脂がハーフキュアとなる温度条件でベー
クすると、レジスト用現像液でポリイミドが溶解除去で
きるため、フォトレジスト層の現像と同時に、ポリイミ
ド層のパターン形成が可能となる。次にフォトレジスト
層を剥離、あるいはそのまま剥離しない状態にして、更
にこの上にフォトレジストを塗布する。ここで再び露
光，現像を行い、フォトレジストにパターンを形成す
る。次に、ポリイミド層を除去し、マスク材のパターン
を作製する。レジスト層の硬化処理はポリイミド層除去
前でも後でもよい。除去前にレジスト層を硬化させた場
合は、ポリイミド層除去時のレジスト層の膜減りによる
パターン寸法，精度の劣化を少なくできる。レジストの
硬化は、加熱，光照射等により行うことができる。光照
射は、例えば、遠紫外線を、必要ならば真空中でベーク
しながら照射することによって達成できる。
【０００７】ダミー層としてポリジメチルグルタルイミ
ド（ＰＭＧＩ），ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ），ポリメチルイソプロピルケトン（ＰＭＩＰＫ），
感光性ポリイミドを用いる場合もポリイミド樹脂を用い
た場合と同様の方法でレジスト層を塗布し、露光，現像
を行いパターン形成を行うことができるが、もっと簡便
には、これらのダミー層に、遠紫外線，電子線，紫外線
によって直接、描画露光，現像を行うことによって、パ
ターンを形成することもできる。特に、ＰＭＧＩ，ＰＭ
ＭＡ，ＰＭＩＰＫの３種類については、遠紫外線領域に
感光帯をもっているため、レジスト硬化をダミー層除去
前に、遠紫外線照射によって行えば、レジストの硬化と
同時にダミー層を感光させ、この分子量を減少させるこ
とにより除去を容易に行うことができる。
ド（ＰＭＧＩ），ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ），ポリメチルイソプロピルケトン（ＰＭＩＰＫ），
感光性ポリイミドを用いる場合もポリイミド樹脂を用い
た場合と同様の方法でレジスト層を塗布し、露光，現像
を行いパターン形成を行うことができるが、もっと簡便
には、これらのダミー層に、遠紫外線，電子線，紫外線
によって直接、描画露光，現像を行うことによって、パ
ターンを形成することもできる。特に、ＰＭＧＩ，ＰＭ
ＭＡ，ＰＭＩＰＫの３種類については、遠紫外線領域に
感光帯をもっているため、レジスト硬化をダミー層除去
前に、遠紫外線照射によって行えば、レジストの硬化と
同時にダミー層を感光させ、この分子量を減少させるこ
とにより除去を容易に行うことができる。
【０００８】
【作用】本発明において、レジストは、通常のフォトリ
ソグラフィーによってパターンの形成を行ったのち、遠
紫外線照射によってレジストを硬化させ、良好なパター
ン精度が得られ、スループットも高く、リフトオフ用マ
スク材が形成できる。マスク材のアンダーカット量は、
通常のフォトリソグラフィーによって制御するため、任
意のアンダーカットが作製できる。大きなアンダーカッ
トをもつマスク材を使用することによって、薄膜の被着
時に用いる方法は蒸着のみならず通常のスパッタ法およ
びバイアススパッタ法も使用することが可能である。ま
た、マスク材全体のフォトレジストを硬化させ、ノボラ
ック樹脂−ジアゾナフトキノン系のレジストを用いた場
合、耐熱性が約３００℃と著しく向上するため、薄膜を
被着させる工程での基板温度を高めることができ、薄膜
の向上が可能となる。
ソグラフィーによってパターンの形成を行ったのち、遠
紫外線照射によってレジストを硬化させ、良好なパター
ン精度が得られ、スループットも高く、リフトオフ用マ
スク材が形成できる。マスク材のアンダーカット量は、
通常のフォトリソグラフィーによって制御するため、任
意のアンダーカットが作製できる。大きなアンダーカッ
トをもつマスク材を使用することによって、薄膜の被着
時に用いる方法は蒸着のみならず通常のスパッタ法およ
びバイアススパッタ法も使用することが可能である。ま
た、マスク材全体のフォトレジストを硬化させ、ノボラ
ック樹脂−ジアゾナフトキノン系のレジストを用いた場
合、耐熱性が約３００℃と著しく向上するため、薄膜を
被着させる工程での基板温度を高めることができ、薄膜
の向上が可能となる。
【０００９】
【実施例】実施例１ 以下、図を用いて本実施例を説明する。図１は本発明の
工程により形成される構造の拡大断面図（但し、均一倍
率ではない）である。図１（ａ）において、基板１にポ
リイミドワニス（ＰＩＱ；日立化成工業社製）の２Ｐの
ものを５０００rpm で６０秒間スピンコートによって塗
布し、１５０℃で３０分間ホットプレートでベークを行
い、０.５μｍ の膜厚のポリイミド層２を得、この上に
ノボラック系フォトレジスト（ＯＦＰＲ８６００−３０
ｃｐ）を３０００rpm で３０秒間スピンコート後、９０
℃で３０分間のプリベークを行い約１μｍの膜厚のフォ
トレジスト層３を得たところを示す。図１（ｂ）におい
て、この基板をフォトマスクを介して７２ｍＪ／cm2 の
紫外線を照射した後フォトレジスト層３およびポリイミ
ド層２をテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
の２.３８ 重量％水溶液（ＮＭＤ−３；東京応化工業社
製）で２分間現像を行ったところを示す。図１（ｃ）に
おいて、アセトンを用いてフォトレジスト層のみを除去
し、ダミー層を形成したところを示す。次に、フォトレ
ジスト(ＯＦＰＲ８６００−３０ｃｐ)を３０００rpm で
３０秒間スピンコート後、９０℃で３０分間のプリベー
クを行い約１μｍの膜厚のフォトレジスト層４を形成し
たところを示す。ここでは、あるいは、フォトレジスト
層３を除去することなく、この上にフォトレジストを塗
布しても良い。図１（ｅ）において、フォトマスクを介
して７２ｍＪ／cm2 の紫外線を照射、ＮＭＤ−３により
１分３０秒の現像を行ったところを示す。この後、真空
中で１００℃に加熱しながら遠紫外線を３.６Ｊ／cm2照
射し、上層部のフォトレジスト層を硬化させ、現像液に
不溶化させる。図１（ｆ）において、再び現像液を用い
てポリイミド層のみを選択的にサイドエッチングしたと
ころを示す。この工程において、上層部のフォトレジス
トはエッチングを受けないため、フォトレジストのパタ
ーン寸法および精度は、最初の現像時のままに保たれる
ため、高精度かつパターン形状および寸法の制御が容易
となる。アンダーカット量は、２度のフォトリソグラフ
ィーによるため、制御がしやすく例えば１〜１０μｍ位
の大きなアンダーカットも容易に作製できる。
工程により形成される構造の拡大断面図（但し、均一倍
率ではない）である。図１（ａ）において、基板１にポ
リイミドワニス（ＰＩＱ；日立化成工業社製）の２Ｐの
ものを５０００rpm で６０秒間スピンコートによって塗
布し、１５０℃で３０分間ホットプレートでベークを行
い、０.５μｍ の膜厚のポリイミド層２を得、この上に
ノボラック系フォトレジスト（ＯＦＰＲ８６００−３０
ｃｐ）を３０００rpm で３０秒間スピンコート後、９０
℃で３０分間のプリベークを行い約１μｍの膜厚のフォ
トレジスト層３を得たところを示す。図１（ｂ）におい
て、この基板をフォトマスクを介して７２ｍＪ／cm2 の
紫外線を照射した後フォトレジスト層３およびポリイミ
ド層２をテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
の２.３８ 重量％水溶液（ＮＭＤ−３；東京応化工業社
製）で２分間現像を行ったところを示す。図１（ｃ）に
おいて、アセトンを用いてフォトレジスト層のみを除去
し、ダミー層を形成したところを示す。次に、フォトレ
ジスト(ＯＦＰＲ８６００−３０ｃｐ)を３０００rpm で
３０秒間スピンコート後、９０℃で３０分間のプリベー
クを行い約１μｍの膜厚のフォトレジスト層４を形成し
たところを示す。ここでは、あるいは、フォトレジスト
層３を除去することなく、この上にフォトレジストを塗
布しても良い。図１（ｅ）において、フォトマスクを介
して７２ｍＪ／cm2 の紫外線を照射、ＮＭＤ−３により
１分３０秒の現像を行ったところを示す。この後、真空
中で１００℃に加熱しながら遠紫外線を３.６Ｊ／cm2照
射し、上層部のフォトレジスト層を硬化させ、現像液に
不溶化させる。図１（ｆ）において、再び現像液を用い
てポリイミド層のみを選択的にサイドエッチングしたと
ころを示す。この工程において、上層部のフォトレジス
トはエッチングを受けないため、フォトレジストのパタ
ーン寸法および精度は、最初の現像時のままに保たれる
ため、高精度かつパターン形状および寸法の制御が容易
となる。アンダーカット量は、２度のフォトリソグラフ
ィーによるため、制御がしやすく例えば１〜１０μｍ位
の大きなアンダーカットも容易に作製できる。
【００１０】実施例２ 以下、図を用いて本実施例を説明する。本実施例も実施
例１と同様の形状となるため図１を用いる。図１は本発
明の工程により形成される構造の拡大断面図（但し、均
一倍率ではない）である。図１（ａ）において、基板１
を１５０℃で２０分間の脱水ベークを行った後、ＰＭＧ
Ｉワニス〔ＳＡＬ１１０；（発売元シプレイ社）をシン
ナーで２倍に希釈〕を２０００rpm で３０秒間スピンコ
ートによって塗布し、１８５℃で３０分間ホットプレー
トでベークを行い、０.３μｍの膜厚のＰＭＧＩ層２を
得、この上にノボラック系フォトレジスト（ＯＦＰＲ８
６００−３０ｃｐ）を３０００rpm で３０秒間スピンコ
ート後、９０℃で３０分間のプリベークを行い約１μｍ
の膜厚のフォトレジスト層３を得たところを示す。図１
(ｂ）において、この基板をフォトマスクを介して７２
ｍＪ／cm2の紫外線を照射し、フォトレジスト層３およ
びＰＭＧＩ層２をテトラメチルアンモニウムハイドロオ
キサイドの２.３８％水溶液(ＮＭＤ−３；東京応化工業
社製）で２分間現像を行ったところを示す。図１（ｃ）
において、アセトンを用いてフォトレジスト層のみを除
去し、ダミー層を形成したところを示す。図１（ｄ）に
おいて、フォトレジスト(ＯＦＰＲ８６００−３０ｃ
ｐ）を３０００rpmで３０秒間スピンコート後、９０℃
で３０分間のプリベークを行い約１μｍの膜厚のフォト
レジスト層を形成したところを示す。あるいは、フォト
レジスト層３を除去することなく、この上にフォトレジ
ストを塗布しても良い。図１(ｅ)において、フォトマス
クを介して７２ｍＪ／cm2 の紫外線を照射、ＮＭＤ−３
により１分の現像を行ったところを示す。次に、真空中
で１００℃でベークしながら遠紫外線を3.6Ｊ／cm2 照
射し、上層部のフォトレジスト層を硬化させ、現像液に
不溶化させると同時にフォトレジスト層を通して、下層
部のＰＭＧＩを感光させ、ＰＭＧＩの分子量を減少させ
た。図１(ｆ)において、再び現像液を用いてＰＭＧＩ層
のみを選択的にサイドエッチングしたところを示す。こ
の工程において、フォトレジストはエッチングを受けな
いため、フォトレジストのパターン寸法および精度は、
最初の現像時のままに保たれるため、高精度かつパター
ン形状および寸法の制御が容易となる。遠紫外線により
ＰＭＧＩの分子量が減少しているため、ＰＭＧＩは速や
かに現像液に溶解するため、容易にアンダーカットが形
成できる。
例１と同様の形状となるため図１を用いる。図１は本発
明の工程により形成される構造の拡大断面図（但し、均
一倍率ではない）である。図１（ａ）において、基板１
を１５０℃で２０分間の脱水ベークを行った後、ＰＭＧ
Ｉワニス〔ＳＡＬ１１０；（発売元シプレイ社）をシン
ナーで２倍に希釈〕を２０００rpm で３０秒間スピンコ
ートによって塗布し、１８５℃で３０分間ホットプレー
トでベークを行い、０.３μｍの膜厚のＰＭＧＩ層２を
得、この上にノボラック系フォトレジスト（ＯＦＰＲ８
６００−３０ｃｐ）を３０００rpm で３０秒間スピンコ
ート後、９０℃で３０分間のプリベークを行い約１μｍ
の膜厚のフォトレジスト層３を得たところを示す。図１
(ｂ）において、この基板をフォトマスクを介して７２
ｍＪ／cm2の紫外線を照射し、フォトレジスト層３およ
びＰＭＧＩ層２をテトラメチルアンモニウムハイドロオ
キサイドの２.３８％水溶液(ＮＭＤ−３；東京応化工業
社製）で２分間現像を行ったところを示す。図１（ｃ）
において、アセトンを用いてフォトレジスト層のみを除
去し、ダミー層を形成したところを示す。図１（ｄ）に
おいて、フォトレジスト(ＯＦＰＲ８６００−３０ｃ
ｐ）を３０００rpmで３０秒間スピンコート後、９０℃
で３０分間のプリベークを行い約１μｍの膜厚のフォト
レジスト層を形成したところを示す。あるいは、フォト
レジスト層３を除去することなく、この上にフォトレジ
ストを塗布しても良い。図１(ｅ)において、フォトマス
クを介して７２ｍＪ／cm2 の紫外線を照射、ＮＭＤ−３
により１分の現像を行ったところを示す。次に、真空中
で１００℃でベークしながら遠紫外線を3.6Ｊ／cm2 照
射し、上層部のフォトレジスト層を硬化させ、現像液に
不溶化させると同時にフォトレジスト層を通して、下層
部のＰＭＧＩを感光させ、ＰＭＧＩの分子量を減少させ
た。図１(ｆ)において、再び現像液を用いてＰＭＧＩ層
のみを選択的にサイドエッチングしたところを示す。こ
の工程において、フォトレジストはエッチングを受けな
いため、フォトレジストのパターン寸法および精度は、
最初の現像時のままに保たれるため、高精度かつパター
ン形状および寸法の制御が容易となる。遠紫外線により
ＰＭＧＩの分子量が減少しているため、ＰＭＧＩは速や
かに現像液に溶解するため、容易にアンダーカットが形
成できる。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、アンダーカット量，パ
ターン形状および寸法の制御が容易な、高精度かつ高耐
熱性のリフトオフ用マスク材が作製できる。
ターン形状および寸法の制御が容易な、高精度かつ高耐
熱性のリフトオフ用マスク材が作製できる。
【図１】本発明の実施例における構造の拡大断面図（但
し、拡大倍率は均一ではない）である。
し、拡大倍率は均一ではない）である。
１…基板、２…ポリイミド層、３…フォトレジスト層、
４…フォトレジスト層。
４…フォトレジスト層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 府山 盛明 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内
Claims (7)
- 【請求項１】基板上にダミー層のパターンを形成する工
程と，前記パターン上にレジストパターンを形成する工
程と，前記ダミー層のみを除去しレジストパターンを形
成する各工程とを含むことを特徴とするレジストパター
ン形成法。 - 【請求項２】前記レジストパターンを硬化させる工程を
含むことを特徴とする請求項１記載のレジストパターン
形成法。 - 【請求項３】前記レジストパターンを硬化させるため
に、光照射を用いる工程を含むことを特徴とする請求項
１又は２記載のレジストパターン形成法。 - 【請求項４】前記光照射に、遠紫外線を用いる工程を含
むことを特徴とする請求項１，２又は３記載のレジスト
パターン形成法。 - 【請求項５】前記ダミー層が、フォトレジストと混合層
を形成しない物質を用いる工程を含むことを特徴とする
請求項１，２，３，４又は５記載のレジストパターン形
成法。 - 【請求項６】前記ダミー層が、フォトレジストと混合層
を形成しない樹脂を用いることを特徴とする請求項１，
２，３，４又は５記載のレジストパターン形成法。 - 【請求項７】前記ダミー層が、ポリイミドイミド樹脂，
ポリジメチルグルタルイミド(PMGI)，ポリメチルメタク
リレート（ＰＭＭＡ）ポリメチルイソプロピルケトン
（ＰＭＩＰＫ）のうち少なくとも一つからなることを特
徴とする請求項１，２，３，４，５又は６記載のレジス
トパターン形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5148860A JPH07142323A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | レジストパターン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5148860A JPH07142323A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | レジストパターン形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142323A true JPH07142323A (ja) | 1995-06-02 |
Family
ID=15462364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5148860A Pending JPH07142323A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | レジストパターン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07142323A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111856888A (zh) * | 2020-07-03 | 2020-10-30 | 儒芯微电子材料（上海）有限公司 | 一种增强密集图形光刻分辨率的方法 |
-
1993
- 1993-06-21 JP JP5148860A patent/JPH07142323A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111856888A (zh) * | 2020-07-03 | 2020-10-30 | 儒芯微电子材料（上海）有限公司 | 一种增强密集图形光刻分辨率的方法 |
| CN111856888B (zh) * | 2020-07-03 | 2023-06-23 | 儒芯微电子材料（上海）有限公司 | 一种增强密集图形光刻分辨率的方法 |
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