JPH07146485A - アクティブマトリックス型液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリックス型液晶表示装置Info
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- JPH07146485A JPH07146485A JP29304193A JP29304193A JPH07146485A JP H07146485 A JPH07146485 A JP H07146485A JP 29304193 A JP29304193 A JP 29304193A JP 29304193 A JP29304193 A JP 29304193A JP H07146485 A JPH07146485 A JP H07146485A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単な画素構成により、視野角特性を改善
し、高画質なアクティブマトリックス型液晶表示装置を
提供する。 【構成】 薄膜トランジスタアレイ基板における画素電
極８に、複数の電極の存在しない領域（電極未形成領
域）９をスリット状に形成している。これは、フォトリ
ソグラフィー技術によって簡単に実現できる。例えば電
極未形成領域９のスリット幅を６（μｍ）、各スリット
間の間隔を８（μｍ）とする。
し、高画質なアクティブマトリックス型液晶表示装置を
提供する。 【構成】 薄膜トランジスタアレイ基板における画素電
極８に、複数の電極の存在しない領域（電極未形成領
域）９をスリット状に形成している。これは、フォトリ
ソグラフィー技術によって簡単に実現できる。例えば電
極未形成領域９のスリット幅を６（μｍ）、各スリット
間の間隔を８（μｍ）とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＯＡ機器などの大画
面ディスプレイとして用いることのできるアクティブマ
トリックス型液晶表示装置に関するものである。
面ディスプレイとして用いることのできるアクティブマ
トリックス型液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、液晶を用いた表示装置は、ビデオ
カメラのビューファインダーやポケットＴＶさらには高
精細投写型ＴＶ、パソコン、ワープロなどの情報表示端
末など種々の分野で応用されてきており、開発、商品化
が活発に行われている。その中でも特に、アクティブマ
トリックス型の液晶表示装置は、カラー化、高画質化が
実現できることから非常に注目されている。アクティブ
マトリックス型とは従来の単純マトリックス型に対比し
て言われている液晶の駆動方式を意味しているもので、
マトリックス上に配置された画素電極にそれぞれスイッ
チ素子を設け、それらのスイッチ素子を介して各画素電
極に液晶の光学特性を制御する電気信号を独立に供給す
る方式である。スイッチング素子としては、薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）を用いたものが主流である。
カメラのビューファインダーやポケットＴＶさらには高
精細投写型ＴＶ、パソコン、ワープロなどの情報表示端
末など種々の分野で応用されてきており、開発、商品化
が活発に行われている。その中でも特に、アクティブマ
トリックス型の液晶表示装置は、カラー化、高画質化が
実現できることから非常に注目されている。アクティブ
マトリックス型とは従来の単純マトリックス型に対比し
て言われている液晶の駆動方式を意味しているもので、
マトリックス上に配置された画素電極にそれぞれスイッ
チ素子を設け、それらのスイッチ素子を介して各画素電
極に液晶の光学特性を制御する電気信号を独立に供給す
る方式である。スイッチング素子としては、薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）を用いたものが主流である。
【０００３】このアクティブマトリックス型の方式は大
容量の表示を行っても高いコントラストが保たれるとい
う大きな特徴をもち、特に近年市場要望の極めて高い、
ラップトップパソコンやノートパソコン、さらには、エ
ンジニアリングワークステーション用の大型・大容量フ
ルカラーディスプレイの本命として開発、商品化が盛ん
である。
容量の表示を行っても高いコントラストが保たれるとい
う大きな特徴をもち、特に近年市場要望の極めて高い、
ラップトップパソコンやノートパソコン、さらには、エ
ンジニアリングワークステーション用の大型・大容量フ
ルカラーディスプレイの本命として開発、商品化が盛ん
である。
【０００４】図５に従来のアクティブマトリックス型液
晶表示装置の一般的な概略構成図を示す。図５におい
て、２３は光源を示している。薄膜トランジスタアレイ
基板（ＴＦＴアレイ基板）２４上には、複数の走査線
（ゲート線）３０と複数の信号線（ソース線）３１の各
交差点に対応して画素電極３３と薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）３２とが形成されている。２５は液晶層を示して
いる。２６は、透明電極膜２７およびマトリックス状の
遮光層（ブラックマトリックス）２８とを形成してなる
対向ガラス基板を示している。２９は、ＴＦＴアレイ基
板２４および対向ガラス基板２６の外側に配置された偏
光板である。
晶表示装置の一般的な概略構成図を示す。図５におい
て、２３は光源を示している。薄膜トランジスタアレイ
基板（ＴＦＴアレイ基板）２４上には、複数の走査線
（ゲート線）３０と複数の信号線（ソース線）３１の各
交差点に対応して画素電極３３と薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）３２とが形成されている。２５は液晶層を示して
いる。２６は、透明電極膜２７およびマトリックス状の
遮光層（ブラックマトリックス）２８とを形成してなる
対向ガラス基板を示している。２９は、ＴＦＴアレイ基
板２４および対向ガラス基板２６の外側に配置された偏
光板である。
【０００５】液晶層２５は、現在、アクティブマトリッ
クス型の液晶表示装置として広く利用されているＴＮ型
の液晶層である。このＴＮ型の液晶層２５は、屈折率異
方性を有する液晶分子を、ＴＦＴアレイ基板２４および
対向ガラス基板２６との間で適当な角度を持って配向さ
せることによって実現する。アクティブマトリックス型
の液晶ディスプレイでは、階調の容易性から、上記基板
間で互いに９０度の角度をもって配向した、９０度ＴＮ
型が一般的である。
クス型の液晶表示装置として広く利用されているＴＮ型
の液晶層である。このＴＮ型の液晶層２５は、屈折率異
方性を有する液晶分子を、ＴＦＴアレイ基板２４および
対向ガラス基板２６との間で適当な角度を持って配向さ
せることによって実現する。アクティブマトリックス型
の液晶ディスプレイでは、階調の容易性から、上記基板
間で互いに９０度の角度をもって配向した、９０度ＴＮ
型が一般的である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このＴ
Ｎ型の液晶表示モードでは、観測者の見る角度によって
コントラストや色度といった光学特性が変化する、いわ
ゆる視野角特性の問題が存在する。特に、液晶層２５に
薄膜トランジスタ３２を介して電圧が印加されるにつれ
て、上記した視野角特性は悪くなり、観察方向によって
は階調が反転するといった現象も見られようになる。こ
のような表示特性は、液晶ディスプレイの応用商品とし
て注目されてきている車載用テレビなどの映像表示機器
では致命的な問題であり、改善が強く要望されている。
Ｎ型の液晶表示モードでは、観測者の見る角度によって
コントラストや色度といった光学特性が変化する、いわ
ゆる視野角特性の問題が存在する。特に、液晶層２５に
薄膜トランジスタ３２を介して電圧が印加されるにつれ
て、上記した視野角特性は悪くなり、観察方向によって
は階調が反転するといった現象も見られようになる。こ
のような表示特性は、液晶ディスプレイの応用商品とし
て注目されてきている車載用テレビなどの映像表示機器
では致命的な問題であり、改善が強く要望されている。
【０００７】近年、こうした画質改善の要望に対応し
て、上記した視野角特性に対する特性改善について、い
ろいろな方法が提案、検討されてきている。例えば、特
開平２−１２号公報では、１つの画素領域内に、主画素
およびその主画素とコンデンサによって電気的に接続さ
れている副画素を備え、主画素と副画素に印加される電
圧を変えることによって液晶の光学特性を平均化し、視
野角特性を改善する方法が提案されている。しかしなが
らこの方法では、画素領域内にコンデンサを必要とする
ため、画素部の構成が複雑になるという問題が発生す
る。また、ＩＤＲＣ’９１（International Display Re
search Conference ）pp.68 では、１画素内に２方向の
配向を行うことによって視野角特性を向上させる研究が
報告されている。しかしながらこの方法においても、配
向プロセスが複雑になるといった問題が生じてくる。
て、上記した視野角特性に対する特性改善について、い
ろいろな方法が提案、検討されてきている。例えば、特
開平２−１２号公報では、１つの画素領域内に、主画素
およびその主画素とコンデンサによって電気的に接続さ
れている副画素を備え、主画素と副画素に印加される電
圧を変えることによって液晶の光学特性を平均化し、視
野角特性を改善する方法が提案されている。しかしなが
らこの方法では、画素領域内にコンデンサを必要とする
ため、画素部の構成が複雑になるという問題が発生す
る。また、ＩＤＲＣ’９１（International Display Re
search Conference ）pp.68 では、１画素内に２方向の
配向を行うことによって視野角特性を向上させる研究が
報告されている。しかしながらこの方法においても、配
向プロセスが複雑になるといった問題が生じてくる。
【０００８】この発明の目的は、簡単な画素構成によ
り、視野角特性を改善し、車載用ＡＶ機器等の要求性能
を満足できる高画質なアクティブマトリックス型液晶表
示装置を提供することである。
り、視野角特性を改善し、車載用ＡＶ機器等の要求性能
を満足できる高画質なアクティブマトリックス型液晶表
示装置を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のアクティ
ブマトリックス型液晶表示装置は、第１の基板と第２の
基板を液晶層を挟んで対向配置し、第１の基板の内側
に、マトリックス状に複数の配線を形成するとともに、
この複数の配線の各交差点にスイッチング素子を介して
画素電極を形成し、第２の基板の内側に、各画素電極に
対応して透明電極膜を形成したアクティブマトリックス
型液晶表示装置であって、第１の基板に形成した各画素
電極に１つ以上の電極未形成領域を設けたことを特徴と
する。
ブマトリックス型液晶表示装置は、第１の基板と第２の
基板を液晶層を挟んで対向配置し、第１の基板の内側
に、マトリックス状に複数の配線を形成するとともに、
この複数の配線の各交差点にスイッチング素子を介して
画素電極を形成し、第２の基板の内側に、各画素電極に
対応して透明電極膜を形成したアクティブマトリックス
型液晶表示装置であって、第１の基板に形成した各画素
電極に１つ以上の電極未形成領域を設けたことを特徴と
する。
【００１０】請求項２記載のアクティブマトリックス型
液晶表示装置は、請求項１記載のアクティブマトリック
ス型液晶表示装置において、第２の基板に形成した各透
明電極膜に１つ以上の電極未形成領域を設けている。請
求項３記載のアクティブマトリックス型液晶表示装置
は、請求項１または２記載のアクティブマトリックス型
液晶表示装置において、電極未形成領域を、幅が５（μ
ｍ）ないし１０（μｍ）からなるスリット状としてい
る。
液晶表示装置は、請求項１記載のアクティブマトリック
ス型液晶表示装置において、第２の基板に形成した各透
明電極膜に１つ以上の電極未形成領域を設けている。請
求項３記載のアクティブマトリックス型液晶表示装置
は、請求項１または２記載のアクティブマトリックス型
液晶表示装置において、電極未形成領域を、幅が５（μ
ｍ）ないし１０（μｍ）からなるスリット状としてい
る。
【００１１】請求項４記載のアクティブマトリックス型
液晶表示装置は、請求項１，２または３記載のアクティ
ブマトリックス型液晶表示装置において、電極未形成領
域の面積を、各画素領域の面積の２０（％）ないし５０
（％）の範囲としている。
液晶表示装置は、請求項１，２または３記載のアクティ
ブマトリックス型液晶表示装置において、電極未形成領
域の面積を、各画素領域の面積の２０（％）ないし５０
（％）の範囲としている。
【００１２】
【作用】この発明の構成によれば、第１の基板に形成し
た各画素電極に１つ以上の電極未形成領域を設けたこと
により、各画素領域内の画素電極形成部と画素電極未形
成部での液晶の光学特性を変えることができる。すなわ
ち各画素領域内に、違った視野角特性を有する液晶表示
領域を混在させることになる。各画素の光学特性は、こ
れらの異なる光学特性を合成したものとなり、視野角特
性を改善することが可能となる。
た各画素電極に１つ以上の電極未形成領域を設けたこと
により、各画素領域内の画素電極形成部と画素電極未形
成部での液晶の光学特性を変えることができる。すなわ
ち各画素領域内に、違った視野角特性を有する液晶表示
領域を混在させることになる。各画素の光学特性は、こ
れらの異なる光学特性を合成したものとなり、視野角特
性を改善することが可能となる。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の実施例について、図面を参
照しながら詳細に説明する。図１はこの発明の第１の実
施例のアクティブマトリックス型液晶表示装置の１画素
分の薄膜トランジスタアレイ基板の断面構成概略図を示
したものである。また、図２は図１の平面図である。
照しながら詳細に説明する。図１はこの発明の第１の実
施例のアクティブマトリックス型液晶表示装置の１画素
分の薄膜トランジスタアレイ基板の断面構成概略図を示
したものである。また、図２は図１の平面図である。
【００１４】図１，図２において、１は第１のガラス基
板、２はゲート電極であり、材料としてクロム金属を用
い、第１のガラス基板１上に選択形成した。３は第１の
絶縁体層であり、窒化シリコン（ＳｉＮX ）をプラズマ
ＣＶＤ法によって形成した。４は半導体層であり、アモ
ルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を用いた。５は半導体層
４上に形成した第２の絶縁体層であり、第１の絶縁体層
３と同様ＳｉＮX を用いた。６および７は、それぞれソ
ース電極、ドレイン電極であり、チタン／アルミニウム
の二層構造とした。８は画素電極である。画素電極８
は、透明導電膜として一般によく用いられているＩＴＯ
（ＩｎＯX −ＳｎＯX ）を用いた。
板、２はゲート電極であり、材料としてクロム金属を用
い、第１のガラス基板１上に選択形成した。３は第１の
絶縁体層であり、窒化シリコン（ＳｉＮX ）をプラズマ
ＣＶＤ法によって形成した。４は半導体層であり、アモ
ルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を用いた。５は半導体層
４上に形成した第２の絶縁体層であり、第１の絶縁体層
３と同様ＳｉＮX を用いた。６および７は、それぞれソ
ース電極、ドレイン電極であり、チタン／アルミニウム
の二層構造とした。８は画素電極である。画素電極８
は、透明導電膜として一般によく用いられているＩＴＯ
（ＩｎＯX −ＳｎＯX ）を用いた。
【００１５】この実施例の特徴は、薄膜トランジスタア
レイ基板１０における画素電極８の形状にあり、画素電
極８に複数の電極の存在しない領域（電極未形成領域）
９をスリット状に形成していることである。これは、フ
ォトリソグラフィー技術によって簡単に実現できる。こ
の実施例では、画素電極８に設けた電極未形成領域９の
スリット幅を６（μｍ）、各スリット間の間隔を８（μ
ｍ）とした。なお、液晶層を挟んで対向するガラス基板
側の構成は、図５に示す従来例と同様であり、図示して
いない。
レイ基板１０における画素電極８の形状にあり、画素電
極８に複数の電極の存在しない領域（電極未形成領域）
９をスリット状に形成していることである。これは、フ
ォトリソグラフィー技術によって簡単に実現できる。こ
の実施例では、画素電極８に設けた電極未形成領域９の
スリット幅を６（μｍ）、各スリット間の間隔を８（μ
ｍ）とした。なお、液晶層を挟んで対向するガラス基板
側の構成は、図５に示す従来例と同様であり、図示して
いない。
【００１６】図１，図２に示す薄膜トランジスタアレイ
基板を用いて、液晶パネルを作成し、液晶パネルへの入
射光角度を変化させ、各入射角での電気光学特性を、画
素領域内に電極未形成領域９の存在しない従来の液晶表
示装置と比較しながら評価した。その結果、この実施例
のアクティブマトリックス型液晶表示装置は、１０：１
以上のコントラスト比を実現できる角度範囲が、従来の
液晶表示装置に比べて、上下方向で２５度、左右方向で
２０度拡大した。また、階調反転が発生するまでの角度
では、従来の液晶表示装置に比べて２０度以上拡大し
た。
基板を用いて、液晶パネルを作成し、液晶パネルへの入
射光角度を変化させ、各入射角での電気光学特性を、画
素領域内に電極未形成領域９の存在しない従来の液晶表
示装置と比較しながら評価した。その結果、この実施例
のアクティブマトリックス型液晶表示装置は、１０：１
以上のコントラスト比を実現できる角度範囲が、従来の
液晶表示装置に比べて、上下方向で２５度、左右方向で
２０度拡大した。また、階調反転が発生するまでの角度
では、従来の液晶表示装置に比べて２０度以上拡大し
た。
【００１７】また、この実施例の液晶表示装置におい
て、電極未形成領域９のスリット幅、および各スリット
間の間隔を変化させて上記と同様の評価を行ったとこ
ろ、電極未形成領域９のスリット幅が５（μｍ）から１
０（μｍ）の範囲で、画素領域内における電極未形成領
域９の割合が２０（％）から５０（％）の範囲を満たす
構成において、階調反転の極めて少ない良好な視野角特
性を実現できることが明らかになった。
て、電極未形成領域９のスリット幅、および各スリット
間の間隔を変化させて上記と同様の評価を行ったとこ
ろ、電極未形成領域９のスリット幅が５（μｍ）から１
０（μｍ）の範囲で、画素領域内における電極未形成領
域９の割合が２０（％）から５０（％）の範囲を満たす
構成において、階調反転の極めて少ない良好な視野角特
性を実現できることが明らかになった。
【００１８】つぎに、この発明の第２の実施例のアクテ
ィブマトリックス型液晶表示装置の構成について詳細に
説明する。図３はこの発明の第２の実施例のアクティブ
マトリックス型液晶表示装置の１画素分の断面構成概略
図を示したものである。また図４は図３に示す対向ガラ
ス基板の平面図である。
ィブマトリックス型液晶表示装置の構成について詳細に
説明する。図３はこの発明の第２の実施例のアクティブ
マトリックス型液晶表示装置の１画素分の断面構成概略
図を示したものである。また図４は図３に示す対向ガラ
ス基板の平面図である。
【００１９】図３において、１０は第１の実施例で用い
た薄膜トランジスタアレイ基板であり、画素電極８に設
けた電極未形成領域９のスリット幅を６（μｍ）、各ス
リット間の間隔を８（μｍ）とした。１１は第２のガラ
ス基板、１２は遮光層（ブラックマトリックス）であ
る。この実施例では、遮光層１２は酸化クロム／クロム
／酸化クロムの三層構造とした。１３は透明電極膜であ
り、ＩＴＯ（ＩｎＯX −ＳｎＯX ）を用いた。また図４
に示すように、透明電極膜１３には、薄膜トランジスタ
アレイ基板１８に対応する領域内に、複数の電極の存在
しない領域（電極未形成領域）１４をスリット状に形成
した。この実施例では、電極未形成領域１４のスリット
幅を７（μｍ）、各スリット間の間隔を７（μｍ）とし
た。１５はＴＮ型の液晶層である。
た薄膜トランジスタアレイ基板であり、画素電極８に設
けた電極未形成領域９のスリット幅を６（μｍ）、各ス
リット間の間隔を８（μｍ）とした。１１は第２のガラ
ス基板、１２は遮光層（ブラックマトリックス）であ
る。この実施例では、遮光層１２は酸化クロム／クロム
／酸化クロムの三層構造とした。１３は透明電極膜であ
り、ＩＴＯ（ＩｎＯX −ＳｎＯX ）を用いた。また図４
に示すように、透明電極膜１３には、薄膜トランジスタ
アレイ基板１８に対応する領域内に、複数の電極の存在
しない領域（電極未形成領域）１４をスリット状に形成
した。この実施例では、電極未形成領域１４のスリット
幅を７（μｍ）、各スリット間の間隔を７（μｍ）とし
た。１５はＴＮ型の液晶層である。
【００２０】この実施例の特徴は、第１の実施例で用い
た薄膜トランジスタアレイ基板１０を用いるとともに、
薄膜トランジスタアレイ基板１０と対向する第２のガラ
ス基板１１上の透明電極膜１３に、電極未形成領域１４
を設けたことである。このような液晶表示装置を用いて
第１の実施例と同様な評価をしたところ、従来の液晶表
示装置と比較して、１０：１以上のコントラスト比を実
現できる角度範囲が、上下方向で３０度、左右方向で２
５度拡大した。また、視野角拡大の効果を具現化できる
電極未形成領域１４の条件は、第１の実施例における画
素電極８の電極未形成領域９の条件と同じであった。
た薄膜トランジスタアレイ基板１０を用いるとともに、
薄膜トランジスタアレイ基板１０と対向する第２のガラ
ス基板１１上の透明電極膜１３に、電極未形成領域１４
を設けたことである。このような液晶表示装置を用いて
第１の実施例と同様な評価をしたところ、従来の液晶表
示装置と比較して、１０：１以上のコントラスト比を実
現できる角度範囲が、上下方向で３０度、左右方向で２
５度拡大した。また、視野角拡大の効果を具現化できる
電極未形成領域１４の条件は、第１の実施例における画
素電極８の電極未形成領域９の条件と同じであった。
【００２１】なお、第１および第２の実施例において、
電極未形成領域９，１４の幾何学的形状を例えば曲線や
円に変化させても、上述した結果が同様に得られた。ま
た、複数の電極未形成領域９，１４を、それぞれ連続し
た形状からなる１つの電極未形成領域としてもよい。ま
た、第２の実施例において、電極未形成領域９，１４は
対向配置してもよいが、図３に示すように、少しずらし
て配置した方がより優れた表示が得られる。
電極未形成領域９，１４の幾何学的形状を例えば曲線や
円に変化させても、上述した結果が同様に得られた。ま
た、複数の電極未形成領域９，１４を、それぞれ連続し
た形状からなる１つの電極未形成領域としてもよい。ま
た、第２の実施例において、電極未形成領域９，１４は
対向配置してもよいが、図３に示すように、少しずらし
て配置した方がより優れた表示が得られる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明のアクテ
ィブマトリックス型液晶表示装置は、第１の基板に形成
した各画素電極に複数の電極未形成領域を設けるという
極めて簡易な構成によって、各画素領域内の画素電極形
成部と画素電極未形成部での液晶の光学特性を変えるこ
とができる。すなわち各画素領域内に、違った視野角特
性を有する液晶表示領域を混在させることになる。各画
素の光学特性は、これらの異なる光学特性を合成したも
のとなり、視野角特性を改善することが可能となる。特
に中間調域での階調反転を低減することができ、その効
果は多大である。
ィブマトリックス型液晶表示装置は、第１の基板に形成
した各画素電極に複数の電極未形成領域を設けるという
極めて簡易な構成によって、各画素領域内の画素電極形
成部と画素電極未形成部での液晶の光学特性を変えるこ
とができる。すなわち各画素領域内に、違った視野角特
性を有する液晶表示領域を混在させることになる。各画
素の光学特性は、これらの異なる光学特性を合成したも
のとなり、視野角特性を改善することが可能となる。特
に中間調域での階調反転を低減することができ、その効
果は多大である。
【００２３】さらに、第２の基板に形成した各透明電極
膜に複数の電極未形成領域を設けることにより、より効
果が得られる。
膜に複数の電極未形成領域を設けることにより、より効
果が得られる。
【図１】この発明の第１の実施例のアクティブマトリッ
クス型液晶表示装置の１画素分の薄膜トランジスタアレ
イ基板の構成を示す断面図。
クス型液晶表示装置の１画素分の薄膜トランジスタアレ
イ基板の構成を示す断面図。
【図２】この発明の第１の実施例のアクティブマトリッ
クス型液晶表示装置の１画素分の薄膜トランジスタアレ
イ基板の構成を示す平面図。
クス型液晶表示装置の１画素分の薄膜トランジスタアレ
イ基板の構成を示す平面図。
【図３】この発明の第２の実施例のアクティブマトリッ
クス型液晶表示装置の構成を示す断面図。
クス型液晶表示装置の構成を示す断面図。
【図４】この発明の第２の実施例のアクティブマトリッ
クス型液晶表示装置の対向ガラス基板の構成を示す平面
図。
クス型液晶表示装置の対向ガラス基板の構成を示す平面
図。
【図５】従来のアクティブマトリックス型液晶表示装置
の概略構成を示す分解斜視図。
の概略構成を示す分解斜視図。
１ 第１のガラス基板 ２ ゲート電極 ６ ソース電極 ７ ドレイン電極 ８ 画素電極 ９ 電極未形成領域 １０ 薄膜トランジスタアレイ基板 １１ 第２のガラス基板 １３ 透明電極膜 １４ 電極未形成領域 １５ 液晶層
Claims (4)
- 【請求項１】 第１の基板と第２の基板を液晶層を挟ん
で対向配置し、前記第１の基板の内側に、マトリックス
状に複数の配線を形成するとともに、この複数の配線の
各交差点にスイッチング素子を介して画素電極を形成
し、前記第２の基板の内側に、各画素電極に対応して透
明電極膜を形成したアクティブマトリックス型液晶表示
装置であって、 前記第１の基板に形成した前記各画素電極に１つ以上の
電極未形成領域を設けたことを特徴とするアクティブマ
トリックス型液晶表示装置。 - 【請求項２】 第２の基板に形成した各透明電極膜に１
つ以上の電極未形成領域を設けた請求項１記載のアクテ
ィブマトリックス型液晶表示装置。 - 【請求項３】 電極未形成領域を、幅が５（μｍ）ない
し１０（μｍ）からなるスリット状とした請求項１また
は２記載のアクティブマトリックス型液晶表示装置。 - 【請求項４】 電極未形成領域の面積を、各画素領域の
面積の２０（％）ないし５０（％）の範囲とした請求項
１，２または３記載のアクティブマトリックス型液晶表
示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29304193A JPH07146485A (ja) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | アクティブマトリックス型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29304193A JPH07146485A (ja) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | アクティブマトリックス型液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07146485A true JPH07146485A (ja) | 1995-06-06 |
Family
ID=17789725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29304193A Pending JPH07146485A (ja) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | アクティブマトリックス型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07146485A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6441877B1 (en) | 1998-10-07 | 2002-08-27 | Nec Corporation | Active matrix type liquid crystal display device and method of forming the same |
| US6952252B2 (en) | 2001-10-02 | 2005-10-04 | Fujitsu Display Technologies Corporation | Substrate for liquid crystal display and liquid crystal display utilizing the same |
| JP2009169425A (ja) * | 2009-03-12 | 2009-07-30 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
-
1993
- 1993-11-24 JP JP29304193A patent/JPH07146485A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6441877B1 (en) | 1998-10-07 | 2002-08-27 | Nec Corporation | Active matrix type liquid crystal display device and method of forming the same |
| US6952252B2 (en) | 2001-10-02 | 2005-10-04 | Fujitsu Display Technologies Corporation | Substrate for liquid crystal display and liquid crystal display utilizing the same |
| US7372533B2 (en) | 2001-10-02 | 2008-05-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate for liquid crystal display and liquid crystal display utilizing the same |
| JP2009169425A (ja) * | 2009-03-12 | 2009-07-30 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
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