JPH0714652U

JPH0714652U - 集積回路装置

Info

Publication number: JPH0714652U
Application number: JP4284393U
Authority: JP
Inventors: 譲司成井
Original assignee: Denso Ten Ltd
Current assignee: Denso Ten Ltd
Priority date: 1993-08-04
Filing date: 1993-08-04
Publication date: 1995-03-10

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】ワイヤーボンディング用導体部の汚染、傷等
の防止を図り、ワイヤーボンディングの信頼性の高い集
積回路装置を提供することを目的とする。【構成】ワイヤーボンディング用導体部１に近接し
て、ワイヤーボンディング用導体部表面より高い位置に
配線用導体部３１と該配線用導体部に積層するガラス層
部４１が設けられている。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、電子機器等に使用されている集積回路装置に係り、特に、その製造工程においてワイヤーボンディングの信頼性を確保するための集積回路装置用基板構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】

図３は従来の集積回路装置用基板の構造を示す図で、(a)は平面図、(b)はＡ− Ａ’断面図、(c)はＢ−Ｂ’断面図である。ワイヤーボンディング用導体部１はセラミック基板２上に搭載された半導体素子（図示せず）と電気的に金属細線で接続するための導体部である。該導体部１は金、銀−パラジウム合金等の導電性ペーストをセラミック基板２上に所望の形状にスクリーン印刷で形成し、高温で焼成、固着されている（以下印刷、焼成による基板製作技術を厚膜技術と称す）。前記ワイヤーボンディング用導体部１の厚さはｄ５である。配線用導体部３は前記ワイヤーボンディング用導体部１、他の半導体素子、電子回路素子等を相互に接続して電気回路を形成するためのもので、前記同様に導電性ペーストで厚膜技術により形成されている。ガラス層部４はワイヤーボンディング用導体部１と配線用導体部２の上部に絶縁用および立体配線の隔離用にガラスペーストで厚膜技術により形成されている。前記配線用導体部３とその上部のガラス層部４の厚さはｄ６である。このようにして集積回路装置用基板が完成する。

【０００３】しかし、一般には工数削減のため大型セラミック基板に複数個の集積回路装置用基板を形成して、半導体素子のダイボンディング前にレーザー等で切断して個別の集積回路装置用基板にする方法がとられている。この大型セラミック基板の周辺部にはダミー部と呼ばれる個別の集積回路装置用基板にならない部分がある。該ダミー部に厚いガラス層のスペーサが設けられている。このスペーサにより複数個の大型セラミック基板を重ねても、ワイヤーボンディング用導体部１にはセラミック基板が接触しないよう保護されている。

【０００４】個別の集積回路装置用基板に切断された後、半導体素子はセラミック基板２上のダイボンディングパッド５に接着剤で固定され、半導体素子のボンディング導体部（図示せず）と基板側のワイヤーボンディング用導体部１の一端とを金等の金属細線で超音波ボンディングされる。ワイヤーボンディング後、半導体素子部を湿気から保護したり、ワイヤーボンディング部の機械的強度の確保のため、樹脂等で表面が覆われ、端子付けされて、パッケージに収容され完成する。

【０００５】

【考案が解決しようとする課題】

前記集積回路用基板のワイヤーボンディング用導体部１は厚膜技術で形成されているため、表面が多孔質になりワイヤーボンディングの信頼性を確保するためには、前記ワイヤーボンディング用導体部１の厚みを十分に厚くする必要がある。そのため、一般にはワイヤーボンディング用導体部１の厚み（ｄ５）と配線用導体層３およびガラス層４の厚み（ｄ６）の関係はｄ５＞ｄ６の関係になる。そのため、前記集積回路装置用基板の導体部構造では製造工程中で大型のセラミック基板を重ねたり、捺印等のためセラミック基板を裏返す作業中にワイヤーボンディング用導体部１が他の大型セラミック基板と接触してしたり、擦れて表面が汚染したり、薄くなってワイヤーボンディングの強度が低下する等の問題が発生する。

【０００６】従来はこの対策として、大型セラミック基板上のダミー部にスペーサを設けていたが、大型セラミック基板の反りのため中央部では他の大型セラミック基板がワイヤーボンディング用導体部１に接触して、表面を削ったり、汚染する。本考案は、ワイヤーボンディング用導体部が他の大型セラミック基板と接触しないようにして、ワイヤーボンディング用導体部表面の清浄と厚みの確保を図り、安定したワイヤーボンディング性を確保できる集積回路装置を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】

上記目的を達成するために本考案は、セラミック基板上に搭載された半導体素子と、前記セラミック基板上に設けられたワイヤーボンディング用導体部とを、金属細線で電気的に接続されてある集積回路装置において、前記セラミック基板上に設けられたワイヤーボンディング用導体部表面が、該ワイヤーボンディング用導体部に近接して配置されてある配線用導体部に積層され、他の導体部と電気的に絶縁するためのガラス層部の表面より低部に形成されてあることを特徴とするものである。

【０００８】また、前記セラミック基板に凹部が設けられ、該凹部にワイヤーボンディング用導体部が設けられてあること特徴とするものである。

【０００９】

【作用】

本考案の第１の考案によれば、ワイヤーボンディング用導体部表面が、該ワイヤーボンディング用導体部に近接して配置されてある配線用導体部に積層され、他の導体部と電気的に絶縁するためのガラス層部の表面より低部に形成されてあるため、ワイヤーボンディング用導体部には他のセラミック基板等が接触することがなく、ワイヤーボンディング用導体部は汚染、磨耗等の恐れは全くない。

【００１０】また、第２の考案によればワイヤーボンディング用導体部をセラミック基板の凹部に設けることにより、ワイヤーボンディング用導体部を配線用導体部に積層されたガラス層部より低部としている。この構成により前記同様ワイヤーボンディング用導体部は汚染、磨耗等の恐れは全くない。

【００１１】

【実施例】

図１は本考案の一実施例の集積回路装置用基板の断面図である。ワイヤーボンディング用導体部１はセラミック基板２上に搭載された半導体素子（図示せず）と電気的に金属細線で接続するための導体部である。該導体部は金、銀−パラジウム合金等により厚膜技術により厚さｄ１の層で形成されている。配線用導体部３１は前記ワイヤーボンディング用導体部と他の半導体素子、電子回路素子等を相互に接続して電気回路を形成するためのもので、前記同様に導電性ペーストで厚膜技術により形成されている。ガラス層部４１はワイヤーボンディング用導体部１と配線用導体部２の上部に絶縁用および立体配線用に積層して厚膜技術により厚さｄ２の層（セラミック基板の上面よりの高さ）で、前記ワイヤーボンディング用導体部１より厚く（即ち、ｄ２＞ｄ１の関係で）設けられている。

【００１２】以上のような構成により本実施例によれば、前記セラミック基板同志を互いに重ねたり、裏返したりしてもワイヤーボンディング用導体部１に近接して設けられているガラス層部４１がワイヤーボンディング用導体部１より高いため、ガラス層部４１が他のセラミック基板に接触し、ワイヤーボンディング用導体部１は保護される。従って、ワイヤーボンディング用導体部１は常に清浄な表面と厚さが確保されておりワイヤーボンディングの信頼性が損なわれない。

【００１３】その後の製造工程は従来の方法と同様であるので省略する。図２は本考案の他の実施例の集積回路装置用基板の断面図である。セラミック基板２上にはワイヤーボンディング用導体部１に対応した位置に凹部６が設けられ、該凹部６にワイヤーボンディング用導体部１が設けられている。セラミック基板２の上面よりワイヤーボンディング用導体部１の上部までの寸法はｄ３である。一方、配線用導体層３およびそれを覆うガラス層４も従来同様に形成され、セラミック基板２の上面より配線用導体部３および絶縁用のガラス層部４の上部までの寸法はｄ４である。この場合、凹部６の深さだけワイヤーボンディング用導体部１の上部が下がり、配線用導体層３およびそれを覆うガラス層４は特に厚く形成されなくても、ｄ４＞ｄ３の関係は容易に満たされワイヤーボンディング用導体部１に他のセラミック基板が接触することはない。

【００１４】セラミック基板２への凹部形成はワイヤーボンディング用導体部１の１導体部につき１凹部を形成する必要はなく、並列して配置された複数のワイヤーボンディング用導体部１については、１個の連続した溝として形成してもよい。また、厳密に凹部の深さをコントロールする必要もなく、窪み程度でもよい。本実施例によると、ワイヤーボンディング用導体部に近接して設けられている絶縁用の厚いガラス層部のために、セラミック基板同志を互いに重ねたり、裏返したりしてもワイヤーボンディング用導体部は他のセラミック基板には接触しない。従って、ワイヤーボンディング時には常に清浄な導体部表面と厚さが確保できワイヤーボンディングの信頼性が損なわれない。

【００１５】また、セラミック基板上の凹部にワイヤーボンディング用の導体部が設けられているため、配線用導体部および絶縁用のガラス層部は特に厚く形成されなくても、セラミック基板にワイヤーボンディング用導体部が接触することはない。

【００１６】

【考案の効果】

以上説明したように、本考案では清浄を必要とするワイヤーボンディング用導体部が該ワイヤーボンディング用導体部に近接するガラス層部により保護されて、他のセラミック基板と接触することがなく、ワイヤーボンディングの信頼性が損なわれない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の一実施例の集積回路装置用基板の構造
を示す平面図、Ａ−Ａ’断面図およびＢ−Ｂ’断面図。

【図２】本考案の他の実施例の集積回路装置用基板の構
造を示す平面図、Ａ−Ａ’断面図。

【図３】従来の集積回路装置用基板の構造を示す平面
図、Ａ−Ａ’断面図およびＢ−Ｂ’断面図。

【符号の説明】

１・・・ワイヤーボンディング用導体部２・・・セラミック基板３、３１・・・配線用導体部４、４１・・・ガラス層部５・・・ダイボンディングパット６・・・セラミック基板の凹部

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

【請求項１】セラミック基板上に搭載された半導体部素
子と、前記セラミック基板上に設けられたワイヤーボン
ディング用導体部とが、金属細線で電気的に接続されて
ある集積回路装置において、前記セラミック基板上に設けられたワイヤーボンディン
グ用導体部表面が、該ワイヤーボンディング用導体部に
近接して配置されてある配線用導体部に積層され、他の
導体部と電気的に絶縁するためのガラス層部の表面より
低部に形成されてあることを特徴とする集積回路装置。
【請求項２】前記集積回路装置において、前記セラミック基板上に凹部が設けられ、該凹部にワイ
ヤーボンディング用導体部が設けられてあること特徴と
する請求項１の集積回路装置。