JPH07146542A - 位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents
位相シフトマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH07146542A JPH07146542A JP29523393A JP29523393A JPH07146542A JP H07146542 A JPH07146542 A JP H07146542A JP 29523393 A JP29523393 A JP 29523393A JP 29523393 A JP29523393 A JP 29523393A JP H07146542 A JPH07146542 A JP H07146542A
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- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 遮光膜パターンを有する透明基板に対する位
相シフタの接着性を向上させる。 【構成】 隣接する透光パターンに対してほぼ１８０°
の位相差を生じさせる位相シフタが設けられるマスクの
製造方法であって、遮光パターンの形成が完了した段階
（工程１０６）及び前記位相シフタの形成が完了した段
階（工程１１３）における各洗浄に対し、洗浄液として
高温リンスを用い、基板表面を疎水性にする。
相シフタの接着性を向上させる。 【構成】 隣接する透光パターンに対してほぼ１８０°
の位相差を生じさせる位相シフタが設けられるマスクの
製造方法であって、遮光パターンの形成が完了した段階
（工程１０６）及び前記位相シフタの形成が完了した段
階（工程１１３）における各洗浄に対し、洗浄液として
高温リンスを用い、基板表面を疎水性にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造に用いるマス
クの製造技術、特に、位相シフタを用いたマスクの製造
に用いて効果のある技術に関するものである。
クの製造技術、特に、位相シフタを用いたマスクの製造
に用いて効果のある技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程の１つにリソグラフィ工
程があり、このリソグラフィ工程で微細パターンを形成
する方法の１つとして位相シフトマスクを用いた位相シ
フト法がある。位相シフトマスクにおける位相シフタ
は、クロム（Ｃｒ）等を用いてガラス基板等の透明基板
上に形成された遮光領域に対し、透光領域にＳＯＧ（ス
ピン オン グラス）により形成され、光の位相差が生
じるように設けられる。
程があり、このリソグラフィ工程で微細パターンを形成
する方法の１つとして位相シフトマスクを用いた位相シ
フト法がある。位相シフトマスクにおける位相シフタ
は、クロム（Ｃｒ）等を用いてガラス基板等の透明基板
上に形成された遮光領域に対し、透光領域にＳＯＧ（ス
ピン オン グラス）により形成され、光の位相差が生
じるように設けられる。
【０００３】なお、位相シフト法の詳細については、
「光学」第２０巻第８号（１９９１年８月）、Ｐ４８８
〜４９３（位相シフト技術）に記載がある。
「光学」第２０巻第８号（１９９１年８月）、Ｐ４８８
〜４９３（位相シフト技術）に記載がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明者の検討によれ
ば、遮光膜パターンを形成した透明基板に設けた位相シ
フタは、その接着性が悪いと、位相シフトパターンを形
成した後の洗浄工程で位相シフタが剥がれるという問題
のあることを見い出した。本発明者らは、このような位
相シフタ剥がれは、基板の残留イオンの存在に原因があ
るものと考えている。したがって、残留イオン濃度を低
下させることができれば、位相シフタの接着性を著しく
向上させることができる。
ば、遮光膜パターンを形成した透明基板に設けた位相シ
フタは、その接着性が悪いと、位相シフトパターンを形
成した後の洗浄工程で位相シフタが剥がれるという問題
のあることを見い出した。本発明者らは、このような位
相シフタ剥がれは、基板の残留イオンの存在に原因があ
るものと考えている。したがって、残留イオン濃度を低
下させることができれば、位相シフタの接着性を著しく
向上させることができる。
【０００５】そこで、本発明の目的は、遮光膜パターン
を有する透明基板に対する位相シフタの接着性を向上さ
せることのできる技術を提供することにある。
を有する透明基板に対する位相シフタの接着性を向上さ
せることのできる技術を提供することにある。
【０００６】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【０００８】すなわち、隣接する透光パターンに対して
ほぼ１８０°の位相差を生じさせる位相シフタが設けら
れるマスクの製造方法であって、遮光パターンの形成が
完了した段階及び前記位相シフタの形成が完了した段階
における各洗浄に対し、基板表面を疎水性にする洗浄液
を用いるようにしている。
ほぼ１８０°の位相差を生じさせる位相シフタが設けら
れるマスクの製造方法であって、遮光パターンの形成が
完了した段階及び前記位相シフタの形成が完了した段階
における各洗浄に対し、基板表面を疎水性にする洗浄液
を用いるようにしている。
【０００９】
【作用】上記した手段によれば、洗浄の際に基板表面を
疎水性にする洗浄液、例えば、高温リンス液を用いて洗
浄を行うことによって、基板表面に残留するイオンが溶
解されてイオン濃度が低下し、基板表面が疎水性にな
り、基板と位相シフタとの界面に水分、エッチント等が
侵入し難くなる。これにより、基板と位相シフタとの接
着性が向上し、位相シフタの剥がれを防止することがで
き、製造歩留りの向上が可能になる。
疎水性にする洗浄液、例えば、高温リンス液を用いて洗
浄を行うことによって、基板表面に残留するイオンが溶
解されてイオン濃度が低下し、基板表面が疎水性にな
り、基板と位相シフタとの界面に水分、エッチント等が
侵入し難くなる。これにより、基板と位相シフタとの接
着性が向上し、位相シフタの剥がれを防止することがで
き、製造歩留りの向上が可能になる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【００１１】図１は本発明によるマスクの製造方法の製
造工程を示す工程説明図である。また、図２及び図３は
図１の各工程における位相シフトマスクの製造工程を示
す説明図である。
造工程を示す工程説明図である。また、図２及び図３は
図１の各工程における位相シフトマスクの製造工程を示
す説明図である。
【００１２】位相シフタの形成手順は、大別して図２に
示すクロム層形成プロセス（図１の工程１０１〜１０
６）と図３に示すシフタ層形成プロセス（図１の工程１
０７〜１１３）とに分けることができる。
示すクロム層形成プロセス（図１の工程１０１〜１０
６）と図３に示すシフタ層形成プロセス（図１の工程１
０７〜１１３）とに分けることができる。
【００１３】まず、ガラス基板上にクロム層を形成する
（工程１０１）。これは図２の（ａ）に示すように、酸
化クロム＋クロム＋酸化クロムからなるクロム層１をガ
ラス基板２上に設ける処理であり、ついで、このガラス
基板２上に図２の（ｂ）のようにレジスト膜３を設ける
（図１の工程１０２）。
（工程１０１）。これは図２の（ａ）に示すように、酸
化クロム＋クロム＋酸化クロムからなるクロム層１をガ
ラス基板２上に設ける処理であり、ついで、このガラス
基板２上に図２の（ｂ）のようにレジスト膜３を設ける
（図１の工程１０２）。
【００１４】ついで、電子線描画装置を用い、図２の
（ｃ）のように所望のパターンを描画する（工程１０
３）。さらに、図２の（ｄ）のように現像処理を行うと
（工程１０４）、クロム層１の一部がパターン内容に応
じてレジスト膜３を通して露出する。ここで、エッチン
グ処理を行うと、図２の（ｅ）のようにレジスト膜３を
通して露出していたクロム層１が除去される（工程１０
５）。
（ｃ）のように所望のパターンを描画する（工程１０
３）。さらに、図２の（ｄ）のように現像処理を行うと
（工程１０４）、クロム層１の一部がパターン内容に応
じてレジスト膜３を通して露出する。ここで、エッチン
グ処理を行うと、図２の（ｅ）のようにレジスト膜３を
通して露出していたクロム層１が除去される（工程１０
５）。
【００１５】次に、レジスト膜３を剥離することによ
り、図２の（ｆ）のようにパターンの遮光部に対応した
クロム層１が残される（工程１０６）。ついで、ブラシ
（酸洗いでとり切れないものを除去するために用いる）
と酸洗い（例えば、オゾン硫酸による洗浄であって、レ
ジストやパーチクルを完全に除去するために用いる）に
よる洗浄を行い、最後に高温のリンス液を用いて洗浄を
行う。高温リンス液としては、温純水、ＨＭＤＳ（ヘキ
サメチレンジシラン）等を用いることができる。この洗
浄により、ガラス基板２上に残留する硫酸等のイオンを
低下させることが可能になる。この洗浄の後に所定の検
査が行われる。
り、図２の（ｆ）のようにパターンの遮光部に対応した
クロム層１が残される（工程１０６）。ついで、ブラシ
（酸洗いでとり切れないものを除去するために用いる）
と酸洗い（例えば、オゾン硫酸による洗浄であって、レ
ジストやパーチクルを完全に除去するために用いる）に
よる洗浄を行い、最後に高温のリンス液を用いて洗浄を
行う。高温リンス液としては、温純水、ＨＭＤＳ（ヘキ
サメチレンジシラン）等を用いることができる。この洗
浄により、ガラス基板２上に残留する硫酸等のイオンを
低下させることが可能になる。この洗浄の後に所定の検
査が行われる。
【００１６】高温リンス液（温純水）、例えば６０℃以
上の温度の純水による洗浄によってガラス基板２の表面
に残留するイオンが溶解してイオン濃度が低下し、表面
が疎水性になり、基板表面が疎水性になる結果、この基
板上に設けられる位相シフタと基板との界面に水分やエ
ッチント等が侵入し難くなる。これにより、基板と位相
シフタとの接着性を向上させることができる。因みに、
在来の洗浄方法は、本発明のような高温リンス液ではな
く、常温の純水を用いて洗浄を行っていた。
上の温度の純水による洗浄によってガラス基板２の表面
に残留するイオンが溶解してイオン濃度が低下し、表面
が疎水性になり、基板表面が疎水性になる結果、この基
板上に設けられる位相シフタと基板との界面に水分やエ
ッチント等が侵入し難くなる。これにより、基板と位相
シフタとの接着性を向上させることができる。因みに、
在来の洗浄方法は、本発明のような高温リンス液ではな
く、常温の純水を用いて洗浄を行っていた。
【００１７】ついで、図３の（ａ）に示すように、クロ
ム層１及びガラス基板２の露出面にＳＯＧ４を形成する
（工程１０７）。このＳＯＧ４は、〔シリコン＋エタノ
ール〕の溶剤をスピン塗布することにより行われる。さ
らに、ＳＯＧ４上にレジスト膜５を形成し（工程１０
８）、このレジスト膜５上に導電膜６が形成される（工
程１０９）と、図３の（ｂ）の状態になる。
ム層１及びガラス基板２の露出面にＳＯＧ４を形成する
（工程１０７）。このＳＯＧ４は、〔シリコン＋エタノ
ール〕の溶剤をスピン塗布することにより行われる。さ
らに、ＳＯＧ４上にレジスト膜５を形成し（工程１０
８）、このレジスト膜５上に導電膜６が形成される（工
程１０９）と、図３の（ｂ）の状態になる。
【００１８】次に、図３の（ｂ）の状態の導電膜表面に
対し、図３の（ｃ）のように位相シフタを形成したい部
分にのみ電子線描画を行う（工程１１０）。ついで、現
像処理を行うと図３の（ｄ）のようになり（工程１１
１）、さらにエッチング処理を行うと図３（ｅ）に示す
ように位相シフタを形成したい部分を除いた領域のレジ
スト膜及びＳＯＧ４を除去する。
対し、図３の（ｃ）のように位相シフタを形成したい部
分にのみ電子線描画を行う（工程１１０）。ついで、現
像処理を行うと図３の（ｄ）のようになり（工程１１
１）、さらにエッチング処理を行うと図３（ｅ）に示す
ように位相シフタを形成したい部分を除いた領域のレジ
スト膜及びＳＯＧ４を除去する。
【００１９】さらに、レジスト膜を除去すると図３の
（ｆ）に示すように、位相シフタとなるＳＯＧ４が透光
部の配列の１つおきに残される（工程１１２）。この
後、工程１０６のときと同様にブラシによる機械的洗浄
と酸洗いによる洗浄が行われ、この後に検査が行われる
（工程１１３）。なお、工程１１３においても、従来は
高温リンス液は用いておらず、常温純水による洗浄を行
っていた。
（ｆ）に示すように、位相シフタとなるＳＯＧ４が透光
部の配列の１つおきに残される（工程１１２）。この
後、工程１０６のときと同様にブラシによる機械的洗浄
と酸洗いによる洗浄が行われ、この後に検査が行われる
（工程１１３）。なお、工程１１３においても、従来は
高温リンス液は用いておらず、常温純水による洗浄を行
っていた。
【００２０】以上のようにして作成された位相シフトマ
スクは、露光装置にガラス基板１が光源側に向くように
してセットしてコヒーレントな光を照射すると、位相シ
フタを通過した光と、位相シフタを設けていない開口を
通過した光との間には、光強度を変えずに位相だけを約
１８０°変化させることができ、各開口部の投影像を完
全に分離することができる。すなわち、分解能を高める
ことができ、パターンの微細化が可能になる。
スクは、露光装置にガラス基板１が光源側に向くように
してセットしてコヒーレントな光を照射すると、位相シ
フタを通過した光と、位相シフタを設けていない開口を
通過した光との間には、光強度を変えずに位相だけを約
１８０°変化させることができ、各開口部の投影像を完
全に分離することができる。すなわち、分解能を高める
ことができ、パターンの微細化が可能になる。
【００２１】図４は本発明方法の効果を示す説明図であ
る。図４は洗浄サイクル（回数）に対する位相シフタの
剥がれ状況を示している。折れ線Ａが温純水無し（すな
わち常温水を使用）の場合であり、折れ線Ｂが温純水を
使用した本発明の場合である。図から明らかなように、
常温水では１回の洗浄でも剥がれを生じたのに対し、温
純水を用いた場合、洗浄サイクルが５回以下では位相シ
フタの剥がれは全く生じていない。
る。図４は洗浄サイクル（回数）に対する位相シフタの
剥がれ状況を示している。折れ線Ａが温純水無し（すな
わち常温水を使用）の場合であり、折れ線Ｂが温純水を
使用した本発明の場合である。図から明らかなように、
常温水では１回の洗浄でも剥がれを生じたのに対し、温
純水を用いた場合、洗浄サイクルが５回以下では位相シ
フタの剥がれは全く生じていない。
【００２２】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００２３】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【００２４】すなわち、隣接する透光パターンに対して
ほぼ１８０°の位相差を生じさせる位相シフタが設けら
れるマスクの製造方法であって、遮光パターンの形成が
完了した段階及び前記位相シフタの形成が完了した段階
における各洗浄に対し、基板表面を疎水性にする洗浄液
を用いるようにしたので、位相シフタの接着性が向上
し、位相シフタの剥がれが防止され、製造歩留りの向上
が可能になる。
ほぼ１８０°の位相差を生じさせる位相シフタが設けら
れるマスクの製造方法であって、遮光パターンの形成が
完了した段階及び前記位相シフタの形成が完了した段階
における各洗浄に対し、基板表面を疎水性にする洗浄液
を用いるようにしたので、位相シフタの接着性が向上
し、位相シフタの剥がれが防止され、製造歩留りの向上
が可能になる。
【図１】本発明によるマスクの製造方法の製造工程を示
す工程説明図である。
す工程説明図である。
【図２】図１の各工程における位相シフトマスクのクロ
ム層の形成プロセスを示す説明図である。
ム層の形成プロセスを示す説明図である。
【図３】図１の各工程における位相シフトマスクの位相
シフト層の形成プロセスを示す説明図である。
シフト層の形成プロセスを示す説明図である。
【図４】本発明方法の効果を示す説明図である。
１ クロム層 ２ ガラス基板 ３ レジスト膜 ４ ＳＯＧ ５ レジスト膜 ６ 導電膜
Claims (3)
- 【請求項１】 隣接する透光パターンに対してほぼ１８
０°の位相差を生じさせる位相シフタが設けられるマス
クの製造方法であって、遮光パターンの形成が完了した
段階及び前記位相シフタの形成が完了した段階における
各洗浄に対し、基板表面を疎水性にする洗浄液を用いる
ことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項２】 前記洗浄液は、高温リンス液であること
を特徴とする請求項１記載の位相シフトマスクの製造方
法。 - 【請求項３】 前記高温リンス液は、加熱した純水また
はＨＭＤＳ（ヘキサメチレンジシラン）であることを特
徴とする請求項１記載の位相シフトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29523393A JPH07146542A (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29523393A JPH07146542A (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07146542A true JPH07146542A (ja) | 1995-06-06 |
Family
ID=17817942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29523393A Pending JPH07146542A (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07146542A (ja) |
-
1993
- 1993-11-25 JP JP29523393A patent/JPH07146542A/ja active Pending
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