JPH04235529A - 配線基板の製造方法 - Google Patents
配線基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH04235529A JPH04235529A JP216791A JP216791A JPH04235529A JP H04235529 A JPH04235529 A JP H04235529A JP 216791 A JP216791 A JP 216791A JP 216791 A JP216791 A JP 216791A JP H04235529 A JPH04235529 A JP H04235529A
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- Japan
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- resist
- wiring
- electrodes
- exfoliation
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子の電極の
形成にかかわる配線基板の製造方法に関する。
形成にかかわる配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は液晶表示素子１に用いられる帯状
の電極４，５を形成する従来の製造方法を示す工程図で
あり、図２は液晶表示素子１の断面図であり、従来例お
よび実施例において共通に参照する。工程ａ１では透光
性基板２，３上に電極４，５材料であるＩＴＯ（インジ
ウム錫酸化物）膜が形成され、工程ａ２では前記ＩＴＯ
膜上にポジ形のレジストが塗布される。工程ａ３では工
程ａ２で塗布されたレジストを加熱して硬化するプリベ
ークが行われ、工程ａ４では電極４，５形成領域部分以
外に露光が行われる。工程ａ５ではレジストに対して現
像が行われ、露光が行われた部分のレジストが、たとえ
ば１％ＮａＯＨ溶液によって剥離される。その後、水洗
および乾燥が行われ、後述する工程ａ７のエッチングに
おいて電極４，５形成領域上のレジストの強度が不足す
る場合には、工程ａ６でさらに加熱してレジストを硬化
するポストベークが行われる。工程ａ７でＩＴＯ膜のエ
ッチングが行われて電極４，５が形成され、工程ａ８で
は現像液より高濃度の溶液、たとえば現像に１％ＮａＯ
Ｈ溶液が用いられた場合には、３％ＮａＯＨ溶液の剥離
液を用いて電極４，５上のレジストが剥離される。その
後、工程ａ９で、電極４，５が形成された基板２，３の
洗浄が行われる。
の電極４，５を形成する従来の製造方法を示す工程図で
あり、図２は液晶表示素子１の断面図であり、従来例お
よび実施例において共通に参照する。工程ａ１では透光
性基板２，３上に電極４，５材料であるＩＴＯ（インジ
ウム錫酸化物）膜が形成され、工程ａ２では前記ＩＴＯ
膜上にポジ形のレジストが塗布される。工程ａ３では工
程ａ２で塗布されたレジストを加熱して硬化するプリベ
ークが行われ、工程ａ４では電極４，５形成領域部分以
外に露光が行われる。工程ａ５ではレジストに対して現
像が行われ、露光が行われた部分のレジストが、たとえ
ば１％ＮａＯＨ溶液によって剥離される。その後、水洗
および乾燥が行われ、後述する工程ａ７のエッチングに
おいて電極４，５形成領域上のレジストの強度が不足す
る場合には、工程ａ６でさらに加熱してレジストを硬化
するポストベークが行われる。工程ａ７でＩＴＯ膜のエ
ッチングが行われて電極４，５が形成され、工程ａ８で
は現像液より高濃度の溶液、たとえば現像に１％ＮａＯ
Ｈ溶液が用いられた場合には、３％ＮａＯＨ溶液の剥離
液を用いて電極４，５上のレジストが剥離される。その
後、工程ａ９で、電極４，５が形成された基板２，３の
洗浄が行われる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述の従来技術では、
電極４，５上のレジストを剥離する際に高濃度の剥離液
が用いられる。剥離液が基板２，３および電極４，５上
に残留すると、液晶表示素子１製造工程の次工程である
配向膜６，７の形成の際、配向膜６，７を均一に形成す
ることができなくなり、表示むらが生じて表示品位が低
下するという問題が生じる。この問題を解決するために
は、工程ａ９で行われる洗浄工程において、レジスト剥
離液を完全に除去することが必要である。このため、基
板２，３の洗浄にブラシを用いる、超音波を用いるなど
洗浄工程および製造装置が複雑になる。また、繰返し洗
浄を行わなければならないため、装置が大形化するなど
の問題がある。
電極４，５上のレジストを剥離する際に高濃度の剥離液
が用いられる。剥離液が基板２，３および電極４，５上
に残留すると、液晶表示素子１製造工程の次工程である
配向膜６，７の形成の際、配向膜６，７を均一に形成す
ることができなくなり、表示むらが生じて表示品位が低
下するという問題が生じる。この問題を解決するために
は、工程ａ９で行われる洗浄工程において、レジスト剥
離液を完全に除去することが必要である。このため、基
板２，３の洗浄にブラシを用いる、超音波を用いるなど
洗浄工程および製造装置が複雑になる。また、繰返し洗
浄を行わなければならないため、装置が大形化するなど
の問題がある。
【０００４】本発明の目的は、配線上の被覆層の剥離を
容易にし、簡略化した製造方法にすることによって、装
置を小形化することができる配線基板の製造方法を提供
することである。
容易にし、簡略化した製造方法にすることによって、装
置を小形化することができる配線基板の製造方法を提供
することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、基材上に導電
体からなる配線を形成されて成る配線基板の製造方法に
おいて、下記Ａ）ないしＥ）の工程を含むことを特徴と
する配線基板の製造方法である。
体からなる配線を形成されて成る配線基板の製造方法に
おいて、下記Ａ）ないしＥ）の工程を含むことを特徴と
する配線基板の製造方法である。
【０００６】Ａ）基材上に配線となる導電体層を形成し
、さらにその上に感光性材料から成る被覆層を塗布する
。
、さらにその上に感光性材料から成る被覆層を塗布する
。
【０００７】Ｂ）前記被覆層の配線となる領域以外の部
分を露光する。
分を露光する。
【０００８】Ｃ）前記被覆層を現像後、導電体層をエッ
チングして基材上に配線を形成する。
チングして基材上に配線を形成する。
【０００９】Ｄ）前記基材を全面露光する。
【００１０】Ｅ）配線上の被覆層を剥離する。
【００１１】
【作用】本発明に従えば、基材上に導電体からなる配線
を形成されて成る配線基板の製造方法として、まず基材
上に配線となる導電体層を形成して、その上に感光性材
料から成る被覆層を塗布する。次に前記被覆層の配線と
なる領域以外の部分を露光し、現像後、導電体層をエッ
チングして基材上に配線を形成する。その後、前記基材
を全面露光し、配線上の被覆層を剥離する。
を形成されて成る配線基板の製造方法として、まず基材
上に配線となる導電体層を形成して、その上に感光性材
料から成る被覆層を塗布する。次に前記被覆層の配線と
なる領域以外の部分を露光し、現像後、導電体層をエッ
チングして基材上に配線を形成する。その後、前記基材
を全面露光し、配線上の被覆層を剥離する。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の一実施例の液晶表示素子１に
用いられる帯状の電極４，５の形成工程を説明する工程
図であり、図２は帯状の電極４，５を用いた液晶表示素
子１の断面図である。一対の基材である透光性基板２，
３上に、図１で示される工程で形成される配線である帯
状の電極４，５が予め定める間隔を空けて形成されてい
る。その上に配向膜６，７が形成され、ラビング処理が
施されている。両基板２，３は電極４，５が直交するよ
うに向かい合わされ、シール材８によって貼合わせられ
た後、液晶９が注入されて液晶表示素子１が完成する。
用いられる帯状の電極４，５の形成工程を説明する工程
図であり、図２は帯状の電極４，５を用いた液晶表示素
子１の断面図である。一対の基材である透光性基板２，
３上に、図１で示される工程で形成される配線である帯
状の電極４，５が予め定める間隔を空けて形成されてい
る。その上に配向膜６，７が形成され、ラビング処理が
施されている。両基板２，３は電極４，５が直交するよ
うに向かい合わされ、シール材８によって貼合わせられ
た後、液晶９が注入されて液晶表示素子１が完成する。
【００１３】図３は、本発明の一実施例の電極４，５の
製造工程を示す断面図である。
製造工程を示す断面図である。
【００１４】図１の工程ｂ１では透光性基板２，３上に
導電体層であるＩＴＯ（インジウム錫酸化物）膜１０を
形成し、工程ｂ２にて前記ＩＴＯ膜１０上に、被覆層で
ある、たとえばノボラック樹脂から成るポジ形のレジス
ト１１を図３（１）に示すように塗布する。工程ｂ３で
はレジスト１１を加熱して硬化するプリベークが行われ
る。プリベークの条件としては、たとえばバッチ処理の
場合には８０℃の温度で３０分間処理を行い、連続処理
の場合には１２０℃の温度で２〜３分間処理を行う。
導電体層であるＩＴＯ（インジウム錫酸化物）膜１０を
形成し、工程ｂ２にて前記ＩＴＯ膜１０上に、被覆層で
ある、たとえばノボラック樹脂から成るポジ形のレジス
ト１１を図３（１）に示すように塗布する。工程ｂ３で
はレジスト１１を加熱して硬化するプリベークが行われ
る。プリベークの条件としては、たとえばバッチ処理の
場合には８０℃の温度で３０分間処理を行い、連続処理
の場合には１２０℃の温度で２〜３分間処理を行う。
【００１５】工程ｂ４では電極４，５形成領域以外の部
分に透孔１２ａを有するパターン１２を介して紫外光に
よる露光が図３（２）に示すように行われる。この紫外
光は、たとえば波長が３６５ｎｍ、強度が１２０ｍＪ／
ｃｍ２ で照射される。工程ｂ５では現像が行われ、工
程ｂ４で紫外光が照射された部分のレジスト１１が現像
液によって剥離される。現像液としては、たとえば１％
ＮａＯＨ溶液などが用いられる。工程ｂ７においてＩＴ
Ｏ膜１０のエッチングが行われるけれども、電極４，５
領域上を覆っているレジスト１１が、工程ｂ７で用いら
れるエッチング液に対して強度が足りない場合には、工
程ｂ６においてレジスト１１を加熱硬化するポストベー
クが行われる。ポストベークの条件は、たとえばプリベ
ークに示される条件と同一である。
分に透孔１２ａを有するパターン１２を介して紫外光に
よる露光が図３（２）に示すように行われる。この紫外
光は、たとえば波長が３６５ｎｍ、強度が１２０ｍＪ／
ｃｍ２ で照射される。工程ｂ５では現像が行われ、工
程ｂ４で紫外光が照射された部分のレジスト１１が現像
液によって剥離される。現像液としては、たとえば１％
ＮａＯＨ溶液などが用いられる。工程ｂ７においてＩＴ
Ｏ膜１０のエッチングが行われるけれども、電極４，５
領域上を覆っているレジスト１１が、工程ｂ７で用いら
れるエッチング液に対して強度が足りない場合には、工
程ｂ６においてレジスト１１を加熱硬化するポストベー
クが行われる。ポストベークの条件は、たとえばプリベ
ークに示される条件と同一である。
【００１６】工程ｂ７ではＩＴＯ膜１０がたとえば強酸
などによって図３（３）に示すように電極４，５状にエ
ッチングされる。工程ｂ８では、電極４，５が形成され
た基板２，３が図３（４）に示すように紫外光によって
全面露光される。紫外光照射条件は、工程ｂ４で行った
パターン露光と同一条件で行われるけれども、工程ｂ６
でポストベークを行っているときには、レジスト１１の
硬化に応じて紫外光の強度を上げるとよい。
などによって図３（３）に示すように電極４，５状にエ
ッチングされる。工程ｂ８では、電極４，５が形成され
た基板２，３が図３（４）に示すように紫外光によって
全面露光される。紫外光照射条件は、工程ｂ４で行った
パターン露光と同一条件で行われるけれども、工程ｂ６
でポストベークを行っているときには、レジスト１１の
硬化に応じて紫外光の強度を上げるとよい。
【００１７】工程ｂ９では図３（５）に示すようにレジ
スト１１の剥離が行われる。レジスト１１剥離条件は、
たとえば工程ｂ５の現像条件と同一で行われる。工程ｂ
１０では洗浄が行われ、剥離液が除去される。
スト１１の剥離が行われる。レジスト１１剥離条件は、
たとえば工程ｂ５の現像条件と同一で行われる。工程ｂ
１０では洗浄が行われ、剥離液が除去される。
【００１８】以上のように本実施例によれば、電極４，
５上に形成されているレジスト１１の除去に高濃度の剥
離液を用いる必要がない。これによって、従来技術で用
いている剥離液を希薄して用いることができるため、剥
離液の使用量を減少することができる。低濃度の剥離液
を用いるため、剥離液除去のための洗浄を容易に行うこ
とができる。たとえば従来技術では４段のシャワーを用
いていたけれども、本実施例では３段のシャワーを用い
ることによって剥離液を除去することができる。したが
って、製造装置を小形化することができる。また、従来
技術で行っていたブラシ洗浄および超音波洗浄などを行
うことなく剥離液の除去を行うことができるため、さら
に製造装置の小形化を行うことができる。ブラシ洗浄や
超音波洗浄を行う場合には、洗浄時間を短縮することが
できるため、製造時間を短縮することができる。また、
本実施例によれば、従来技術に比べてより確実な洗浄を
行うことができるという効果も得られた。
５上に形成されているレジスト１１の除去に高濃度の剥
離液を用いる必要がない。これによって、従来技術で用
いている剥離液を希薄して用いることができるため、剥
離液の使用量を減少することができる。低濃度の剥離液
を用いるため、剥離液除去のための洗浄を容易に行うこ
とができる。たとえば従来技術では４段のシャワーを用
いていたけれども、本実施例では３段のシャワーを用い
ることによって剥離液を除去することができる。したが
って、製造装置を小形化することができる。また、従来
技術で行っていたブラシ洗浄および超音波洗浄などを行
うことなく剥離液の除去を行うことができるため、さら
に製造装置の小形化を行うことができる。ブラシ洗浄や
超音波洗浄を行う場合には、洗浄時間を短縮することが
できるため、製造時間を短縮することができる。また、
本実施例によれば、従来技術に比べてより確実な洗浄を
行うことができるという効果も得られた。
【００１９】したがって、配線上の被覆層の剥離を容易
にし、簡略化された製造方法を用いて製造装置を小形化
することができる。
にし、簡略化された製造方法を用いて製造装置を小形化
することができる。
【００２０】本実施例においては、レジスト１１に対し
て、紫外光の照射を行うことによってレジスト１１の剥
離を容易にしたけれども、紫外光に限定されるものでは
なく、使用するレジスト１１に応じて赤外光または可視
光などの照射を行ってもよい。
て、紫外光の照射を行うことによってレジスト１１の剥
離を容易にしたけれども、紫外光に限定されるものでは
なく、使用するレジスト１１に応じて赤外光または可視
光などの照射を行ってもよい。
【００２１】また、本実施例では配線として液晶表示素
子１の帯状の電極４，５について説明したが、形状は帯
状に限られるわけではなく、また、液晶表示素子以外の
配線についても同様に用いることができる。また、電極
４，５の材料としてＩＴＯをあげたけれども、これに限
られるものではない。
子１の帯状の電極４，５について説明したが、形状は帯
状に限られるわけではなく、また、液晶表示素子以外の
配線についても同様に用いることができる。また、電極
４，５の材料としてＩＴＯをあげたけれども、これに限
られるものではない。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、導電体層をエッチング
して配線を形成した後、基材を全面露光して、配線上を
覆っている被覆膜の露光を行う。このため、配線上の被
覆膜の剥離が容易になり、配線基板の製造方法が簡略化
され、製造装置を小形化することができる。
して配線を形成した後、基材を全面露光して、配線上を
覆っている被覆膜の露光を行う。このため、配線上の被
覆膜の剥離が容易になり、配線基板の製造方法が簡略化
され、製造装置を小形化することができる。
【図１】本発明の一実施例の液晶表示素子１に用いられ
る帯状の電極４，５の形成時の工程を説明する工程図で
ある。
る帯状の電極４，５の形成時の工程を説明する工程図で
ある。
【図２】帯状の電極４，５を用いた液晶表示素子１の断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の一実施例の電極４，５の製造工程を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】液晶表示素子１に用いられる帯状の電極４，５
を形成する従来の製造方法を示す工程図である。
を形成する従来の製造方法を示す工程図である。
２，３ 基板
４，５ 電極
１０ ＩＴＯ膜
１１ レジスト
Claims (1)
- 【請求項１】 基材上に導電体からなる配線を形成さ
れて成る配線基板の製造方法において、下記Ａ）ないし
Ｅ）の工程を含むことを特徴とする配線基板の製造方法
。 Ａ）基材上に配線となる導電体層を形成し、さらにその
上に感光性材料から成る被覆層を塗布する。 Ｂ）前記被覆層の配線となる領域以外の部分を露光する
。 Ｃ）前記被覆層を現像後、導電体層をエッチングして基
材上に配線を形成する。 Ｄ）前記基材を全面露光する。 Ｅ）配線上の被覆層を剥離する。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP216791A JPH04235529A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | 配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP216791A JPH04235529A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | 配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04235529A true JPH04235529A (ja) | 1992-08-24 |
Family
ID=11521809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP216791A Pending JPH04235529A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | 配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04235529A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086638A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用テープキャリアの製造方法 |
| JP2018053276A (ja) * | 2016-09-26 | 2018-04-05 | 富士フイルム株式会社 | 孔あき金属基板の製造方法 |
-
1991
- 1991-01-11 JP JP216791A patent/JPH04235529A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086638A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用テープキャリアの製造方法 |
| JP2018053276A (ja) * | 2016-09-26 | 2018-04-05 | 富士フイルム株式会社 | 孔あき金属基板の製造方法 |
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