JPH07147093A - オプトエレクトロニックメモリーシステム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 改良されたオプトエレクトロニックメモリー
システムを提供する。 【構成】 光学的に読み取り可能の記憶領域17のアレイ
に情報を記憶するメモリー素子14及び読み取り装置から
なる。読み取り装置は、読み取り光でメモリー素子を走
査する電気光学シャッター装置16及びシャッター装置の
出力側に密接しており且つ走査方向に延びている直線型
光検出素子18のアレイを具える。光検出素子アレイのシ
ャッター装置と反対側の面は読み取り面となり、この面
にメモリー素子が置かれ、記憶領域17が光検出素子18と
近接し、接触型検出モードで、記憶領域の反射率特性に
基づいて記憶領域から反射した読み取り光を検出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光学的に読み取り可能
の記憶領域の２次元アレイに情報が記憶される平面メモ
リー素子、及び、該メモリー素子中の情報を光学的に読
み取り且つそれに基づいて電気的出力を与える読み取り
手段を具え、該読み取り手段は、読み取り光を用いてメ
モリー素子の記憶領域をアドレスし且つ該読み取り光を
用いてアレイの第１の方向にアレイを走査するための電
気光学シャッター装置、及び、メモリー素子に近接して
配置された直線形光検出素子の平面アレイを有し且つ該
直線形光検出素子は該第１の方向に互いに平行に延びて
おりそしてメモリー素子からの光を読み取る光検出装置
を具えるオプトエレクトロニックメモリーシステムに関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】このようなシステムは、欧州特許公報EP
-A-0509597に記載されている。このシステムでは、電気
光学シャッター装置が、互いに平行に配置され且つ第１
の方向と直角の第２の方向に延びている直線形液晶光シ
ャッター装置の平面アレイ、及びそのアレイをその入力
側から光照射する光源からなっている。例えばディジタ
ルデータカードのようなメモリー素子は、光学的にコー
ド化されたデータを保持し、写真のような媒体を有し、
行及び列に配列された記憶領域を有し、その光放射特性
が記憶された情報を表示する。

【０００３】記憶された情報を読み取るために、メモリ
ー素子は電気光学シャッターのアレイと光検出素子のア
レイとの隙間に挿入される。光検出素子のアレイは、支
持体の上に帯状の薄膜フォトダイオードから形成されて
いる。液晶光シャッターは、個別に且つ連続的に動作
し、メモリー素子のメモリー位置の列の長さをカバーし
て行方向にアレイを横切るように、光シャッターの大き
さによって決まる光の帯を段階的に走査する。このシス
テムは、またランダムアクセスモードでも動作し、この
場合には光シャッターは非連続的にメモリー素子を走査
する。

【０００４】このシステムは、ＣＤ−ＲＯＭシステム、
オーディオＣＤシステム、及びいわゆるレーザーカード
システムのような用途で、記憶されたディジタルデータ
を読み取るために使用できる。これらのシステムでは、
光学的に読み取り可能にディスク又はカードのような担
体上に記憶されたディジタルデータからなる情報が読み
取られる。その読み取りは、光ビームで担体上を電気機
械的に走査し、光ビーム及び検出器に対する移動によっ
て走査される担体から、記憶された情報に従って反射さ
れるビーム又は放射されるビームを検出することによっ
て行われる。

【０００５】この既知のシステムとは別に、EP-A-05095
97のシステムは、全固体化光学走査法を用い、読み取り
動作のために動く部分を不要としている。通常、モータ
ー及びレンズのような光学部品を含む電気機械的走査装
置を用いないことは、著しい利点となる。最も重要なこ
とは、メモリー素子の情報記憶領域と殆ど同じ面積を占
める電気光学シャッター及び光検出素子のアレイを有す
る読み取り装置が、よりコンバクトになることである。

【０００６】しかしながら、EP-A-0509597のシステムに
おける動作では、メモリー素子に向かう光が高度にコリ
メートされ、従ってメモリー素子への入射光は実質的に
平行であり且つ実質的にメモリー素子に垂直であること
が重要であり、特に高密度記憶装置を用いる場合に重要
である。光シャッターアレイが光検出素子アレイに極め
て接近していることが理想的である。

【０００７】しかしながら、メモリー素子がそれら２つ
の部品の間に位置するため、光シャッターアレイの出力
側と光検出素子アレイの入力側との間の間隙の最小値
は、メモリー素子を挿入できる値に制限され、この最小
値はメモリー素子の厚さによって決まる。読み取り手段
の部品の厚さに関しては、この問題は重要ではない。ク
ロストークの問題を避けるために、高度に平行な光が光
シャッターアレイに垂直に入射する必要がある。

【０００８】更に、メモリー素子の挿入及び引き出しが
繰り返し行われると、埃及び塵がこの間隙に堆積し、読
み取り性能に影響を及ぼすことがある。光シャッターア
レイ及び検出素子アレイは互いに固定されてアセンブリ
を形成しているため、これら２つの部品の間の間隙、特
にこれらの露出面の清掃は困難である。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、改良
されたオプトエレクトロニックメモリーシステムを提供
することにある。本発明の他の目的は、光照射条件がよ
り緩やかなオプトエレクトロニックメモリーシステムを
提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、前記の
ような種類のオプトエレクトロニックメモリーシステム
において、光検出装置が電気光学シャッター装置の出力
側に近接して配置され、光検出装置の電気光学シャッタ
ー装置と反対側の面の上にその光検出素子に近接してメ
モリー素子が配置され、光検出装置が接触検出モードで
動作し得るように構成される。

【００１１】本発明は、EP-A-0509597の多くの利点を含
むと共に、これに加えて顕著な利点を有する。EP-A-050
9597のシステムのように、電気光学シャッター装置は、
メモリー素子の記憶領域を読み取り光で、記憶領域の列
が連続的に順次アドレスされるように連続的に走査する
ように動作するか、或いは、記憶領域の例えば個々の列
がアレイの物理的な順序以外の順序で読み取られるよう
に非連続的にランダムアクセスモードで動作する。

【００１２】接触映像検出モードで動作する光検出装置
を用いることによって、高度に平行な光を用いなければ
ならないとの制約が除かれる。その結果として、マイク
ロレンズ或いはコリメーティングフィルム等の使用の必
要性がなくなり、簡単な構造の光照射手段を用いること
ができる。

【００１３】接触検出は、検出素子が読み出すべき情報
を保持している媒体に極めて近接していることが条件に
なる。媒体が検出素子に極めて接近して位置している
と、検出素子の背面から媒体に向かう光は、実質的に個
々の検出素子を密着して覆っている媒体のそれぞれの部
分の光学的密度又は反射率に従って検出素子に向けて拡
がって反射する。このため、実際には、照射光としては
垂直以外の角度で媒体に当たる範囲に拡散又は発散した
光が望ましい。このような拡散光照射は、平行光による
よりもはるかに容易である。

【００１４】重要なことは、メモリー素子の厚さが制限
されない点にある。検出素子アレイに向き合って位置し
ているメモリー素子の表面にとって必要なことは、適切
な光学的性質を持つことだけである。従って、使用する
物質に従って素子の厚さが選択され、読み取り手段の動
作に不利な影響を与えないで、素子がより大きな強度を
持つようにすることができる。

【００１５】接触型映像検出器として動作する検出素子
アレイが知られている。これは、最初はファクシミリ及
び複写機用として、特に印刷物を直接接触によって読み
取り、印刷物の映像を電子的な形式に変換するために開
発された。接触型映像検出器の検出素子と文書との間は
密着しているので、各検出素子は一般的に印刷物の同じ
大きさの範囲からの反射光を検出し、そのため焦点を合
わせるための光学系を必要とせずに、解像力を維持でき
る。

【００１６】このような既知の接触型映像検出器では、
個別の検出素子が行と列の２次元マトリクスアレイを構
成するか又は１本の直線形アレイを構成している。直線
形アレイでは、印刷物を読み取る際に、アレイと印刷物
との間に相対的な移動が必要になる。本発明の光検出装
置は、EP-A-0509597と類似ではあるが、平行な直線形の
光検出素子のアレイを有する。

【００１７】直線形光検出素子の組と直角に延びている
平行な直線形の電気光学シャッターのアレイとの共働に
より、行及び列のマトリクスアレイの読み取り領域は、
シャッターと光検出素子の組の交点で得られる。これら
の読み取り領域に対応する位置にあるメモリー素子の記
憶領域にある情報が、例えば固体化走査装置を用いて、
各シャッターが個々に連続して動作しそれを通して光を
通過させることによって読み取られ、光検出素子の組の
電気的出力を測定できる。

【００１８】EP-A-0509597に記載されているシステムの
検出素子と同様に、本発明の直線形の光検出素子はそれ
ぞれ例えば n-i-p構造の薄膜ダイオードで構成すること
ができる。更に、入射光に応答して検出し得る電気的特
性を生成する他の種類の光電気素子、例えば光伝導性素
子或いは光感応性素子を使用することもできる。

【００１９】既知の２次元接触型映像検出器の検出素子
は、通常はそれぞれＴＦＴ或いはダイオードのようなス
イッチング素子を介して行及び列アドレスの組に接続さ
れている。しかし、本発明の光検出装置においては、こ
のようなアドレス導体及びスイッチング素子は不要であ
り、簡素化でき、容易に製造できる。

【００２０】接触検出技術と共に用いるのに適している
メモリー素子は、光学的にコード化されたデータの形で
情報を記憶する手段として、不変的に或いは可逆的に、
特定の領域の光学的密度又は反射率を選択的に決めるこ
とができる適当な媒体を用いる。メモリー素子は、例え
ば光吸収性の例えば黒色のインク又は染料を用いて例え
ば白色のような反射し易い基板の上に印刷するか、或い
はＣＤ技術を用いて製造できる。

【００２１】ここでは、“光”と言う語は、赤外線のよ
うなスペクトルの非可視領域をも含むものである。次に
図面を用いて実施例を説明する。

【００２２】

【実施例】オプトエレクトロニックメモリーシステム
は、記憶領域の２次元平面アレイに光学的に読み取り可
能の情報が記憶される平面メモリー素子、及び、該メモ
リー素子中の情報を光学的に読み取る読み取り手段を有
する。図１は、平行に配置された２つの主要部分、即ち
電気光学走査装置10及び光検出装置12を有する読み取り
手段を示す。電気光学走査装置10にはアドレス信号が印
加される。光検出装置12からは、メモリー素子14の光学
的にコード化された記憶領域に記憶された情報の表現と
しての電気的出力信号が得られる。

【００２３】このシステムの特徴及び使用法は、EP-A-0
509597に記載されているシステムにおけるそれと同様で
ある。これを参照すれば更に情報が得られ、その開示は
ここで引用される。

【００２４】図２は平面図であり、分かり易くするため
にメモリー素子14を取り除いてある。走査装置10は、液
晶の電気光学シャッター16の２次元アレイを構成する液
晶パネル15を有する。この電気光学シャッター16は、パ
ネル上で長い帯状になっており、互いに接近し、互いに
平行に１つの方向、この例では列方向に延びている。各
シャッターは、帯状の制御電極に接続され、既知の方法
によってこの電極に適当な電圧が印加されることにより
選択的に動作し、光を遮蔽する状態と光を透過する状態
とをスイッチングするようになっている。この透過の状
態では、走査装置10の入力側に近接して配置された光源
11からの光が透過する。

【００２５】光源11は投光照明装置であり、全面に拡散
し、走査装置15の入力側全面にわたって実質的に均一に
光照射するようになっている。この光源は種々の形をと
り得るものであり、液晶ディスプレイ装置の分野で既知
のものを用いることもできる。これらは、例えば反射板
を具えた２次元の蛍光灯であってもよい。電気光学走査
装置は、各シャッター16が連続的に適当に開閉すること
により、シャッターの主軸と直角の方向即ち行方向に、
長い光の帯でメモリー素子の表面を走査する。この光の
帯の長さ及び幅はシャッター16の形状にほぼ対応してい
る。

【００２６】光検出装置12は光シャッターパネル15の出
力側表面に密接して配置され、光電型光検出素子18の平
面アレイを有する接触型映像検出装置を構成する。この
光検出素子18では、長い帯状の個々の素子が互いに近接
して平行に配置されている。光検出素子18は、アモルフ
ァスシリコンを用いた n-i-p構造として形成された長い
薄膜光電装置からなっている。直線形素子18は、走査の
方向に一致するように、シャッター16の主軸と直角の第
２の方向即ち行方向に延びている。

【００２７】シャッター16及び光検出素子18の組は、従
って互いに交差しており、それらの交点が図に番号20で
例示されているそれぞれの読み取り領域となる。この読
み取り領域の大きさは、シャッター16と光検出素子18が
重なる部分の大きさによって決まる。装置10と12は、適
当な手段（図示せず）を用いて相互に固着されている。

【００２８】メモリー素子14は、記憶領域の行及び列の
アレイを有する情報記憶媒体からなっている。このアレ
イのピッチは、読み取り領域20のピッチに一致してい
る。情報は二進のデータビットとしてメモリー素子の記
憶領域に記憶される。これは、接触型映像検出器を用い
て光学的に読み取ることができる。各記憶領域は、光学
的密度又は反射率の区別可能な２つの状態のうちの１つ
を持つ。

【００２９】特定の領域の反射率特性がそれに照射され
る読み取り光に応答して不変的に或いは可逆的に且つ選
択的に決まるような適当な媒体を用いて、種々の形で記
憶領域を実現できる。これは接触型検出器と両立し得る
データ記憶手段となる。例えば、メモリー素子はカード
又はプラスチック基板からなる。通常は光を反射し、そ
の表面の選択された記憶領域は、染料又はインクによっ
て実質的に反射しないようにされる。反射及び非反射の
記憶領域の必要なパターンは、印刷のような通常の方法
で得られる。写真媒体も利用できる。

【００３０】図３は、読み取り手段及びメモリー素子の
構造の典型的な部分の寸法を考慮しない断面図である。
この例の走査用液晶パネル15はEP-A-0509597に記載され
たものと同様であり、相互に重なり合うように且つ光学
的に直列に配置された２つの液晶セルを具え、シャッタ
ーによる高いオン−オフコントラスト比を実現してい
る。シャッターは、オン（開）状態では良好な透明性を
示し、オフ（閉）状態では光を実質的に完全に遮断す
る。２つの直列に配置されたセルはコリメーティング作
用を持ち、シャッターを通った光は、入射光より発散が
少ない。

【００３１】各セル25及び34は、それぞれ離れた位置に
ある一対のガラス板28,29 及び36,37 を具え、それらの
間にはツイストネマチック液晶物質30,38 が封入されて
いる。ガラス板28,29 及び37は、それぞれその外側の面
に偏光層26,32 及び40を具えている。ガラス板28及び37
は、それらの内側の面にそれぞれ全てのシャッターに共
通に接続しているＩＴＯ電極層27及び39を具えている。
ガラス板29及び36は、それらの内側の面に、帯形状を持
ち、液晶物質に面して離れて整列し、各シャッターを形
成するＩＴＯ電極31及び35（それらのうち１つしか見え
ない）を具えている。

【００３２】整列した電極31及び35のそれぞれの対は、
一体となって個々の液晶シャッターを構成する２つの液
晶セルの同一の広がりを持つ領域を決める。ガラス板29
及び36の帯状電極31及び35の間の領域は黒い光吸収性の
マトリクスで覆われており（図３には示されていな
い）、光シャッター領域は明確に分離されている。

【００３３】光検出装置12の光検出素子18の組は平板状
のガラス基板50の一方の面に搭載されている。ガラス基
板50の他方の面は、走査装置10の出力側の面に直接マウ
ントされている。各素子18は、 n-i-p構造を有するアモ
ルファスシリコン半導体51の長い層を具えている。この
半導体層は重ね合わされており、不透明金属からなる帯
状電極52に接している。この帯状電極52は、半導体層よ
り僅かに広い幅を持ち、光走査装置10から光が直接入射
しないように半導体層51を遮蔽するのにも役立ってい
る。各素子の層51の反対側の面にはＩＴＯの透明電極53
が形成されている。

【００３４】基板50の構造は、薄膜の析出とパターニン
グによる通常の薄膜技術を用いて製造できる。接触型映
像光検出装置12は、この構造の上に絶縁物で光透過性且
つ耐磨耗性の、例えば無定形の炭化珪素又は窒化珪素の
平滑化層54を形成して完成する。この平滑化層54は、ま
たフォトダイオード素子のパッシベーション層としても
作用する。この層は、基板50の表面と反対側にあってこ
れと平行の平滑な読み取り面を形成し、読み取り動作を
行う際にはその上にメモリー素子14が直接固定される。
この層にポリイミド層を用いてもよいし、前記の層の上
にポリイミド層を形成してもよい。

【００３５】層又は積層54の厚さはフォトダイオード18
を覆っている部分で最小になっているので、メモリー素
子を読み取り面に固定したときに、メモリー素子の表面
の記憶領域17が素子18と近接する。このようにして、反
射型記憶領域からそれらに対応する素子18に入射する光
を近接した位置に収束させることができる。メモリー素
子は、ガイド（図示せず）によって相対的に定められた
光検出素子12の上に位置され、その記憶領域が適当にそ
れぞれの読み取り領域に重なる。

【００３６】接触型映像光検出装置12は、直線型及び２
次元型双方共、ファクシミリ或いは複写機で文書を読み
取るために提案された既知の接触型映像検出アレイと同
様である。従って、ここでの以下の記述は要点にとどめ
る。これ以上の一般的な情報及びそれらの動作の原理の
記載は、例えばUS-A-4691243及びUS-A-4644406を参照さ
れたい。これらの公報の接触型映像検出装置に関する開
示はここで引用されている。しかしながら、光検出装置
12は、その構造においては、既知の個々の光感応性素子
の行及び列アレイとこれに結合している行及び列導体か
らなる２次元検出装置に比べてかなり簡素化されてい
る。

【００３７】更に、この既知の接触型映像検出装置は、
一般的には個々の光感応性素子に分離、スイッチング装
置、例えばダイオード或いはＴＦＴを含んでいる。光走
査装置10ではこのような分離装置は不要である。

【００３８】各光シャッターは、その電極に個別に適当
な電位を印加することによって個別に駆動してオフの不
透明な状態からオンの光透過状態にスイッチすることが
できる。このため、整列した一対の帯状電極31及び35が
それぞれシャッター16を構成し、それぞれ所定の電圧を
供給するシフトレジスタ型の走査駆動回路42（図２）の
出力段に接続されている。

【００３９】同様に、各光検出素子18の電極端子は、出
力レジスタ回路43のそれぞれの段に接続されている。シ
ャッターの電極27及び39並びに光検出素子18の他の端子
は所定の電位に接続される。回路42及び43はタイミング
及び制御回路44に接続され、それによって制御され同期
される。

【００４０】シャッター16は通常オフ状態即ち遮蔽状態
にある。メモリー素子を読み取るためには、メモリー素
子が光検出装置12の上に持って来られ、読み取り面と実
質的に密着する位置に置かれる。図示していないが、読
み取り手段は、動作している間メモリー素子を覆い、メ
モリー素子を読み取り面の層54に対して密着した状態に
保つようなカバーを具えることが好ましい。このカバー
は回転軸取り付け型の蓋としてもよい。

【００４１】回路42は、アレイの各シャッター16を個々
に順次透過状態に切り換えるように動作し、それによっ
てメモリー素子を行方向に光の細い帯でステップ状に一
端から他端へ走査する。光検出素子18の後方へのメモリ
ー素子14による読み取り光の拡散反射又は散乱は、素子
18のそれぞれの部分に密着している個々の記憶領域17の
光学的反射状態に応じて位置によって決まる。

【００４２】記憶領域17の反射及び吸収状態の例が、図
３にそれぞれ素子14のクリアな領域と影を付けた領域と
で示されている。このように、特定のシャッター16が開
くと、帯状の光が対応する記憶領域の列に入射し、各読
み取り領域20の記憶領域17が光を反射するか或いは吸収
するかに従って、一定量の光が光検出素子18に反射する
か或いはしない。そして、これにより、それに結合され
ている出力レジスタ回路43の対応する段に電気信号が供
給されるか或いはされない。

【００４３】このようにして、メモリー素子14の記憶領
域の列に記憶された情報のビットがアクセスされ、同時
に出力レジスタ回路のそれぞれの段に読み出される。レ
ジスタ段の内容は、順次出力45に送られる。各シャッタ
ーは順次動作するので、記憶領域の各列にある情報が個
別にレジスタ回路43に読み出され、順次連続的に45に出
力される。メモリー素子の記憶領域列に記憶された情報
は、従ってシャッター16の走査によって１列ずつ順次読
み出される。

【００４４】簡単にするため、メモリー素子が約６ｃｍ
平方の記憶領域アレイを持ち、シャッター16及び光検出
素子18の長さが６ｃｍで幅が５μｍであり、シャッター
16と素子18の隣接する対の間隔は約２μｍとすると、凡
そ6000個のシャッターと6000個の光検出素子が並び、36
×10⁶ 個の読み取り領域が存在することになる。従っ
て、この大きさのメモリー素子が容易に３６Ｍビットの
情報を蓄積することができる。

【００４５】記憶領域の密度を上げ、それと共に光検出
素子の数を上げることによってデータ記憶容量を更に大
きくすることができる。これは、記憶領域が光検出素子
アレイに密着した接触型検出装置であるが故に可能にな
る。記憶領域密度は、更に平行な光を生じる光源を用い
ることによって更に上げることができる。

【００４６】シャッター16は、記憶領域列の物理的な順
序に従って順次各列を読み取るように連続して動作する
必要はない。代わって、メモリーシステムはランダムア
クセスモードで動作することもできる。このモードで
は、シャッター16が、物理的な順序以外の記憶領域列を
非連続的に走査し読み取るように動作する。適宜変更を
加えた駆動回路42を用いれば、個々のシャッター16が選
択的に動作し、所望の順序で記憶領域の特定の列に記憶
された情報をアクセスするようにすることができる。

【００４７】前記の説明において列と行を交換してもよ
いことは明らかであり、これらの用語は単に図面上の方
向を示しているに過ぎない。前記の実施例についての種
々の変更が可能である。例えば、文書接触型映像検出の
分野で既知の他の構造の光検出装置を用いることができ
る。光検出素子として別の構造のフォトダイオードを用
いることもできる。フォトダイオード以外の光検出装
置、例えば基板上に薄膜構造で製造された光導電セル又
は光伝導体、光電デバイス及び光電池デバイス、並びに
所定の光の入力に応答して検出し得る電気的特性を与え
る装置を用いることができる。

【００４８】液晶シャッター16は、図３に記載された例
と異なった既知の型のものであってもよい。走査素子と
して液晶シャッター以外の電気光学シャッターを用いる
ことができることも明らかである。本発明の開示から、
他の変形を導くことができることは勿論である。このよ
うな変形は、電気光学シャッター、薄膜光検出装置及び
光学的メモリー素子の分野で既知の他の特徴を含むもの
であってもよく、前記の特徴に代えて又はこれに加えて
用いられるものであってもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、平行に配置された電気光学走査装置及
び光検出装置を有する読み取り手段の側面図である。

【図２】図２は、図１の読み取り手段の平面図である。

【図３】図３は、読み取り手段及びメモリー素子の構造
の断面図である。

【符号の説明】

10 電気光学走査装置 11 光源 12 光検出装置 14 メモリー素子 15 液晶パネル 16 電気光学シャッター 17 記憶領域 18 光検出素子 20 読み取り領域 25, 34 液晶セル 26, 32, 40 偏光層 27, 31, 35, 39, 53 ＩＴＯ電極層 28, 29, 36, 37 ガラス板 30, 38 ツイストネマチック液晶物質 42 走査駆動回路 43 出力レジスタ回路 44 タイミング及び制御回路 45 出力 50 ガラス基板 51 半導体層 52 帯状電極 54 読み取り面

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光学的に読み取り可能の記憶領域の２次
   元アレイに情報が記憶される平面型メモリー素子、及
   び、該メモリー素子中の情報を光学的に読み取り且つそ
   れに基づいて電気的出力を与える読み取り手段を具え、
   該読み取り手段は、読み取り光を用いてメモリー素子の
   記憶領域をアドレスし且つ該読み取り光を用いてアレイ
   の第１の方向にアレイを走査するための電気光学シャッ
   ター装置、及び、メモリー素子に近接して配置された直
   線形光検出素子の平面アレイを有し且つ該直線形光検出
   素子は該第１の方向に互いに平行に延びておりそしてメ
   モリー素子からの光を読み取る光検出装置を具えるオプ
   トエレクトロニックメモリーシステムにおいて、 該光検出装置が該電気光学シャッター装置の出力側に近
   接して配置され、該光検出装置の該電気光学シャッター
   装置と反対側の面の上に該光検出装置の光検出素子に近
   接してメモリー素子が配置され、該光検出装置が接触検
   出モードで動作し得るように構成されたことを特徴とす
   るオプトエレクトロニックメモリーシステム。
2. 【請求項２】 該電気光学シャッター装置が、互いに平
   行に且つ該第１の方向と直角方向である第２の方向に延
   びている直線型液晶シャッターのアレイを具えたことを
   特徴とする請求項１に記載のオプトエレクトロニックメ
   モリーシステム。
3. 【請求項３】 各液晶シャッターが、光学的に直列に配
   置された２つの液晶セルを具えたことを特徴とする請求
   項２に記載のオプトエレクトロニックメモリーシステ
   ム。
4. 【請求項４】 該電気光学シャッター装置が、更に、液
   晶シャッターのアレイに近接して延びている蛍光灯光源
   を具えたことを特徴とする請求項２又は３に記載のオプ
   トエレクトロニックメモリーシステム。
5. 【請求項５】 該光検出素子が、それぞれ、長い薄膜フ
   ォトダイオード構造を有し、共通の透明支持体に搭載さ
   れ、該透明支持体は電気光学シャッターに密接して配置
   され、該読み取り光が電気光学シャッターを通してメモ
   リー素子に達するように構成されたことを特徴とする請
   求項１乃至４のいずれか１項に記載のオプトエレクトロ
   ニックメモリーシステム。
6. 【請求項６】 該光検出素子アレイが透明な絶縁層を有
   し、該透明な絶縁層は光検出素子を覆い且つ読み取り面
   を形成し、その上にメモリー素子が配置されるように構
   成されたことを特徴とする請求項５に記載のオプトエレ
   クトロニックメモリーシステム。
7. 【請求項７】 該メモリー素子が、特定の領域における
   光学的反射率が選択されることによって記憶した情報を
   表示するように構成された媒体を具えたことを特徴とす
   る請求項１乃至６のいずれか１項に記載のオプトエレク
   トロニックメモリーシステム。
8. 【請求項８】 メモリー素子の特定の領域における光学
   的反射率が、該媒体の光学的反射率と異なる光学的反射
   率を有する物質を印刷することによって選択的に決定さ
   れるように構成されたことを特徴とする請求項７に記載
   のオプトエレクトロニックメモリーシステム。