JPH07147131A - 冷陰極電子源の製造方法 - Google Patents
冷陰極電子源の製造方法Info
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- JPH07147131A JPH07147131A JP29335693A JP29335693A JPH07147131A JP H07147131 A JPH07147131 A JP H07147131A JP 29335693 A JP29335693 A JP 29335693A JP 29335693 A JP29335693 A JP 29335693A JP H07147131 A JPH07147131 A JP H07147131A
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Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、簡易なプロセス及び低廉なコスト
で大面積化が可能で安定かつ良好な特性を発揮し得る冷
陰極電子源素子を製造することができる冷陰極電子源の
製造方法を提供する。 【構成】 本発明の冷陰極電子源の製造方法は、エミッ
タ３用導体層表面に、感光面である上主面よりも、前記
エミッタ３用導体層側の下主面の面積が小さい庇状を呈
するようなレジスト膜を楔状に形成する工程と、前記レ
ジスト膜よりはみ出た前記エミッタ３用導体層をエッチ
ングにより除去する工程を含むものである。これによ
り、曲率半径５０ｎｍ以下の尖鋭化された先端をもつエ
ミッタ３による安定かつ良好な特性を発揮し得る冷陰極
電子源素子を簡易なプロセスで再現性良く、また低廉な
コストで歩留まり良く製造することができ、大面積化が
可能となる。
で大面積化が可能で安定かつ良好な特性を発揮し得る冷
陰極電子源素子を製造することができる冷陰極電子源の
製造方法を提供する。 【構成】 本発明の冷陰極電子源の製造方法は、エミッ
タ３用導体層表面に、感光面である上主面よりも、前記
エミッタ３用導体層側の下主面の面積が小さい庇状を呈
するようなレジスト膜を楔状に形成する工程と、前記レ
ジスト膜よりはみ出た前記エミッタ３用導体層をエッチ
ングにより除去する工程を含むものである。これによ
り、曲率半径５０ｎｍ以下の尖鋭化された先端をもつエ
ミッタ３による安定かつ良好な特性を発揮し得る冷陰極
電子源素子を簡易なプロセスで再現性良く、また低廉な
コストで歩留まり良く製造することができ、大面積化が
可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、冷陰極電子源素子の製
造方法に関する。
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電界放射型電子源は、半導体の微細加工
技術を利用してミクロンサイズに製造でき、しかも集積
化やバッチ加工が容易であるため、熱電子放射型電子源
では不可能であったＧＨｚ帯増幅器や大電力・高速スイ
ッチング素子、更には高精細度フラットパネルディスプ
レイ用電子源への応用が期待されており、国内外におい
て盛んに研究開発がなされている。
技術を利用してミクロンサイズに製造でき、しかも集積
化やバッチ加工が容易であるため、熱電子放射型電子源
では不可能であったＧＨｚ帯増幅器や大電力・高速スイ
ッチング素子、更には高精細度フラットパネルディスプ
レイ用電子源への応用が期待されており、国内外におい
て盛んに研究開発がなされている。
【０００３】このような電界放射型電子源の従来例を以
下に説明する。
下に説明する。
【０００４】図２１に示す薄膜電界放射型の電子源は、
冷陰極５２と対向するゲート電極５３とを０．３乃至２
μｍの間隔をあけて絶縁体基板５１上に成膜し、真空中
で前記冷陰極５２とゲート電極５３間に電圧をかけるこ
とにより電子放出を起こすものである（特開昭６３−２
７４０４７号）。前記冷陰極５２はＦＩＢ（FocusdIon
Beam）技術を用いて形成されており、特に凸状部の先端
は尖鋭に形成している。しかし、ＦＩＢ技術を用いた場
合、素子の大面積化が困難でかつ製造コストも高くなっ
てしまう。
冷陰極５２と対向するゲート電極５３とを０．３乃至２
μｍの間隔をあけて絶縁体基板５１上に成膜し、真空中
で前記冷陰極５２とゲート電極５３間に電圧をかけるこ
とにより電子放出を起こすものである（特開昭６３−２
７４０４７号）。前記冷陰極５２はＦＩＢ（FocusdIon
Beam）技術を用いて形成されており、特に凸状部の先端
は尖鋭に形成している。しかし、ＦＩＢ技術を用いた場
合、素子の大面積化が困難でかつ製造コストも高くなっ
てしまう。
【０００５】一方、大面積化，製造コストを考えた場
合、フォトリソグラフィー技術を用いたパターニングが
妥当である。しかし、現在のフォトリソググラフィー技
術では、電子ビームスポット径が最小のパターンニング
径となるため、直径０．５μｍ程度が限界である。この
ため冷陰極５２の先端を尖鋭に形成するには、更に様々
なプロセスを加えなくてはならない。しかし、プロセス
が増加するほど、その間の素子損傷、特に冷陰極先端部
を損傷する可能性が高まり、素子の歩留まりの低下の原
因となっている。またそれら冷陰極尖鋭化プロセスのほ
とんどは煩雑であり、形状制御が困難である。
合、フォトリソグラフィー技術を用いたパターニングが
妥当である。しかし、現在のフォトリソググラフィー技
術では、電子ビームスポット径が最小のパターンニング
径となるため、直径０．５μｍ程度が限界である。この
ため冷陰極５２の先端を尖鋭に形成するには、更に様々
なプロセスを加えなくてはならない。しかし、プロセス
が増加するほど、その間の素子損傷、特に冷陰極先端部
を損傷する可能性が高まり、素子の歩留まりの低下の原
因となっている。またそれら冷陰極尖鋭化プロセスのほ
とんどは煩雑であり、形状制御が困難である。
【０００６】図２２に示す薄膜電界放射型の電子源は、
絶縁体基板６１上の絶縁層６２の表面に、超音波による
壁開，破断の方法で冷陰極６３，ゲート電極６４を平行
に形成したものである（特開平３−４９１２９号）。
絶縁体基板６１上の絶縁層６２の表面に、超音波による
壁開，破断の方法で冷陰極６３，ゲート電極６４を平行
に形成したものである（特開平３−４９１２９号）。
【０００７】しかし、この図２２に示す薄膜電界放射型
の電子源の場合、超音波による破断を伴うものであるた
め、冷陰極６３の形状の均一化を図ることが技術的に困
難であるとともに、冷陰極６３を形成する薄膜に対する
ダメージが大きいという問題がある。
の電子源の場合、超音波による破断を伴うものであるた
め、冷陰極６３の形状の均一化を図ることが技術的に困
難であるとともに、冷陰極６３を形成する薄膜に対する
ダメージが大きいという問題がある。
【０００８】図２３，図２４に示す薄膜電界放射型の電
子源は、フォトエッチング技術を用いて絶縁体基板７１
上の絶縁層７２の上に多数の凸状部を持つ冷陰極７３を
形成した後に、等方性エッチング技術を利用して凸状部
の先端を尖鋭化したものである（特開平３−２５２０２
５号）。尚、図２３中、７４は冷陰極７３と対向するゲ
ート電極である。しかし、エッチング条件による冷陰極
７３の形状の制御が困難である。さらに、側壁保護膜の
形成等によりアンダーカットが進行しないような場合に
は適用できない。
子源は、フォトエッチング技術を用いて絶縁体基板７１
上の絶縁層７２の上に多数の凸状部を持つ冷陰極７３を
形成した後に、等方性エッチング技術を利用して凸状部
の先端を尖鋭化したものである（特開平３−２５２０２
５号）。尚、図２３中、７４は冷陰極７３と対向するゲ
ート電極である。しかし、エッチング条件による冷陰極
７３の形状の制御が困難である。さらに、側壁保護膜の
形成等によりアンダーカットが進行しないような場合に
は適用できない。
【０００９】また、エミッタ−ゲート間のギャップ制御
については、エミッタ材の上の被覆材を形成した後、ア
ンダーカットが入るようにエミッタをエッチング等によ
り形成し、このエミッタ及び被覆材の上方からゲートを
蒸着等により形成する方法がある（特開平４−２８１３
８号）。しかし、エッチング条件によるアンダーカット
の制御は困難で、再現性，精度の点で問題がある。さら
に、側壁保護膜の形成等によりアンダーカットが進行し
ないような場合には適用できない。
については、エミッタ材の上の被覆材を形成した後、ア
ンダーカットが入るようにエミッタをエッチング等によ
り形成し、このエミッタ及び被覆材の上方からゲートを
蒸着等により形成する方法がある（特開平４−２８１３
８号）。しかし、エッチング条件によるアンダーカット
の制御は困難で、再現性，精度の点で問題がある。さら
に、側壁保護膜の形成等によりアンダーカットが進行し
ないような場合には適用できない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の電界放射型電子源の製造方法の場合、冷陰極とゲート
電極との距離を制御することが困難であったり、冷陰極
の形状を適切に設定できなかったりして、特性が良好
で、かつ、安定した電界放射型電子源を得ることができ
ないという問題があった。
の電界放射型電子源の製造方法の場合、冷陰極とゲート
電極との距離を制御することが困難であったり、冷陰極
の形状を適切に設定できなかったりして、特性が良好
で、かつ、安定した電界放射型電子源を得ることができ
ないという問題があった。
【００１１】そこで、本発明は、簡易なプロセス及び低
廉なコストで大面積化が可能で安定かつ良好な特性を発
揮し得る冷陰極電子源素子を製造することができる冷陰
極電子源の製造方法を提供することを目的とするもので
ある。
廉なコストで大面積化が可能で安定かつ良好な特性を発
揮し得る冷陰極電子源素子を製造することができる冷陰
極電子源の製造方法を提供することを目的とするもので
ある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の冷陰極電
子源の製造方法は、エミッタ用導体層表面に、感光面で
ある上主面よりも、前記エミッタ用導体層側の下主面の
面積が小さい庇状を呈するようなレジスト膜を楔状に形
成する工程と、前記レジスト膜よりはみ出た前記エミッ
タ用導体層をエッチングにより除去する工程を含むもの
である。
子源の製造方法は、エミッタ用導体層表面に、感光面で
ある上主面よりも、前記エミッタ用導体層側の下主面の
面積が小さい庇状を呈するようなレジスト膜を楔状に形
成する工程と、前記レジスト膜よりはみ出た前記エミッ
タ用導体層をエッチングにより除去する工程を含むもの
である。
【００１３】請求項２記載の冷陰極電子源の製造方法
は、ゲート用導体層を付着した後に、前記庇状を呈する
レジスト膜及びこのレジスト膜表面の前記ゲート用導体
層を除去し、尖鋭化した先端をもつ楔状のエミッタを露
出させるとともに、このエミッタに前記庇状部分の寸法
に相当する微小距離を隔てたゲートを対向配置する工程
を含むものである。
は、ゲート用導体層を付着した後に、前記庇状を呈する
レジスト膜及びこのレジスト膜表面の前記ゲート用導体
層を除去し、尖鋭化した先端をもつ楔状のエミッタを露
出させるとともに、このエミッタに前記庇状部分の寸法
に相当する微小距離を隔てたゲートを対向配置する工程
を含むものである。
【００１４】
【作用】請求項１記載の冷陰極電子源の製造方法によれ
ば、一般に通常行われているフォトプロセスを用いて先
端の尖鋭化したエミッタを均一にかつ再現性良く形成で
きるため、低廉かつ大面積化が可能で、ゲート電圧の低
電圧化、安定した高い放出電流、高い再現性が得られ
る。
ば、一般に通常行われているフォトプロセスを用いて先
端の尖鋭化したエミッタを均一にかつ再現性良く形成で
きるため、低廉かつ大面積化が可能で、ゲート電圧の低
電圧化、安定した高い放出電流、高い再現性が得られ
る。
【００１５】請求項２記載の冷陰極電子源の製造方法に
よれば、適当な露光条件の設定によりエミッタとゲート
間の距離を均一にかつ再現性良く近接させることができ
るため、ゲート電圧の低電圧化、安定した高い放出電
流、高い再現性が得られる。
よれば、適当な露光条件の設定によりエミッタとゲート
間の距離を均一にかつ再現性良く近接させることができ
るため、ゲート電圧の低電圧化、安定した高い放出電
流、高い再現性が得られる。
【００１６】
【実施例】以下に、本発明の実施例を詳細に説明する。
【００１７】（実施例１）図１に示すように絶縁性基板
１、例えばガラス基板の表面に、０．３μｍ厚のＭｏか
らなる導体層２をスパッタリングにて形成する。次に、
図２に示すように前記導体層２の表面に、図２に示すよ
うに、スピナーにより、厚さ１乃至３μｍの厚さにレジ
スト（ＺＰＰ２４００：日本ゼオン社製）層５ａをコー
ティングし、９０℃，９０秒間のプリベークを行う。
１、例えばガラス基板の表面に、０．３μｍ厚のＭｏか
らなる導体層２をスパッタリングにて形成する。次に、
図２に示すように前記導体層２の表面に、図２に示すよ
うに、スピナーにより、厚さ１乃至３μｍの厚さにレジ
スト（ＺＰＰ２４００：日本ゼオン社製）層５ａをコー
ティングし、９０℃，９０秒間のプリベークを行う。
【００１８】次に、図３に示すように、鋸歯状のパター
ン８をもつマスク９を用いた露光を行って、更に、アル
カリ水溶液を用いてレジスト膜５を現像することによっ
て、感光面である上主面よりも、下主面の面積が小さく
なる庇状を呈するレジスト膜５を形成する。この時のレ
ジスト膜５の庇状部分の形状は、図１０，図１１乃至図
１８に示すように露光量によって異なる。
ン８をもつマスク９を用いた露光を行って、更に、アル
カリ水溶液を用いてレジスト膜５を現像することによっ
て、感光面である上主面よりも、下主面の面積が小さく
なる庇状を呈するレジスト膜５を形成する。この時のレ
ジスト膜５の庇状部分の形状は、図１０，図１１乃至図
１８に示すように露光量によって異なる。
【００１９】即ち、レジスト膜５の厚さが２μｍ、プリ
ベークが９０℃，９０秒、露光をＰＬ５０１Ｆにて行
い、ＰＥＢ１００℃，６０秒、現像を２．３８％ＴＭＡ
Ｈ６５秒パドルで行った場合、露光量１．５で庇状部分
の寸法は３．４μｍ、露光量２．０で庇状部分の寸法は
１．８μｍ、露光量２．５で庇状部分の寸法は１．０μ
ｍ、露光量３．０で庇状部分の寸法は０．９μｍ、露光
量３．５で庇状部分の寸法は０．８μｍ、露光量４．０
で庇状部分の寸法は０．７μｍであった。即ち、庇状部
分の寸法は露光量によって決定され、これにより、後述
するエミッタ３とゲート６との間の距離を調整する事が
できる。
ベークが９０℃，９０秒、露光をＰＬ５０１Ｆにて行
い、ＰＥＢ１００℃，６０秒、現像を２．３８％ＴＭＡ
Ｈ６５秒パドルで行った場合、露光量１．５で庇状部分
の寸法は３．４μｍ、露光量２．０で庇状部分の寸法は
１．８μｍ、露光量２．５で庇状部分の寸法は１．０μ
ｍ、露光量３．０で庇状部分の寸法は０．９μｍ、露光
量３．５で庇状部分の寸法は０．８μｍ、露光量４．０
で庇状部分の寸法は０．７μｍであった。即ち、庇状部
分の寸法は露光量によって決定され、これにより、後述
するエミッタ３とゲート６との間の距離を調整する事が
できる。
【００２０】この後、ポストベークを行う。
【００２１】次に、図４，図５に示すように、庇状で、
かつ、鋸歯状を呈するレジスト膜５よりもはみ出る前記
導体層２をドライエッチングにより除去し鋸歯状で尖鋭
化した先端をもつエミッタ３を前記レジスト膜５と絶縁
性基板１との間に形成する。
かつ、鋸歯状を呈するレジスト膜５よりもはみ出る前記
導体層２をドライエッチングにより除去し鋸歯状で尖鋭
化した先端をもつエミッタ３を前記レジスト膜５と絶縁
性基板１との間に形成する。
【００２２】ドライエッチングの条件は、エッチングガ
スＣＦ4 ：Ｏ2 ＝１７０：３０ｓｃｃｍ、圧力０．１７
Ｔorr 、ＲＦ出力３００Ｗ、時間１０分とする。
スＣＦ4 ：Ｏ2 ＝１７０：３０ｓｃｃｍ、圧力０．１７
Ｔorr 、ＲＦ出力３００Ｗ、時間１０分とする。
【００２３】次に、図６，図７に示すように、Ｎｉ，Ｃ
ｒ，Ｔａ等の金属からなるゲート６用の導体層４を絶縁
性基板１に対して垂直方向から入射する条件にて蒸着に
より成膜する。
ｒ，Ｔａ等の金属からなるゲート６用の導体層４を絶縁
性基板１に対して垂直方向から入射する条件にて蒸着に
より成膜する。
【００２４】次に、図８，図９に示すように、前記庇状
で、かつ、鋸歯状を呈するレジスト膜５及びこのレジス
ト膜５の表面の導体層４を剥離液を用いて除去（リフト
オフ）し、尖鋭化した先端をもつ鋸歯状のエミッタ３を
露出させるとともに、このエミッタ３に前記庇状部分の
寸法に相当する微小距離隔てて鋸歯状を呈するゲート６
を対向配置する。
で、かつ、鋸歯状を呈するレジスト膜５及びこのレジス
ト膜５の表面の導体層４を剥離液を用いて除去（リフト
オフ）し、尖鋭化した先端をもつ鋸歯状のエミッタ３を
露出させるとともに、このエミッタ３に前記庇状部分の
寸法に相当する微小距離隔てて鋸歯状を呈するゲート６
を対向配置する。
【００２５】以上の工程により、従来のフォトリソグラ
フィ技術を利用して、曲率半径５０ｎｍ以下のエミッタ
先端が得られるとともに、冷陰極電子源素子の大面積化
が可能となり、しかも製造コストの低廉化をも図れる。
フィ技術を利用して、曲率半径５０ｎｍ以下のエミッタ
先端が得られるとともに、冷陰極電子源素子の大面積化
が可能となり、しかも製造コストの低廉化をも図れる。
【００２６】また、工程数の減少による簡略化が図れ、
工程途中の冷陰極電子源の損傷，破壊が低減し歩留まり
の向上も図れる。
工程途中の冷陰極電子源の損傷，破壊が低減し歩留まり
の向上も図れる。
【００２７】更に、自己整合（セルフアライン）プロセ
スによるゲート６の形成が可能となり、ゲート６−エミ
ッタ３間距離を１μｍ以下に形成可能で、電子放出が容
易になり低電圧駆動の冷陰極電子源を得ることができ
る。
スによるゲート６の形成が可能となり、ゲート６−エミ
ッタ３間距離を１μｍ以下に形成可能で、電子放出が容
易になり低電圧駆動の冷陰極電子源を得ることができ
る。
【００２８】（実施例２）図１９，図２０に示すよう
に、絶縁性基板１（ガラス基板）の表面に、保護層１０
及びＳｉＯ2 からなる絶縁層１１を形成し、更に、０．
３μｍ厚のＭｏからなる導体層２をスパッタリングにて
形成する。
に、絶縁性基板１（ガラス基板）の表面に、保護層１０
及びＳｉＯ2 からなる絶縁層１１を形成し、更に、０．
３μｍ厚のＭｏからなる導体層２をスパッタリングにて
形成する。
【００２９】この後、実施例１と同様な工程で、尖鋭化
した先端をもつ鋸歯状のエミッタ３及びこのエミッタ３
に前記庇状部分の寸法に相当する微小距離隔てて対向す
る鋸歯状を呈するゲート６を前記絶縁層１１の表面に形
成する。
した先端をもつ鋸歯状のエミッタ３及びこのエミッタ３
に前記庇状部分の寸法に相当する微小距離隔てて対向す
る鋸歯状を呈するゲート６を前記絶縁層１１の表面に形
成する。
【００３０】更に、前記絶縁層１１にウェットエッチン
グを施し、エミッタ３，ゲート６の対向領域下部に絶縁
層凹部１２を形成してエミッタ３，ゲート６を各々前記
絶縁層凹部１２の空間を隔てて対向させる。これによ
り、エミッタ３，ゲート６が各々前記絶縁層凹部１２の
空間を隔てて対向することになり、電子放出効率が向上
してより安定かつ良好な特性を発揮し得る冷陰極電子源
を低廉なコストで製造することができる。
グを施し、エミッタ３，ゲート６の対向領域下部に絶縁
層凹部１２を形成してエミッタ３，ゲート６を各々前記
絶縁層凹部１２の空間を隔てて対向させる。これによ
り、エミッタ３，ゲート６が各々前記絶縁層凹部１２の
空間を隔てて対向することになり、電子放出効率が向上
してより安定かつ良好な特性を発揮し得る冷陰極電子源
を低廉なコストで製造することができる。
【００３１】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、曲率半径
５０ｎｍ以下の尖鋭化された先端をもつエミッタによる
安定かつ良好な特性を発揮し得る冷陰極電子源素子を簡
易なプロセスで再現性良く、また低廉なコストで歩留ま
り良く製造することができ、大面積化が可能な冷陰極電
子源の製造方法を提供することができる。
５０ｎｍ以下の尖鋭化された先端をもつエミッタによる
安定かつ良好な特性を発揮し得る冷陰極電子源素子を簡
易なプロセスで再現性良く、また低廉なコストで歩留ま
り良く製造することができ、大面積化が可能な冷陰極電
子源の製造方法を提供することができる。
【００３２】請求項２記載の発明によれば、エミッタに
対向したゲートを１μｍ以下に近接させて、大面積にわ
たり均一に配置させることによる安定かつ良好な特性を
発揮し得る冷陰極電子源素子を簡易なプロセスで再現性
良く、また低廉なコストで歩留まり良く製造することが
できる冷陰極電子源の製造方法を提供することができ
る。
対向したゲートを１μｍ以下に近接させて、大面積にわ
たり均一に配置させることによる安定かつ良好な特性を
発揮し得る冷陰極電子源素子を簡易なプロセスで再現性
良く、また低廉なコストで歩留まり良く製造することが
できる冷陰極電子源の製造方法を提供することができ
る。
【図１】本発明の実施例１における冷陰極電子源の製造
工程を示す断面図
工程を示す断面図
【図２】本発明の実施例１における冷陰極電子源の製造
工程を示す断面図
工程を示す断面図
【図３】本発明の実施例１における冷陰極電子源の製造
工程を示す断面図
工程を示す断面図
【図４】本発明の実施例１における冷陰極電子源の製造
工程を示す断面図
工程を示す断面図
【図５】本発明の実施例１における冷陰極電子源の製造
工程を示す平面図
工程を示す平面図
【図６】本発明の実施例１における冷陰極電子源の製造
工程を示す断面図
工程を示す断面図
【図７】本発明の実施例１における冷陰極電子源の製造
工程を示す平面図
工程を示す平面図
【図８】本発明の実施例１により得られる冷陰極電子源
の断面図
の断面図
【図９】本発明の実施例１により得られる冷陰極電子源
素子の平面図
素子の平面図
【図１０】本発明の実施例１における庇状部分の露光量
と寸法との関係を示すグラフ
と寸法との関係を示すグラフ
【図１１】本発明の実施例１における庇状部分の露光量
と寸法との関係を示す説明図
と寸法との関係を示す説明図
【図１２】本発明の実施例１におけるエミッタとレジス
ト膜の形状を示す説明図
ト膜の形状を示す説明図
【図１３】本発明の実施例１における庇状部分の露光量
と寸法との関係を示す説明図
と寸法との関係を示す説明図
【図１４】本発明の実施例１における庇状部分の露光量
と寸法との関係を示す説明図
と寸法との関係を示す説明図
【図１５】本発明の実施例１における庇状部分の露光量
と寸法との関係を示す説明図
と寸法との関係を示す説明図
【図１６】本発明の実施例１におけるエミッタとレジス
ト膜の形状を示す説明図
ト膜の形状を示す説明図
【図１７】本発明の実施例１における庇状部分の露光量
と寸法との関係を示す説明図
と寸法との関係を示す説明図
【図１８】本発明の実施例１における庇状部分の露光量
と寸法との関係を示す説明図
と寸法との関係を示す説明図
【図１９】本発明の実施例２の製造工程を示す断面図
【図２０】本発明の実施例２の製造工程を示す断面図
【図２１】従来の電子源の一例を示す部分斜視図
【図２２】従来の電子源の他例を示す部分斜視図
【図２３】従来の電子源の更に他例を示す部分斜視図
【図２４】従来の電子源の更に他例を示す部分斜視図
１ 絶縁性基板 ２ 導体層 ３ エミッタ ４ 導体層 ５ レジスト膜 ６ ゲート １１ 絶縁層 １２ 絶縁層凹部
Claims (2)
- 【請求項１】 エミッタ用導体層表面に、感光面である
上主面よりも、前記エミッタ用導体層側の下主面の面積
が小さい庇状を呈するようなレジスト膜を楔状に形成す
る工程と、前記レジスト膜よりはみ出た前記エミッタ用
導体層をエッチングにより除去する工程を含むことを特
徴とする冷陰極電子源の製造方法。 - 【請求項２】 ゲート用導体層を付着した後に、前記庇
状を呈するレジスト膜及びこのレジスト膜表面の前記ゲ
ート用導体層を除去し、尖鋭化した先端をもつ楔状のエ
ミッタを露出させるとともに、このエミッタに前記庇状
部分の寸法に相当する微小距離を隔てたゲートを対向配
置する工程を含むことを特徴とする請求項１記載の冷陰
極電子源の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29335693A JPH07147131A (ja) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | 冷陰極電子源の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29335693A JPH07147131A (ja) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | 冷陰極電子源の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07147131A true JPH07147131A (ja) | 1995-06-06 |
Family
ID=17793736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29335693A Pending JPH07147131A (ja) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | 冷陰極電子源の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07147131A (ja) |
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1993
- 1993-11-24 JP JP29335693A patent/JPH07147131A/ja active Pending
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