JPH07147239A - 減圧成膜装置 - Google Patents
減圧成膜装置Info
- Publication number
- JPH07147239A JPH07147239A JP5319107A JP31910793A JPH07147239A JP H07147239 A JPH07147239 A JP H07147239A JP 5319107 A JP5319107 A JP 5319107A JP 31910793 A JP31910793 A JP 31910793A JP H07147239 A JPH07147239 A JP H07147239A
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- Japan
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- gas
- substrate
- film forming
- chamber
- heated
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板温度の昇温時間を短縮した減圧成膜装置
を提供する。 【構成】 真空チャンバ１の内部に設けたトレイ２によ
り基板３を支持し、基板３の両面に対向して多数のガス
吹き出し孔６Ｃを有するガス吹き出し型ヒータパネル６
を設け、導入ガス７は、ガス予備加熱室８のヒータ９で
加熱されてからガス吹き出し型ヒータパネル６内でさら
に加熱された後、多数のガス吹き出し孔６Ｃより真空チ
ャンバ１内に導入され基板３を加熱する。この結果、ガ
ス吹き出し型ヒータパネル６からの放射熱と加熱された
導入ガス７の熱伝導との双方で基板３の昇温が行われ
る。
を提供する。 【構成】 真空チャンバ１の内部に設けたトレイ２によ
り基板３を支持し、基板３の両面に対向して多数のガス
吹き出し孔６Ｃを有するガス吹き出し型ヒータパネル６
を設け、導入ガス７は、ガス予備加熱室８のヒータ９で
加熱されてからガス吹き出し型ヒータパネル６内でさら
に加熱された後、多数のガス吹き出し孔６Ｃより真空チ
ャンバ１内に導入され基板３を加熱する。この結果、ガ
ス吹き出し型ヒータパネル６からの放射熱と加熱された
導入ガス７の熱伝導との双方で基板３の昇温が行われ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、減圧成膜装置に関し、
基板を短時間に加熱できるものである。
基板を短時間に加熱できるものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の減圧成膜装置は、図４に示すよう
に、真空チャンバ１と、この真空チャンバ１の内部に設
けられたトレイ２と、このトレイ２に支持された基板
３，３と、各基板３，３の両面に対向して設けられたヒ
ータパネル４，４，４と、真空チャンバ１に接続された
導入管１３と、同じく接続された排出管１２とを備えて
いた。そして、真空チャンバ１の内部には、導入管１３
から導入ガス７が導入され、排出管１２から排気ガス５
が真空ポンプ（図示外）で排出されていた。また、真空
チャンバ１の内部の圧力調整は、ガス排出のオリフィス
開度を制御し、排気ガス５の流量を調整することにより
行われていた。また、この排気ガス５の調整に加えて、
導入ガス７の流量調整によっても真空チャンバ１の内部
の圧力調整は、行われていた。
に、真空チャンバ１と、この真空チャンバ１の内部に設
けられたトレイ２と、このトレイ２に支持された基板
３，３と、各基板３，３の両面に対向して設けられたヒ
ータパネル４，４，４と、真空チャンバ１に接続された
導入管１３と、同じく接続された排出管１２とを備えて
いた。そして、真空チャンバ１の内部には、導入管１３
から導入ガス７が導入され、排出管１２から排気ガス５
が真空ポンプ（図示外）で排出されていた。また、真空
チャンバ１の内部の圧力調整は、ガス排出のオリフィス
開度を制御し、排気ガス５の流量を調整することにより
行われていた。また、この排気ガス５の調整に加えて、
導入ガス７の流量調整によっても真空チャンバ１の内部
の圧力調整は、行われていた。
【０００３】通常、基板３の加熱は、真空チャンバ１の
内部を減圧し成膜圧力にした状態で、または、この成膜
圧力より低い状態で行われていた。例えば、この減圧さ
れた圧力は、０．０１〜数十Ｐａである。そして、基板
３の両面は、ヒータパネル４の表面からの放射熱と、真
空チャンバ１の内部の希薄なガスの熱伝導とにより加熱
され、温度上昇するものであった。たとえば、基板３と
して、液晶ディスプレイに使用する薄膜トランジアレイ
大面積ガラス基板を用いた場合、このガラス基板を成膜
処理の温度に上昇させる時間は数十分を要するものであ
った。この数十分間にあっては、基板３の両面に膜が生
成されることはない。このため、基板３の加熱時間の短
縮化が望まれていた。
内部を減圧し成膜圧力にした状態で、または、この成膜
圧力より低い状態で行われていた。例えば、この減圧さ
れた圧力は、０．０１〜数十Ｐａである。そして、基板
３の両面は、ヒータパネル４の表面からの放射熱と、真
空チャンバ１の内部の希薄なガスの熱伝導とにより加熱
され、温度上昇するものであった。たとえば、基板３と
して、液晶ディスプレイに使用する薄膜トランジアレイ
大面積ガラス基板を用いた場合、このガラス基板を成膜
処理の温度に上昇させる時間は数十分を要するものであ
った。この数十分間にあっては、基板３の両面に膜が生
成されることはない。このため、基板３の加熱時間の短
縮化が望まれていた。
【０００４】従来、基板３の加熱時間を短くしたものと
して、特開昭６４−２５４２３号公報の減圧ＣＶＤ装置
が知られている。この減圧ＣＶＤ装置では、基板３の加
熱期間内に、真空チャンバ１の内部を成膜圧力よりも高
めていた。そして、成膜圧力より高い状態で、基板３を
加熱する。この結果、真空チャンバ１の内部の希釈ガス
の熱伝導による基板加熱効果が増進し、基板３の加熱時
間が短くなるとするものであった。
して、特開昭６４−２５４２３号公報の減圧ＣＶＤ装置
が知られている。この減圧ＣＶＤ装置では、基板３の加
熱期間内に、真空チャンバ１の内部を成膜圧力よりも高
めていた。そして、成膜圧力より高い状態で、基板３を
加熱する。この結果、真空チャンバ１の内部の希釈ガス
の熱伝導による基板加熱効果が増進し、基板３の加熱時
間が短くなるとするものであった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の減圧ＣＶＤ装置にあっては、導入ガス７の温
度が基板３の加熱温度よりも低いものであった。すなわ
ち、導入ガス７の温度は、真空チャンバ１の内部に導入
されるまでは室温であり、真空チャンバ１の内部に導入
されると、減圧され、さらに低下するものである。この
ため、導入ガス７は、加熱中の基板３の温度上昇を妨げ
てしまう。したがって、基板３の加熱時間の短縮が不十
分なものであった。
うな従来の減圧ＣＶＤ装置にあっては、導入ガス７の温
度が基板３の加熱温度よりも低いものであった。すなわ
ち、導入ガス７の温度は、真空チャンバ１の内部に導入
されるまでは室温であり、真空チャンバ１の内部に導入
されると、減圧され、さらに低下するものである。この
ため、導入ガス７は、加熱中の基板３の温度上昇を妨げ
てしまう。したがって、基板３の加熱時間の短縮が不十
分なものであった。
【０００６】そこで、本発明の目的は、基板を加熱する
時間をさらに短くした減圧成膜装置を提供することであ
る。
時間をさらに短くした減圧成膜装置を提供することであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、減圧状態に保持されるとともに、その内部に基板が
配置されるチャンバと、このチャンバ内部に設けられて
上記基板を加熱する加熱部とを備えた減圧成膜装置にお
いて、上記加熱部は、ケーシングと、このケーシングに
囲まれた空間と、この空間をチャンバ内部に連通する孔
とを有し、この空間に上記チャンバの外部からガスが供
給されるものである。
は、減圧状態に保持されるとともに、その内部に基板が
配置されるチャンバと、このチャンバ内部に設けられて
上記基板を加熱する加熱部とを備えた減圧成膜装置にお
いて、上記加熱部は、ケーシングと、このケーシングに
囲まれた空間と、この空間をチャンバ内部に連通する孔
とを有し、この空間に上記チャンバの外部からガスが供
給されるものである。
【０００８】また、請求項２に記載の発明は、上記ガス
を上記チャンバの外部で加熱する加熱機構を備えた減圧
成膜装置である。
を上記チャンバの外部で加熱する加熱機構を備えた減圧
成膜装置である。
【０００９】また、請求項３に記載の発明は、上記基板
を載置する支持台を備えた減圧成膜装置である。
を載置する支持台を備えた減圧成膜装置である。
【００１０】
【作用】請求項１に記載の発明に係る減圧成膜装置にあ
っては、チャンバの外部から供給されるガスが加熱部の
空間で加熱される。この加熱されたガスが加熱部の孔を
通ってチャンバ内部に導入される。この結果、基板は、
加熱されたガスによって加熱されるとともに、加熱部に
よっても加熱される。したがって、基板は、チャンバ内
部に導入されるガスで冷却されることがない。よって、
チャンバ内部の圧力を成膜圧力より高くした場合より、
基板を加熱する時間をさらに短くすることができる。
っては、チャンバの外部から供給されるガスが加熱部の
空間で加熱される。この加熱されたガスが加熱部の孔を
通ってチャンバ内部に導入される。この結果、基板は、
加熱されたガスによって加熱されるとともに、加熱部に
よっても加熱される。したがって、基板は、チャンバ内
部に導入されるガスで冷却されることがない。よって、
チャンバ内部の圧力を成膜圧力より高くした場合より、
基板を加熱する時間をさらに短くすることができる。
【００１１】また、請求項２に記載の発明に係る減圧成
膜装置にあっては、チャンバの外部に加熱機構を備えた
ので、加熱されたガスを加熱部の空間に供給することが
できる。
膜装置にあっては、チャンバの外部に加熱機構を備えた
ので、加熱されたガスを加熱部の空間に供給することが
できる。
【００１２】また、請求項３に記載の発明に係る減圧成
膜装置にあっては、支持台が加熱部およびガスによって
加熱される。この加熱された支持台からの熱伝導によ
り、基板がさらに加熱される。
膜装置にあっては、支持台が加熱部およびガスによって
加熱される。この加熱された支持台からの熱伝導によ
り、基板がさらに加熱される。
【００１３】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
【００１４】図１は、本発明の第１実施例に係る減圧成
膜装置を示す縦断面図である。この減圧成膜装置は、真
空チャンバ１を備えている。この真空チャンバ１の内部
には、トレイ２が設けられている。このトレイ２は基板
３，３を支持している。各基板３の両面には、ガス吹き
出し型ヒータパネル６，６，６が対向して設けられてい
る。このガス吹き出し型ヒータパネル６は、ケーシング
６Ａと、このケーシング６Ａに囲まれた空間６Ｂと、こ
の空間６Ｂをチャンバ１の内部に連通する多数の孔６Ｃ
とを有している。また、各ケーシング６Ａには、導入管
１３の一端がそれぞれ接続されている。各導入管１３の
他端は、ガス予備加熱室８に接続されている。このガス
予備加熱室８は、ヒータ９を内蔵している。また、ガス
予備加熱室８には、導入ガス７として窒素ガスが供給さ
れる。
膜装置を示す縦断面図である。この減圧成膜装置は、真
空チャンバ１を備えている。この真空チャンバ１の内部
には、トレイ２が設けられている。このトレイ２は基板
３，３を支持している。各基板３の両面には、ガス吹き
出し型ヒータパネル６，６，６が対向して設けられてい
る。このガス吹き出し型ヒータパネル６は、ケーシング
６Ａと、このケーシング６Ａに囲まれた空間６Ｂと、こ
の空間６Ｂをチャンバ１の内部に連通する多数の孔６Ｃ
とを有している。また、各ケーシング６Ａには、導入管
１３の一端がそれぞれ接続されている。各導入管１３の
他端は、ガス予備加熱室８に接続されている。このガス
予備加熱室８は、ヒータ９を内蔵している。また、ガス
予備加熱室８には、導入ガス７として窒素ガスが供給さ
れる。
【００１５】そして、ガス予備加熱室８に供給された導
入ガス７は、ヒータ９によって加熱される。この加熱さ
れた導入ガス７は、導入管１３を介してガス吹き出し型
ヒータパネル６の空間６Ｂに導入される。この導入され
た導入ガス７は、ガス吹き出し型ヒータパネル６のケー
シング６Ａからの放射熱で再び加熱される。この再び加
熱された導入ガス７は、多数の孔６Ｃより真空チャンバ
１の内部に導入されるるとともに、基板３，３の両面に
接触する。この結果、各基板３の両面は、再び加熱され
た導入ガス７の熱伝導によって加熱されるとともに、ガ
ス吹き出し型ヒータパネル６のケーシング６Ａの放射熱
によっても加熱される。
入ガス７は、ヒータ９によって加熱される。この加熱さ
れた導入ガス７は、導入管１３を介してガス吹き出し型
ヒータパネル６の空間６Ｂに導入される。この導入され
た導入ガス７は、ガス吹き出し型ヒータパネル６のケー
シング６Ａからの放射熱で再び加熱される。この再び加
熱された導入ガス７は、多数の孔６Ｃより真空チャンバ
１の内部に導入されるるとともに、基板３，３の両面に
接触する。この結果、各基板３の両面は、再び加熱され
た導入ガス７の熱伝導によって加熱されるとともに、ガ
ス吹き出し型ヒータパネル６のケーシング６Ａの放射熱
によっても加熱される。
【００１６】次に、チャンバ１の内部に導入される導入
ガス７の流量を５００ｓｃｃｍまたは１００ｓｃｃｍに
した結果を図２に示す。図２の実線Ａは、導入ガス７の
流量が５００ｓｃｃｍの場合である。この場合は、基板
３の温度が昇温するまでの時間が５分であった。また、
実線Ｂは、導入ガス７の流量が１００ｓｃｃｍの場合で
ある。この場合は、基板３の温度が昇温するまでの時間
が２０分であった。
ガス７の流量を５００ｓｃｃｍまたは１００ｓｃｃｍに
した結果を図２に示す。図２の実線Ａは、導入ガス７の
流量が５００ｓｃｃｍの場合である。この場合は、基板
３の温度が昇温するまでの時間が５分であった。また、
実線Ｂは、導入ガス７の流量が１００ｓｃｃｍの場合で
ある。この場合は、基板３の温度が昇温するまでの時間
が２０分であった。
【００１７】次いで、比較例として、ガス予備加熱室８
とガス吹き出し型ヒータパネル６を通さずに導入ガス７
を真空チャンバ１の内部に導入した場合を、図２に破線
で示す。破線Ｃに示すように、導入ガス７の流量が５０
０ｓｃｃｍの場合は、基板３の温度が、ガス吹き出し型
ヒータパネル６の温度の７５％までしか上昇できない。
また、この７５％の温度に昇温される時間は、実線Ａの
方が短時間である。
とガス吹き出し型ヒータパネル６を通さずに導入ガス７
を真空チャンバ１の内部に導入した場合を、図２に破線
で示す。破線Ｃに示すように、導入ガス７の流量が５０
０ｓｃｃｍの場合は、基板３の温度が、ガス吹き出し型
ヒータパネル６の温度の７５％までしか上昇できない。
また、この７５％の温度に昇温される時間は、実線Ａの
方が短時間である。
【００１８】一方、破線Ｄに示すように、導入ガス７の
流量が１００ｓｃｃｍの場合は、基板３の温度が、ガス
吹き出し型ヒータパネル６の温度の８０％までしか上昇
できず、この８０％の温度に昇温される時間も実線Ｂの
方が短い。
流量が１００ｓｃｃｍの場合は、基板３の温度が、ガス
吹き出し型ヒータパネル６の温度の８０％までしか上昇
できず、この８０％の温度に昇温される時間も実線Ｂの
方が短い。
【００１９】なお、排気ガス５は室温より高温である。
このため、排気ガス５を、冷却水１０を通した排気ガス
冷却部１１で冷却された排気管１２内を通過させる。こ
の結果、排気ガス５は、温度の低い状態で真空ポンプ
（図示外）に至る。このため、真空ポンプの排気効率を
下げることがない。
このため、排気ガス５を、冷却水１０を通した排気ガス
冷却部１１で冷却された排気管１２内を通過させる。こ
の結果、排気ガス５は、温度の低い状態で真空ポンプ
（図示外）に至る。このため、真空ポンプの排気効率を
下げることがない。
【００２０】図３は、本発明の第２実施例の減圧成膜装
置を示す縦断面図である。この減圧成膜装置は、真空チ
ャンバ２１の底板にヒータブロック２２を設けている。
このヒータブロック２２上には、基板３が載置されてい
る。この基板３の上面に対向するように、真空チャンバ
２１の天板には、ガス吹き出し型ヒータパネル６が設け
られている。
置を示す縦断面図である。この減圧成膜装置は、真空チ
ャンバ２１の底板にヒータブロック２２を設けている。
このヒータブロック２２上には、基板３が載置されてい
る。この基板３の上面に対向するように、真空チャンバ
２１の天板には、ガス吹き出し型ヒータパネル６が設け
られている。
【００２１】この実施例では、ヒータブロック２２に直
接基板３下面が接触しているので、ヒータブロック２２
からの熱伝導によって、基板３の温度上昇速度がさらに
高められる。
接基板３下面が接触しているので、ヒータブロック２２
からの熱伝導によって、基板３の温度上昇速度がさらに
高められる。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、チャンバの内部に導入
されるガスが加熱部の空間で加熱される。この結果、基
板は上記ガスで冷却されることがない。よって、チャン
バ内部の圧力を成膜圧力より高くした場合より、基板を
加熱する時間をさらに短くすることができる。このた
め、成膜処理の温度に基板を加熱する際のロスタイムを
短縮し、スループットを向上させることができる。
されるガスが加熱部の空間で加熱される。この結果、基
板は上記ガスで冷却されることがない。よって、チャン
バ内部の圧力を成膜圧力より高くした場合より、基板を
加熱する時間をさらに短くすることができる。このた
め、成膜処理の温度に基板を加熱する際のロスタイムを
短縮し、スループットを向上させることができる。
【図１】本発明の第１実施例の減圧成膜装置を示す縦断
面図である。
面図である。
【図２】導入ガス流量を変化させた本発明の基板温度上
昇のグラフである。
昇のグラフである。
【図３】本発明の第２実施例の減圧成膜装置を示す縦断
面図である。
面図である。
【図４】従来の減圧成膜装置を示す縦断面図である。
１…真空チャンバ ３…基板 ６…ガス吹き出し型ヒータパネル（加熱部） ６Ａ…ケーシング ６Ｂ…空間 ６Ｃ…孔 ７…導入ガス ８…ガス予備加熱室（加熱機構） ２２…ヒータブロック（支持台）
Claims (3)
- 【請求項１】 減圧状態に保持されるとともに、その内
部に基板が配置されるチャンバと、 このチャンバ内部に設けられて上記基板を加熱する加熱
部とを備えた減圧成膜装置において、 上記加熱部は、ケーシングと、このケーシングに囲まれ
た空間と、この空間をチャンバ内部に連通する孔とを有
し、 この空間に上記チャンバの外部からガスが供給されるこ
とを特徴とする減圧成膜装置。 - 【請求項２】 上記ガスを上記チャンバの外部で加熱す
る加熱機構を備えた請求項１に記載の減圧成膜装置。 - 【請求項３】 上記基板を載置する支持台を備えた請求
項１または請求項２に記載の減圧成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5319107A JPH07147239A (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 減圧成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5319107A JPH07147239A (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 減圧成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07147239A true JPH07147239A (ja) | 1995-06-06 |
Family
ID=18106545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5319107A Pending JPH07147239A (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 減圧成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07147239A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997022141A1 (en) * | 1995-12-14 | 1997-06-19 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing thin film semiconductor device, and thin film semiconductor device |
| US6391690B2 (en) | 1995-12-14 | 2002-05-21 | Seiko Epson Corporation | Thin film semiconductor device and method for producing the same |
| JP2002313796A (ja) * | 2001-04-18 | 2002-10-25 | Gasonics:Kk | 基板熱処理装置 |
Citations (8)
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| JPS57107027A (en) * | 1980-12-25 | 1982-07-03 | Seiko Epson Corp | Fabrication of amorphous semiconductor layer |
| JPS5966634A (ja) * | 1982-10-07 | 1984-04-16 | Masaaki Nomura | 建物の換気装置 |
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| JPH02178928A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-11 | Nec Corp | 半導体ウェーハ加熱処理装置 |
| JPH03197684A (ja) * | 1989-12-26 | 1991-08-29 | Anelva Corp | 隣接プラズマｃｖｄ装置 |
| JPH03227013A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-08 | Nec Corp | 減圧気相成長装置 |
| JPH0570958A (ja) * | 1991-09-17 | 1993-03-23 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 高周波プラズマｃｖｄ装置 |
-
1993
- 1993-11-25 JP JP5319107A patent/JPH07147239A/ja active Pending
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| US6660572B2 (en) | 1995-12-14 | 2003-12-09 | Seiko Epson Corporation | Thin film semiconductor device and method for producing the same |
| JP2002313796A (ja) * | 2001-04-18 | 2002-10-25 | Gasonics:Kk | 基板熱処理装置 |
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