JPH1064921A - 半導体製造装置の基板加熱装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】被処理基板の複数枚同時加熱が可能となり、タ
クトタイムが大幅な短縮となり、又従来の加熱ランプと
遠赤外線放射板に代えパネルヒータとしたので加熱ユニ
ットがコンパクトとなる。 【解決手段】真空槽２５内に設けられたヒータ支持枠３
２と、該ヒータ支持枠内に複数段設けられた対面パネル
ヒータ４０と、各対面パネルヒータの間に被処理基板２
３を支持する支持手段とを具備し、被処理基板を複数同
時に加熱可能とし、又各パネルヒータを個別に温度制御
することで、タクトタイムを大幅に短縮し、基板加熱を
均一化し、装置をコンパクトにした半導体製造装置の基
板加熱装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は基板表面に薄膜の生
成、エッチング等の処理をして半導体を製造する半導体
製造工程に於いて基板を予熱する基板加熱装置に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】基板表面の処理を行う前工程として、基
板を処理温度迄予熱する工程がある。

【０００３】図１０、図１１に於いて従来の基板加熱装
置について説明する。

【０００４】真空槽１は容器本体２と上蓋３から成り、
該上蓋３の下側に絶縁台４を介して加熱ランプ５が設け
られ、該加熱ランプ５の下方に遠赤外線放射板１０が設
けられる。前記容器本体２の底面に台座６を介して冷却
板７が設けられ、該冷却板７に絶縁台８を介して加熱ラ
ンプ９が設けられ、該加熱ランプ９の上方に遠赤外線放
射板１１が設けられている。

【０００５】前記容器本体２の底面を昇降ロッド１２が
貫通し、該昇降ロッド１２の貫通箇所はベローズ１３が
設けられ気密となっており、下端には昇降シリンダ（図
示せず）が連結されている。前記昇降ロッド１２の上端
には支持ピンベース１４が固着されている。該支持ピン
ベース１４には４本の支持ピン１５が立設され、該支持
ピン１５は前記冷却板７、前記遠赤外線放射板１１を貫
通して遠赤外線放射板１１の上方に突出している。

【０００６】前記上蓋３には冷却水路１７が形成され、
該冷却水路１７には給排管１８が連通し、前記冷却板７
には冷却水路１９が形成され、該冷却水路１９には給排
管２０が連通され、前記給排管１８、前記給排管２０は
図示しない冷却源に連通されている。又、前記加熱ラン
プ５、前記加熱ランプ９は前記上蓋３、前記容器本体２
底部にそれぞれ気密に設けられた電流導入端子２１を介
して図示しない電源に接続されている。尚、図中２２は
被処理基板２３搬入、搬出用の基板搬送口である。

【０００７】図示しない搬送アームにより該基板搬送口
２２より搬入された前記被処理基板２３は、図示しない
昇降シリンダによる前記支持ピンベース１４の昇降によ
り、搬送アームから前記支持ピン１５に移載される。前
記被処理基板２３は前記遠赤外線放射板１０と前記遠赤
外線放射板１１との間に支持された状態で加熱される。

【０００８】前記加熱ランプ５、前記加熱ランプ９に通
電され、前記遠赤外線放射板１０、前記遠赤外線放射板
１１が加熱され、該遠赤外線放射板１０、該遠赤外線放
射板１１からの輻射熱により前記被処理基板２３が加熱
される。加熱後の該被処理基板２３は図示しない搬送用
アームにより前記基板搬送口２２より搬出される。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】基板加熱装置での被処
理基板の加熱時間（タクトタイム）は、半導体製造装置
の生産性にも影響するが、上記した従来の基板加熱装置
では被処理基板を１枚ずつ加熱しており、一枚の被処理
基板毎に、基板昇温時間、搬入搬出の為の搬送時間が必
要とされ、而も昇温速度は基板に熱歪みを生じない様に
行う等の制約があり、１枚の被処理基板に要されるタク
トタイムの大幅な短縮は望めないという問題があった。

【００１０】タクトタイムの短縮を目的として複数の被
処理基板を同時に加熱するものがある。この基板加熱装
置は特開平１−２１６５２２号に開示されており、図１
２に示す様に該基板加熱装置は加熱槽９０の内部のサセ
プタ９１に被処理基板９２と発熱板９３とを交互に立設
し、マイクロ波発生源９４で発生させたマイクロ波を前
記加熱槽９０内に導入し、該マイクロ波を前記発熱板９
３に吸収させることで該発熱板９３を発熱させ、前記被
処理基板９２を加熱するというものである。

【００１１】然し、図１２に示す基板加熱装置では個々
の前記発熱板９３の加熱状態を制御することが難しく、
又該発熱板９３の温度を個別に制御、管理することは不
可能であり、更に又該発熱板９３の位置によりマイクロ
波の吸収の状態が異なり、各発熱基板を同一条件で発熱
させることも難しい。従って、該基板加熱装置では、複
数の処理基板を均一に加熱することが非常に難しいとい
う問題がある。

【００１２】本発明は斯かる実情に鑑み、半導体製造装
置の基板加熱に於けるタクトタイムの大幅な短縮を可能
とし、更に装置のコンパクト化を図ると共に複数の被処
理基板の均一加熱を可能とするものである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、真空槽内に設
けられたヒータ支持枠と、該ヒータ支持枠内に複数段設
けられた対面パネルヒータと、各対面パネルヒータの間
に被処理基板を支持する支持手段とを具備する半導体製
造装置の基板加熱装置に係るものであり、又前記対面パ
ネルヒータの両端部に設けられた側面パネルヒータを有
する半導体製造装置の基板加熱装置に係るものであり、
又前記対面パネルヒータ側面の中央がヒータ支持枠に固
定され、対面パネルヒータの側面両端部に断熱カラーが
設けられ、該断熱カラーがヒータ支持枠に刻設した溝に
嵌合した半導体製造装置の基板加熱装置に係るものであ
り、又被処理基板の一辺側で被処理基板を受載可能な基
板受けをヒータ支持枠側に設け、対面パネルヒータに被
処理基板の他辺をガイドする基板ガイドピンを植設した
半導体製造装置の基板加熱装置に係るものであり、又前
記パネルヒータはヒータ素線を埋設したアルミニウム製
の鋳込型パネルヒータである半導体製造装置の基板加熱
装置に係るものであり、又複数のパネルヒータが個別に
温度制御される半導体製造装置の基板加熱装置に係るも
のであり、又１つのパネルヒータはゾーン分割され各ゾ
ーンが個別に温度制御される半導体製造装置の基板加熱
装置に係るものであり、又前記側面パネルヒータが発熱
体であり、該側面パネルヒータを少なくともヒータ支持
枠の側枠に対して断熱して設け、前記左右の側面パネル
ヒータに掛渡して対面パネルヒータを設け、該対面パネ
ルヒータが前記側面パネルヒータに熱伝導により加熱さ
れる半導体製造装置の基板加熱装置に係るものであり、
又前記側面パネルヒータは上下方向に分割された加熱ゾ
ーンを有し、該加熱ゾーンは個別に温度制御される半導
体製造装置の基板加熱装置に係るものであり、又前記側
面パネルヒータが棚部を有し、該棚部は対面パネルヒー
タの端部を受載可能であり、前記対面パネルヒータの端
部は押圧手段により前記棚部に押圧される半導体製造装
置の基板加熱装置に係るものであり、又前記押圧手段が
前記対面パネルヒータの端部に乗置されるヒータ押え
と、該ヒータ押えと前記棚部とに嵌合するヒータクラン
パと、該ヒータクランパに螺合し、前記ヒータ押えを前
記対面パネルヒータに押圧する押え螺子とから成る半導
体製造装置の基板加熱装置に係るものであり、又前記ヒ
ータ支持枠が反射板を有する半導体製造装置の基板加熱
装置に係るものであり、更に又真空槽の側壁より被処理
基板を搬入可能とし、ヒータ支持枠は真空槽底板を気密
に貫通する支柱を介して支持され、該支柱にナットを介
して連結されたスクリューロッドは昇降モータにより回
転駆動される半導体製造装置の基板加熱装置に係るもの
である。而して被処理基板の複数枚同時加熱が可能とな
り、タクトタイムが大幅な短縮となり、更に又従来の加
熱ランプと遠赤外線放射板に代えパネルヒータとしたの
で加熱ユニットがコンパクトとなり、更に被処理基板は
側方からも加熱され、更にパネルヒータはゾーン分割さ
れ各ゾーンが個別に温度制御されるので、複数枚の被処
理基板を同時に均一加熱することが可能になる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、図１〜図５を参照しつつ本
発明の第１の実施の形態を説明する。

【００１５】真空槽２５の底板２５ｂを気密に貫通する
中空の支柱２６を設け、該支柱２６の上端に基板加熱ユ
ニット２７を設け、前記支柱２６は前記真空槽２５の下
側に設けられたエレベータ２８の昇降台２９に立設され
ている。前記真空槽２５の内面には反射板６０が設けら
れ、又図示しないが前記真空槽２５内の温度を測定する
熱電対が設けられている。前記真空槽２５の天井板２５
ａ、前記底板２５ｂには冷却水路が形成され、該冷却水
路に冷却水が導入され、前記天井板２５ａ、前記底板２
５ｂを所定温度に冷却している。

【００１６】前記基板加熱ユニット２７を説明する。

【００１７】前記支柱２６の上端に設けられたフランジ
３０に台座３１を固着し、該台座３１にヒータ支持枠３
２を取付ける。該ヒータ支持枠３２は２本の下ビーム３
３、該下ビーム３３に立設された１組の側枠３４、該側
枠３４の上端に掛渡された２本の上ビーム３５から構成
され、前記下ビーム３３がボルト３６により前記台座３
１に固定され、又前記側枠３４の上端には前記ヒータ支
持枠３２の天板を形成する如く反射板３７が設けられて
いる。前記側枠３４は３本の側柱を有し、該３本の側柱
の内側面にはそれぞれ所要ピッチで所要数の溝３８を刻
設し、中央の側柱には該溝３８の位置に合致した固定孔
３９が穿設されている。

【００１８】対面パネルヒータ４０はヒータ素線を埋設
したアルミニウム製の鋳込型抵抗加熱パネルヒータであ
り、該対面パネルヒータ４０の各側面には２本の断熱カ
ラー４１が固定ピン４２により固定され、前記断熱カラ
ー４１は前記溝３８に摺動自在に嵌合可能とする。前記
各溝３８に前記断熱カラー４１を介して前記対面パネル
ヒータ４０を挿入し、該対面パネルヒータ４０は前記固
定孔３９に断熱カラー４８を介して挿通した前記固定ピ
ン４２により前記ヒータ支持枠３２に固定される。又、
前記左右の断熱カラー４１の両端面間の距離は対峙する
前記溝３８の底面間の距離より小さくしてある。而し
て、前記対面パネルヒータ４０は前記固定ピン４２を中
心に前後方向、左右（幅）方向のいずれにも膨脹が許容
される様になっている。

【００１９】前記対面パネルヒータ４０の上面４箇所に
基板ガイドピン４３を植設し、前記側枠３４の側柱内の
前記各基板ガイドピン４３の上端に対応した位置に断熱
材から成る基板受け４４を設ける。該基板受け４４は前
記基板ガイドピン４３の上端と一致した棚面４４ａと該
棚面４４ａから幅広方向に傾斜したガイド面４４ｂを有
する。

【００２０】前記台座３１の両側面には電流導入端子４
５が所要数植設された端子板４６が固着され、該端子板
４６と前記対面パネルヒータ４０とが接続され、更に前
記電流導入端子４５に接続された電源ケーブル４７は前
記支柱２６の内部を挿通して図示しない電源に接続され
ている。該図示しない電源は温度制御器（図示せず）に
より前記対面パネルヒータ４０への給電が制御される様
になっており、前記温度制御器は前記対面パネルヒータ
４０をそれぞれ個別に温度制御し、基板の上下位置を原
因とする温度差が生じない様になっている。又前記対面
パネルヒータ４０に埋設したヒータ素線を複数の領域に
分割し、該分割した領域に属するヒータ素線の給電を個
別に制御することで１つの対面パネルヒータ４０内での
ゾーン温度制御が可能となる。このゾーン温度制御を行
うことで同一基板内での温度の均一性を精密に制御する
ことができる。

【００２１】次に、前記エレベータ２８を説明する。

【００２２】前記真空槽２５の下面にブラケット５０を
固着し、該ブラケット５０に減速機付昇降モータ５１を
取付け、又該減速機付昇降モータ５１の出力軸にはスク
リューロッド５２を連結する。前記昇降台２９は図示し
ないガイドロッドに嵌合し、昇降自在となっており、該
昇降台２９はナットブロック５３を介して前記スクリュ
ーロッド５２に螺合している。前記支柱２６は前記昇降
台２９に立設され、前記真空槽２５の底板２５ｂを遊貫
しており、前記支柱２６の貫通部は該支柱２６に被着さ
れたベローズ５４により気密となっている。

【００２３】図中、５５は前記被処理基板２３を搬入搬
出する搬送ロボット（図示せず）の搬送アームであり、
５６は該搬送アーム先端の基板受載板、５７は基板搬送
口である。

【００２４】以下、作動を説明する。

【００２５】前記減速機付昇降モータ５１により前記基
板加熱ユニット２７を最下位置迄降下させた状態で、前
記搬送アーム５５の前記基板受載板５６に被処理基板２
３を受載し、前記基板搬送口５７より真空槽２５内に搬
入する。前記減速機付昇降モータ５１により前記基板加
熱ユニット２７を若干上昇させ、前記基板受け４４に前
記被処理基板２３を受載する。前記真空槽２５上昇の過
程で前記基板ガイドピン４３により前記被処理基板２３
のＹ方向の位置合わせ、前記基板受け４４の前記ガイド
面４４ｂによりＸ方向の位置合わせがなされる。ここ
で、前記基板ガイドピン４３は前記対面パネルヒータ４
０に植設されており、該対面パネルヒータ４０の熱膨張
により位置変化があるが、その位置は熱膨張分を見越し
て位置設定がなされており、又前記基板受け４４は前記
ヒータ支持枠３２側に設けられているので、前記対面パ
ネルヒータ４０の熱膨張の影響を受けない。従って、前
記被処理基板２３の位置決めの再現性が保証される。

【００２６】前記搬送アーム５５が前記真空槽２５より
後退すると、前記減速機付昇降モータ５１が駆動して前
記基板加熱ユニット２７を所定量上昇させ、２段目の被
処理基板２３挿入位置となる。尚、前記基板受載板５６
より被処理基板２３を前記基板受け４４に移載する時の
前記基板加熱ユニット２７の上昇量と２段目の被処理基
板２３挿入位置とする上昇量の和は、前記溝３８間のピ
ッチに等しくなる。

【００２７】而して、上記被処理基板２３の搬入動作を
繰返して前記基板加熱ユニット２７の全ての挿入位置に
被処理基板２３を挿入する。

【００２８】前記電源ケーブル４７、前記電流導入端子
４５を介して前記各対面パネルヒータ４０に電力を供給
して該対面パネルヒータ４０を加熱し、輻射熱により前
記被処理基板２３を加熱する。尚、前記反射板６０、前
記反射板３７により輻射熱の拡散が防止されるので熱効
率が向上する。

【００２９】加熱完了後、前記被処理基板２３を前記真
空槽２５より搬出する場合は、前述した搬入動作と逆動
作を行う。

【００３０】上述した様に、本実施の形態では複数の被
処理基板２３を一度に加熱するので、タクトタイムＴA
(sec）は、基板昇温時間ＴH (sec）、基板の搬入搬出に
要する搬送時間ｔ(sec）、一度に加熱できる基板枚数ｎ
（枚）とすると以下の式により求められ、複数枚同時加
熱によりタクトイタイムの大幅な短縮を行える。

【００３１】

【数１】ＴA ＝（ＴH ＋ｔ）／ｎ

【００３２】次に、図６〜図９により第２の実施の形態
を示す。図６〜図９に於いて、図１〜図５中で示したも
のと同様のものには同符号を付してある。又、エレベー
タ２８、真空槽２５については上記実施の形態と同様で
あるので詳細は省略し、以下は基板加熱ユニット２７に
ついて説明する。

【００３３】前記支柱２６の上端に固着された前記フラ
ンジ３０にヒータ支持枠６２を設ける。該ヒータ支持枠
６２は４本の下ビーム６３、該下ビーム６３の端部に立
設された１組の側枠６４、該側枠６４の上端に掛渡され
た３本の上ビーム６５から構成され、前記下ビーム６３
がボルト６６により前記フランジ３０に固定される。

【００３４】前記下ビーム６３と下ビーム６３との間に
は反射板６７が設けられ、又前記上ビーム６５と上ビー
ム６５との間には前記ヒータ支持枠６２の天板を形成す
る如く反射板６８が設けられ、前記側枠６４には反射板
６９が設けられている。

【００３５】前記側枠６４の内側には所要の間隙を明
け、側面パネルヒータ７０が設けられる。該側面パネル
ヒータ７０としては、ヒータ素線を埋設したアルミニウ
ム製の鋳込型抵抗加熱パネルヒータ等が用いられる。前
記側面パネルヒータ７０は支持ピン７１を介して前記下
ビーム６３に乗置し、前記支持ピン７１は下ビーム６３
に植設される。又前記側面パネルヒータ７０の側面には
断熱材であるスペーサ７２が螺着され、該スペーサ７２
に前記側枠６４を遊貫したヒータ固定ボルト７４が螺着
され、該ヒータ固定ボルト７４と前記側枠６４との間に
は断熱カラー７３が介設され、前記側面パネルヒータ７
０は前記ヒータ支持枠６２に対して断熱され設けられ
る。

【００３６】前記側面パネルヒータ７０の内側には上下
方向に所要の間隔で全長に亘り棚部７５が所要段（本実
施の形態では７段）突設され、左右の棚部７５に対面パ
ネルヒータ７６が掛渡り乗載され、更に該対面パネルヒ
ータ７６の端部を挾持する様に前記棚部７５に対向する
ヒータ押え７７が乗置される。該ヒータ押え７７の端部
に段差７８が形成され、該段差７８と前記棚部７５の端
部とにコの字状のヒータクランパ８０が嵌合される。該
ヒータクランパ８０には上方より押え螺子８１が螺入さ
れ、該押え螺子８１を締込むことで前記ヒータ押え７７
が前記対面パネルヒータ７６に押圧される。

【００３７】前記棚部７５と前記棚部７５との間にコの
字状の基板受け８２を配設し、前記側面パネルヒータ７
０を貫通したボルト８３により前記基板受け８２を前記
側面パネルヒータ７０に固着する。前記基板受け８２の
両端の中心側突出部は前記被処理基板２３の載置部８２
ａとなっており、該載置部８２ａの基部には傾斜部８２
ｂが形成され、該傾斜部８２ｂにより前記被処理基板２
３載置時の位置合わせ作用が生ずる。

【００３８】前記側面パネルヒータ７０の中間位置に熱
電対８５を設け、前記側面パネルヒータ７０の温度の検
出を行い、又前記各対面パネルヒータ７６の下面所要位
置、例えば中央に熱電対８６を設け、前記対面パネルヒ
ータ７６の温度の検出を行う。前記熱電対８５、前記熱
電対８６の配線は前記側面パネルヒータ７０に対する給
電用のケーブルと共にケーブル固定金具８７に一旦固定
され、更にケーブルベア８８を通ってハーメチックシー
ル（図示せず）を介して大気側に導き出される。

【００３９】以下、図１を参照して作動を説明する。

【００４０】前記減速機付昇降モータ５１により前記基
板加熱ユニット２７を最下位置迄降下させ、その状態で
前記搬送アーム５５の前記基板受載板５６に被処理基板
２３を受載し、前記基板搬送口５７より前記真空槽２５
内に搬入する。前記減速機付昇降モータ５１により前記
基板加熱ユニット２７を若干上昇させ、前記基板受け８
２に被処理基板２３を受載する。上記した様に、前記傾
斜部８２ｂが前記基板受け８２に対する被処理基板２３
の芯ずれを修正する。

【００４１】前記搬送アーム５５が前記真空槽２５より
後退すると、前記減速機付昇降モータ５１が駆動して前
記基板加熱ユニット２７を所定量上昇させ、２段目の被
処理基板２３挿入位置となる。尚、前記基板受載板５６
より被処理基板２３を前記基板受け８２に移載する時の
基板加熱ユニット２７の上昇量と２段目の被処理基板２
３挿入位置とする上昇量の和は、前記棚部７５間のピッ
チに等しくなる。又、該第２の実施の形態では前記対面
パネルヒータ７６をヒータを埋設しない単なる輻射放熱
板としたので前記棚部７５間のピッチは更に小さくな
り、前記エレベータ２８の昇降動作量は大幅に小さくな
り装置の小型化が促進される。

【００４２】而して、上記被処理基板２３の搬入動作を
繰返して前記基板加熱ユニット２７の全ての挿入位置に
被処理基板２３を挿入する。

【００４３】前記電源ケーブル４７を介して前記各側面
パネルヒータ７０に電力を供給して該側面パネルヒータ
７０を加熱し、輻射熱により前記被処理基板２３を側方
から加熱する。更に、前記側面パネルヒータ７０は前記
棚部７５を介して熱伝導により前記対面パネルヒータ７
６を加熱する。

【００４４】前記側面パネルヒータ７０は前記対面パネ
ルヒータ７６に対応させ分割したパネルヒータセグメン
トの集合体であってもよい。この場合該パネルヒータセ
グメントの加熱を個別に制御する様にすれば、前記対面
パネルヒータ７６をそれぞれ個別に温度制御することが
でき基板の上下位置を原因とする温度差を解消できる。
尚、側面パネルヒータ７０は必ずしもパネルヒータセグ
メントの集合とする必要はなく、埋設したヒータ素線を
上下方向にゾーン分割し、分割したヒータ素線によりゾ
ーン温度制御する様にしてもよい。

【００４５】前記側面パネルヒータ７０と前記棚部７５
間の接触圧は前記押え螺子８１の締込みで適正な値に保
持され、前記側面パネルヒータ７０と前記棚部７５間の
熱伝導は良好に行われる。該対面パネルヒータ７６は輻
射熱により前記被処理基板２３の上下両面より加熱し、
該被処理基板２３は上下方向、左右方向から熱せられる
ので被処理基板２３が大型化しても均一に加熱すること
ができる。尚、前記対面パネルヒータ７６は均熱板とし
ての機能も有し、前記被処理基板２３の温度分布の不均
一を解消する。

【００４６】更に、前記側面パネルヒータ７０の加熱温
度、前記対面パネルヒータ７６の加熱温度はそれぞれ熱
電対８５、熱電対８６により検出され、図示しない制御
装置により加熱温度が制御される。

【００４７】前記対面パネルヒータ７６は被処理基板２
３に汚染を与えない様、アルミニウム、ステンレス鋼、
カーボン、ＳｉＣ、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ、Ｓｉｎｇｅ−Ｓｉ
等の材質が選択され、又輻射効果を高める為、適宜セラ
ミックコートを施す。

【００４８】尚、前記反射板６７、前記反射板６８、前
記反射板６９、前記反射板６０により輻射熱の拡散が防
止されるので熱効率が向上する。

【００４９】加熱完了後、前記被処理基板２３を前記真
空槽２５より搬出する場合は、前述した搬入動作と逆動
作を行う。

【００５０】尚、上記第１の実施の形態に於いて第２の
実施の形態で示した側面パネルヒータ７０を設けること
が可能であることは言う迄もない。

【００５１】

【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、被処理
基板の複数枚同時加熱が可能となり、タクトタイムが大
幅な短縮となり、又従来の加熱ランプと遠赤外線放射板
に代えパネルヒータとしたので加熱ユニットがコンパク
トとなり、被処理基板は側方からも加熱され、更にパネ
ルヒータはゾーン分割され各ゾーンが個別に温度制御さ
れるので、複数枚の被処理基板を同時に均一加熱するこ
とが可能になる等の優れた効果を発揮する。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態を示す側断
面図である。

【図２】図２は、同前第１の実施の形態の基板加熱ユニ
ットの分解斜視図である。

【図３】図３は、同前基板加熱ユニットの部分側面図で
ある。

【図４】図４は、同前基板加熱ユニットの一部を破断し
た部分正面図である。

【図５】図５は、同前基板加熱ユニットの正面図であ
る。

【図６】図６は、本発明の第２の実施の形態の基板加熱
ユニットの分解斜視図である。

【図７】図７は、同前基板加熱ユニットの一部を破断し
た部分斜視図である。

【図８】図８は、図６のＡ部拡大図である。

【図９】図９は、図７のＢ部拡大図である。

【図１０】図１０は、従来例の正断面図である。

【図１１】図１１は、従来例の側断面図である。

【図１２】図１２は、他の従来例の側断面図である。

【符号の説明】

２３ 被処理基板 ２５ 真空槽 ２６ 支柱 ２７ 基板加熱ユニット ２８ エレベータ ３２ ヒータ支持枠 ３７ 反射板 ４０ 対面パネルヒータ ４３ 基板ガイドピン ４４ 基板受け ５１ 減速機付昇降モータ ５２ スクリューロッド ５４ ベローズ ６２ ヒータ支持枠 ６７ 反射板 ６８ 反射板 ６９ 反射板 ７０ 側面パネルヒータ ７２ スペーサ ７５ 棚部 ７６ 対面パネルヒータ ７７ ヒータ押え

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 真空槽内に設けられたヒータ支持枠と、
   該ヒータ支持枠内に複数段設けられた対面パネルヒータ
   と、各対面パネルヒータの間に被処理基板を支持する支
   持手段とを具備することを特徴とする半導体製造装置の
   基板加熱装置。
2. 【請求項２】 前記対面パネルヒータの両端部に設けら
   れた側面パネルヒータを有する請求項１の半導体製造装
   置の基板加熱装置。
3. 【請求項３】 前記対面パネルヒータ側面の中央がヒー
   タ支持枠に固定され、対面パネルヒータの側面両端部に
   断熱カラーが設けられ、該断熱カラーがヒータ支持枠に
   刻設した溝に嵌合した請求項１の半導体製造装置の基板
   加熱装置。
4. 【請求項４】 被処理基板の一辺側で被処理基板を受載
   可能な基板受けをヒータ支持枠側に設け、対面パネルヒ
   ータに被処理基板の他辺をガイドする基板ガイドピンを
   植設した請求項１の半導体製造装置の基板加熱装置。
5. 【請求項５】 前記パネルヒータはヒータ素線を埋設し
   たアルミニウム製の鋳込型パネルヒータである請求項１
   〜請求項４の半導体製造装置の基板加熱装置。
6. 【請求項６】 複数のパネルヒータが個別に温度制御さ
   れる請求項５の半導体製造装置の基板加熱装置。
7. 【請求項７】 １つのパネルヒータはゾーン分割され各
   ゾーンが個別に温度制御される請求項５の半導体製造装
   置の基板加熱装置。
8. 【請求項８】 前記側面パネルヒータが発熱体であり、
   該側面パネルヒータを少なくともヒータ支持枠の側枠に
   対して断熱して設け、前記左右の側面パネルヒータに掛
   渡して対面パネルヒータを設け、該対面パネルヒータが
   前記側面パネルヒータに熱伝導により加熱される請求項
   ２の半導体製造装置の基板加熱装置。
9. 【請求項９】 前記側面パネルヒータは上下方向に分割
   された加熱ゾーンを有し、該加熱ゾーンは個別に温度制
   御される請求項８の半導体製造装置の基板加熱装置。
10. 【請求項１０】 前記側面パネルヒータが棚部を有し、
    該棚部は対面パネルヒータの端部を受載可能であり、前
    記対面パネルヒータの端部は押圧手段により前記棚部に
    押圧される請求項８の半導体製造装置の基板加熱装置。
11. 【請求項１１】 前記押圧手段が前記対面パネルヒータ
    の端部に乗置されるヒータ押えと、該ヒータ押えと前記
    棚部とに嵌合するヒータクランパと、該ヒータクランパ
    に螺合し、前記ヒータ押えを前記対面パネルヒータに押
    圧する押え螺子とから成る請求項１０の半導体製造装置
    の基板加熱装置。
12. 【請求項１２】 前記ヒータ支持枠が反射板を有する請
    求項１、請求項２の半導体製造装置の基板加熱装置。
13. 【請求項１３】 真空槽の側壁より被処理基板を搬入可
    能とし、ヒータ支持枠は真空槽底板を気密に貫通する支
    柱を介して支持され、該支柱にナットを介して連結され
    たスクリューロッドは昇降モータにより回転駆動される
    請求項１〜請求項１２の半導体製造装置の基板加熱装
    置。