JPH0714759A - 半導体装置の除電方法 - Google Patents
半導体装置の除電方法Info
- Publication number
- JPH0714759A JPH0714759A JP14875693A JP14875693A JPH0714759A JP H0714759 A JPH0714759 A JP H0714759A JP 14875693 A JP14875693 A JP 14875693A JP 14875693 A JP14875693 A JP 14875693A JP H0714759 A JPH0714759 A JP H0714759A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- static electricity
- charged
- present
- static elimination
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Elimination Of Static Electricity (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造工程で帯電した半導体装置の静電気を除
去する。 【構成】 帯電した半導体装置を、加熱雰囲気中、加湿
加熱雰囲気、揮発性の流体中のうち１つを選択した雰囲
気中を通過させる。
去する。 【構成】 帯電した半導体装置を、加熱雰囲気中、加湿
加熱雰囲気、揮発性の流体中のうち１つを選択した雰囲
気中を通過させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に帯電した
静電気の除去方法に関するものである。
静電気の除去方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程で静電気による製
品の不良が発生するため、工程内で高度の温湿度管理を
行うか、イオンブロワーを設置していた。
品の不良が発生するため、工程内で高度の温湿度管理を
行うか、イオンブロワーを設置していた。
【０００３】また、静電気を除去する除電器として、電
圧印加式除電器、自己放電式除電器及び放射線式除電器
等が用いられている。
圧印加式除電器、自己放電式除電器及び放射線式除電器
等が用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前記従来
技術を検討した結果、以下の問題点を見い出した。
技術を検討した結果、以下の問題点を見い出した。
【０００５】すなわち、前記従来技術による半導体製造
工程内での温湿度管理では、デバイス搬送部での静電気
発生防止は困難である。また、イオンブロワー等の静電
気を除去する除電器を用いることは高価になるという問
題がある。
工程内での温湿度管理では、デバイス搬送部での静電気
発生防止は困難である。また、イオンブロワー等の静電
気を除去する除電器を用いることは高価になるという問
題がある。
【０００６】本発明の目的は、帯電した半導体装置の静
電気を除去することが可能な除電技術を提供することに
ある。
電気を除去することが可能な除電技術を提供することに
ある。
【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的及び新
規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明ら
かになるであろう。
規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明ら
かになるであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願によって開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。
【０００９】すなわち、本発明による半導体装置の除電
方法は、帯電した半導体装置を加熱する。
方法は、帯電した半導体装置を加熱する。
【００１０】また、本発明による半導体装置の除電方法
は、帯電した半導体装置の湿度に対し、周囲の湿度を変
化させる。
は、帯電した半導体装置の湿度に対し、周囲の湿度を変
化させる。
【００１１】また、本発明による半導体装置の除電方法
は、帯電した半導体装置に対し、揮発性の流体を付与す
る。
は、帯電した半導体装置に対し、揮発性の流体を付与す
る。
【００１２】
【作用】前述の手段によれば、帯電した半導体装置を加
熱することにより、帯電物の温度に対してその帯電物の
周囲の温度を変化させるので、この温度変化により静電
気を除去することができた。また、加熱することより水
分が蒸発されるので、その時に除電されることが考えら
れる。
熱することにより、帯電物の温度に対してその帯電物の
周囲の温度を変化させるので、この温度変化により静電
気を除去することができた。また、加熱することより水
分が蒸発されるので、その時に除電されることが考えら
れる。
【００１３】また、帯電した半導体装置に対し、周囲の
湿度を変化させることにより、静電気を除去することが
できた。
湿度を変化させることにより、静電気を除去することが
できた。
【００１４】また、帯電した半導体装置に対し、揮発性
の流体を付与したので、流体の揮発により静電気を除去
することができた。
の流体を付与したので、流体の揮発により静電気を除去
することができた。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。
説明する。
【００１６】図１は、本発明による半導体装置の除電方
法の実施例を説明するための模式構成図である。
法の実施例を説明するための模式構成図である。
【００１７】図１において、２は半導体装置１を搬送す
るデバイス搬送部である。搬送されてきた半導体装置１
は、その表面に付着したちり等をはらうためにレーザマ
ーク機のスス取りブラシ３等により、軽く摩擦される。
その時に半導体装置は帯電する。帯電した半導体装置
は、静電気除去部４内へ搬送される。
るデバイス搬送部である。搬送されてきた半導体装置１
は、その表面に付着したちり等をはらうためにレーザマ
ーク機のスス取りブラシ３等により、軽く摩擦される。
その時に半導体装置は帯電する。帯電した半導体装置
は、静電気除去部４内へ搬送される。
【００１８】（実施例１）静電気除去部４内を１５０℃
の高温かつ低湿度に保ち、帯電した半導体装置１を５分
間この雰囲気中に置くことで、静電気が除去された。
の高温かつ低湿度に保ち、帯電した半導体装置１を５分
間この雰囲気中に置くことで、静電気が除去された。
【００１９】（実施例２）また、静電気除去部４内を自
然状態の気圧のもとで９５％ＲＨの高湿度に保ち、帯電
した半導体装置を５分間この雰囲気中に置くことで静電
気が除去された。
然状態の気圧のもとで９５％ＲＨの高湿度に保ち、帯電
した半導体装置を５分間この雰囲気中に置くことで静電
気が除去された。
【００２０】これは半導体装置に温湿度変化を与えるこ
とにより、静電気の自然放電を加速させるためである。
とにより、静電気の自然放電を加速させるためである。
【００２１】（実施例３）また、静電気除去部４内を帯
電した半導体装置が通過するとき、メータノール等揮発
性液体のシャワーを通過させることにより、静電気が除
去された。
電した半導体装置が通過するとき、メータノール等揮発
性液体のシャワーを通過させることにより、静電気が除
去された。
【００２２】半導体装置の製造工程で、製造中の半導体
装置が帯電する恐れがあるのは、リード切断機、マーク
機、レーザマーク機、外観検査機等の工程を通過すると
きである。従って、静電気除去部４はこのような工程の
後に配置する。
装置が帯電する恐れがあるのは、リード切断機、マーク
機、レーザマーク機、外観検査機等の工程を通過すると
きである。従って、静電気除去部４はこのような工程の
後に配置する。
【００２３】以上、本発明を実施例に基づき具体的に説
明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更し得
ることはいうまでもない。
明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更し得
ることはいうまでもない。
【００２４】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果の説明すれば、以下のと
おりである。
的なものによって得られる効果の説明すれば、以下のと
おりである。
【００２５】すなわち、イオンブロワー等の装置にくら
べ、簡単かつ安価な装置で、半導体装置に帯電した静電
気を容易に除去することができる。
べ、簡単かつ安価な装置で、半導体装置に帯電した静電
気を容易に除去することができる。
【図１】 本発明による半導体装置の除電方法の実施例
を説明するための模式構成図。
を説明するための模式構成図。
１…半導体装置、２…搬送部、３…スス取りブラシ、４
…静電気除去部。
…静電気除去部。
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体装置に帯電した静電気の除去方法
において、帯電した半導体装置を加熱することを特徴と
する半導体装置の除電方法。 - 【請求項２】 半導体装置に帯電した静電気の除去方法
において、帯電した半導体装置の湿度に対し、周囲の湿
度を変化させることを特徴とする半導体装置の除電方
法。 - 【請求項３】 半導体装置に帯電した静電気の除去方法
において、帯電した半導体装置に対し、揮発性の流体を
付与することを特徴とする半導体装置の除電方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14875693A JPH0714759A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 半導体装置の除電方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14875693A JPH0714759A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 半導体装置の除電方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0714759A true JPH0714759A (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=15459940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14875693A Pending JPH0714759A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 半導体装置の除電方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0714759A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116759883A (zh) * | 2023-08-10 | 2023-09-15 | 长春汽车工业高等专科学校 | 一种可降低强散射光干扰的车载半导体激光器辅助装置 |
-
1993
- 1993-06-21 JP JP14875693A patent/JPH0714759A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116759883A (zh) * | 2023-08-10 | 2023-09-15 | 长春汽车工业高等专科学校 | 一种可降低强散射光干扰的车载半导体激光器辅助装置 |
| CN116759883B (zh) * | 2023-08-10 | 2023-10-20 | 长春汽车工业高等专科学校 | 一种可降低强散射光干扰的车载半导体激光器辅助装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3650127D1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum entfernen von schichten von substraten. | |
| EP0079143A3 (en) | Pseudoplastic gel transfer | |
| JPS60221436A (ja) | プラスチツク表面欠陥の除去方法 | |
| TW368699B (en) | Manufacturing method for semiconductor device and manufacturing device for semiconductor | |
| KR940016544A (ko) | 반도체기판의 작성방법 및 고체촬상장치의 제조방법 | |
| DE60027784D1 (de) | Vorrichtung und verfahren zum regeln der ungebungsverhältnisse | |
| EP0887845A3 (en) | Processing method and apparatus for removing oxide film | |
| EP1001454A3 (en) | Surface treatment method and surface treatment apparatus | |
| EP0201622A3 (en) | Method of treating hair, especially the tips | |
| FR2483200B1 (ja) | ||
| KR940007970A (ko) | 반도체 기판 처리 방법 | |
| JPH0459039A (ja) | コロナ処理装置 | |
| JPS57177530A (en) | Processing of semiconductor wafer | |
| JP2004103850A (ja) | レジスト塗布方法及び装置 | |
| JPS61160939A (ja) | ドライエツチング後Ｓｉ表面損傷の乾式による除去方法 | |
| JPH01104682A (ja) | 熱収縮性粘着シート | |
| JPH10163178A (ja) | レジストの除去方法 | |
| JP2892049B2 (ja) | レジストアッシング方法 | |
| JPH04361823A (ja) | Ａｌ又はＡｌ合金棒材の伸線時の水ぬれ除去装置 | |
| JPS5367362A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS6276713A (ja) | シリコンウエハおよびその製造方法 | |
| JPH10270706A5 (ja) | ||
| JPH04372385A (ja) | ウェハー搬送ロボット | |
| JPS6450534A (en) | Method of forming oxide film of element semiconductor | |
| JPH0325934A (ja) | 固体表面に吸着したハロゲン含有層の除去方法 |