JPH0714815A - 加工物の湿式化学処理方法 - Google Patents

加工物の湿式化学処理方法

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JPH0714815A
JPH0714815A JP6122010A JP12201094A JPH0714815A JP H0714815 A JPH0714815 A JP H0714815A JP 6122010 A JP6122010 A JP 6122010A JP 12201094 A JP12201094 A JP 12201094A JP H0714815 A JPH0714815 A JP H0714815A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 加工物（特に半導体ウエーハ）の表面の全て
の場所で湿式化学処理が確実に均一に行うことができる
方法を提供すること。 【構成】 加工物、とりわけ半導体ウエーハを、気泡を
液体に均一に分散させることにより発生させたガス化処
理媒体流にさらすことにより、前記加工物を湿式化学処
理する方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、円板状加工物、とりわ
け半導体ウエーハ、をガス化処理媒体流にさらすことに
より前記円板状加工物を湿式化学処理する方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】米国特許第５，０１４，７２７号は、半
導体ウエーハの洗浄装置を開示している。半導体ウエー
ハを、互いにふれないように支持フレームに積み重ね
る。支持フレームを、洗液が入ったトラフに浸漬する。
ポンプにより、液体をトラフからオーバーフローさせて
フィルターを通しトラフベースを介してトラフに戻し
て、半導体ウエーハを液流にさらすようにする。トラフ
ベース上の支持フレームの下には、液体に気泡を吹き込
み混合させる気泡発生器を配置している。
【０００３】この装置及びこの装置を用いて実施する方
法の欠点は、液体への気泡の分布が均一ではなく、した
がって、流動状態が局部的に異なる。その結果、洗液
は、半導体ウエーハ周囲に均一には流れず、流れ強度が
異なる。これにより、加工物表面の処理が不均一とな
り、処理が上手くいくかどうかは位置により異なってし
まい、とりわけもし処理の清浄化作用の他に液体及び／
又は気体による材料除去エッチング処理が行われる場合
にはこの傾向がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、上記した従来技術の欠点を確実に回避でき、加
工物（特に半導体ウエーハ）の表面の全ての場所で湿式
化学処理が確実に均一に行うことができる方法を開発す
ることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、加工物、と
りわけ半導体ウエーハ、をガス化処理媒体流にさらすこ
とにより前記円板状加工物を湿式化学処理する方法であ
って、液体中に気泡を均一に分散することにより前記処
理媒体を発生させる工程を含むことを特徴とする円板状
加工物の湿式化学処理方法により達成される。
【０００６】本発明において、「均一に分散された（ｈ
ｏｍｏｇｅｎｅｏｕｓｌｙ ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ）」と
は、液体の気泡濃度が、処理媒体のランダムに採取され
たいずれの試料容積でも実質的に同一であることを意味
する。さらに、液体に分散される気泡の受ける浮力が極
めて小さく、そして加工物の方向における速度成分につ
いての液体に対する気泡の相対速度が、ゼロか実質的に
ゼロとなるように、液体に分散される気泡をできるだけ
小さく確保することが特に有利であることが判明した。
【０００７】本発明において適当な処理媒体を発生させ
るのに極めて効果的な装置は、気体と液体を噴出できる
供給ポンプである。もし気体と液体とをこのようなポン
プの入口側に供給するならば、ポンプ内において気体と
液体との強力な攪拌が生じる。次に、液体に気泡が極め
て微細に分散した均一分散液が、ポンプにより排出側に
排出される。気泡発生器（「バブラー」）が気泡を押し
入れる液体と比較して、この処理媒体は、改良された特
性を示す。後者の場合には、気泡が液体を介して旋回し
それにより液体を混合するのに対して、均一分散気泡の
場合にはこれを生じさせる局部的な流れの差異が生じな
い。この場合には、気体の分散により液体がすでに適当
に混合されているので、液体をこれ以上さらに混合する
必要がない。
【０００８】この差異は、とりわけ半導体ウエーハの湿
式化学処理において明らかとなる。例えば、半導体ウエ
ーハの洗浄及びとりわけもし半導体ウエーハの湿式化学
エッチングの場合のように湿式化学処理により材料除去
効果を得ようとするならば、加工物表面ができるだけ均
一に処理されることが必要である。即ち、例えば、半導
体ウエーハのラッピング、研削又はエッジの丸み付け等
の高価な成形工程後に、表面に近い結晶格子の損傷領域
を除去することが必要となることがよくある。本発明に
係る方法では、材料除去が均一に行われ、そして機械成
形により得られたウエーハ形状がそのまま維持される。
【０００９】本発明の方法は、とりわけ半導体ウエーハ
の湿式化学処理に用いられるが、その用途は、このよう
な加工物には限定されない。本発明の利点は、例えば、
もしとりわけ均一な処理が必要とされるならば、ガラス
及びプラスチック材料の湿式化学処理に利用できる。更
に、驚くべきことに、処理媒体が本発明により生成され
るときに、半導体材料からなる加工物を顕著な高速度で
湿式化学浄化しそして／またはエッチングできることが
わかった。従って、本発明方法によれば、半導体ウェー
ハ、半導体材料からなる他の加工物、例えば半導体結晶
ロッド、か粒状半導体材料、片状半導体材料および半導
体成形体を有利に処理することができる。
【００１０】本発明の方法を実施するのにとりわけ適当
な供給ポンプは、供給処理液を大きく加速することので
きるポンプである。好ましくは、遠心ポンプ又は軸流ポ
ンプが使用される。
【００１１】水又は公知の洗浄水溶液又はエッチング水
溶液を、液体として使用することが好ましい。さらに、
使用液体に界面活性剤を好ましくは０．０５〜１容積％
の濃度で添加することが有利であるが、必須ではない。
界面活性剤は、気泡安定効果を示し、個々の気泡が結合
してより大きな気泡を形成するまでの平均時間を長くす
る。
【００１２】液体に均一に分散するのに適当な気体は、
例えば、空気、酸素、オゾン、フッ化水素又は塩化水
素、１酸化窒素、２酸化窒素またはこれらのガスの任意
の混合物等の不活性ガス又は反応ガスである。
【００１３】本発明の方法の好ましい実施態様では、半
導体ウエーハを湿式化学処理に附し、その間に半導体ウ
エーハの表面の材料が均一に除去される。最も単純な場
合では、液体は、エッチング液として材料除去効果を有
する。しかしながら、液体と気体とを組み合わせたとき
のみこの効果が発現することを排除するものではない。
ポンプにより排出される処理媒体は、少なくとも１個の
入口を介して処理チャンバーに導入される。具体的に
は、処理される半導体ウエーハが処理媒体流にさらされ
るように、即ち、ポンプの供給噴流を半導体ウエーハに
導くように導入する。このために、半導体ウエーハを支
持フレ─ムに入れ、それにより半導体ウエーハが処理媒
体中に保持され、処理媒体が半導体表面に自由に接近で
きるようにする。処理チャンバーに、まず処理媒体を、
半導体ウエーハが処理媒体に完全に浸漬できるまで満た
す。次に、処理媒体を処理チャンバーからのオーバーフ
ローにより除去し直ちに処理媒体を入口を通してふただ
び供給する。処理チャンバーをでる処理媒体を原料容器
に捕集し、適宜濾過し、再び供給ポンプに戻すことによ
り、処理媒体の循環ができる。処理媒体が処理室を去る
ときに、少なくとも一部のガスが逸出するので、処理媒
体が再び処理室に戻る前に、相当する量の新しいガスを
処理媒体に分散させる。
【００１４】
【実施例】以下、材料除去を行うエッチング液で半導体
ウエーハを処理した比較例を、本発明による半導体処理
例とを比較する。図１は、比較例の実験セットアップの
概略図であり、図２は、実施例の実験における対応のセ
ットアップである。
【００１５】比較例 有孔チャンバーベースを備えた処理チャンバー（３）を
含んでなる図１による装置では、直径１５０ｍｍのシリ
コンウエーハ１０個を、フッ化水素、硝酸及び界面活性
剤を含有するエッチング水溶液を用いた処理に附した。
このために、図示していない支持フレ─ムに入れたシリ
コンウエーハ（１）をエッチング液（２）に浸漬した。
ウエーハ処理中に、遠心ポンプ（７）により、チャンバ
ーベースの下に取りつけたディストリビュータストリッ
プ（５）を介してエッチング液を処理チャンバー（３）
に補充した。オーバーフロー（４）を介して処理チャン
バーからのエッチング液のドレンを、ポンプの入口側に
供給した。一定流量の窒素（６）をポンプ出口とディス
トリビュータストリップとの間のエッチング液回路に供
給することにより、処理チャンバーに入ったエッチング
液をガス化した。
【００１６】実施例 直径１５０ｍｍのシリコンウエーハをさらに１０個、比
較例に記載の装置を用いて処理した。エッチング液の組
成、ポンプ速度及び窒素添加速度は、比較例と同じまま
とした。図２によれば、図１とは対照的に、窒素（６）
を遠心ポンプ（７）の吸液側に供給した。共通の材料除
去を行った場合、本発明のウエーハ処理では、エッチン
グ速度が比較例のウエーハ処理よりも２〜３倍早いこと
が判明した。
【００１７】両方の実験の処理ウエーハを、材料除去に
ついて調査した。さらに、ウエーハの平面度、即ち、実
際の表面の理想的な平面からのずれを、幾何学的パラメ
ータとして測定し、いわゆる局部厚さ偏差ＬＴＶとして
定量化した。基準面として、吸気状態の平形真空ホルダ
ーにウエーハを配置した状態でのウエーハの裏面に平行
の平面を使用した。表に示した最大ＬＴＶ値は、ウエー
ハ表面の調査において判明した平面度の最大局部偏差を
示しており、各ウエーハの表面は、局部測定領域として
側長１５ｍｍの６９個の正方形領域（「部位」）に分割
した。２つの実施例の測定値を比較すると、本発明によ
るシリコンウエーハの処理の場合において平面度が著し
く向上することが明らかである。
【００１８】
【表１】 ウエーハ 比較例 実施例 番号 材料 最大 材料 最大 除去 ＬＴＶ値 除去 ＬＴＶ値 （μｍ） （μｍ） （μｍ） （μｍ） １ ３０．５２ ４．７６ ３０．２０ ０．１２ ２ ３１．３１ ５．２２ ３０．２５ ０．２２ ３ ３０．０９ ４．９６ ３０．１２ ０．２２ ４ ３０．９１ ５．７２ ３０．１７ ０．１５ ５ ３２．１３ ５．３１ ３０．２２ ０．２５ ６ ３０．２５ ４．９８ ３０．２５ ０．０８ ７ ３３．１４ ５．１２ ３０．１６ ０．０２ ８ ３２．２９ ５．６５ ３０．１６ ０．１５ ９ ３２．６３ ５．２９ ３０．０８ ０．２１ １０ ３１．５８ ５．３７ ３０．２７ ０．１７
【００１９】以下、本発明の好適な実施態様を例示す
る。 １． 液体に気体を均一に分散する供給ポンプにより前
記噴射媒体を発生させる請求項１に記載の方法。
【００２０】２． 加工物の方向における速度成分につ
いての噴射媒体における気泡と液体の相対速度が、ゼロ
又は実質的にゼロである請求項１に記載の方法。
【００２１】３． 加工物が、半導体ウェーハ、半導体
結晶ロッド、か粒状半導体材料、片状半導体材料および
半導体成形体からなる群から選ばれる請求項１、前記１
または２のうちの何れか１項に記載の方法。
【００２２】
【発明の効果】上記したように、本発明による方法によ
れば、円板状加工物（特に半導体ウエーハ）の表面の全
ての場所で湿式化学処理を確実に均一に行うことができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】比較例の実験セットアップの概略図である。
【図２】実施例の実験セットアップの概略図である。
【符号の説明】
１ シリコンウエーハ ２ エッチング液 ３ 処理チャンバー ４ オーバーフロー ５ ディストリビュータストリップ ６ 窒素 ７ 遠心ポンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マックス・シュタッドラー ドイツ連邦共和国 ハイミング、パッペル ヴェーク ２アー (72)発明者 ギュンター・シュヴァブ ドイツ連邦共和国 エマルティング、リン デンヴェーク ２アー (72)発明者 ペーター・ロメダー ドイツ連邦共和国 ブルクハウゼン、ルド ヴィク−トーマ−シュトラーセ 28

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】加工物をガス化処理媒体流にさらすことに
    より前記円板状加工物を湿式化学処理する方法であっ
    て、液体中に気泡を均一に分散することにより前記処理
    媒体を発生させる工程を含むことを特徴とする円板状加
    工物の湿式化学処理方法。
JP6122010A 1993-05-13 1994-05-12 加工物の湿式化学処理方法 Expired - Lifetime JP2687280B2 (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010082558A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Mitsubishi Electric Corp 微細気泡供給装置および液体処理装置
JP2011152084A (ja) * 2010-01-27 2011-08-11 Komine Kikai Kk 食品洗浄装置
CN109127564A (zh) * 2018-08-28 2019-01-04 郭来振 一种离心式高效中草药清洗装置

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08172068A (ja) * 1994-12-19 1996-07-02 Fujitsu Ltd 半導体基板の洗浄方法及び半導体装置の製造方法
KR100226548B1 (ko) * 1996-12-24 1999-10-15 김영환 웨이퍼 습식 처리 장치
US5904156A (en) * 1997-09-24 1999-05-18 International Business Machines Corporation Dry film resist removal in the presence of electroplated C4's
US6319331B1 (en) * 1997-12-01 2001-11-20 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method for processing semiconductor substrate
US6273107B1 (en) * 1997-12-05 2001-08-14 Texas Instruments Incorporated Positive flow, positive displacement rinse tank
EP1564796A1 (en) * 1997-12-09 2005-08-17 Shin-Etsu Handotai Company Limited Semiconductor wafer processing method and semiconductor wafers produced by the same
DE19833257C1 (de) * 1998-07-23 1999-09-30 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
US6273100B1 (en) 1998-08-27 2001-08-14 Micron Technology, Inc. Surface cleaning apparatus and method
US6372051B1 (en) * 1998-12-04 2002-04-16 Texas Instruments Incorporated Positive flow, positive displacement rinse tank
DE19927457C2 (de) * 1999-06-16 2002-06-13 Wacker Siltronic Halbleitermat Verwendung eines bekannten Verfahrens als Vorbehandlung zur Bestimmung der Diffusionslängen von Minoritätsträgern in einer Halbleiterscheibe
DE19927527B4 (de) 1999-06-16 2007-02-08 Siltronic Ag Verfahren zur naßchemischen Behandlung einer Halbleiterscheibe
US6488037B1 (en) * 1999-08-31 2002-12-03 Texas Instruments Incorporated Programmable physical action during integrated circuit wafer cleanup
DE19943101C2 (de) * 1999-09-09 2002-06-20 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung einer gebondeten Halbleiterscheibe
DE19953152C1 (de) * 1999-11-04 2001-02-15 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur naßchemischen Oberflächenbehandlung einer Halbleiterscheibe
DE10002354A1 (de) 2000-01-20 2001-08-09 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
DE10031603C2 (de) * 2000-06-29 2002-06-13 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung mindestens einer Halbleiterscheibe durch Ätzen
DE10064081C2 (de) * 2000-12-21 2002-06-06 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
KR100432495B1 (ko) * 2001-12-28 2004-05-22 주식회사 실트론 실리콘 웨이퍼 에칭장치
US20040050261A1 (en) * 2002-09-12 2004-03-18 Boutiette Paul K. Device and method for washing eggs
DE10302611B4 (de) * 2003-01-23 2011-07-07 Siltronic AG, 81737 Polierte Halbleiterscheibe und Verfahren zu deren Herstellung und Anordnung bestehend aus einer Halbleiterscheibe und einem Schild
JP4613167B2 (ja) * 2003-05-22 2011-01-12 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 少なくとも一つの光学要素を洗浄する方法および装置
DE10328845B4 (de) * 2003-06-26 2005-10-20 Siltronic Ag Verfahren zur Oberflächenbehandlung einer Halbleiterscheibe
JP4869957B2 (ja) 2006-03-22 2012-02-08 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
CN101423619B (zh) * 2008-06-06 2011-02-09 东莞劲胜精密组件股份有限公司 塑胶件表面清洁方法
JP5666086B2 (ja) * 2008-12-25 2015-02-12 ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトＳｉｌｔｒｏｎｉｃ ＡＧ シリコンウェハ洗浄装置
DE102009037281B4 (de) 2009-08-12 2013-05-08 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung einer polierten Halbleiterscheibe
US11532493B2 (en) * 2018-07-30 2022-12-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wet bench and chemical treatment method using the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6269612A (ja) * 1985-09-24 1987-03-30 Hitachi Ltd 処理装置
US4840701A (en) * 1987-08-14 1989-06-20 Stc Plc Etching apparatus and method

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE417507C (de) * 1925-08-11 Chem Fab Niederrhein G M B H F Verfahren zur Behandlung von Fluessigkeiten mit Gasen
JPS5928613B2 (ja) * 1980-10-09 1984-07-14 日本鉱業株式会社 反応装置
US4687523A (en) * 1985-08-16 1987-08-18 Mobil Oil Corporation Method for cleaning a core sample from a subterranean formation of solid contaminant particles
DE3805076A1 (de) * 1988-02-18 1989-08-31 Holzer Walter Aetzanlage
JPH0644098Y2 (ja) * 1989-02-27 1994-11-14 黒谷 信子 半導体ウェハーの洗浄用バブラー
US5261966A (en) * 1991-01-28 1993-11-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of cleaning semiconductor wafers using mixer containing a bundle of gas permeable hollow yarns

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6269612A (ja) * 1985-09-24 1987-03-30 Hitachi Ltd 処理装置
US4840701A (en) * 1987-08-14 1989-06-20 Stc Plc Etching apparatus and method

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010082558A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Mitsubishi Electric Corp 微細気泡供給装置および液体処理装置
JP2011152084A (ja) * 2010-01-27 2011-08-11 Komine Kikai Kk 食品洗浄装置
CN109127564A (zh) * 2018-08-28 2019-01-04 郭来振 一种离心式高效中草药清洗装置

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