JPH0714896A - ダイボンド装置の異常検出器 - Google Patents
ダイボンド装置の異常検出器Info
- Publication number
- JPH0714896A JPH0714896A JP14877893A JP14877893A JPH0714896A JP H0714896 A JPH0714896 A JP H0714896A JP 14877893 A JP14877893 A JP 14877893A JP 14877893 A JP14877893 A JP 14877893A JP H0714896 A JPH0714896 A JP H0714896A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- die
- bonding
- semiconductor chip
- detecting means
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 半導体チップのボンディング位置ズレを、発
光素子１〜４と受光素子５〜８を含む検出手段１００に
より、光学的に検出し、ＮＡＮＤ回路９〜１２，ＯＲ回
路１３，ＮＡＮＤ回路１４，メモリ回路１５，及びコン
トロール回路１６を含む制御手段２００により、自動的
にダイボンド装置の動作をとめ、かつ警音回路１７によ
り警音を発する。 【効果】 ダイボンド装置の異常の早期発見を実現で
き、かつ損害の発生を極力少なくすることが出来る。
光素子１〜４と受光素子５〜８を含む検出手段１００に
より、光学的に検出し、ＮＡＮＤ回路９〜１２，ＯＲ回
路１３，ＮＡＮＤ回路１４，メモリ回路１５，及びコン
トロール回路１６を含む制御手段２００により、自動的
にダイボンド装置の動作をとめ、かつ警音回路１７によ
り警音を発する。 【効果】 ダイボンド装置の異常の早期発見を実現で
き、かつ損害の発生を極力少なくすることが出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ダイボンド装置の異
常検出器に関し、特に半導体チップのフレーム上のボン
ディング位置ズレを光学的に検出し、ダイボンド作業を
自動的に止めるとともに、警音を発するダイボンド装置
の異常検出器に関するものである。
常検出器に関し、特に半導体チップのフレーム上のボン
ディング位置ズレを光学的に検出し、ダイボンド作業を
自動的に止めるとともに、警音を発するダイボンド装置
の異常検出器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ボンディングにおける位置ズレ
は、製造される半導体装置の電気的ＤＣ特性や、高周波
特性，及び信頼性に大きく影響を与える。しかしなが
ら、自動ダイボンド装置自体は、半導体チップのボンデ
ィング位置ズレの発生を検出することは出来ず、この位
置ズレが発生したままボンディングをつづけてしまい、
その発見が遅れると、大きな損失を被ることになってし
まうものであり、この半導体チップのボンディング位置
ズレが発生したときには、自動的に自動ダイボンド装置
を止めることが必要である。
は、製造される半導体装置の電気的ＤＣ特性や、高周波
特性，及び信頼性に大きく影響を与える。しかしなが
ら、自動ダイボンド装置自体は、半導体チップのボンデ
ィング位置ズレの発生を検出することは出来ず、この位
置ズレが発生したままボンディングをつづけてしまい、
その発見が遅れると、大きな損失を被ることになってし
まうものであり、この半導体チップのボンディング位置
ズレが発生したときには、自動的に自動ダイボンド装置
を止めることが必要である。
【０００３】従来は、かかるボンディングの位置ズレに
ついては、ボンディングの作業完了時に、人手により目
視検査が行われていた。
ついては、ボンディングの作業完了時に、人手により目
視検査が行われていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のダイボンド装置
におけるボンディング位置ズレの除去は、上述したよう
にボンディングの作業完了時に、人手により目視検査を
行って行うようにしていたため、長時間を要するもので
あるとともに、ボンディング位置ズレの迅速な発見が遅
れることとなり、大きな損失を招くという問題点があっ
た。
におけるボンディング位置ズレの除去は、上述したよう
にボンディングの作業完了時に、人手により目視検査を
行って行うようにしていたため、長時間を要するもので
あるとともに、ボンディング位置ズレの迅速な発見が遅
れることとなり、大きな損失を招くという問題点があっ
た。
【０００５】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、突発的なボンディングの位置
ズレの発生時に、光学的にボンディング位置ズレを検出
してダイボンド装置を自動的に止めることが出来るとと
もに、警音を発して作業者に知らしめることのできる，
ダイボンド装置の異常検出器を得ることを目的としてい
る。
るためになされたもので、突発的なボンディングの位置
ズレの発生時に、光学的にボンディング位置ズレを検出
してダイボンド装置を自動的に止めることが出来るとと
もに、警音を発して作業者に知らしめることのできる，
ダイボンド装置の異常検出器を得ることを目的としてい
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係るダイボン
ド装置の異常検出器は、ボンディングが所定位置にある
か否かを光学的に検出する検出手段と、この検出手段の
出力に基づき、上記ボンディングの位置ズレを検出した
時にはダイボンド装置の動作を停止させる制御手段とを
備えたものである。
ド装置の異常検出器は、ボンディングが所定位置にある
か否かを光学的に検出する検出手段と、この検出手段の
出力に基づき、上記ボンディングの位置ズレを検出した
時にはダイボンド装置の動作を停止させる制御手段とを
備えたものである。
【０００７】またこの発明は、上記検出手段により上記
半導体チップの位置異常を検出したとき、警音を発生さ
せる警音回路を備えたものである。
半導体チップの位置異常を検出したとき、警音を発生さ
せる警音回路を備えたものである。
【０００８】
【作用】この発明に係るダイボンド装置の異常検出器に
おいては、検出手段によってボンディング位置ズレがあ
るか否かが光学的に検出される。また上記ボンディング
位置ズレが検出されたときには、制御手段によって上記
検出手段の出力に基づいて、ダイボンド装置の動作が停
止させられるとともに、警音回路が動作させられ、警音
が発生される。
おいては、検出手段によってボンディング位置ズレがあ
るか否かが光学的に検出される。また上記ボンディング
位置ズレが検出されたときには、制御手段によって上記
検出手段の出力に基づいて、ダイボンド装置の動作が停
止させられるとともに、警音回路が動作させられ、警音
が発生される。
【０００９】
【実施例】実施例１．以下この発明の第１の実施例を図
について説明する。図１はこの発明の実施例１によるダ
イボンド装置の異常検出器の回路図を示す。図１におい
て、１，２，３，４は異なる場所に設けられた発光素
子、５，６，７，８は各発光素子１，２，３，４にそれ
ぞれ対向して設けられた受光素子、９，１０，１１，１
２は各受光素子５〜８の出力が入力されるようそれぞれ
に接続されたＮＡＮＤ回路、１３はすべてのＮＡＮＤ回
路９〜１２の出力が入力されるよう接続されたＯＲ回
路、１４はＯＲ回路１３の出力が入力されるよう接続さ
れたＮＡＮＤ回路、１５はＮＡＮＤ回路１４の出力に接
続されたメモリ回路、１６はメモリ回路１５の出力に接
続されたコントロール回路、１７はメモリ回路１５の出
力に接続された警音回路である。なお、ＳＷ１はスター
ト用のスイッチ、ＳＷ２はリセット用のスイッチであ
り、コントロール回路１６の出力側は、ＮＡＮＤ回路１
４の入力端子に接続されている。
について説明する。図１はこの発明の実施例１によるダ
イボンド装置の異常検出器の回路図を示す。図１におい
て、１，２，３，４は異なる場所に設けられた発光素
子、５，６，７，８は各発光素子１，２，３，４にそれ
ぞれ対向して設けられた受光素子、９，１０，１１，１
２は各受光素子５〜８の出力が入力されるようそれぞれ
に接続されたＮＡＮＤ回路、１３はすべてのＮＡＮＤ回
路９〜１２の出力が入力されるよう接続されたＯＲ回
路、１４はＯＲ回路１３の出力が入力されるよう接続さ
れたＮＡＮＤ回路、１５はＮＡＮＤ回路１４の出力に接
続されたメモリ回路、１６はメモリ回路１５の出力に接
続されたコントロール回路、１７はメモリ回路１５の出
力に接続された警音回路である。なお、ＳＷ１はスター
ト用のスイッチ、ＳＷ２はリセット用のスイッチであ
り、コントロール回路１６の出力側は、ＮＡＮＤ回路１
４の入力端子に接続されている。
【００１０】ここで、本実施例１における検出手段１０
０は、発光素子１〜４，及び受光素子５〜８から構成さ
れ、本実施例１の制御手段２００は、ＮＡＮＤ回路９〜
１２，ＯＲ回路１３，ＮＡＮＤ回路１４，メモリ回路１
５，及びコントロール回路１６から構成されている。
０は、発光素子１〜４，及び受光素子５〜８から構成さ
れ、本実施例１の制御手段２００は、ＮＡＮＤ回路９〜
１２，ＯＲ回路１３，ＮＡＮＤ回路１４，メモリ回路１
５，及びコントロール回路１６から構成されている。
【００１１】また、図２は半導体チップ２０のボンディ
ング位置ズレを検出するための領域を示す図、図３，図
４はボンディング位置の正常位置時，及びズレが発生し
た時の図１の回路の動作を示すタイミングチャートであ
り、以下、本実施例１の動作を、図２，図３，及び図４
を参照しながら説明する。
ング位置ズレを検出するための領域を示す図、図３，図
４はボンディング位置の正常位置時，及びズレが発生し
た時の図１の回路の動作を示すタイミングチャートであ
り、以下、本実施例１の動作を、図２，図３，及び図４
を参照しながら説明する。
【００１２】ボンディング位置が正常な場合は、発光素
子１〜４から出た光は半導体チップによってさえぎられ
ないため、常に受光素子５〜８に光が供給される。従っ
て、図３に示すように、各受光素子５〜８の出力信号Ｖ
ａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄは、“Ｈ”（ハイレベル）のまま
である。
子１〜４から出た光は半導体チップによってさえぎられ
ないため、常に受光素子５〜８に光が供給される。従っ
て、図３に示すように、各受光素子５〜８の出力信号Ｖ
ａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄは、“Ｈ”（ハイレベル）のまま
である。
【００１３】ボンディング作業が完了した時点でコント
ロール回路１６から出力されるボンディングエンド信号
ＶCON が“Ｌ”（ローレベル）から“Ｈ”に変化して
も、ＮＡＮＤ回路１４の出力信号Ｖｘは“Ｈ”のままで
あるので、メモリ回路１５の出力信号Ｖｐも“Ｈ”のま
まである。
ロール回路１６から出力されるボンディングエンド信号
ＶCON が“Ｌ”（ローレベル）から“Ｈ”に変化して
も、ＮＡＮＤ回路１４の出力信号Ｖｘは“Ｈ”のままで
あるので、メモリ回路１５の出力信号Ｖｐも“Ｈ”のま
まである。
【００１４】一方、図２(b) 〜(e) に示すように、左
右，あるいは上下へのボンディング位置ズレが発生した
時には、発光素子１〜４からの光はそのうちのいずれか
１つが半導体チップ２０によってさえぎられるので、対
応する受光素子５〜８の１つには光がとどかず、対応す
る受光素子の出力信号は“Ｈ”から“Ｌ”に変化する。
従って、コントロール回路１６のボンディングエンド信
号が“Ｌ”から“Ｈ”に変化した時に、ＮＡＮＤ回路１
４の出力信号Ｖｘも“Ｈ”から“Ｌ”に変化することと
なり、メモリ回路１５の出力信号Ｖｐも“Ｈ”から
“Ｌ”に変化する。この出力信号Ｖｐの変化をコントロ
ール回路１６に伝えることにより、ダイボンド装置の動
作を止めるとともに、該出力信号Ｖｐにより警音回路１
７を動作させることができる。
右，あるいは上下へのボンディング位置ズレが発生した
時には、発光素子１〜４からの光はそのうちのいずれか
１つが半導体チップ２０によってさえぎられるので、対
応する受光素子５〜８の１つには光がとどかず、対応す
る受光素子の出力信号は“Ｈ”から“Ｌ”に変化する。
従って、コントロール回路１６のボンディングエンド信
号が“Ｌ”から“Ｈ”に変化した時に、ＮＡＮＤ回路１
４の出力信号Ｖｘも“Ｈ”から“Ｌ”に変化することと
なり、メモリ回路１５の出力信号Ｖｐも“Ｈ”から
“Ｌ”に変化する。この出力信号Ｖｐの変化をコントロ
ール回路１６に伝えることにより、ダイボンド装置の動
作を止めるとともに、該出力信号Ｖｐにより警音回路１
７を動作させることができる。
【００１５】次に、リセット用のスイッチＳＷ２をＯＮ
することにより、メモリ回路１５の出力信号を、“Ｌ”
から“Ｈ”の元の状態に戻すことができる。
することにより、メモリ回路１５の出力信号を、“Ｌ”
から“Ｈ”の元の状態に戻すことができる。
【００１６】本実施例１においては、前述したように、
半導体チップ２０のボンディング位置ズレを、発光素子
１〜４と受光素子５〜８とを含む光学的な検出手段１０
０により光学的に検出し、ＮＡＮＤ回路９〜１２，ＯＲ
回路１３，ＮＡＮＤ回路１４，メモリ回路１５，及びコ
ントロール回路１６を含む制御手段２００により自動的
にダイボンド装置の動作をとめ、かつ警音回路１７によ
り警音を発するようにしたので、ダイボンド装置の異常
の早期発見を実施でき、損害の発生を極力少なくするこ
とができるという効果を奏する。
半導体チップ２０のボンディング位置ズレを、発光素子
１〜４と受光素子５〜８とを含む光学的な検出手段１０
０により光学的に検出し、ＮＡＮＤ回路９〜１２，ＯＲ
回路１３，ＮＡＮＤ回路１４，メモリ回路１５，及びコ
ントロール回路１６を含む制御手段２００により自動的
にダイボンド装置の動作をとめ、かつ警音回路１７によ
り警音を発するようにしたので、ダイボンド装置の異常
の早期発見を実施でき、損害の発生を極力少なくするこ
とができるという効果を奏する。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、この発明に係るダイボン
ド装置の異常検出器によれば、半導体チップのボンディ
ング位置のズレがあるか否かを光学的に検出する検出手
段と、この検出手段の出力に基づいて上記ボンディング
位置ズレを検出したときにはダイボンド装置の動作を停
止させ、さらには警音を発生させる制御手段とを備えた
ので、突発的なボンディング位置ズレの発生時にダイボ
ンド装置を自動的に止めることが出来るとともに、警音
を発し作業者に知らしめることが出来る効果がある。
ド装置の異常検出器によれば、半導体チップのボンディ
ング位置のズレがあるか否かを光学的に検出する検出手
段と、この検出手段の出力に基づいて上記ボンディング
位置ズレを検出したときにはダイボンド装置の動作を停
止させ、さらには警音を発生させる制御手段とを備えた
ので、突発的なボンディング位置ズレの発生時にダイボ
ンド装置を自動的に止めることが出来るとともに、警音
を発し作業者に知らしめることが出来る効果がある。
【図１】この発明の第１の実施例によるダイボンド装置
の異常検出器を示す回路図である。
の異常検出器を示す回路図である。
【図２】この発明の実施例１のボンディング位置ズレの
検出領域を示す図である。
検出領域を示す図である。
【図３】この発明の実施例１のボンディング位置ズレが
正常時の動作を示すタイミングチャートである。
正常時の動作を示すタイミングチャートである。
【図４】この発明の実施例１のボンディング位置のズレ
が発生した時の動作を示すタイミングチャートである。
が発生した時の動作を示すタイミングチャートである。
１，２，３，４ 発光素子 ５，６，７，８ 受光素子 ９，１０，１１，１２，１４ ＮＡＮＤ回路 １３ ＯＲ回路 １５ メモリ回路 １６ コントロール回路 １７ 警音回路
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１０月２２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
Claims (2)
- 【請求項１】 ダイボンド装置の異常を検出する異常検
出器において、 半導体チップがフレームの所定位置にボンディングされ
たか否かを光学的に検出する検出手段と、 この検出手段の出力に基づき、上記半導体チップの位置
異常を検出したときはダイボンド装置の動作を停止させ
る制御手段とを備えたことを特徴とするダイボンド装置
の異常検出器。 - 【請求項２】 請求項１記載のダイボンド装置の異常検
出器において、 上記検出手段により上記半導体チップの位置異常を検出
したとき、警音を発生させる警音回路を備えたことを特
徴とするダイボンド装置の異常検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14877893A JPH0714896A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | ダイボンド装置の異常検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14877893A JPH0714896A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | ダイボンド装置の異常検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0714896A true JPH0714896A (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=15460463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14877893A Pending JPH0714896A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | ダイボンド装置の異常検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0714896A (ja) |
-
1993
- 1993-06-21 JP JP14877893A patent/JPH0714896A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6043502A (en) | Apparatus and method for sensing an insertion state of a wafer in a cassette | |
| JPH0714896A (ja) | ダイボンド装置の異常検出器 | |
| US20080239297A1 (en) | Multiple head laser projector and method | |
| US20220128781A1 (en) | Laser device | |
| US6091339A (en) | Position detector for a spin-drying machine used in integrated circuit fabrication | |
| US20250321269A1 (en) | Positioning device and positioning method for chip | |
| JPH04477Y2 (ja) | ||
| JPH05327082A (ja) | 半導体レーザ切替方法 | |
| US6475826B1 (en) | Method and system for detection of integrated circuit package orientation in a tape and reel system | |
| JP2005345155A (ja) | 信号入力装置、検出センサシステム、光電センサシステム及びそのセンサコントローラ | |
| US20040190463A1 (en) | Change-over apparatus | |
| JP5134926B2 (ja) | 監視システム、およびコントローラ | |
| JPH0290089A (ja) | 反射形光電センサーの故障診断装置 | |
| JP2568475Y2 (ja) | 光線式安全装置 | |
| JPH05273354A (ja) | 異常検知機能付き放射線測定装置 | |
| KR20040032689A (ko) | 반도체 웨이퍼의 분실 개수 파악이 용이한 반도체 웨이퍼처리 설비 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼 처리 공정 | |
| JPH02143577A (ja) | レーザ発振器の監視装置 | |
| KR200299176Y1 (ko) | 반도체 웨이퍼 모니터링 장치 | |
| JP2729118B2 (ja) | 光学ラインセンサの診断方法 | |
| JPH0195611A (ja) | 共通増幅回路 | |
| JP3156780B2 (ja) | 半導体検査装置及びその検査方法 | |
| KR20030083370A (ko) | 반도체 제조 설비의 다기능 웨이퍼 감지 장치 | |
| JP2529451B2 (ja) | 光通信ユニット | |
| JPH05102941A (ja) | 故障検出方法 | |
| JP3074526B2 (ja) | カメラ用測距装置 |