JPH07150344A - 自浄式コリメータ - Google Patents

自浄式コリメータ

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JPH07150344A
JPH07150344A JP6129368A JP12936894A JPH07150344A JP H07150344 A JPH07150344 A JP H07150344A JP 6129368 A JP6129368 A JP 6129368A JP 12936894 A JP12936894 A JP 12936894A JP H07150344 A JPH07150344 A JP H07150344A
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collimator
physical vapor
vapor deposition
wafer
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JP6129368A
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Avi Tepman
テップマン アヴィ
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    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 堆積材料の蓄積による閉塞が防止される自浄
式コリメータを提供することにより、堆積処理中の堆積
速度を一定に保ち堆積材のフレークによる汚染を低減す
る。 【構成】 コリメータ１３０は誘電材料で形成される。
コリメータ１３０とターゲット１０２は互いに接触し物
理的に搭載される。堆積処理において、堆積材料の一部
はコリメータ１３０の通路１３２の壁に不可避的に付着
し蓄積されるが、この蓄積された堆積材料はターゲット
と電気的に接続されているため、この蓄積された材料は
ターゲットの延長となる。従って、この蓄積された材料
もスパッタされコリメータより放出される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、物理蒸着法（ＰＶＤ）
の分野に関する。特に本発明は、ＰＶＤチャンバー内で
使用される自浄式のコリメータ(self cleaning collima
tor)に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術によるＰＶＤチャンバーを図１
に示す。ＰＶＤチャンバー１０４は、ターゲット１０
２、チャンバー収容箱１０６、シールド１０８及びター
ゲット材料の物理蒸着を受容する物体を保持するペデス
タル１１０を包含する。マグネトロン１００は、プラズ
マ及びターゲット１０２へのイオン流を形作ることに用
いられる。マグネトロン１００は、一つあるいはそれ以
上の永久磁石又は電磁石であり、所望の形を作るための
適切な強度、向き及び位置を持つ。本発明の好ましい実
施例においては、アルミニウム、アルミニウム合金、チ
タン、タングステン又はチタンとタングステンとの複合
体の中からターゲット材料が選択される。好ましい実施
例において、ターゲット材を受容する物体とは半導体ウ
エハ１１２のことである。チャンバーは空気が排気さ
れ、知られているガス、一般的にはアルゴンの、予定分
圧を含有する。
【０００３】ウエハ１１２の表面は、図に示される如く
開口１１４を有する。半導体ウエハ上のディバイスの密
度が増加しエッチング技術が進化するにつれて、半導体
ウエハ表面上の開口のアスペクト比は変化してきてお
り、図３に示される如く開口の深さが幅を越えることが
可能となった。図３には、開口の深さがその幅のおよそ
２倍であるアスペクト比を有する開口が示される。
【０００４】良く知られているように、堆積の間ガスプ
ラズマがチャンバー内に形成される。適切なＤＣ電圧で
ターゲットを印加することにより、プラズマからイオン
がターゲットへ引き寄せられる。通常ＤＣ電圧は、アノ
ード、例えば＋ＤＣのシールドと、カソード、例えば−
ＤＣのターゲットとの間に印加される。この同じ電圧に
よりプラズマを形成することができる。プラズマを形成
しイオンをターゲットへ加速するために、５００Ｖの電
圧が通常選ばれる。プラズマイオンがターゲットに当た
り、ターゲット１０２の表面よりターゲット材の粒子が
大きな運動エネルギーでスパッタされる。ターゲット１
０２より脱出する粒子に与えられる運動エネルギーによ
り、この粒子は大抵の場合粒子が当たった固体構造体に
固着する。
【０００５】ターゲット材より脱出した粒子は、図１の
矢印に示される如く、あらゆる角度であらゆる場所より
ターゲット表面を出発する。従って、ウエハ１１２がタ
ーゲット材の堆積層を受容するだけではなく、シールド
の内壁も被覆される。それに加え、ターゲット材の粒子
は図２の矢印に示される如くほとんどあらゆる角度から
ウエハ１１２の表面に当たる。
【０００６】図２は、ターゲット材のＰＶＤ堆積被覆を
受容するアスペクト比（開口の幅に対する深さ）の低い
開口を有する半導体ウエハの幾何を示す。堆積材は、図
２に示されるように直角から鋭角までの様々な角度で、
ウエハ及び開口に当たるだろう。ウエハの幾何形状及び
特に開口１１４のアスペクト比が低いため、堆積材料の
堆積方向が不均一であることによる深刻な悪影響はな
い。
【０００７】アスペクト比の高い開口１１８（図３）を
有するウエハ１１２上へターゲット材が堆積する場合、
開口１１８の上側部分に鋭角に当たる堆積材は、開口１
１８全体が完全に充填される前に開口１１８の口を閉じ
る傾向があり、図４に示される如く空隙１２０が開口内
に形成される。この空隙１２０ができれば、半導体ディ
バイスの長期信頼性は損われてしまう。
【０００８】図５に示されるように、コリメータ１２２
を用いてこの問題を解決することができる。コリメータ
１２２とは、ターゲット１０２と半導体ウエハ１１２と
の間の位置に置かれる板のことである。コリメータは、
所定の厚さを有し、その厚さに亘り形成された所定の寸
法の通路１２４を多数包含し、この通路を通りターゲッ
ト１０２より半導体ウエハ１１２へ至る進路をターゲッ
ト材は進む。
【０００９】コリメータ１２２は、そのままだとウエハ
１１２に鋭角に当たるターゲット材をろ過する。実際に
ろ過される量は、コリメータ１２２を通る通路１２４の
アスペクト比に依って決まり、垂直線からΘ／２までの
角度で進むターゲット材のみがコリメータを通り抜けウ
エハ１１２に当たることができる。このことにより、ア
スペクト比の高い開口１１８を有する半導体ディバイス
の製造工程を改善せしめる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】コリメータを使用する
ことによる不利益も幾つか存在する。第一に、コリメー
タ上面に当たるターゲット材の各粒子は、コリメータ上
に堆積する。これはＰＶＤチャンバー内の堆積材の効率
を大きく減ずるが、その理由として、ターゲット材の一
部は意図する半導体ウエハ１１２ではなくコリメータ上
に堆積し、ターゲット材が無駄になるからである。
【００１１】第二に、堆積材は垂直線からΘ／２以上の
角度で通路１２４の側壁に当たる。この材料は内部に堆
積し通路を塞ぐ傾向がある。このことにより通路１２４
のアスペクト比は増加するため、ターゲットからコリメ
ータを通り抜けウエハ１１２に堆積される材料はより少
なくなり、同じ堆積材厚さを得るために同じエネルギー
で処理されるスループット時間は後のウエハになるほど
増加するだろう。
【００１２】第三に、コリメータに堆積される材料の厚
さが厚くなる程、（特にＴｉＷやＴｉＮのような高応力
材料では）コリメータ上に蓄積された材料のフレークが
剥げ落ちウエハ１１２上に落ちて、電子回路を破壊する
だろう。これらの理由により、良好なスループットを提
供しウエハ１１２上の回路の損傷を防止するため、コリ
メータは定期的に交換しなければならい。
【００１３】堆積チャンバー内で用いるための、ターゲ
ット材が蓄積されないコリメータが必要とされている。
【００１４】
【課題を解決するための手段及び作用】提供された自浄
式コリメータは堆積材料の蓄積を防止するので、コリメ
ータの詰りがなく、堆積速度が一定となり、堆積材のフ
レークが形成されない。このコリメータは誘電材で形成
されている。コリメータ及びターゲットは、相互に接触
して物理的に搭載される。堆積処理の間、堆積材はコリ
メータを貫通する通路の壁上に、ある割合で不可避的に
堆積される。そして、堆積材の蓄積物は堆積材からター
ゲットへの電気的進路となるだろう。このことが生じた
場合、この電気的進路はコリメータを貫通する通路の壁
上に堆積される材料をターゲットの拡張部分として作用
せしめるだろう。そして、これは半導体ウエハ１１２上
に堆積するので、この材料は空になる。
【００１５】
【実施例】図６には、好ましい実施例を説明する概念的
な断面図を表す。必要のない無関係な詳細部分を述べる
ことで発明が曖昧になるのを避けるため、ここではチャ
ンバーは示されない。ここでは、マグネトロン１００が
ターゲットに搭載されていることが示される。ターゲッ
ト１０２は、半導体ウエハの上にターゲット材を堆積す
るための通常の方法でスパッタされる。
【００１６】複数の通路１３２を包含したコリメータ１
３０は誘電材料で形成される。本明細書において使用さ
れる「誘電」とは、ターゲットによりも電気絶縁性が実
質的に高いことを意味する。コリメータ１３０は、ター
ゲット１０２上に物理的に搭載される。コリメータ１３
０は、例えばねじ止、クランプ、クリップ等都合の良い
方法でターゲット１０２と接合されればよい。不要な犠
牲ターゲットとなる事及びウエハ１１２を汚染する事を
防止するため、止め具も誘電材料で形成される必要があ
る。コリメータ１３０をターゲット１０２へ接着剤によ
って接合することも可能であるが、その場合は接着剤を
慎重に選びウエハ１１２の汚染を防止する必要がある。
【００１７】ターゲット１０２とコリメータ１３０は物
理的に接合されているため、通路１３２上方の材料のみ
が、マグネトロン１００にエネルギーが供給された時に
ターゲットから出発できるだろう。コリメータ１３０の
上表面に隣接した材料は、コリメータ１３０に閉じ込め
られている。よって、ターゲット材はコリメータ１３０
の上表面の被覆に消費されない。この方法でターゲット
材はより効率良く利用される。
【００１８】通路１３２の上方に位置するターゲット材
は、ターゲットがスパッタされれば通路１３２内へ進行
する。通路１３２のアスペクト比は、所望の範囲の角度
で進行する粒子のみを、図６に矢印で示される如く通路
から出しウエハ１１２上に堆積させる。
【００１９】図７にターゲット１０２及びコリメータ１
３０の部分の拡大図が示される。ターゲットが消費され
れば、図７に矢印で示される如く通路１３２の内壁上に
ターゲット材の一部が堆積される。各穴１３２の頂部の
上にキャビティー１４０が形成されるが、これは材料が
ターゲット１０２よりウエハ１１２上及び通路１３２の
壁上に堆積されるからである。
【００２０】図８は、図７に示したターゲット１０２及
びコリメータ１３０の部分に関する時間経過後の拡大図
を示す。通路１３２の壁及びキャビティー内のコリメー
タ１３０の頂部は、ターゲット材の堆積層１５０を含ん
でいる。ターゲット材の堆積層１５０は、導電性であり
ターゲット１０２と電気的に接続されているため、ター
ゲットがスパッタされる際必然的にターゲットの延長と
して作用するだろう。
【００２１】通路１３２の側壁上に堆積されるターゲッ
ト材１５０はターゲットの延長として作用しターゲット
と電気的に接続されるため、ターゲット材がウエハ１１
２上に堆積可能な角度は、垂直線からΘ／２よりも大き
くなることができると認識される必要がある。しかし、
ウエハ上に堆積する粒子の多くは、依然として延長ター
ゲット１５０からではなくターゲット１０２から来てい
るであろうことから、ウエハに堆積材が当たる角度に関
する影響は最小限しかないであろう。しかし、システム
設計者はこの延長ターゲットの効果を考慮して、コリメ
ータ１３０を貫通する通路１３２のアスペクト比を決定
してもよい。
【００２２】堆積層１５０がターゲットとして作用する
場合、ウエハ１１２上、通路の別の壁若しくはターゲッ
ト上に上方が被覆されるため、これは空になる。よっ
て、周期的にターゲットとして作用することにより、コ
リメータ１３０を塞ぎウエハ１１２上に剥がれ落ちるよ
うな堆積層１５０は形成されない。そして、堆積速度は
一定のままである。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によればそ
の通路が堆積材による詰りのない自浄式のコリメータを
提供する。従ってこの自浄式コリメータを包含する装置
を用いたＰＶＤ堆積処理においては、コリメータの定期
的交換が不要となり、ターゲット材のフレークによる汚
染が低減し、一定の堆積速度で処理を行うことが可能と
なる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術によるＰＶＤチャンバーの断面図であ
る。
【図２】ＰＶＤチャンバー内で粒子を受容し低アスペク
ト比の開口を有するウエハの断面図である。
【図３】ＰＶＤチャンバー内で粒子を受容し高アスペク
ト比の開口を有するウエハの断面図である。
【図４】堆積層受容後における図３に示されたウエハの
断面図である。
【図５】コリメータを包含するＰＶＤチャンバーの断面
図である。
【図６】本発明におけるターゲットとコリメータの断面
図でありこれらのウエハに対する関係を表す。
【図７】図６に示されたターゲット及びコリメータの一
部分の断面図であり堆積が行われた後の状態を表す。
【図８】図７に示されたターゲット及びコリメータの一
部分の断面図であり堆積が更に進んだ後の状態を表す。
【符号の説明】
１００…マグネトロン、１０２…ターゲット、１０４…
ＰＶＤチャンバー、１０６…チャンバー収容箱、１０８
…シールド、１１０…ペデスタル、１１２…半導体ウエ
ハ、１１８…開口、１２０…空隙、１２２…コリメー
タ、１２４…通路、１３０…誘電材製のコリメータ、１
３２…通路、１４０…キャビティー、１５０…堆積層。

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 物理蒸着装置(physical vapor depositi
    on device)であって、 ａ．半導体ウエハ上へ堆積される材料から成るターゲッ
    トと、 ｂ．スパッタされたターゲット材を形成するためにター
    ゲットをスパッタする手段と、 ｃ．ターゲットとウエハとの間に位置するコリメータ(c
    ollimator)であって、スパッタされたターゲット材をろ
    過する複数の通路を包含し、所定の範囲内の角度で進む
    スパッタされたターゲット材のみを上記ウエハへ進行せ
    しめ、上記コリメータを貫通する上記通路の側壁上に堆
    積されるいかなるターゲット材も周期的かつ自動的に除
    去されるコリメータと、を備える物理蒸着装置。
  2. 【請求項２】 上記コリメータは上記ターゲットに搭載
    される請求項１記載の物理蒸着装置。
  3. 【請求項３】 上記コリメータは誘電材料で形成される
    請求項２記載の物理蒸着装置。
  4. 【請求項４】 スパッタされたターゲット材が上記コリ
    メータ上に堆積されて中間堆積層を形成し、周期的に上
    記中間堆積層は十分な大きさに成長して上記ターゲット
    に電気的に接続され延長ターゲットを形成する請求項３
    記載の物理蒸着装置。
  5. 【請求項５】 上記ターゲットはアルミニウムで形成さ
    れる請求項４記載の物理蒸着装置。
  6. 【請求項６】 上記ターゲットはアルミニウム合金で形
    成される請求項４記載の物理蒸着装置。
  7. 【請求項７】 上記ターゲットはチタンで形成される請
    求項４記載の物理蒸着装置。
  8. 【請求項８】 上記ターゲットはチタンで形成される請
    求項４記載の物理蒸着装置。
  9. 【請求項９】 上記ターゲットはチタンとタングステン
    との複合体で形成される請求項４記載の物理蒸着装置。
  10. 【請求項１０】 半導体ウエハ上に材料を堆積する物理
    蒸着装置であって、 ａ．上記ウエハ上に堆積される材料のターゲットと、 ｂ．上記ターゲットよりターゲット材をスパッタする手
    段と、 ｃ．有限の厚さと複数の通路を有する電気的非導電性材
    料の実質的平面板を備える、上記ターゲットと上記ウエ
    ハとの間に搭載される誘電コリメータであって、上記通
    路はターゲット材を、上記コリメータが上記ターゲット
    に搭載される方向であって上記ウエハに向かう方向へ、
    通過せしめる誘電コリメータと、を備える物理蒸着装
    置。
  11. 【請求項１１】 上記ターゲットがアルミニウムで形成
    される請求項１０記載の物理蒸着装置。
  12. 【請求項１２】 上記ターゲットがアルミニウム合金で
    形成される請求項１０記載の物理蒸着装置。
  13. 【請求項１３】 上記ターゲットがチタンで形成される
    請求項１０記載の物理蒸着装置。
  14. 【請求項１４】 上記ターゲットがタングステンで形成
    される請求項１０記載の物理蒸着装置。
  15. 【請求項１５】 上記ターゲットがチタンとタングステ
    ンとの複合体で形成される請求項１０記載の物理蒸着装
    置。
  16. 【請求項１６】 スパッタされたターゲット材の一部が
    上記コリメータ上に堆積されて中間堆積層を形成し、周
    期的に上記中間堆積層は十分な大きさに成長して上記タ
    ーゲットに電気的に接続され延長ターゲットを形成する
    請求項１０記載の物理蒸着装置。
  17. 【請求項１７】 半導体ウエハ上に材料を堆積する物理
    蒸着装置であって、 ａ．チャンバーと、 ｂ．上記チャンバー内の空気を排気するために接続され
    た真空手段と、 ｃ．上記チャンバー内に搭載され上記ウエハ上へ堆積さ
    れる材料のターゲットと、 ｄ．上記ターゲットの材料をスパッタし上記材料の粒子
    に運動エネルギー与える手段と、 ｅ．上記チャンバー内に搭載され上記ウエハを保持する
    ペデスタルと、 ｆ．有限の厚さと複数の通路を有する電気的非導電性材
    料の実質的平面板を備える、上記ターゲットと上記ウエ
    ハとの間に搭載される誘電コリメータであって、上記通
    路は上記材料の上記粒子を上記ウエハへ向かう方向へ通
    過せしめる誘電コリメータと、を備える物理蒸着装置。
  18. 【請求項１８】 所定の範囲外の角度で進行するターゲ
    ット材が上記コリメータ上に堆積されて中間堆積層を形
    成し、周期的に上記中間堆積層は十分な大きさに成長し
    てターゲットに電気的に接続され延長ターゲットを形成
    する請求項１７記載の物理蒸着装置。
  19. 【請求項１９】 上記ターゲットがアルミニウムで形成
    される請求項１７記載の物理蒸着装置。
  20. 【請求項２０】 上記ターゲットがアルミニウム合金で
    形成される請求項１７記載の物理蒸着装置。
  21. 【請求項２１】 上記ターゲットがチタンで形成される
    請求項１７記載の物理蒸着装置。
  22. 【請求項２２】 上記ターゲットがタングステンで形成
    される請求項１７記載の物理蒸着装置。
  23. 【請求項２３】 上記ターゲットがチタンとタングステ
    ンとの複合体で形成される請求項１７記載の物理蒸着装
    置。
  24. 【請求項２４】 半導体ウエハ上へターゲットの材料を
    スパッタリングする方法であって、 ａ．上記ターゲットより上記ターゲット材をスパッタし
    電気的に絶縁するコリメータを通り上記ウエハ及び上記
    コリメータ上へターゲット材を堆積するステップと、 ｂ．上記ターゲット材が上記コリメータ上に堆積される
    時に蓄積物(buildup) を形成し、上記蓄積物が上記ター
    ゲットに電気的に接続されるステップと、 ｃ．上記蓄積物から上記ターゲット材をスパッタするス
    テップと、を包含するスパッタリング方法。
  25. 【請求項２５】 上記蓄積物が上記ターゲットに電気的
    に接続される上記ステップが、上記コリメータが上記タ
    ーゲットへ搭載されることにより遂行される請求項２４
    記載のスパッタリング方法。
JP6129368A 1993-06-11 1994-06-10 自浄式コリメータ Withdrawn JPH07150344A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/075258 1993-06-11
US08/075,258 US5362372A (en) 1993-06-11 1993-06-11 Self cleaning collimator

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07150344A true JPH07150344A (ja) 1995-06-13

Family

ID=22124539

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6129368A Withdrawn JPH07150344A (ja) 1993-06-11 1994-06-10 自浄式コリメータ

Country Status (4)

Country Link
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JP (1) JPH07150344A (ja)
KR (1) KR950001863A (ja)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5409587A (en) * 1993-09-16 1995-04-25 Micron Technology, Inc. Sputtering with collinator cleaning within the sputtering chamber
US5529952A (en) * 1994-09-20 1996-06-25 Texas Instruments Incorporated Method of fabricating lateral resonant tunneling structure
US6248398B1 (en) 1996-05-22 2001-06-19 Applied Materials, Inc. Coater having a controllable pressurized process chamber for semiconductor processing
US5824197A (en) * 1996-06-05 1998-10-20 Applied Materials, Inc. Shield for a physical vapor deposition chamber
EP0846786A3 (en) * 1996-12-06 2001-11-07 Applied Materials, Inc. Modified physoical vapor deposition chamber and method of depositing materials at low pressure
US5911113A (en) 1997-03-18 1999-06-08 Applied Materials, Inc. Silicon-doped titanium wetting layer for aluminum plug
US6287436B1 (en) 1998-02-27 2001-09-11 Innovent, Inc. Brazed honeycomb collimator
US6302960B1 (en) 1998-11-23 2001-10-16 Applied Materials, Inc. Photoresist coater
JP4923450B2 (ja) * 2005-07-01 2012-04-25 富士ゼロックス株式会社 バッチ処理支援装置および方法、プログラム
US20070012559A1 (en) * 2005-07-13 2007-01-18 Applied Materials, Inc. Method of improving magnetron sputtering of large-area substrates using a removable anode
US20070084720A1 (en) * 2005-07-13 2007-04-19 Akihiro Hosokawa Magnetron sputtering system for large-area substrates having removable anodes
US20070012663A1 (en) * 2005-07-13 2007-01-18 Akihiro Hosokawa Magnetron sputtering system for large-area substrates having removable anodes
US20070012558A1 (en) * 2005-07-13 2007-01-18 Applied Materials, Inc. Magnetron sputtering system for large-area substrates
US20070051616A1 (en) * 2005-09-07 2007-03-08 Le Hienminh H Multizone magnetron assembly
US7588668B2 (en) * 2005-09-13 2009-09-15 Applied Materials, Inc. Thermally conductive dielectric bonding of sputtering targets using diamond powder filler or thermally conductive ceramic fillers
US20070056850A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 Applied Materials, Inc. Large-area magnetron sputtering chamber with individually controlled sputtering zones
US20090308732A1 (en) * 2008-06-17 2009-12-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for uniform deposition
US20090308739A1 (en) * 2008-06-17 2009-12-17 Applied Materials, Inc. Wafer processing deposition shielding components
KR102695398B1 (ko) 2015-10-27 2024-08-13 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Pvd 스퍼터 챔버를 위한 바이어스가능 플럭스 최적화기/콜리메이터
FI20225334A1 (en) * 2022-04-21 2023-10-22 Biomensio Ltd Collimator to produce piezoelectric layers having tilted c-axis orientation

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60248876A (ja) * 1984-05-23 1985-12-09 Hitachi Ltd スパツタ装置
KR900001825B1 (ko) * 1984-11-14 1990-03-24 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼 성막 지향성을 고려한 스퍼터링장치
JP2515731B2 (ja) * 1985-10-25 1996-07-10 株式会社日立製作所 薄膜形成装置および薄膜形成方法
US4824544A (en) * 1987-10-29 1989-04-25 International Business Machines Corporation Large area cathode lift-off sputter deposition device
US5202008A (en) * 1990-03-02 1993-04-13 Applied Materials, Inc. Method for preparing a shield to reduce particles in a physical vapor deposition chamber
JP2725944B2 (ja) * 1991-04-19 1998-03-11 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 金属層堆積方法
US5223108A (en) * 1991-12-30 1993-06-29 Materials Research Corporation Extended lifetime collimator
JPH05263222A (ja) * 1992-03-16 1993-10-12 Sony Corp 薄膜加工用コリメーター、及び薄膜加工装置並びに薄膜加工方法

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Publication number Publication date
KR950001863A (ko) 1995-01-04
EP0628986A1 (en) 1994-12-14
US5362372A (en) 1994-11-08

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