JPS60248876A - スパツタ装置 - Google Patents
スパツタ装置Info
- Publication number
- JPS60248876A JPS60248876A JP10260184A JP10260184A JPS60248876A JP S60248876 A JPS60248876 A JP S60248876A JP 10260184 A JP10260184 A JP 10260184A JP 10260184 A JP10260184 A JP 10260184A JP S60248876 A JPS60248876 A JP S60248876A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- sputtering
- power source
- sputter
- shielding plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はスパッタ装置に関するものである。
従来のスパッタ装置では、スパッタリング室において基
板にスパッタを行うと、基板以外の、例えば、スパッタ
リング室の壁面にもターゲットから放出されたターゲッ
ト粒子が付着し、それが異物となり基板を汚染するとい
う問題があった。なお、この種の装置として関連するも
のには、例えば、特公昭５１−１２０２９号が挙げられ
る。
板にスパッタを行うと、基板以外の、例えば、スパッタ
リング室の壁面にもターゲットから放出されたターゲッ
ト粒子が付着し、それが異物となり基板を汚染するとい
う問題があった。なお、この種の装置として関連するも
のには、例えば、特公昭５１−１２０２９号が挙げられ
る。
本発明の目的は、基板以外の部分に付着したターゲット
粒子を除去することで、基板の汚染を防止できるスパッ
タ装置を提供することにさる。
粒子を除去することで、基板の汚染を防止できるスパッ
タ装置を提供することにさる。
本発明は、基板以外のターゲットから放出されたターゲ
ット粒子が付着する部分を、スパッタ電極と基板とに接
続されたスパッタ電源に正負電圧切換用のスパッタ電源
切換装置を介して接続したことを特徴とするもので、基
板以外の部分に付着したターゲット粒子を逆スパツタ効
果を利用して除去しようとしたものである。
ット粒子が付着する部分を、スパッタ電極と基板とに接
続されたスパッタ電源に正負電圧切換用のスパッタ電源
切換装置を介して接続したことを特徴とするもので、基
板以外の部分に付着したターゲット粒子を逆スパツタ効
果を利用して除去しようとしたものである。
Ｃ発明の実施例〕
本発明の一実施例を図面により説明する。
図面で、スパッタリング室１０には、スパッタ電極１１
が内設され、スパッタ電極１１は、スパッタ電源加に接
続されている。また、スパッタリング室１０には、基板
間を配置可能な大きさの開口部な有する防着シールド板
νがスパッタ電極１１と対向して内股されている。更に
スパッタリング室１０には、スパッタ電極１１と防着シ
ールド放校とを遮断可能ｌ又 にシャック１３が内炉されている。基板間以外のターゲ
ット粒子が付着する部分は、この場合、防着シールド板
１２であり、防着シールド板犯は、正負電圧切換用のス
パッタ電源切換装置伯を介してスパッタ電源加に接続さ
れている。
が内設され、スパッタ電極１１は、スパッタ電源加に接
続されている。また、スパッタリング室１０には、基板
間を配置可能な大きさの開口部な有する防着シールド板
νがスパッタ電極１１と対向して内股されている。更に
スパッタリング室１０には、スパッタ電極１１と防着シ
ールド放校とを遮断可能ｌ又 にシャック１３が内炉されている。基板間以外のターゲ
ット粒子が付着する部分は、この場合、防着シールド板
１２であり、防着シールド板犯は、正負電圧切換用のス
パッタ電源切換装置伯を介してスパッタ電源加に接続さ
れている。
図面で、スパッタ電極１１の防着シールド板１２と対向
する面には、ターゲット印が設けられ、スパッタリング
室１０には、基板（９）が搬入されて防着シールド板犯
の開口部に設置される。基板間は、スパッタ電源加に接
続されている。その後、スパッタリング室１０は減圧排
気され、不活性ガスが所定流量で導入されつつ所定の処
理圧力に調節、維持される。こｑ状態でスパッタ電源加
を投入し、シャッタ１３を退避させれば、ターゲット５
０から放出されたターゲット粒子は基板（資）に付着し
、これＣより、基板（９）には、膜が形成される。これ
と同時に、防着シールド板しにもターゲット粒子が付着
する。防着シールド板鴛に付着したターゲット粒子は、
このまま装置すれば異物となり基板間を汚へ 染するようになる。そこで、膜形巷後の基板間をスパッ
タリング室ｌＯ外へ取り出し、スパッタ電極１１と防着
シールド板１２とをシャッタ１３で遮断した後に、スパ
ッタ電源切換装置物により防着シールド板じを負電圧に
して放電を行う。これにより、防着シールド放校に付着
しているターゲット粒子は、逆スパツタ効果を利用して
防着シールド板ｎより除去される。なお、このターゲッ
ト粒子は、シャック１３に付着し、シャッタ１３はスパ
ッタリング室ｌＯ外に取り出されて随時清掃される。
する面には、ターゲット印が設けられ、スパッタリング
室１０には、基板（９）が搬入されて防着シールド板犯
の開口部に設置される。基板間は、スパッタ電源加に接
続されている。その後、スパッタリング室１０は減圧排
気され、不活性ガスが所定流量で導入されつつ所定の処
理圧力に調節、維持される。こｑ状態でスパッタ電源加
を投入し、シャッタ１３を退避させれば、ターゲット５
０から放出されたターゲット粒子は基板（資）に付着し
、これＣより、基板（９）には、膜が形成される。これ
と同時に、防着シールド板しにもターゲット粒子が付着
する。防着シールド板鴛に付着したターゲット粒子は、
このまま装置すれば異物となり基板間を汚へ 染するようになる。そこで、膜形巷後の基板間をスパッ
タリング室ｌＯ外へ取り出し、スパッタ電極１１と防着
シールド板１２とをシャッタ１３で遮断した後に、スパ
ッタ電源切換装置物により防着シールド板じを負電圧に
して放電を行う。これにより、防着シールド放校に付着
しているターゲット粒子は、逆スパツタ効果を利用して
防着シールド板ｎより除去される。なお、このターゲッ
ト粒子は、シャック１３に付着し、シャッタ１３はスパ
ッタリング室ｌＯ外に取り出されて随時清掃される。
本実施例のようなスパッタ装置では、防着シールド板に
付着したターゲット粒子を除去できるので、基板の汚染
を防止できる。
付着したターゲット粒子を除去できるので、基板の汚染
を防止できる。
なお、本実施例では、基板以外のターゲット粒子が付着
する部分は防着シールド板であるが、その他に、防着シ
ールド板がなくスパッタリング室の内壁にターゲット粒
子が付着する場合は、スパッタリング室にスパッタ電源
をスパッタ電源切換装置を介して接続すれば良い。
する部分は防着シールド板であるが、その他に、防着シ
ールド板がなくスパッタリング室の内壁にターゲット粒
子が付着する場合は、スパッタリング室にスパッタ電源
をスパッタ電源切換装置を介して接続すれば良い。
本発明は、以上説明したように、基板以外のターゲット
から放出されたターゲット粒子が付着する部分を、スパ
ッタ電極と基板とに接続されたスパッタ電源に正負電圧
切換用のスパッタ電源切換装置を介して接続したことで
、基板以外の部分に付着したターゲット粒子を逆スパツ
タ効果を利用して除去できるので、基板の汚染を防止で
きるという効果がある。
から放出されたターゲット粒子が付着する部分を、スパ
ッタ電極と基板とに接続されたスパッタ電源に正負電圧
切換用のスパッタ電源切換装置を介して接続したことで
、基板以外の部分に付着したターゲット粒子を逆スパツ
タ効果を利用して除去できるので、基板の汚染を防止で
きるという効果がある。
図面は、本発明にょるスパッタ装置の一実施例を示す構
成図である。
成図である。
Claims (1)
- １ スパッタ電源が接続されたスパック電極に設けられ
たターゲットからターゲット粒子を放出させ、該ターゲ
ット粒子を前記スパッタ電源に接続された基板に付着さ
せて膜を形成する装置において、前記基板以外の前記タ
ーゲット粒子が付着する部分を前記スパッタ電源に正負
電圧切換用のスパッタ電源切換装置を介して接続したこ
とを特徴とするスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10260184A JPS60248876A (ja) | 1984-05-23 | 1984-05-23 | スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10260184A JPS60248876A (ja) | 1984-05-23 | 1984-05-23 | スパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60248876A true JPS60248876A (ja) | 1985-12-09 |
Family
ID=14331752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10260184A Pending JPS60248876A (ja) | 1984-05-23 | 1984-05-23 | スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60248876A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5202008A (en) * | 1990-03-02 | 1993-04-13 | Applied Materials, Inc. | Method for preparing a shield to reduce particles in a physical vapor deposition chamber |
| US5294320A (en) * | 1990-02-09 | 1994-03-15 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for cleaning a shield in a physical vapor deposition chamber |
| US5362372A (en) * | 1993-06-11 | 1994-11-08 | Applied Materials, Inc. | Self cleaning collimator |
| US5391275A (en) * | 1990-03-02 | 1995-02-21 | Applied Materials, Inc. | Method for preparing a shield to reduce particles in a physical vapor deposition chamber |
| US5403459A (en) * | 1993-05-17 | 1995-04-04 | Applied Materials, Inc. | Cleaning of a PVD chamber containing a collimator |
| US5409587A (en) * | 1993-09-16 | 1995-04-25 | Micron Technology, Inc. | Sputtering with collinator cleaning within the sputtering chamber |
-
1984
- 1984-05-23 JP JP10260184A patent/JPS60248876A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5294320A (en) * | 1990-02-09 | 1994-03-15 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for cleaning a shield in a physical vapor deposition chamber |
| US5202008A (en) * | 1990-03-02 | 1993-04-13 | Applied Materials, Inc. | Method for preparing a shield to reduce particles in a physical vapor deposition chamber |
| US5391275A (en) * | 1990-03-02 | 1995-02-21 | Applied Materials, Inc. | Method for preparing a shield to reduce particles in a physical vapor deposition chamber |
| US5403459A (en) * | 1993-05-17 | 1995-04-04 | Applied Materials, Inc. | Cleaning of a PVD chamber containing a collimator |
| US5362372A (en) * | 1993-06-11 | 1994-11-08 | Applied Materials, Inc. | Self cleaning collimator |
| US5409587A (en) * | 1993-09-16 | 1995-04-25 | Micron Technology, Inc. | Sputtering with collinator cleaning within the sputtering chamber |
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