JPH0715046A - 射出成形プリント基板 - Google Patents

射出成形プリント基板

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JPH0715046A
JPH0715046A JP5154875A JP15487593A JPH0715046A JP H0715046 A JPH0715046 A JP H0715046A JP 5154875 A JP5154875 A JP 5154875A JP 15487593 A JP15487593 A JP 15487593A JP H0715046 A JPH0715046 A JP H0715046A
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智広 井上
Shigenari Takami
茂成 高見
Takeshi Kasahara
健 笠原
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Matsushita Electric Works Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
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    • H10H20/857Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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  • Led Device Packages (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ダイボンディング時のダイボンドペーストの
流れ出しによるワイヤボンディング不良を防止すると共
に、輝度アップを図る。 【構成】 射出成形プリント基板21の表面に、LED
実装用凹部22と、そのLED実装用凹部22の底面に
形成されたダイボンド用凹部23と、前記射出成形プリ
ント基板21の表面から前記LED実装用凹部22の底
面に配設されたボンディングワイヤ接合用導体パターン
26と、前記射出成形プリント基板21の表面から前記
ダイボンド用凹部23の底面に配設されたダイボンド用
導体パターン25を形成した。 【効果】 ダイボンドペーストの流れ出しによるワイヤ
ボンディング不良が防止できると共に、輝度アップを図
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、射出成形プリント基板
に関するもので、特に、LEDチップの実装構造に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】射出成形プリント基板は射出成形による
成形部品上に導体パターンを形成したもので、プリント
基板が不要となるため、機器の小型化、部品点数及び組
立工程の削減が図れるという特徴を有するものである。
射出成形プリント基板の本体は射出成形により形成さ
れ、基板上に凹凸形状を容易に形成することができるた
め、LEDを実装する場合は、射出成形プリント基板上
に凹部を形成して実装する方法が多く用いられている。
ここでは、射出成形プリント基板にかぎらず、一般に、
基板上に凹部を形成してLEDを実装した従来例につい
て説明する。
【0003】図2は、絶縁基板上に凹部を形成した従来
例(実公昭51-11340)を示すもので、1は略直方体状の
絶縁基板、1aは平面視略長方形状の凹部、2,3はL
EDチップと外部回路を接続する金属層、4はLEDチ
ップ(発光素子ペレット)、5はボンディングワイヤ、
6は透明樹脂、7,8は外部端子である。凹部1aの内
面のうち、金属層2,3が形成されている面は、LED
チップ4から放出された光が、絶縁基板1の表面に対し
て略垂直方向に反射されるように、その形状が考慮され
ている。金属層2,3は、絶縁基板1の表面から凹部1
aの平坦な底面にまで延設されており、金属層2はLE
Dチップ4の底部に接続されていると共に、金属層3は
ボンディングワイヤ5を介してLEDチップ4の上面に
接続されている。略倒立L字状の外部端子7,8は、そ
れぞれ絶縁基板1上の金属層2,3の上面に接合されて
いる。また、凹部1aは、LEDチップ4を実装した
後、透明樹脂6で満たされ封止される。
【0004】次に、図3に基づいて異なる実装例(特公
昭57-11510)について説明する。図3に示す例は、単結
晶基板9上で絶縁物10によって領域分離された分離領
域11にLEDチップ実装用の穴12を形成し、その穴
12の表面に反射膜13を積層した後、LEDチップ1
4をダイボンドペースト15を介して穴12の底部に実
装したものである。この例で、LEDチップ14は、反
射膜13及び分離領域11を介して単結晶基板9表面に
形成された金属配線16と接続されていると共に、ボン
ディングワイヤ17によって単結晶基板9表面の絶縁膜
18上に形成された金属配線19と接続されている。ボ
ンディングワイヤ17とLEDチップ14はパッド20
を介して接続されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】図2に示した従来例で
は、LEDチップ4が接合される金属層2のダイパッド
部2aと、ボンディングワイヤ5が接合される金属層3
のパッド部3aが略同一高さに形成されているため、L
EDチップ4をAgペースト等のダイボンドペーストを介
してダイボンディングする際、ダイボンドペーストが流
れてパッド部3aに付着し、ワイヤボンディングできな
くなることがあった。また、ダイパッド部2aとパッド
部3aを凹部1a内に配置しているため凹部1aが大き
くなり、LEDチップ4から放出された光は分散されて
輝度が低下してしまうという問題点もあった。
【0006】図3に示した例では、ボンディングワイヤ
17が接合される金属配線19のパッド部19aが単結
晶基板9の絶縁膜18上に形成されており、ボンディン
グワイヤ17を樹脂封止する場合、単結晶基板9上に封
止樹脂を盛り上げることになる。このため、封止樹脂が
流れて他の部分に付着したり、封止が不完全になる可能
性があった。
【0007】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、その目的とするところは、Agペースト等のダイボン
ドペーストの流れ出しによるワイヤボンディング不良が
防止できると共に、輝度アップが図れる射出成形プリン
ト基板の構造を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本願発明の射出成形プリント基板は、射出成形プリ
ント基板の表面に形成されたLED実装用凹部と、その
LED実装用凹部の底面に形成されたダイボンド用凹部
と、前記射出成形プリント基板の表面から前記LED実
装用凹部の底面に配設されたボンディングワイヤ接合用
導体パターンと、前記射出成形プリント基板の表面から
前記ダイボンド用凹部の底面に配設されたダイボンド用
導体パターンを具備したことを特徴とするものである。
【0009】
【作用】図1に示すように、本願発明に係る射出成形プ
リント基板21では、LED実装用凹部22内にボンデ
ィングワイヤ接合用導体パターン26のパッド部26a
が形成されていると共に、LED実装用凹部22の底面
に形成されたダイボンド用凹部23内にダイボンド用導
体パターン25のダイパッド部25aが形成されている
ため、Agペースト等のダイボンドペーストがLED実装
用凹部22の底面に形成されたボンディングワイヤ接合
用のパッド部26aに付着することがないため、ダイボ
ンドペーストの付着によるワイヤボンディング不良は発
生しない。
【0010】
【実施例】本願発明に係る射出成形プリント基板を使用
してLEDチップを実装した一実施例を図1に示す。
(a)はLED実装用凹部の構造を示す斜視図、(b)
はその断面図である。図において、21は液晶ポリマー
等の高耐熱性樹脂製の射出成形プリント基板、22は略
倒立円錐状のLED実装用凹部、23は略倒立円錐状の
ダイボンド用凹部、23aはダイボンド用凹部23の内
面、24はLEDチップ、25はダイボンド用導体パタ
ーン、26はボンディングワイヤ接合用導体パターン、
25aはダイボンド用導体パターン25の端部に形成さ
れたダイパッド部、26aはボンディングワイヤ接合用
導体パターン26の端部に形成されたパッド部、27は
ボンディングワイヤ、28は透明なエポキシ樹脂等の封
止樹脂である。
【0011】図1に示すように、射出成形プリント基板
21上に形成された倒立円錐台状のLED実装用凹部2
2の底面に、さらに倒立円錐台状のダイボンド用凹部2
3が形成されている。ダイボンド用導体パターン25は
射出成形プリント基板21の表面からダイボンド用凹部
23の底面にまで延設されており、その端部にはダイパ
ッド部25aが形成されている。一方、ボンディングワ
イヤ接合用導体パターン26は、射出成形プリント基板
21の表面からLED実装用凹部22の底面にまで延設
されており、その端部にはパッド部26aが形成されて
いる。
【0012】上記構成の射出成形プリント基板21に対
し、LEDチップ24は、ダイボンド用凹部23の底面
に形成されたダイパッド部25a上にAgペースト等のダ
イボンドペーストを介して接合された後、ボンディング
ワイヤ27を介してLED実装用凹部22の底面に形成
されたパッド部26aに接続される。この時、ボンディ
ングワイヤ27がLED実装用凹部22内に収まるよう
にボンディングを行えば、樹脂封止する場合も封止樹脂
28がLED実装用凹部22から流出することがない。
【0013】また、パッド部26aの形成位置に比べ、
ダイパッド部25aの形成位置が低いため、LEDチッ
プ24のダイボンド時、Agペースト等のダイボンドペー
ストがLED実装用凹部22の底面に形成されたパッド
部26aに付着することを防止することができる。さら
に、ダイボンド用凹部23は、その内部にLEDチップ
24が実装できればよいので、そのサイズを小さくする
ことができるため、LEDチップ24の近傍に、LED
放出光の反射面として、ダイボンド用凹部23の内面2
3aを配置することができる。これにより、LEDチッ
プ24の放出光を広い範囲に拡散させずにLEDチップ
24の上方に反射させることができ、輝度をアップさせ
ることができる。
【0014】なお、LED実装用凹部22やダイボンド
用凹部23及び導体パターンの形状は実施例に限定され
ない。
【0015】
【発明の効果】以上のように、本願発明の射出成形プリ
ント基板を用いてLEDチップを実装すれば、Agペース
ト等のダイボンドペーストの流れ出しによるワイヤボン
ディング不良が防止できると共に、輝度アップを図るこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本願発明に係る射出成形プリント基板の一実施
例を示す構造図で、(a)は斜視図、(b)は断面図で
ある。
【図2】従来のLED実装方法の一例を示す断面図であ
る。
【図3】従来のLED実装方法の異なる例を示す断面図
である。
【符号の説明】
1 絶縁基板 1a 凹部 2,3 金属層 2a ダイパッド部 3a パッド部 4 LEDチップ 5 ボンディングワイヤ 6 透明樹脂 7,8 外部端子 9 単結晶基板 10 絶縁物 11 分離領域 12 穴 13 反射膜 14 LEDチップ 15 ダイボンドペースト 16 金属配線 17 ボンディングワイヤ 18 絶縁膜 19 金属配線 19a パッド部 20 パッド 21 射出成形プリント基板 22 LED実装用凹部 23 ダイボンド用凹部 23a 内面 24 LEDチップ 25 ダイボンド用導体パターン 25a ダイパッド部 26 ボンディングワイヤ接合用導体パター
ン 27 ボンディングワイヤ 28 封止樹脂

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 射出成形プリント基板の表面に形成され
    たLED実装用凹部と、そのLED実装用凹部の底面に
    形成されたダイボンド用凹部と、前記射出成形プリント
    基板の表面から前記LED実装用凹部の底面に配設され
    たボンディングワイヤ接合用導体パターンと、前記射出
    成形プリント基板の表面から前記ダイボンド用凹部の底
    面に配設されたダイボンド用導体パターンを具備したこ
    とを特徴とする射出成形プリント基板。
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