JPH0715212A - 非可逆回路素子 - Google Patents
非可逆回路素子Info
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- JPH0715212A JPH0715212A JP5156898A JP15689893A JPH0715212A JP H0715212 A JPH0715212 A JP H0715212A JP 5156898 A JP5156898 A JP 5156898A JP 15689893 A JP15689893 A JP 15689893A JP H0715212 A JPH0715212 A JP H0715212A
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- JP
- Japan
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- conductor
- substrate
- conductor pattern
- capacitor
- filter circuit
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- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 title abstract 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フィルタ回路を備えた小型の非可逆回路素子
を提供すること。 【構成】 アイソレータ回路を永久磁石2、磁性体3、
網状中心導体5及び基板6によって構成すると共に、ア
イソレータ回路に接続されたLCフィルタ回路を積層基
板7の各層に形成した導体パターンによって構成し、こ
れらを一体にしたアイソレータ素子を形成する。 【効果】 LCフィルタ回路を内蔵したアイソレータ素
子を小型に形成することができるので、アイソレータ素
子を用いる機器の小型化を図ることができる。
を提供すること。 【構成】 アイソレータ回路を永久磁石2、磁性体3、
網状中心導体5及び基板6によって構成すると共に、ア
イソレータ回路に接続されたLCフィルタ回路を積層基
板7の各層に形成した導体パターンによって構成し、こ
れらを一体にしたアイソレータ素子を形成する。 【効果】 LCフィルタ回路を内蔵したアイソレータ素
子を小型に形成することができるので、アイソレータ素
子を用いる機器の小型化を図ることができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、フィルタ回路を備えた
サーキュレータやアイソレータ等の非可逆回路素子に関
するものである。
サーキュレータやアイソレータ等の非可逆回路素子に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、サーキュレータやアイソレータ等
の非可逆回路素子は、予め定められた特定方向にのみ電
力を伝送し、逆方向には伝送しない特性を有している。
この特性を利用して、例えば、サーキュレータは送受分
波器やフィルタ回路と組み合わせた多周波分波器として
用いられ、またアイソレータは高周波回路内のインピー
ダンス整合、増幅器のトランジスタ保護等に使用されて
いる。
の非可逆回路素子は、予め定められた特定方向にのみ電
力を伝送し、逆方向には伝送しない特性を有している。
この特性を利用して、例えば、サーキュレータは送受分
波器やフィルタ回路と組み合わせた多周波分波器として
用いられ、またアイソレータは高周波回路内のインピー
ダンス整合、増幅器のトランジスタ保護等に使用されて
いる。
【0003】最近では、通信機器の小型化に伴い、MI
C基板の一部に穴を開けてマイクロ波フェライトを埋め
込む分布定数型と、マイクロ波フェライトの非可逆性に
あまり寄与しない円周部分をインダクタとコンデンサで
置き換えた集中定数型が、小型のアイソレータ及びサー
キュレータとして用いられている。
C基板の一部に穴を開けてマイクロ波フェライトを埋め
込む分布定数型と、マイクロ波フェライトの非可逆性に
あまり寄与しない円周部分をインダクタとコンデンサで
置き換えた集中定数型が、小型のアイソレータ及びサー
キュレータとして用いられている。
【0004】この分布定数型も集中定数型も基板上に回
路或いはインダクタンス、キャパシタンスを形成するこ
とに大きな特徴を有している。
路或いはインダクタンス、キャパシタンスを形成するこ
とに大きな特徴を有している。
【0005】さらに、サーキュレータ素子及びアイソレ
ータ素子を自動車電話、親子コードレス電話等の通信機
器に使用する場合には、これら非可逆回路素子の入出力
端子の双方或いは何れか一方にフィルター回路を接続し
て用いることが多い。
ータ素子を自動車電話、親子コードレス電話等の通信機
器に使用する場合には、これら非可逆回路素子の入出力
端子の双方或いは何れか一方にフィルター回路を接続し
て用いることが多い。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】前述したMIC基板上
に形成される分布定数型サーキュレータ或いはアイソレ
ータは、その入出力部にマイクロストリップラインで形
成される分布定数型LCフィルタを組み合わせて一体化
できるが、集中定数型サーキュレータ或いはアイソレー
タでは、それ自体が1つのパッケージ内に収納されてい
るので、ローパスフィルタ(LPF)等のフィルタ回路
を入出力部に接続する際には、この外部にフィルタ回路
を形成しなければならず、通信機器等の小型化を図る上
で障害となっている。
に形成される分布定数型サーキュレータ或いはアイソレ
ータは、その入出力部にマイクロストリップラインで形
成される分布定数型LCフィルタを組み合わせて一体化
できるが、集中定数型サーキュレータ或いはアイソレー
タでは、それ自体が1つのパッケージ内に収納されてい
るので、ローパスフィルタ(LPF)等のフィルタ回路
を入出力部に接続する際には、この外部にフィルタ回路
を形成しなければならず、通信機器等の小型化を図る上
で障害となっている。
【0007】本発明の目的は上記の問題点に鑑み、フィ
ルタ回路を備えた小型の非可逆回路素子を提供すること
にある。
ルタ回路を備えた小型の非可逆回路素子を提供すること
にある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために、互いに一端が接続され120度で交差す
る3つの中心導体と、該中心導体に対面する磁性体と、
前記各中心導体の他端に接続されたコンデンサと、前記
磁性体を挿入配置する穴が形成された基板とを備えた非
可逆回路素子において、前記基板を積層基板によって構
成し、前記中心導体の入出力側の少なくとも一方の側
に、前記中心導体に接続されたフィルタ回路を設けると
共に、前記コンデンサ並びに前記フィルタ回路を構成す
るコンデンサ及びインダクタを前記積層基板の各層に設
けられた印刷導体によって形成した非可逆回路素子を提
案する。
成するために、互いに一端が接続され120度で交差す
る3つの中心導体と、該中心導体に対面する磁性体と、
前記各中心導体の他端に接続されたコンデンサと、前記
磁性体を挿入配置する穴が形成された基板とを備えた非
可逆回路素子において、前記基板を積層基板によって構
成し、前記中心導体の入出力側の少なくとも一方の側
に、前記中心導体に接続されたフィルタ回路を設けると
共に、前記コンデンサ並びに前記フィルタ回路を構成す
るコンデンサ及びインダクタを前記積層基板の各層に設
けられた印刷導体によって形成した非可逆回路素子を提
案する。
【0009】
【作用】本発明によれば、磁性体を挿入配置する穴が形
成された基板が積層基板によって形成されると共に、前
記中心導体の入出力側の少なくとも一方の側に、中心導
体に接続されたフィルタ回路が設けられる。さらに、前
記3つの中心導体のそれぞれの他端に接続されるコンデ
ンサ、並びに前記フィルタ回路を構成するコンデンサ及
びインダクタが、前記積層基板の各層に設けられた印刷
導体によって形成される。
成された基板が積層基板によって形成されると共に、前
記中心導体の入出力側の少なくとも一方の側に、中心導
体に接続されたフィルタ回路が設けられる。さらに、前
記3つの中心導体のそれぞれの他端に接続されるコンデ
ンサ、並びに前記フィルタ回路を構成するコンデンサ及
びインダクタが、前記積層基板の各層に設けられた印刷
導体によって形成される。
【0010】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の一実施例を説
明する。図1は本発明の第1の実施例のアイソレータ素
子を示す構成図、図2はその回路図である。図1におい
て、1a、1bは金属ケース、2は永久磁石、3は磁性
体、4a,4bは絶縁フィルム、5は網状中心導体、6
はコンデンサ形成用の基板、7はLCフィルタ形成用の
積層基板である。
明する。図1は本発明の第1の実施例のアイソレータ素
子を示す構成図、図2はその回路図である。図1におい
て、1a、1bは金属ケース、2は永久磁石、3は磁性
体、4a,4bは絶縁フィルム、5は網状中心導体、6
はコンデンサ形成用の基板、7はLCフィルタ形成用の
積層基板である。
【0011】永久磁石2は円盤形状を有し、また磁性体
3は永久磁石2とほぼ同じ面積を有する円盤形状を有し
ている。
3は永久磁石2とほぼ同じ面積を有する円盤形状を有し
ている。
【0012】網状中心導体5は、円形のシールド板51
と、シールド板51から放射状に延びる3つの中心導体
52〜54から構成され、中心導体52〜54は互いに
120度の角度で交差するように形成されている。
と、シールド板51から放射状に延びる3つの中心導体
52〜54から構成され、中心導体52〜54は互いに
120度の角度で交差するように形成されている。
【0013】さらに、図3に示すように、網状中心導体
5のシールド板51上に磁性体3を配置し、中心導体5
2〜54を折り曲げて磁性体3を包むことにより中心導
体部が構成される。この際、各中心導体52〜54の間
には絶縁シート4a,4bが配置されて絶縁される。こ
れらの中心導体52〜54によって図2に示すインダク
タLa,Lb,Lcが形成される。
5のシールド板51上に磁性体3を配置し、中心導体5
2〜54を折り曲げて磁性体3を包むことにより中心導
体部が構成される。この際、各中心導体52〜54の間
には絶縁シート4a,4bが配置されて絶縁される。こ
れらの中心導体52〜54によって図2に示すインダク
タLa,Lb,Lcが形成される。
【0014】基板6は、所定の厚さを有するアルミナ基
板或いは誘電体基板からなり、その中央部には所定面積
の円形の開口部6aが形成されている。また、基板6の
表面にはコンデンサCa,Cb,Ccの電極を形成する
導体パターン61,62,63及び接地用の導体パター
ン64が印刷形成されると共に、導体パターン63と導
体パターン64との間にはこれらに接続された抵抗体6
5が印刷形成されている。この抵抗体65により終端抵
抗Rが構成され、その抵抗値は例えば50オームに設定
されている。さらに、導体パターン61,62,64の
所定位置にはスルーホール61a,62a,64aが形
成されている。
板或いは誘電体基板からなり、その中央部には所定面積
の円形の開口部6aが形成されている。また、基板6の
表面にはコンデンサCa,Cb,Ccの電極を形成する
導体パターン61,62,63及び接地用の導体パター
ン64が印刷形成されると共に、導体パターン63と導
体パターン64との間にはこれらに接続された抵抗体6
5が印刷形成されている。この抵抗体65により終端抵
抗Rが構成され、その抵抗値は例えば50オームに設定
されている。さらに、導体パターン61,62,64の
所定位置にはスルーホール61a,62a,64aが形
成されている。
【0015】積層基板7はセラミック誘電体からなり、
第1乃至第7の7つの層71〜77を有し、その各層7
1〜77にはLCフィルタを構成するコンデンサC1及
びインダクタL1,L2を形成する導体パターンが印刷
形成されている。即ち、図4に示すように第1層71の
上面には、前記スルーホール61a,62aに対応した
領域を除くほぼ全面に接地用の導体パターン711 が形成
され、スルーホール61a,62aに対応した位置には
スルーホール71a,71bが形成されている。また、
導体パターン711 の周縁の所定部分が積層基板7の周面
に形成された外部導体7aに導電接続されている。
第1乃至第7の7つの層71〜77を有し、その各層7
1〜77にはLCフィルタを構成するコンデンサC1及
びインダクタL1,L2を形成する導体パターンが印刷
形成されている。即ち、図4に示すように第1層71の
上面には、前記スルーホール61a,62aに対応した
領域を除くほぼ全面に接地用の導体パターン711 が形成
され、スルーホール61a,62aに対応した位置には
スルーホール71a,71bが形成されている。また、
導体パターン711 の周縁の所定部分が積層基板7の周面
に形成された外部導体7aに導電接続されている。
【0016】第2層72の上面には、前記スルーホール
71a,71bに対応した領域を除くほぼ全面にコンデ
ンサC1の電極となる導体パターン721 が形成され、ス
ルーホール71a,71bに対応した位置にはスルーホ
ール72a,72bが形成されている。
71a,71bに対応した領域を除くほぼ全面にコンデ
ンサC1の電極となる導体パターン721 が形成され、ス
ルーホール71a,71bに対応した位置にはスルーホ
ール72a,72bが形成されている。
【0017】第3層73には、前記スルーホール72
a,72bに対応した位置にスルーホール73a,73
bが形成されている。
a,72bに対応した位置にスルーホール73a,73
bが形成されている。
【0018】第4層74の上面には、インダクタL1,
L2を形成する略Y字形状の導体パターン741 が形成さ
れ、その中央端部741aは積層基板7の周面に形成された
外部導体7bに導電接続されている。また、導体パター
ン741 の両端部にはそれぞれスルーホール741b,741c が
形成されている。さらに、前記スルーホール73a,7
3bに対応した位置にスルーホール74a,74bが形
成されている。
L2を形成する略Y字形状の導体パターン741 が形成さ
れ、その中央端部741aは積層基板7の周面に形成された
外部導体7bに導電接続されている。また、導体パター
ン741 の両端部にはそれぞれスルーホール741b,741c が
形成されている。さらに、前記スルーホール73a,7
3bに対応した位置にスルーホール74a,74bが形
成されている。
【0019】第5層の上面には、インダクタL1,L2
を形成する略L字形状の導体パターン751,752 が形成さ
れ、それぞれの一端751a,752a はスルーホール741b,741
c に接続され、他端にはスルーホール751b,752b が形成
されている。さらに、前記スルーホール74a,74b
に対応した位置にスルーホール75a,75bが形成さ
れている。
を形成する略L字形状の導体パターン751,752 が形成さ
れ、それぞれの一端751a,752a はスルーホール741b,741
c に接続され、他端にはスルーホール751b,752b が形成
されている。さらに、前記スルーホール74a,74b
に対応した位置にスルーホール75a,75bが形成さ
れている。
【0020】第6層の上面には、積層基板7の周面に形
成された外部電極7cに導電接続されている導体パター
ン761 、インダクタL1を形成する導体パターン762 、
及びコンデンサCaの一部を形成する導体パターン763
が形成されている。また、導体パターン762 は、積層基
板7の周面に形成された外部電極7dに導電接続され、
導体パターン761 はスルーホール75aに、また導体パ
ターン763 はスルーホール75bにそれぞれ導電接続さ
れている。
成された外部電極7cに導電接続されている導体パター
ン761 、インダクタL1を形成する導体パターン762 、
及びコンデンサCaの一部を形成する導体パターン763
が形成されている。また、導体パターン762 は、積層基
板7の周面に形成された外部電極7dに導電接続され、
導体パターン761 はスルーホール75aに、また導体パ
ターン763 はスルーホール75bにそれぞれ導電接続さ
れている。
【0021】第7層77の下面には、外部電極7c,7
dの近辺を除く所定領域に外部導体7aによって接地用
導体パターン711 に接続された接地用の導体パターン77
1 が形成されている。
dの近辺を除く所定領域に外部導体7aによって接地用
導体パターン711 に接続された接地用の導体パターン77
1 が形成されている。
【0022】この組立において、積層基板7の上面に基
板6が重ねられて1つの積層基板が形成される。この
際、スルーホール64aを介して導体パターン64は接
地用の導体パターン711 に接続される。さらに、コンデ
ンサCcの電極となる導体パターン61はスルーホール
61a,71a,72a,73a,74a,75aを介
して導体パターン761 及び外部電極7cに接続され、コ
ンデンサCaの電極となる導体パターン62はスルーホ
ール62a,71b,72b,73b,74b,75b
を介して導体パターン763 に接続される。
板6が重ねられて1つの積層基板が形成される。この
際、スルーホール64aを介して導体パターン64は接
地用の導体パターン711 に接続される。さらに、コンデ
ンサCcの電極となる導体パターン61はスルーホール
61a,71a,72a,73a,74a,75aを介
して導体パターン761 及び外部電極7cに接続され、コ
ンデンサCaの電極となる導体パターン62はスルーホ
ール62a,71b,72b,73b,74b,75b
を介して導体パターン763 に接続される。
【0023】また、磁性体3を包んだ網状中心導体5
は、基板6の開口部6aに挿入配置され、中心導体52
〜54の端部は基板6上のコンデンサ電極となる導体パ
ターン61〜63に接続される。この際、網状中心導体
5のシールド板51は接地用の導体パターン711 に導電
接触される。
は、基板6の開口部6aに挿入配置され、中心導体52
〜54の端部は基板6上のコンデンサ電極となる導体パ
ターン61〜63に接続される。この際、網状中心導体
5のシールド板51は接地用の導体パターン711 に導電
接触される。
【0024】さらに、中心導体52〜54の上に永久磁
石2が重ねられ、これらの全ては金属ケース1a,1b
に収納される。
石2が重ねられ、これらの全ては金属ケース1a,1b
に収納される。
【0025】前述の構成によれば、アイソレータ素子の
中にLCフィルタ回路を一体化したので、従来、アイソ
レータ素子の外部に形成していたフィルタ回路を省略す
ることができ、アイソレータ素子を使用する通信機器等
の小型化を図ることができる。
中にLCフィルタ回路を一体化したので、従来、アイソ
レータ素子の外部に形成していたフィルタ回路を省略す
ることができ、アイソレータ素子を使用する通信機器等
の小型化を図ることができる。
【0026】次に、本発明の第2の実施例を説明する。
図5は第2の実施例のアイソレータ素子を示す構成図、
図6は第2の実施例における積層基板7Aを示す構成図
である。図において、前述した第1の実施例と同一構成
部分は同一符号をもって表しその説明を省略する。ま
た、第1の実施例と第2の実施例との相違点は、第1の
実施例における積層基板7に代えて積層基板7Aを用
い、外部回路との接続に直接関係しない外部導体7a,
7bを除去したことにある。
図5は第2の実施例のアイソレータ素子を示す構成図、
図6は第2の実施例における積層基板7Aを示す構成図
である。図において、前述した第1の実施例と同一構成
部分は同一符号をもって表しその説明を省略する。ま
た、第1の実施例と第2の実施例との相違点は、第1の
実施例における積層基板7に代えて積層基板7Aを用
い、外部回路との接続に直接関係しない外部導体7a,
7bを除去したことにある。
【0027】即ち、積層基板7Aの第2層72に形成さ
れている導体パターン721 は、第2層72に形成された
スルーホール72c及び第3層73に形成されたスルー
ホール73cを介して第4層74の導体パターン741 の
中央端部741aに接続されている。さらに、第1層71の
接地用導体パターン711 は、第1層71乃至第7層77
に形成されたスルーホール71c,72d,73d,7
4c,75c,76c,77aによって第7層77の下
面に形成された接地用導体パターン771 に接続されてい
る。
れている導体パターン721 は、第2層72に形成された
スルーホール72c及び第3層73に形成されたスルー
ホール73cを介して第4層74の導体パターン741 の
中央端部741aに接続されている。さらに、第1層71の
接地用導体パターン711 は、第1層71乃至第7層77
に形成されたスルーホール71c,72d,73d,7
4c,75c,76c,77aによって第7層77の下
面に形成された接地用導体パターン771 に接続されてい
る。
【0028】尚、本実施例では非可逆回路素子としてア
イソレータ素子を構成したが、これに限定されることは
ない。例えば、本実施例における抵抗体65を除去する
ことにより容易にサーキュレータ素子を構成することが
でき、同様の効果を得ることができる。
イソレータ素子を構成したが、これに限定されることは
ない。例えば、本実施例における抵抗体65を除去する
ことにより容易にサーキュレータ素子を構成することが
でき、同様の効果を得ることができる。
【0029】また、本実施例の構成は一例であり、これ
に限定されることはない。
に限定されることはない。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、中
心導体の入出力側の少なくとも一方の側にフィルタ回路
が設けられ、該フィルタ回路を構成するコンデンサ及び
インダクタ、並びに3つの中心導体のそれぞれの他端に
接続されるコンデンサが、積層基板の各層に設けられた
印刷導体によって形成されるので、フィルタ回路を内蔵
した非可逆回路素子を小型に形成することができ、該非
可逆回路素子を用いる機器の小型化を図ることができ
る。
心導体の入出力側の少なくとも一方の側にフィルタ回路
が設けられ、該フィルタ回路を構成するコンデンサ及び
インダクタ、並びに3つの中心導体のそれぞれの他端に
接続されるコンデンサが、積層基板の各層に設けられた
印刷導体によって形成されるので、フィルタ回路を内蔵
した非可逆回路素子を小型に形成することができ、該非
可逆回路素子を用いる機器の小型化を図ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例のアイソレータ素子を示
す構成図
す構成図
【図2】第1の実施例のアイソレータ素子を示す回路図
【図3】第1の実施例における中心導体と磁性体の包囲
構成を示す図
構成を示す図
【図4】第1の実施例における積層基板を示す構成図
【図5】第2の実施例のアイソレータ素子を示す構成図
【図6】第2の実施例における積層基板を示す構成図
1a,1b…金属ケース、2…永久磁石、3…磁性体、
4a,4b…絶縁フィルム、5…網状中心導体、51…
シールド板、52〜54…中心導体、6…基板、61〜
63…導体パターン(コンデンサ用電極)、64…接地
用導体パターン、65…抵抗体、7,7A…積層基板、
711,771 …接地用導体パターン、721,763 …導体パター
ン(コンデンサ用電極)、741,751,752,762 …導体パタ
ーン(インダクタ形成用)、7a,7b…外部導体、7
c,7d…外部電極。
4a,4b…絶縁フィルム、5…網状中心導体、51…
シールド板、52〜54…中心導体、6…基板、61〜
63…導体パターン(コンデンサ用電極)、64…接地
用導体パターン、65…抵抗体、7,7A…積層基板、
711,771 …接地用導体パターン、721,763 …導体パター
ン(コンデンサ用電極)、741,751,752,762 …導体パタ
ーン(インダクタ形成用)、7a,7b…外部導体、7
c,7d…外部電極。
Claims (1)
- 【請求項1】 互いに一端が接続され120度で交差す
る3つの中心導体と、該中心導体に対面する磁性体と、
前記各中心導体の他端に接続されたコンデンサと、前記
磁性体を挿入配置する穴が形成された基板とを備えた非
可逆回路素子において、 前記基板を積層基板によって構成し、 前記中心導体の入出力側の少なくとも一方の側に、前記
中心導体に接続されたフィルタ回路を設けると共に、 前記コンデンサ並びに前記フィルタ回路を構成するコン
デンサ及びインダクタを前記積層基板の各層に設けられ
た印刷導体によって形成したことを特徴とする非可逆回
路素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5156898A JPH0715212A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 非可逆回路素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5156898A JPH0715212A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 非可逆回路素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0715212A true JPH0715212A (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=15637811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5156898A Withdrawn JPH0715212A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 非可逆回路素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0715212A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000059065A1 (fr) * | 1999-03-26 | 2000-10-05 | Hitachi Metals, Ltd. | Dispositif non reciproque constant et concentre |
| WO2001010047A1 (fr) * | 1999-07-29 | 2001-02-08 | Tdk Corporation | Isolateur a amplificateur de puissance integre |
-
1993
- 1993-06-28 JP JP5156898A patent/JPH0715212A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000059065A1 (fr) * | 1999-03-26 | 2000-10-05 | Hitachi Metals, Ltd. | Dispositif non reciproque constant et concentre |
| US6696901B1 (en) * | 1999-03-26 | 2004-02-24 | Hitachi Metals, Ltd. | Concentrated constant irreciprocal device |
| WO2001010047A1 (fr) * | 1999-07-29 | 2001-02-08 | Tdk Corporation | Isolateur a amplificateur de puissance integre |
| US6462628B2 (en) | 1999-07-29 | 2002-10-08 | Tdk Corporation | Isolator device with built-in power amplifier and embedded substrate capacitor |
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