JPH07153746A - ドライエッチング室のクリーニング方法 - Google Patents

ドライエッチング室のクリーニング方法

Info

Publication number
JPH07153746A
JPH07153746A JP5301373A JP30137393A JPH07153746A JP H07153746 A JPH07153746 A JP H07153746A JP 5301373 A JP5301373 A JP 5301373A JP 30137393 A JP30137393 A JP 30137393A JP H07153746 A JPH07153746 A JP H07153746A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
cleaning
chamber
etching chamber
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5301373A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2674488B2 (ja
Inventor
Hideaki Kawamoto
英明 川本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP5301373A priority Critical patent/JP2674488B2/ja
Priority to US08/351,074 priority patent/US5468686A/en
Priority to KR1019940032466A priority patent/KR0145645B1/ko
Publication of JPH07153746A publication Critical patent/JPH07153746A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2674488B2 publication Critical patent/JP2674488B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/71—Etching of wafers, substrates or parts of devices using masks for conductive or resistive materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/905—Cleaning of reaction chamber

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】エッチング室のクリーニング方法において、形
成されたアルミニウム配線に腐食を起すことなく極めて
短時間でエッチング室をクリーニングし装置のスループ
ットを向上を図る。 【構成】エッチング室２にアッシング室３が付設された
ドライエッチング装置を利用して、ウェーハの収納、ウ
ェーハ面のアルミニウム膜の選択的ドライエッチング、
酸素ガスを含む残存塩素を除去するエッチングガスによ
るエッチング室のクリーニングおよびレジストの灰化除
去処理の一連の作業を大気にウェーハ８を晒すことなく
連続的に一枚ずつ処理できるようにし、さらに灰化処理
時間内でエッチング処理および室内クリーニングを行な
うようにしている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板のアルミニ
ウム膜にパターンが施されたレジストを被着しドライエ
ッチングしてアルミニウム配線を形成するドライエッチ
ング装置におけるエッチング室のクリーニング方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、レジストをエッチングマスクとし
てアルミニウムあるいはアルミニウム合金膜をエッチグ
して配線を形成するドライエッチング装置は半導体基板
（以下単にウェーハと記す）を一枚ずつエッチング室に
収納し一枚ずつ処理するといった枚葉式のものが採用さ
れていた。しかしながら、このような枚様式のドライエ
ッチング装置では、連続的にウェーハを処理出来るもの
の、処理枚数に伴ないレジストを主成分とした反応生成
物がエッチング室内に付着し堆積することがある。この
エッチング室の内壁に堆積した付着物は再度蒸発し、エ
ッチング室の雰囲気および放電インピーダンスの変化な
どもたらし、エッチング度の再現性を著しく低下させる
も問題があった。
【０００３】例えば、エッチング終点検出装置を備えた
ドライエッチング装置では、エッチング時に発光し石英
窓を透過する光の透過度が付着物のために低下しエッチ
ング終点を検知できなくなるなどの問題を起す。
【０００４】通常、この対策としてエッチング室をクリ
ーニングすることで対処してきた。この枚様式のドライ
エッチング装置では、例えば、ウェーハを１００枚処理
毎にエッチング室に酸素ガスを導入し、このガスでプラ
ズマを発生さけエッチング室内をドライエッチングする
ことでクリーニングを行なっていた。また、このクリー
ニング時間の短縮することを目的として一枚ずつ処理す
る毎にクリーニングを行なう方法も採られていた。そし
て、この方法の場合は、ステージへのウエーハの固定方
法によってエッチング室にウェーハを入れたままあるい
はウエーハを取除いて行なう二つの場合があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した
従来の方法では、定期的にクリーニングする方法にして
も後者のように一枚ずつ処理する毎にクリーニングする
方法でも、トータル的にはクリーニングにかかる時間は
同じかむしろ後者の方法の方がかかることがある。この
ことは処理装置のスループットを低下させる問題とな
る。
【０００６】また、後者の方法でウェーハをエッチング
室に入れたまま、室内をドライエッチングする方法は、
たとえ、引続き行なうレジスト除去のためのプラズマア
ッシングでアルミニウムコロージョン防止処理を行なっ
ても、クリーニングガスとして酸素ガスのみを用いてい
る限り塩素が残存し、ウェーハを大気に戻した後、残存
の塩素と水分との結合し塩化アルミとなり腐食が起り配
線の信頼性を著しく低下させる問題がある。
【０００７】従って、本発明の目的は、形成されたアル
ミニウム配線に腐食を起すことなく極めて短時間でエッ
チング室をクリーニングし装置のスループットを向上す
ることのできるエッチング室のクリーニング方法を提供
することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、一枚の
半導体基板を収納しエッチング処理するエッチング室
と、このエッチング室にゲートバルブを介して付設され
る半導体基板を収納する少なくとも一つの予備室とを備
えるドライエッチング装置における前記エッチング室を
クリーニングするドライエッチング室のクリーニング方
法において、下地のアルミニウム膜の上にパターンが形
成されたレジスト膜が施された前記半導体基板の一枚を
ハロゲンガスを導入しプラズマエッチング処理する後
に、エッチング処理され前記レジストが被着した前記半
導体基板を前記エッチング室に残したまま前記ハロゲン
ガスを酸素ガスを含む残留塩素を除去するクリーニング
ガスに置換しプラズマ生成することにより前記エッチン
グ室内をドライエッチングしてクリーニングするドライ
エッチング室のクリーニング方法である。
【０００９】また、望ましくは、エッチング処理済みで
前記レジストが被着した前記半導体基板を前記予備室に
収納しプラズマアッシングし前記レジストを除去してい
る間に前記エッチング室をドライエッチングしてクリー
ニングすることである。
【００１０】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
【００１１】図１は本発明のエッチング室のクリーニン
グ方法の一実施例を説明するためのドライエッチング装
置の構成を示す図である。このエッチング室のクリーニ
ング方法に適用したドライエッチング装置は、図１に示
すように、エッチングガスを導入しプラズマを形成しウ
エーハ８をエッチングするエッチング室２と、ゲートバ
ルブ９を介して付設される試料導入室１と、エッチング
処理されたウエーハに被着されているレジストを除去す
るアッシング室３とを備えている。
【００１２】また、このドライエッチング装置は、試料
導入室１のステージ４に載置されたウエーハをゲートバ
ルブ９を開けてからエッチング室２に入れエッチング
し、エッチングしてからゲートバルブ１０を開きウエー
ハ８をアッシング室３に入れ、ここでＥＣＲプラズマア
ッシングして不要のレジストを除去するといった連続式
にウエーハを処理する枚様式のドライエッチング装置で
ある。
【００１３】次に、本発明のエッチング室のクリーニン
グ方法をエッチング動作を含めて説明する。まず、シリ
コンおよび銅を僅かに含むアルミニウム膜が施されこの
アルミニウム膜にパターンを形成したレジストが被着さ
れたウェーハを準備し、試料導入室１に収納する。次
に、ゲートバルブ９が閉じられた試料導入室を十分に排
気し所定の圧力に減圧する。
【００１４】次に、ゲートバルブ９を開きウエーハ８を
ステージ４からステージ５に移載しゲートバルブ９を閉
じエッチング室２に収納する。そして高真空に維持され
たエッチング室２にガス導入口よりＢｃｌ3 、Ｃｌ2 お
よびＮ2 の混合ガスを導入し、圧力を４０ｍＴｏｒｒに
維持し高周波電源１２により電極間に１３．５６ＭＨｚ
の高周波電力を印加する。このことによりプラズマを形
成され、発生するイオンでアルミニウム膜はレジストを
マスクとして選択的にエッチングされる。
【００１５】次に、エッチング終了後、真空排気を十分
行ないガス導入口よりクリーニングガスを導入し所定の
圧力に維持する。ここで、クリーニングガスは、エッチ
ング能力の高い酸素ガスと残存塩素によるアルミ腐食防
止のためのガスを混合する。例えば、アンモンニアガ
ス、エタノールガス、四フッ化炭素ガスなどが望ましい
特に、酸素ガスとアンモニアガスとの混合ガスであれば
酸素ガス３に対しアンモニアガス５の割合の混合ガスが
有効である。また、エターノールガスであれば、酸素６
に対しエターノールガスを１の割合が結果は良かった。
【００１６】このようにクリーニングガスを導入し、例
えば、高周波電力を１００Ｗを供給しプラズマを生成
し、ウエーハ８を含むステージ５および室内壁に付着す
る反応生成物をリアクティブエッチングすることにより
除去した。試みに１５秒間行なってみたところ、ウェー
ハ面には塩素が残存はなく内壁の汚れなどは初期の清掃
度を保つことができた。
【００１７】次に、ゲートバルブ１０を開き、ウェーハ
８をステージ５よりアッシング室３のステージ６に移載
し再びゲートバルブ１０を閉じる。このときエッチング
室２は高真空に排気され、ゲートバルブ９が開き、次の
ウェーハがエッチング室２に収納される。一方、アッシ
ング室３に収納されたウェーハは導入された酸素ガスの
１Ｔｏｒｒの圧力下で保たれた雰囲気に置かれ、絶縁板
７を介して導波管１３より導入される２．４５ＧＨｚの
マイクロ波のＥＣＲ現象によりプラズマを生成し、ウェ
ーハに被着されたレジストを灰化して除去する。
【００１８】このアッシング室３でレジスト灰化処理を
行なっている間、エッチング室１ではウェーハ８のエッ
チング処理とエッチング室２のクリーニングが行なわ
れ、試料導入室１では未処理のウェーハが高真空の雰囲
気で待機している。このようにウェーハ導入、エッチン
グ、クリーニングおよびアッシングという一連のサイク
ル作業がアッシングに要する時間内でできることから、
この一連の作業はアッシング作業時間に含まれ、エッチ
ング室のクリーニングに要する時間は全く必要としなか
った。その結果、スループットも１時間当りの処理枚数
は従来に比べ３枚から６枚多く処理することができた。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、エッチング室にア
ッシング室が付設されたドライエッチング装置を利用し
て、ウェーハ収納、ウェーハ面のアルミニウム膜の選択
的ドライエッチング、酸素ガスを含む残存塩素を除去す
るエッチングガスによるエッチング室のクリーニングお
よびレジストの灰化除去処理の一連の作業を大気にウェ
ーハを晒すことなく連続的に一枚ずつ処理できるように
し、さらに灰化処理時間内でエッチング処理および室内
クリーニングを行なうことによって、形成されたアルミ
ニウム配線に腐食を起すことなくエッチング室をクリー
ニングに要する時間を無くし装置のスループットの向上
を図ることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のエッチング室のクリーニング方法の一
実施例を説明するためのドライエッチング装置の構成を
示す図である。
【符号の説明】
１ 試料導入室 ２ エッチング室 ３ アッシング室 ４，５，６ ステージ ７ 絶縁板 ８ ウェーハ ９，１０ ゲートバルブ １２ 高周波電源 １３ 導波管

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一枚の半導体基板を収納しエッチング処
    理するエッチング室と、このエッチング室にゲートバル
    ブを介して付設される半導体基板を収納する少なとも一
    つの予備室とを備えるドライエッチング装置における前
    記エッチング室をクリーニングするドライエッチング室
    のクリーニング方法において、下地のアルミニウム膜の
    上にパターンが形成されたレジスト膜が施された前記半
    導体基板の一枚をハロゲンガスを導入しプラズマエッチ
    ング処理する後に、エッチング処理され前記レジストが
    被着した前記半導体基板を前記エッチング室に残したま
    ま前記ハロゲンガスを酸素ガスを含む残留塩素を除去す
    るクリーニングガスに置換しプラズマ生成することによ
    り前記エッチング室内をドライエッチングしてクリーニ
    ングすることを特徴とするドライエッチング室のクリー
    ニング方法。
  2. 【請求項２】 エッチング処理済みで前記レジストが被
    着した前記半導体基板を前記予備室に収納しプラズマア
    ッシングし前記レジストを除去している間に前記エッチ
    ング室をドライエッチングしてクリーニングすることを
    特徴とする請求項１記載のドライエッチング室のクリー
    ニング方法。
  3. 【請求項３】 前記クリーニングガスはアンモニアガス
    あるいはメタノールガスであることを特徴とする請求項
    １記載のエッチング室のクリーニング方法。
JP5301373A 1993-12-01 1993-12-01 ドライエッチング室のクリーニング方法 Expired - Fee Related JP2674488B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5301373A JP2674488B2 (ja) 1993-12-01 1993-12-01 ドライエッチング室のクリーニング方法
US08/351,074 US5468686A (en) 1993-12-01 1994-11-30 Method of cleaning an etching chamber of a dry etching system
KR1019940032466A KR0145645B1 (ko) 1993-12-01 1994-12-01 드라이에칭 장치의 에칭실을 클리닝하는 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5301373A JP2674488B2 (ja) 1993-12-01 1993-12-01 ドライエッチング室のクリーニング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07153746A true JPH07153746A (ja) 1995-06-16
JP2674488B2 JP2674488B2 (ja) 1997-11-12

Family

ID=17896096

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5301373A Expired - Fee Related JP2674488B2 (ja) 1993-12-01 1993-12-01 ドライエッチング室のクリーニング方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5468686A (ja)
JP (1) JP2674488B2 (ja)
KR (1) KR0145645B1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100308129B1 (ko) * 1999-09-27 2001-11-02 김영환 무선주파수용 매칭 장치

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5817534A (en) * 1995-12-04 1998-10-06 Applied Materials, Inc. RF plasma reactor with cleaning electrode for cleaning during processing of semiconductor wafers
US5785875A (en) * 1996-02-13 1998-07-28 Micron Technology, Inc. Photoresist removal process using heated solvent vapor
US5776832A (en) * 1996-07-17 1998-07-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Anti-corrosion etch process for etching metal interconnections extending over and within contact openings
US5939831A (en) * 1996-11-13 1999-08-17 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for pre-stabilized plasma generation for microwave clean applications
US6006764A (en) * 1997-01-28 1999-12-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of stripping photoresist from Al bonding pads that prevents corrosion
US5880019A (en) * 1997-04-17 1999-03-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Insitu contact descum for self-aligned contact process
SG72905A1 (en) * 1997-12-18 2000-05-23 Central Glass Co Ltd Gas for removing deposit and removal method using same
US6093655A (en) 1998-02-12 2000-07-25 Micron Technology, Inc. Plasma etching methods
US6235213B1 (en) * 1998-05-18 2001-05-22 Micron Technology, Inc. Etching methods, methods of removing portions of material, and methods of forming silicon nitride spacers
US6277759B1 (en) 1998-08-27 2001-08-21 Micron Technology, Inc. Plasma etching methods
WO2000041211A1 (en) * 1998-12-30 2000-07-13 Lam Research Corporation Method and apparatus for etch rate stabilization
US6627588B1 (en) 1999-03-11 2003-09-30 Georgia Tech Research Corporation Method of stripping photoresist using alcohols
US6124927A (en) * 1999-05-19 2000-09-26 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method to protect chamber wall from etching by endpoint plasma clean
TW580736B (en) * 2000-04-27 2004-03-21 Hitachi Ltd Fabrication method for semiconductor device
US6440864B1 (en) 2000-06-30 2002-08-27 Applied Materials Inc. Substrate cleaning process
US6566269B1 (en) 2000-07-14 2003-05-20 Lucent Technologies Inc. Removal of post etch residuals on wafer surface
US6692903B2 (en) 2000-12-13 2004-02-17 Applied Materials, Inc Substrate cleaning apparatus and method
EP1235265A1 (en) * 2001-02-23 2002-08-28 Infineon Technologies AG Method for etching a hardmask layer and a metal layer
US6770214B2 (en) 2001-03-30 2004-08-03 Lam Research Corporation Method of reducing aluminum fluoride deposits in plasma etch reactor
KR20040006481A (ko) * 2002-07-12 2004-01-24 주식회사 하이닉스반도체 식각 및 증착장비의 항상성 개선방법
US7977390B2 (en) * 2002-10-11 2011-07-12 Lam Research Corporation Method for plasma etching performance enhancement
US7270761B2 (en) * 2002-10-18 2007-09-18 Appleid Materials, Inc Fluorine free integrated process for etching aluminum including chamber dry clean
US6916746B1 (en) * 2003-04-09 2005-07-12 Lam Research Corporation Method for plasma etching using periodic modulation of gas chemistry
US7294580B2 (en) * 2003-04-09 2007-11-13 Lam Research Corporation Method for plasma stripping using periodic modulation of gas chemistry and hydrocarbon addition
US8057603B2 (en) * 2006-02-13 2011-11-15 Tokyo Electron Limited Method of cleaning substrate processing chamber, storage medium, and substrate processing chamber
JP4963842B2 (ja) * 2006-02-13 2012-06-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理室の洗浄方法、記憶媒体及び基板処理装置
US7910489B2 (en) * 2006-02-17 2011-03-22 Lam Research Corporation Infinitely selective photoresist mask etch
US20070235058A1 (en) * 2006-04-10 2007-10-11 Daniel Harrington System and method for removing residue from a wafer processing chamber using sound waves
US9666461B1 (en) * 2016-02-05 2017-05-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor process and semiconductor processing device using the same
KR102860882B1 (ko) * 2019-07-08 2025-09-18 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치의 챔버 클리닝 방법
CN114695079B (zh) * 2022-02-21 2025-03-14 上海华力集成电路制造有限公司 改善晶圆接触孔线宽均一性的方法
KR20250159726A (ko) * 2023-03-20 2025-11-11 램 리써치 코포레이션 다단계 열 챔버 세정

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5747876A (en) * 1980-09-03 1982-03-18 Toshiba Corp Plasma etching apparatus and method
US4985113A (en) * 1989-03-10 1991-01-15 Hitachi, Ltd. Sample treating method and apparatus
EP0416774B1 (en) * 1989-08-28 2000-11-15 Hitachi, Ltd. A method of treating a sample of aluminium-containing material
JP2926798B2 (ja) * 1989-11-20 1999-07-28 国際電気株式会社 連続処理エッチング方法及びその装置
EP0489179B1 (en) * 1990-06-27 2001-11-14 Fujitsu Limited Method of manufacturing semiconductor integrated circuit
JP2528026B2 (ja) * 1990-07-04 1996-08-28 三菱電機株式会社 配線パタ―ンの形成方法およびその装置
JPH0562936A (ja) * 1991-09-03 1993-03-12 Mitsubishi Electric Corp プラズマ処理装置およびプラズマクリーニング方法
KR950009281B1 (ko) * 1992-07-10 1995-08-18 현대전자산업주식회사 알루미늄 금속배선 형성방법
US5269878A (en) * 1992-12-10 1993-12-14 Vlsi Technology, Inc. Metal patterning with dechlorinization in integrated circuit manufacture

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100308129B1 (ko) * 1999-09-27 2001-11-02 김영환 무선주파수용 매칭 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR950021173A (ko) 1995-07-26
JP2674488B2 (ja) 1997-11-12
KR0145645B1 (ko) 1998-11-02
US5468686A (en) 1995-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2674488B2 (ja) ドライエッチング室のクリーニング方法
EP0416774B1 (en) A method of treating a sample of aluminium-containing material
US6692903B2 (en) Substrate cleaning apparatus and method
US7344993B2 (en) Low-pressure removal of photoresist and etch residue
US5980768A (en) Methods and apparatus for removing photoresist mask defects in a plasma reactor
US6849559B2 (en) Method for removing photoresist and etch residues
US6187688B1 (en) Pattern formation method
US6680164B2 (en) Solvent free photoresist strip and residue removal processing for post etching of low-k films
CN101448580B (zh) 具有室去氟化和晶片去氟化中间步骤的等离子体蚀刻和光刻胶剥离工艺
JPH0982687A (ja) 半導体装置の製造方法
KR20020062367A (ko) 플라즈마 반응 챔버의 세정 및 조절 방법
KR20010032030A (ko) 자체 세정가능한 에칭 공정
CN1210773C (zh) 除去剩余光致抗蚀剂和残留侧壁钝化物的原位后蚀刻方法
US20050161435A1 (en) Method of plasma etching
JPH10189550A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH1140502A (ja) 半導体製造装置のドライクリーニング方法
US6329294B1 (en) Method for removing photoresist mask used for etching of metal layer and other etching by-products
US7055532B2 (en) Method to remove fluorine residue from bond pads
JPH08306668A (ja) アッシング方法
JP3362093B2 (ja) エッチングダメージの除去方法
KR20020077191A (ko) 반도체 장치 제조 방법
WO2001071790A1 (en) Method of manufacturing semiconductor device
JP2746494B2 (ja) レジスト除去方法
JPH05129246A (ja) 半導体製造装置のクリーニング方法
JPH05109673A (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19970617

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees