JPH07153783A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH07153783A JPH07153783A JP30025693A JP30025693A JPH07153783A JP H07153783 A JPH07153783 A JP H07153783A JP 30025693 A JP30025693 A JP 30025693A JP 30025693 A JP30025693 A JP 30025693A JP H07153783 A JPH07153783 A JP H07153783A
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- Japan
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- gas
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Links
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Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ハードソルダー（接合剤）を使用してダイボン
ディングする装置に関して、使用する不活性ガスおよび
還元ガスの流量を減少させると共に、ハードソルダー表
面の酸化膜の発生を防止する。 【構成】従来の半導体製造装置に用いている酸化防止用
ガスカバー１の開口部２に開口部面積を任意の大きさお
よび位置に設定できる可動遮蔽板３と遮蔽板を可動させ
るパルスモータ等の駆動部４および制御部５からなる可
変機構を設けることで、使用する不活性ガスの流量を減
らし、外気がガスカバー内に巻き込まれるのを防止す
る。これによって、ソルダー表面の酸化膜の発生を防
ぎ、品質の向上を図ることができる。
ディングする装置に関して、使用する不活性ガスおよび
還元ガスの流量を減少させると共に、ハードソルダー表
面の酸化膜の発生を防止する。 【構成】従来の半導体製造装置に用いている酸化防止用
ガスカバー１の開口部２に開口部面積を任意の大きさお
よび位置に設定できる可動遮蔽板３と遮蔽板を可動させ
るパルスモータ等の駆動部４および制御部５からなる可
変機構を設けることで、使用する不活性ガスの流量を減
らし、外気がガスカバー内に巻き込まれるのを防止す
る。これによって、ソルダー表面の酸化膜の発生を防
ぎ、品質の向上を図ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置での組
立工程に関し、特に（ＰｏＧａＡｓＦＥＴ，ＨＩＣな
ど）多チップのボンディングを行うダイボンディング装
置に関する。
立工程に関し、特に（ＰｏＧａＡｓＦＥＴ，ＨＩＣな
ど）多チップのボンディングを行うダイボンディング装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、多チップダイボンディング（Ｐｏ
ＧａＡｓＦＥＴ，ＨＩＣ等）をする装置において、図３
に示すように、ステム６上にチップ７をダイボンディン
グする場合、酸化防止等の目的で設けられているガスカ
バー１には、ステム６を出し入れするために大きな開口
部２を設けなければならなかった。
ＧａＡｓＦＥＴ，ＨＩＣ等）をする装置において、図３
に示すように、ステム６上にチップ７をダイボンディン
グする場合、酸化防止等の目的で設けられているガスカ
バー１には、ステム６を出し入れするために大きな開口
部２を設けなければならなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来、ダイボンディン
グを行う際、ステム（基板）とチップ（半導体素子）を
接合させるためにソルダー（接合剤）を用いるが、この
ソルダーを溶融したときソルダー表面に酸化膜が発生す
る。この酸化膜を被るために、ダイボンディングする前
に、チップなどで酸化膜をスクラブ（揺動）させ、その
後でダイボンディングを行っている。しかし、一度酸化
膜が生じたソルダーでは、ステムとチップの接合面に気
泡が生じる。このため接合面の熱抵抗が増え、所定の特
性が得られない。また、熱によりチップが破壊されると
いう問題がある。
グを行う際、ステム（基板）とチップ（半導体素子）を
接合させるためにソルダー（接合剤）を用いるが、この
ソルダーを溶融したときソルダー表面に酸化膜が発生す
る。この酸化膜を被るために、ダイボンディングする前
に、チップなどで酸化膜をスクラブ（揺動）させ、その
後でダイボンディングを行っている。しかし、一度酸化
膜が生じたソルダーでは、ステムとチップの接合面に気
泡が生じる。このため接合面の熱抵抗が増え、所定の特
性が得られない。また、熱によりチップが破壊されると
いう問題がある。
【０００４】このソルダー表面の酸化を防ぐために、作
業部全体をカバーで覆い、そのカバー内にチッ素などの
不活性ガスまたは、水素などの還元ガスを流す酸化防止
ガスカバーや、そのガスカバーを二重構造としたもの
（実開平１−１２５５３７号公報）など数多くの対策が
行われている。
業部全体をカバーで覆い、そのカバー内にチッ素などの
不活性ガスまたは、水素などの還元ガスを流す酸化防止
ガスカバーや、そのガスカバーを二重構造としたもの
（実開平１−１２５５３７号公報）など数多くの対策が
行われている。
【０００５】しかし、ガスカバーにはダイボンディング
するチップのサイズに関係なくステムなどの出し入れの
ために作業部の真上のカバーに大きな開口部を設ける必
要があった。このために、ガスカバー内の酸素濃度を極
限まで減少させるには、多量の不活性ガスを必要とし、
そのガスの流れで外気（空気）をガスカバー内に巻き込
んでしまい、不活性ガス雰囲気によるソルダーの酸化防
止効果を低下させてしまう問題がある。
するチップのサイズに関係なくステムなどの出し入れの
ために作業部の真上のカバーに大きな開口部を設ける必
要があった。このために、ガスカバー内の酸素濃度を極
限まで減少させるには、多量の不活性ガスを必要とし、
そのガスの流れで外気（空気）をガスカバー内に巻き込
んでしまい、不活性ガス雰囲気によるソルダーの酸化防
止効果を低下させてしまう問題がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明では、従来からあ
るガスカバーの開口部に、チップサイズに応じて開口面
積を設定できる様、あらかじめ入力された位置データに
基づきパルスモータ等の駆動部を介して可動する１枚ま
たは複数枚の可動遮蔽板と、遮蔽板を駆動させる駆動部
と駆動部を制御する制御部とを備えている。
るガスカバーの開口部に、チップサイズに応じて開口面
積を設定できる様、あらかじめ入力された位置データに
基づきパルスモータ等の駆動部を介して可動する１枚ま
たは複数枚の可動遮蔽板と、遮蔽板を駆動させる駆動部
と駆動部を制御する制御部とを備えている。
【０００７】
【実施例】本発明について、実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
【０００８】図１（ａ）に基本構成を示すように、本発
明では作業部全体を覆い、不活性ガス雰囲気を保持する
ガスカバー１の開口部２に１枚もしくは複数枚の可動遮
蔽板３と遮蔽板を駆動させるパルスモータ等の駆動部４
と駆動部を制御する制御部５を有している。このとき、
ステム６をカバー内に挿入する場合、開口部２は、あら
かじめ入力された位置データに基づき、可動遮蔽板３に
よって、ステム６の大きさに合せた開口面積に設定され
る（図１（ｂ））。次にチップ７をステム６の上にダイ
ボンディングする場合、ステム６の挿入時と同様に、あ
らかじめ入力された位置データに基づいて可動遮蔽板３
によりチップ７をダイボンディングする位置上にチップ
７の大きさに合せた開口面積が設定される（図１
（ｃ））。したがって、あらかじめ、ステム６およびチ
ップ７の位置データを制御部５に入力することで、ステ
ム６，チップ７の出入れ時に開口部２を可動遮蔽板３に
よって、それぞれに合せた最適の開口面積に設定するこ
とが可能である。このことによって、従来の様に常に多
流量の不活性ガスをカバー内に送る必要が無くなるので
ランニングコストが低減する。また、不活性ガスの開口
部からの吹き出しによる外気の巻き込み等が減少するの
で酸化防止効果が低下することを防止できる。
明では作業部全体を覆い、不活性ガス雰囲気を保持する
ガスカバー１の開口部２に１枚もしくは複数枚の可動遮
蔽板３と遮蔽板を駆動させるパルスモータ等の駆動部４
と駆動部を制御する制御部５を有している。このとき、
ステム６をカバー内に挿入する場合、開口部２は、あら
かじめ入力された位置データに基づき、可動遮蔽板３に
よって、ステム６の大きさに合せた開口面積に設定され
る（図１（ｂ））。次にチップ７をステム６の上にダイ
ボンディングする場合、ステム６の挿入時と同様に、あ
らかじめ入力された位置データに基づいて可動遮蔽板３
によりチップ７をダイボンディングする位置上にチップ
７の大きさに合せた開口面積が設定される（図１
（ｃ））。したがって、あらかじめ、ステム６およびチ
ップ７の位置データを制御部５に入力することで、ステ
ム６，チップ７の出入れ時に開口部２を可動遮蔽板３に
よって、それぞれに合せた最適の開口面積に設定するこ
とが可能である。このことによって、従来の様に常に多
流量の不活性ガスをカバー内に送る必要が無くなるので
ランニングコストが低減する。また、不活性ガスの開口
部からの吹き出しによる外気の巻き込み等が減少するの
で酸化防止効果が低下することを防止できる。
【０００９】図２において、ステム６上にチップ８，
９，１０をダイボンディングする場合（基本構成は実施
例１と同様とする）、ダイボンディングする位置を１
１，１２，１３としたとき、チップ８を１１の位置，チ
ップ９を１２の位置，チップ１０を１３の位置へ各々ダ
イボンディングを行うとする。この時開口部２は、入力
されているステム６の位置データにより可動遮蔽板３が
可動し、ステム６の大きさに合せて設定され、次にチッ
プ８をダイボンディングする時は、位置データに基づい
て、１１の位置にチップ８の大きさに合せた開口部（開
口面積）が設定される（図２（ａ））。以下チップ９，
１０についても、図２（ｂ），（ｃ）に示すようにそれ
ぞれのダイボンディング位置上に、各々の位置データに
基づき、可動遮蔽板３により、開口部２（開口面積）が
設定される。よって、同一ステム上に多数のチップをダ
イボンディングする場合にも実施例１で述べたような効
果を得られる。
９，１０をダイボンディングする場合（基本構成は実施
例１と同様とする）、ダイボンディングする位置を１
１，１２，１３としたとき、チップ８を１１の位置，チ
ップ９を１２の位置，チップ１０を１３の位置へ各々ダ
イボンディングを行うとする。この時開口部２は、入力
されているステム６の位置データにより可動遮蔽板３が
可動し、ステム６の大きさに合せて設定され、次にチッ
プ８をダイボンディングする時は、位置データに基づい
て、１１の位置にチップ８の大きさに合せた開口部（開
口面積）が設定される（図２（ａ））。以下チップ９，
１０についても、図２（ｂ），（ｃ）に示すようにそれ
ぞれのダイボンディング位置上に、各々の位置データに
基づき、可動遮蔽板３により、開口部２（開口面積）が
設定される。よって、同一ステム上に多数のチップをダ
イボンディングする場合にも実施例１で述べたような効
果を得られる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、従来から
あるガスカバーの開口部に開口面積および位置を任意に
設定できる可動遮蔽板と遮蔽板を可動させるパルスモー
タ等の駆動部と駆動部を制御する制御部を設けたので、
不活性ガスの使用流量を従来と比較し、半分以下にする
ことが可能となり、ランニングコストが半減できる。
あるガスカバーの開口部に開口面積および位置を任意に
設定できる可動遮蔽板と遮蔽板を可動させるパルスモー
タ等の駆動部と駆動部を制御する制御部を設けたので、
不活性ガスの使用流量を従来と比較し、半分以下にする
ことが可能となり、ランニングコストが半減できる。
【００１１】又、開口部から不活性ガスが排出（噴出）
する際の不活性ガスの流れによる外気の巻き込みを減ら
し、カバー内のソルダー等の酸化を防止するという結果
を有する。
する際の不活性ガスの流れによる外気の巻き込みを減ら
し、カバー内のソルダー等の酸化を防止するという結果
を有する。
【００１２】また、ソルダー等の酸化を防止することで
ステムとチップの接合面での気泡発生を抑制でき、品質
の向上にもつながる。
ステムとチップの接合面での気泡発生を抑制でき、品質
の向上にもつながる。
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施例の基本構成を示
す斜視図、（ｂ），（ｃ）は本発明の第１実施例の可動
遮蔽板の動作を説明する概略平面図。
す斜視図、（ｂ），（ｃ）は本発明の第１実施例の可動
遮蔽板の動作を説明する概略平面図。
【図２】本発明の第２実施例の可動遮蔽板の動作を説明
する概略平面図。
する概略平面図。
【図３】（ａ）は従来の酸化防止ガスカバーの断面図、
（ｂ）は従来の酸化防止ガスカバーの平面図。
（ｂ）は従来の酸化防止ガスカバーの平面図。
１ ガスカバー ２ 開口部 ３ 可動遮蔽板 ４ 駆動部 ５ 制御部 ６ ステム ７〜１０ チップ １１〜１３ ダイボンディング位置 １４ 不活性ガス
Claims (2)
- 【請求項１】 加熱機構を持つダイボンディングステー
ジと、不活性ガスおよび還元ガス供給配管と、前記ガス
雰囲気を前期ステージのまわりに保持するガスカバーと
を有する半導体製造装置において、前記ガスカバーは、
前記ステージ直上の開口部に１枚または複数枚の可動遮
蔽板とこの可動遮蔽板を動作させるための駆動部と、駆
動部を制御する制御部とを備えることを特徴とする半導
体製造装置。 - 【請求項２】 前記可動遮蔽板がチップの寸法およびダ
イボンディング位置と連動して制御されることを特徴と
する請求項１記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30025693A JPH07153783A (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30025693A JPH07153783A (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07153783A true JPH07153783A (ja) | 1995-06-16 |
Family
ID=17882600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30025693A Pending JPH07153783A (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07153783A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004064138A1 (ja) * | 2003-01-08 | 2004-07-29 | Fujitsu Limited | ダイボンディング装置 |
| JP2006332523A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | 半導体素子の装着装置 |
| JP2010123786A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-06-03 | Shibuya Kogyo Co Ltd | ボンディング装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6455831A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Mitsubishi Electric Corp | Die bonder |
-
1993
- 1993-11-30 JP JP30025693A patent/JPH07153783A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6455831A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Mitsubishi Electric Corp | Die bonder |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004064138A1 (ja) * | 2003-01-08 | 2004-07-29 | Fujitsu Limited | ダイボンディング装置 |
| JP2006332523A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | 半導体素子の装着装置 |
| JP2010123786A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-06-03 | Shibuya Kogyo Co Ltd | ボンディング装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19981215 |