JPH07193100A - ボンディング方法およびボンディング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 レ−ザシングルポイントボンディングにおい
て、より良好な接合性を得ることができるボンディング
方法および装置を提供することを目的とするものであ
る。 【構成】 キャリアテ−プ１に形成された各インナ−リ
−ド３をハンダバンプ６を介して半導体素子に設けられ
た各電極パッド５…に接合する場合に、上記インナ−リ
−ド３とハンダバンプ６との当接部位を、酸化防止ガス
供給孔１５より供給される酸化防止ガス（酸化防止雰囲
気）で覆った後、この部分にレ−ザビ−ムＬを照射し、
上記インナ−リ−ド３と上記電極パッド５とをハンダバ
ンプ６を介して接合するようにしたものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、キャリアテ−プに設
けられたインナ−リ−ドと、半導体素子に設けられた電
極パッドとを接合するボンディング方法および装置に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体部品（半導体素子）をキャリアテ
−プやプリント基板上に実装する方法は、上記半導体部
品のすべてのリ−ドを一括的に接合するギャングボンデ
ィング方法と、上記リ−ドを一本ずつ個別に接合するシ
ングルポイントボンディング方法とに大別される。

【０００３】このうちシングルポイントボンディング方
法は、大型ＡＳＩＣ等の実装でリ−ド一本一本を確実に
接合することができる特徴があるので、近年、特に注目
されている。また、半導体部品の高品質化に伴う作業温
度の低温化の要請により、シングルポイントボンディン
グ方法に用いるツ−ルに超音波振動を印加することで、
ボンディングに要するエネルギとして超音波エネルギを
併用する方法もある。

【０００４】しかし、このようなシングルポイントボン
ディング方法の場合、品種によって専用のボンディング
ツ−ルを製作する必要があると共に、このボンディング
ツ−ルの加圧動作により電極パッドを介して上記半導体
部品にダメ−ジがかかるということがある。

【０００５】これらの事情により、最近はレ−ザビ−ム
を用いたボンディング方法が種々研究されている。この
レ−ザビ−ムを用いたボンディング方法の場合でも、レ
−ザビ−ムを個々の接続点に照射し、上記シングルポイ
ントボンディング方法と同様に各接続点毎に個別的な接
合を行なうことができる。

【０００６】以下、このボンディング方法をレ−ザシン
グルポイントボンディングという。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来、レ−
ザシングルポイントボンディングのほとんどは、接合材
としてハンダを用い、あらかじめリ−ドあるいは電極パ
ッドに供給されたハンダをレ−ザ光のレ−ザエネルギに
よって加熱溶融させその後冷却することでハンダ付けに
より上記リ−ドと電極パッドとを接合するようにしてい
た。

【０００８】しかし、この場合、ハンダが溶融する温度
に達するまで上記リ−ドおよび電極パッドを加熱する必
要があるため、非常に短時間ではあるがハンダの溶融お
よび凝固の過程で供給されたハンダの表面が酸化し良好
なハンダ付け性（濡れ性）が得られないという問題があ
る。

【０００９】また、ハンダ付け性やハンダ濡れ性を向上
させるためにはフラックスを用いることが有効である
が、ハンダ付け後の洗浄あるいは腐食等の問題からフラ
ックスはできるだけ使用したくないという事情がある。

【００１０】この発明は、このような事情に鑑みなされ
たもので、レ−ザシングルポイントボンディングにおい
て、より良好な接合性を得ることができるボンディング
方法および装置を提供することを目的とするものであ
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】この発明の第１の手段
は、各リ−ドを、接合材を介して、対応する各電極パッ
ドに接合するボンディング方法において、少なくとも上
記リ−ドと電極パッドの接合部位を酸化防止雰囲気ある
いは還元性雰囲気で覆い、この接合部位にレ−ザビ−ム
を照射することで上記接合材を介して上記リ−ドと上記
電極パッドとを接合することを特徴とするボンディング
方法である。

【００１２】第２の手段は、キャリアテ−プに形成され
た各インナリ−ドと半導体素子に形成された各電極パッ
ドとをハンダ材を介して接続するボンディング装置にお
いて、上記キャリアテ−プを走行させ、このキャリアテ
−プの上記インナ−リ−ドが設けられた部位を所定のボ
ンディング位置に停止させるテ−プ走行手段と、透明硬
質部材で形成されていると共に、上記ボンディング位置
に停止するインナ−リ−ドの一面と当接する押圧板と、
上記インナ−リ−ドの他面側に配置され、上記ボンディ
ング位置において上記半導体素子を保持すると共に、こ
の半導体素子に設けられた電極パッドをハンダ材を介し
て上記インナ−リ−ドの他面に当接させるボンディング
ステ−ジと、上記ボンディングステ−ジ側に設けられ、
上記半導体素子および上記インナ−リ−ドが位置する部
分を外気と遮断する隔壁と、上記隔壁の内側に上記ハン
ダ材の酸化を防止する酸化防止ガスあるいは還元性ガス
を導入し、上記各インナ−リ−ドと各電極パッドとの接
合部分を酸化防止雰囲気あるいは還元性雰囲気で覆う酸
化防止ガス供給手段と、上記インナ−リ−ドの一面側か
ら上記押圧板を通して上記インナ−リ−ドにレ−ザビ−
ムを照射し、上記ハンダ材を溶融させることで、上記イ
ンナリ−ドと上記電極パッドとを接合するレ−ザビ−ム
照射手段とを具備することを特徴とするボンディング装
置である。

【００１３】第３の手段は、第２の手段において、上記
押圧板には、上記ガス供給手段によって上記隔壁の内側
に充満されるガスを順次排気する排気孔が設けられてい
ることを特徴とするものである。

【００１４】第４の手段は、半導体電子部品に形成され
た各アウタリ−ドと基板に形成された電極パッドとをハ
ンダ材を介して接続するボンディング装置において、透
明硬質部材で形成されていると共に、上記アウタリ−ド
の上記基板に対向する面と反対側の面に当接する押圧板
と、上記押圧板と基板との間に上記ハンダ材の酸化を防
止する酸化防止ガスあるいは還元性ガスを導入し、上記
各アウタリ−ドと各パッドとの接合部分を酸化防止雰囲
気あるいは還元性雰囲気で覆う酸化防止ガス供給手段
と、上記押圧板を通して上記インナ−リ−ドにレ−ザビ
−ムを照射し、上記ハンダ材を溶融させることで、上記
インナリ−ドと上記電極パッドとを接合するレ−ザビ−
ム照射手段とを具備することを特徴とするボンディング
装置である。

【００１５】

【作用】このような構成によれば、酸化防止雰囲気ある
いは還元性雰囲気でリ−ドと各電極パッドとの接合を行
うようすることで、接合材の表面が酸化することを有効
に防止できるので、良好なハンダ付け性及びハンダ濡れ
性を確保することができる。

【００１６】

【実施例】以下、この発明の一実施例を図面を参照して
説明する。

【００１７】まず、第１の実施例について説明する。

【００１８】図１に示すのは、インナ−リ−ドボンディ
ング装置である。このインナ−リ−ドボンディング装置
は、図２に示すキャリアテ−プ１のデバイスホ−ル２内
に突出したインナ−リ−ド３…と、半導体素子４の電極
パッド５とを接合材であるハンダバンプ６を介して接続
（インナ−リ−ドボンディング）することで、この半導
体素子４を上記キャリアテ−プ１に搭載する機能を有す
る。

【００１９】このインナ−リ−ドボンディング装置は、
図１に示すように、テ−プ走行手段としての一対のスプ
ロケット８、８間にキャリアテ−プ１を張設し、図に矢
印（イ）で示す方向に間欠的に送り駆動する。上記一対
のスプロケット８、８間には、張設されたキャリアテ−
プ１を下方向に付勢しつつガイドするガイド板９（押圧
板）が設けられている。このガイド板９は、石英等の透
明硬質部材で成形されている。

【００２０】上記キャリアテ−プ１は、間欠送り駆動さ
れることで、上記デバイスホ−ル２が設けられた部位を
このガイド板９の中央部に順次停止させる。このガイド
板９の中央部は、このキャリアテ−プ１に半導体素子４
をボンディングするボンディング位置Ａとなっている。

【００２１】このボンディング位置Ａの下方には、上記
半導体素子４を保持するボンディングステ−ジ１０が設
けられている。このボンディングステ−ジ１０は、図に
１１で示す基台上に設けられたＸＹＺステ−ジ１２と、
このＸＹＺステ−ジ１２に取り付けられ、上記半導体素
子４を保持する保持体１３とからなる。

【００２２】上記保持体１３の上端は、図２に示すよう
に中央部に上記半導体素子４が載置される載置面１３ａ
が形成され、周縁部にこの載置面１３ａを囲む隔壁１３
ｂが突設されてなる。また、この保持体１３の内部に
は、上記載置面１３ａ上に載置された半導体素子４を加
熱し保温するためのヒ−タ１４が設けられている。

【００２３】また、上記載置面１３ａと上記隔壁１３ｂ
との隙間には、この隔壁１３ｂの内側、すなわち上記載
置面１３ａの周辺に窒素等の酸化防止ガスや水素が混入
されたガス等の還元性ガスを導入するガス供給孔１５
（ガス供給手段）が開口している。

【００２４】この供給孔１５は、上記保持体１３の下面
に取着された接続管１７を介して図に１８で示すガス供
給源に接続されている。

【００２５】一方、上記ボンディング位置Ａの上方に
は、図２（ｂ）に示すように、上記ガイド板９を通して
上記キャリアテ−プ１にレ−ザビ−ムＬを照射するレ−
ザ出射部１９が設けられている。このレ−ザ出射部１９
内には、レ−ザビ−ムＬのビ−ム径を上記キャリアテ−
プ１のデバイスホ−ル２内に突設されたインナ−リ−ド
３（一本分）の幅と略同じ大きさに絞ることができる光
学系（図示しない）が組み込まれている。

【００２６】また、このレ−ザ出射部１９は、図示しな
いＸＹ駆動部に接続されたホルダ２０によって保持され
ていて、このホルダ２０がＸＹ方向に駆動されること
で、上記各インナ−リ−ド３の先端部に順次対向位置決
めされ、レ−ザビ−ムＬを照射するようになっている。

【００２７】なお、このレ−ザ出射部１９は、図１に示
すように、光ファイバ２１を介して図に２２で示すレ−
ザ発振源に接続され、このレ−ザ発振源２２が作動する
ことで、上記各インナ−リ−ド３の先端部にレ−ザビ−
ムＬを照射できるようになっている。

【００２８】次に、このインナ−リ−ドボンディング装
置の動作を説明する。

【００２９】まず、上記ボンディングステ−ジ１０の保
持体１３に設けられた載置面１３ａ上に半導体素子４が
供給される。この半導体素子４の上面に設けられた各電
極パッド５上にはあらかじめ突起電極としてのハンダバ
ンプ６が盛り上がり状に供給（形成）されている。

【００３０】上記ボンディングステ−ジ１０は、上記Ｘ
ＹＺステ−ジ１０を作動させることで、この半導体素子
４を上記ガイド板９の中央部（ボンディング位置Ａ）に
対向位置決めする。

【００３１】一方、上記キャリアテ−プ１は、図に矢印
（イ）で示す方向に間欠的に送り駆動され、上記インナ
−リ−ド３が突設されたデバイスホ−ル２をこのガイド
板９の中央部であるボンディング位置Ａに停止させる。

【００３２】そして、上記ボンディング位置Ａの上方に
設けられた図示しない撮像認識手段を用い、上記ガイド
板９を通して上記インナ−リ−ド３と半導体素子４とを
認識する。そして、これに基づいて上記ボンディングス
テ−ジ１０に設けられたＸＹＺステ−ジ１２を作動さ
せ、上記各半導体素子４の電極パッド５（ハンダバンプ
６）と上記各インナ−リ−ド３とを位置合わせする。

【００３３】両者の位置決めが成されたならば、上記保
持体１３は上昇駆動され、上記半導体素子４に形成され
たハンダバンプ６を上記インナ−リ−ド３の先端部の下
面に押し付けると共に、上記隔壁１３ｂの上端面を上記
キャリアテ−プ１の下面に当接させる。この隔壁１３ｂ
によって、上記デバイスホ−ル２内に突設されたインナ
−リ−ド３及び半導体素子４は外気から遮断される。

【００３４】次に、上記ガス供給源１８が作動し、図３
に示すように、上記供給孔１５を介して上記隔壁１３ｂ
の内部に酸化防止ガスあるいは還元性ガスを供給する。
このことで、上記半導体素子４およびインナ−リ−ド３
は、酸化防止雰囲気によって覆われる。

【００３５】ついで、上記レ−ザ出射部１９は、上記デ
バイスホ−ル２内に突設されたインナ−リ−ド３…のう
ちの一本に対向位置決めされ、レ−ザビ−ムＬを照射す
る。このレ−ザビ−ムＬは、上記透明体であるガイド板
９を通して上記インナ−リ−ド３の先端部に照射され、
このインナ−リ−ド３を介して上記ハンダバンプ６を加
熱し溶融させる。

【００３６】この間中、上記窒素ガスは、上記隔壁１３
ａの内部に連続的に供給され、その窒素ガスは、上記ガ
イド板９の中央部に穿設された排気孔９ａからこのガイ
ド板９の上方に順次排出されるようになっている。

【００３７】ハンダバンプ６が溶融したならば、上記レ
−ザ出射部１９はレ−ザビ−ムＬの照射を停止する。こ
のことで、上記ハンダバンプ６は、酸化防止雰囲気中で
冷却されて固化し、上記インナ−リ−ド３と上記電極パ
ッド５の接合がなされる。

【００３８】また、このときに発生したハンダ屑や水蒸
気等は、上記窒素ガスと共に上記排気孔９ａから順次排
出されるようになっている。

【００３９】このようにして、一組のインナ−リ−ド３
と電極パッド５とが接合されたならば、上記ホルダ２０
はＸＹ方向に駆動され、隣り合う他のインナ−リ−ド３
および電極パッド５についても順次ハンダ付けを行って
いく。

【００４０】このような構成によれば、以下に説明する
効果がある。

【００４１】第１に、上記インナ−リ−ド３と電極パッ
ド５とを接合する接合材であるハンダバンプ６を酸化防
止雰囲気中で溶融させ、冷却固化させるようにした。こ
のことで、上記ハンダバンプ６の表面が酸化することが
防止できるので、良好なハンダ濡れ性、ハンダ付け性を
得ることができる効果がある。

【００４２】したがってフラックスを用いることが不要
になるので、洗浄工程が不要になると共に、上記半導体
素子４の汚染も有効に防止できる効果もある。

【００４３】第２に、上記インナ−リ−ド３と電極パッ
ド５の押し付けを、ガイド板９を用いることで、一括的
かつ均一に行うことができる。また、このガイド板９は
透明であるから、従来のガイド板９とは異なりボンディ
ング位置Ａに上記インナ−リ−ド３…を露出させボンデ
ィングツ−ルを挿入させるための開口が不要となる。

【００４４】第３に、上記ガイド板９を透明部材とした
ので、この位置に開口を設けなくとも、このガイド板９
を通して上記インナ−リ−ドと上記半導体素子の電極パ
ッドを認識することができ、両者の位置合わせを行うこ
とができる。

【００４５】このことで、装置の構成を簡略化すること
ができる効果がある。

【００４６】次に、この発明の第２の実施例を図４を参
照して説明する。

【００４７】この第２の実施例は、上記インナ−リ−ド
３を上記ハンダバンプ６に押し付けるのに一括加圧治具
を用いないで、一部のインナ−リ−ド３のみを加圧する
加圧治具を用いて行う方法である。

【００４８】すなわち、上記ボンディングステ−ジ１０
の保持体１３´として上記隔壁１３ｂを設けないものを
用い、加圧治具２３として、図に示すように、下端面で
上記インナ−リ−ド３の基端部を下方向に押し付けるも
のを用いる。

【００４９】このようにして上記インナ−リ−ド３と上
記半導体素子４に設けられた電極パッド５とを上記ハン
ダバンプ６を介して互いに押し付けた後、図に２４で示
すガス供給ノズルを用いて、この部分に上記ガスを供給
する。このことで、上記加圧治具２３によって上記イン
ナ−リ−ドと半導体素子の電極パッドとの周辺は、酸化
防止雰囲気の空間が区画されることとなる。

【００５０】この状態で、上記レ−ザ出射部１９からレ
−ザビ−ムＬを照射することで、上記接合材であるハン
ダバンプ６は、酸化防止雰囲気中で溶融固化し、上記イ
ンナ−リ−ド３と電極パッド５はハンダ付けされる。

【００５１】このような動作を各インナ−リ−ド３につ
いて繰り返して行うことで、各インナ−リ−ド３を各電
極パッド５に個別的に接合していく。

【００５２】このような構成によれば、上記第１の実施
例と同様に、レ−ザシングルポイントボンディングを行
う場合において、フラックスを用いなくとも、良好なハ
ンダ付け性、ハンダ濡れ性を得ることができる効果があ
る。

【００５３】また、この第２の実施例は、例えば、半導
体パッケ−ジのアウタリ−ドをプリント基板に設けられ
た電極パッドに接続する場合にも適用でき、この場合に
特に有効である。

【００５４】すなわち、アウタリ−ドボンディングの場
合には、上述したインナ−リ−ドボンディングの場合と
異なり、平板状のガイド板９でアウタリ−ドを上記プリ
ント基板に一括的に押し付けることは困難だからであ
る。

【００５５】また、押し付けることができたとしても、
プリント基板には、通常数１０μｍ程度の反りがあり、
上記アウタリ−ドを均一に押し付けることが困難だから
である。

【００５６】なお、この発明は、上記第１、第２の実施
例に限定されるものではなく、発明の要旨を変更しない
範囲で種々変形可能である。

【００５７】例えば、上記第１、第２の実施例では、保
持部１３内にヒ−タ１４が設けられていたが、上記レ−
ザビ−ムのエネルギだけで良好な接続が行える場合に
は、このような加熱ヒ−タは必ずしも必要ない。

【００５８】また、上記第１、第２の実施例では、上記
ハンダバンプ６を上記半導体素子４の電極パッド５上に
形成していたが、これに限定されるものではなく、上記
インナ−リ−ド３の先端部の下面に形成するようにして
も良い。

【００５９】さらに、上記第１、第２の実施例では、長
尺なるキャリアテ−プ１を走行させていたが、短冊状に
切断したキャリアテ−プ１をスライドキャリア（図示し
ない）に保持し、このスライドキャリアを搬送すること
で、上記キャリアテ−プを走行させるようにしても良
い。

【００６０】次に、この発明の第３の実施例について図
５を参照して説明する。

【００６１】上記第１、第２の実施例は、インナ−リ−
ドボンディング装置であったが、この第３の実施例に示
すようにアウタリ−ドボンディング装置にも適用するこ
とが可能である。

【００６２】図中２８は、上記フィルムキャリア９のイ
ンナ−リ−ドを半導体素子の電極パッドにインナ−リ−
ドボンディングした後、上記フィルムキャリアを打ち向
いて成形したＴＣＰ等のＴＡＢ部品である。

【００６３】図中３ａは、このＴＡＢ部品２８のアウタ
リ−ドである。このアウタリ−ド３ａは、このＴＡＢ部
品２８を例えばプリント基板等の基板２９に実装する際
に、上記基板２９に設けられた電極パッド３０にハンダ
材を介して接合される。

【００６４】次に、この装置の構成について説明する。

【００６５】この装置は、上記アウタリ−ド３ａの先端
部の上記電極パッド３０に当接する面と反対側の面に当
接する当接体３１を具備する。この当接体３１は、縦断
面が下方向に解放するコの字状に設けられ、かつ石英等
の透明硬質部材で成形されている。また、この当接体３
１は、上記ＴＡＢ部品２８の同方向に突出する複数本の
アウタリ−ド３ａに亘って長尺に設けられている。

【００６６】そして、この当接体３１と上記アウタリ−
ド３ａの上面とで区画される空間は、酸化防止ガスや還
元性ガスが充満される流通路となっている。そして、こ
の流通路の図示しない一端には、この流通路内にガスを
導入するガス供給源が接続されている。

【００６７】また、上記アウタリ−ド３ａの上方に対向
する位置には、上記押圧体３１を通して上記アウタリ−
ド３ａにレ−ザビ−ムＬを照射するレ−ザ出射部３２が
設けられている。このレ−ザ出射部３２内には、レ−ザ
ビ−ムＬのビ−ム径を上記アウタリ−ド３ａ（一本分）
の幅と略同じ大きさに絞ることができる光学系（図示し
ない）が組み込まれている。

【００６８】また、このレ−ザ出射部３２は、図示しな
いＸＹ駆動部に接続されたホルダ３３によって保持され
ていてこのホルダ３３がＸＹ方向に駆動されることで、
上記アウタリ−ド３ａの上方に対向位置決めされ上記レ
−ザビ−ムＬを照射するようになっている。

【００６９】このような構成によれば、上記第１、第２
の実施例と同様に、基板２９に設けられた電極パッド３
０上のハンダ材の酸化を有効に防止できるから、良好な
アウタリ−ドボンディングを行うことができる。

【００７０】なお、この発明は、この第３の実施例に限
定されるものではなく、ＴＡＢ部品２８以外のＱＦＰ等
の他の半導体電子部品であっても同様な効果を得ること
ができる。

【００７１】また、上記当接体３１のかわりに、上記第
２の実施例の加工治具２３と同様の作用を奏し、上記ア
ウタリ−ドを押さえると共に酸化防止雰囲気あるいは還
元性雰囲気を区画する治具を使用するようにしても良
い。

【００７２】なお、上述した第１〜第３の実施例はいず
れもレ−ザ−シングルポイントボンディング法で接合を
行うものであった。このレ−ザシングルポイントボンデ
ィング法は、リ−ド一本毎にレ−ザをＯＮ／ＯＦＦして
ボンディングを行うものであるが、この発明は、これに
限定されるものではなく、レ−ザをリ−ド毎にＯＮ／Ｏ
ＦＦするのではなくＯＮ状態のまま上記リ−ドを横切る
ように移動させるようなレ−ザボンディング法であって
も良い。

【００７３】

【発明の効果】以上述べたように、この発明の第１の構
成は、各リ−ドを、接合材を介して、対応する各電極パ
ッドに接合するボンディング方法において、少なくとも
上記リ−ドと電極パッドの接合部位を酸化防止雰囲気あ
るいは還元性雰囲気で覆い、この接合部位にレ−ザビ−
ムを照射することで上記接合材を介して上記リ−ドと上
記電極パッドとを接合するボンディング方法である。

【００７４】第２の構成は、キャリアテ−プに形成され
た各インナリ−ドと半導体素子に形成された各電極パッ
ドとをハンダ材を介して接続するボンディング装置にお
いて、上記キャリアテ−プを走行させ、このキャリアテ
−プの上記インナ−リ−ドが設けられた部位を所定のボ
ンディング位置に停止させるテ−プ走行手段と、透明硬
質部材で形成されていると共に、上記ボンディング位置
に停止するインナ−リ−ドの一面と当接する押圧板と、
上記インナ−リ−ドの他面側に配置され、上記ボンディ
ング位置において上記半導体素子を保持すると共に、こ
の半導体素子に設けられた電極パッドをハンダ材を介し
て上記インナ−リ−ドの他面に当接させるボンディング
ステ−ジと、上記ボンディングステ−ジ側に設けられ、
上記半導体素子および上記インナ−リ−ドが位置する部
分を外気と遮断する隔壁と、上記隔壁の内側に上記ハン
ダ材の酸化を防止する酸化防止ガスあるいは還元性ガス
を導入し、上記各インナ−リ−ドと各電極パッドとの接
合部分を酸化防止雰囲気あるいは還元性雰囲気で覆う酸
化防止ガス供給手段と、上記インナ−リ−ドの一面側か
ら上記押圧板を通して上記インナ−リ−ドにレ−ザビ−
ムを照射し、上記ハンダ材を溶融させることで、上記イ
ンナリ−ドと上記電極パッドとを接合するレ−ザビ−ム
照射手段とを具備するボンディング装置である。

【００７５】第３の構成は、第２の構成において、上記
押圧板には、上記ガス供給手段によって上記隔壁の内側
に充満されるガスを順次排気する排気孔が設けられてい
るものである。

【００７６】第４の構成は、半導体電子部品に形成され
た各アウタリ−ドと基板に形成された電極パッドとをハ
ンダ材を介して接続するボンディング装置において、透
明硬質部材で形成されていると共に、上記アウタリ−ド
の上記基板に対向する面と反対側の面に当接する押圧板
と、上記押圧板と基板との間に上記ハンダ材の酸化を防
止する酸化防止ガスあるいは還元性ガスを導入し、上記
各アウタリ−ドと各パッドとの接合部分を酸化防止雰囲
気あるいは還元性雰囲気で覆う酸化防止ガス供給手段
と、上記押圧板を通して上記インナ−リ−ドにレ−ザビ
−ムを照射し、上記ハンダ材を溶融させることで、上記
インナリ−ドと上記電極パッドとを接合するレ−ザビ−
ム照射手段とを具備するボンディング装置である。

【００７７】このような構成によれば、酸化防止雰囲気
でリ−ドと各電極パッドとの接合を行うようすること
で、接合材の表面が酸化することを有効に防止でき、良
好なハンダ付け性及びハンダ濡れ性を確保することがで
きるので、レ−ザシングルポイントボンディングにおい
て、より良好な接合性を得ることができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施例を示す概略構成図。

【図２】（ａ）、（ｂ）は、同じく、要部を示す一部縦
断面を有する概略構成図。

【図３】同じく、動作を示す拡大縦断面図。

【図４】第２の実施例の動作を示す拡大縦断面図。

【図５】第３の実施例を示す拡大工程図。

【符号の説明】

１…キャリアテ−プ、３…インナ−リ−ド（リ−ド）、
４…半導体素子、５…電極パッド、６…ハンダバンプ
（接合材）、９…ガイド板（透明硬質部材）、９ａ…排
気孔、１０…ボンディングステ−ジ、１３ｂ…隔壁、Ｌ
…レ−ザビ−ム、１５…酸化防止ガス供給孔（酸化防止
ガス供給手段）、１８…酸化防止ガス供給源（酸化防止
ガス供給手段）、Ａ…ボンディング位置。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 各リ−ドを、接合材を介して、対応する
   各電極パッドに接合するボンディング方法において、 少なくとも上記リ−ドと電極パッドの接合部位を酸化防
   止雰囲気あるいは還元性雰囲気で覆い、この接合部位に
   レ−ザビ−ムを照射することで上記接合材を介して上記
   リ−ドと上記電極パッドとを接合することを特徴とする
   ボンディング方法。
2. 【請求項２】 キャリアテ−プに形成された各インナリ
   −ドと半導体素子に形成された各電極パッドとをハンダ
   材を介して接続するボンディング装置において、 上記キャリアテ−プを走行させ、このキャリアテ−プの
   上記インナ−リ−ドが設けられた部位を所定のボンディ
   ング位置に停止させるテ−プ走行手段と、 透明硬質部材で形成されていると共に、上記ボンディン
   グ位置に停止するインナ−リ−ドの一面と当接する押圧
   板と、 上記インナ−リ−ドの他面側に配置され、上記ボンディ
   ング位置において上記半導体素子を保持すると共に、こ
   の半導体素子に設けられた電極パッドをハンダ材を介し
   て上記インナ−リ−ドの他面に当接させるボンディング
   ステ−ジと、 上記ボンディングステ−ジ側に設けられ、上記半導体素
   子および上記インナ−リ−ドが位置する部分を外気と遮
   断する隔壁と、 上記隔壁の内側に上記ハンダ材の酸化を防止する酸化防
   止ガスあるいは還元性ガスを導入し、上記各インナ−リ
   −ドと各電極パッドとの接合部分を酸化防止雰囲気ある
   いは還元性雰囲気で覆う酸化防止ガス供給手段と、 上記インナ−リ−ドの一面側から上記押圧板を通して上
   記インナ−リ−ドにレ−ザビ−ムを照射し、上記ハンダ
   材を溶融させることで、上記インナリ−ドと上記電極パ
   ッドとを接合するレ−ザビ−ム照射手段とを具備するこ
   とを特徴とするボンディング装置。
3. 【請求項３】 上記押圧板には、上記ガス供給手段によ
   って上記隔壁の内側に充満されるガスを順次排気する排
   気孔が設けられていることを特徴とする請求項２記載の
   ボンディング装置。
4. 【請求項４】 半導体電子部品に形成された各アウタリ
   −ドと基板に形成された電極パッドとをハンダ材を介し
   て接続するボンディング装置において、 透明硬質部材で形成されていると共に、上記アウタリ−
   ドの上記基板に対向する面と反対側の面に当接する押圧
   板と、 上記押圧板と基板との間に上記ハンダ材の酸化を防止す
   る酸化防止ガスあるいは還元性ガスを導入し、上記各ア
   ウタリ−ドと各パッドとの接合部分を酸化防止雰囲気あ
   るいは還元性雰囲気で覆う酸化防止ガス供給手段と、 上記押圧板を通して上記インナ−リ−ドにレ−ザビ−ム
   を照射し、上記ハンダ材を溶融させることで、上記イン
   ナリ−ドと上記電極パッドとを接合するレ−ザビ−ム照
   射手段とを具備することを特徴とするボンディング装
   置。