JPH07154104A - 誘電体フィルタ - Google Patents
誘電体フィルタInfo
- Publication number
- JPH07154104A JPH07154104A JP29822693A JP29822693A JPH07154104A JP H07154104 A JPH07154104 A JP H07154104A JP 29822693 A JP29822693 A JP 29822693A JP 29822693 A JP29822693 A JP 29822693A JP H07154104 A JPH07154104 A JP H07154104A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating layer
- solder
- layer
- dielectric filter
- coaxial
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 誘電体基板上に複数個の同軸共振器を配列し
てなる誘電体フィルタにおいて、同軸共振器の外導体と
誘電体基板の接地電極との間の半田付け性を改善し、安
定した電気的接続が得られるようにする。 【構成】 前記同軸共振器の外導体の最外層に半田メッ
キ処理を施し、該同軸共振器の半田メッキ層と前記誘電
体基板の接地電極とを半田付けする。
てなる誘電体フィルタにおいて、同軸共振器の外導体と
誘電体基板の接地電極との間の半田付け性を改善し、安
定した電気的接続が得られるようにする。 【構成】 前記同軸共振器の外導体の最外層に半田メッ
キ処理を施し、該同軸共振器の半田メッキ層と前記誘電
体基板の接地電極とを半田付けする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、携帯電話機等の移動体
通信機器に用いられる高周波帯域用の誘電体フィルタに
関するものである。
通信機器に用いられる高周波帯域用の誘電体フィルタに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、移動体通信機器においては小型
化、軽量化が求められ、これに応じて、構成部品の一つ
である誘電体フィルタにおいても、小型化が要求されて
いる。
化、軽量化が求められ、これに応じて、構成部品の一つ
である誘電体フィルタにおいても、小型化が要求されて
いる。
【０００３】同軸共振器を用いた誘電体フィルタとして
は、特開平４−２１１５０１号に記載されたものが知ら
れている。斯る従来技術による誘電体フィルタは、貫通
孔を有する角柱状誘電体部材に外導体及び内導体が形成
された同軸共振器と、入出力結合用電極及び接地導体が
形成された誘電体基板とを組み合わせてなる誘電体フィ
ルタであり、前記同軸共振器の外導体と前記誘電体基板
の接地導体との間の導通は、前記誘電体フィルタ組立体
を金属ケースに収納することによって確保されている。
は、特開平４−２１１５０１号に記載されたものが知ら
れている。斯る従来技術による誘電体フィルタは、貫通
孔を有する角柱状誘電体部材に外導体及び内導体が形成
された同軸共振器と、入出力結合用電極及び接地導体が
形成された誘電体基板とを組み合わせてなる誘電体フィ
ルタであり、前記同軸共振器の外導体と前記誘電体基板
の接地導体との間の導通は、前記誘電体フィルタ組立体
を金属ケースに収納することによって確保されている。
【０００４】図４は、前記特開平４−２１１５０１号に
開示された技術をもとに本願出願人が若干の改良を加え
た誘電体フィルタの、金属ケースを外した部分の構成を
示す斜視図であり、貫通孔を有する角柱状誘電体部材２
に外導体３及び内導体４が形成された２個の同軸共振器
１Ａ及び１Ｂを、入出力結合用電極５及び接地電極６が
形成された誘電体基板７上に配列し、接着剤によって仮
固定したものである。
開示された技術をもとに本願出願人が若干の改良を加え
た誘電体フィルタの、金属ケースを外した部分の構成を
示す斜視図であり、貫通孔を有する角柱状誘電体部材２
に外導体３及び内導体４が形成された２個の同軸共振器
１Ａ及び１Ｂを、入出力結合用電極５及び接地電極６が
形成された誘電体基板７上に配列し、接着剤によって仮
固定したものである。
【０００５】ところが、前述のように誘電体フィルタ組
立体を金属ケースに収納するものにおいては、誘電体フ
ィルタの小型化という要求に対して、少なくとも金属板
の厚さ分だけの容積を占めるという点で、制約が与えら
れることになる。
立体を金属ケースに収納するものにおいては、誘電体フ
ィルタの小型化という要求に対して、少なくとも金属板
の厚さ分だけの容積を占めるという点で、制約が与えら
れることになる。
【０００６】一方、小型で面実装タイプの誘電体フィル
タにおいて安定したフィルタ特性を実現するためには、
同軸共振器の外導体同士が等電位を保つとともに、同軸
共振器の外導体と該同軸共振器が固着される誘電体基板
の接地電極とが等電位となる必要がある。
タにおいて安定したフィルタ特性を実現するためには、
同軸共振器の外導体同士が等電位を保つとともに、同軸
共振器の外導体と該同軸共振器が固着される誘電体基板
の接地電極とが等電位となる必要がある。
【０００７】ここで、同軸共振器の外導体は、導電層で
あるＣｕメッキ層と、酸化防止及びＣｕメッキ層への半
田の拡散防止のためのＮｉメッキ層とからなるが、Ｎｉ
メッキ層は半田に対する濡れ性が悪いため、それを改善
をするために化学的な表面処理を行っている。
あるＣｕメッキ層と、酸化防止及びＣｕメッキ層への半
田の拡散防止のためのＮｉメッキ層とからなるが、Ｎｉ
メッキ層は半田に対する濡れ性が悪いため、それを改善
をするために化学的な表面処理を行っている。
【０００８】ところが、前記Ｎｉメッキ層の化学処理膜
は加熱や洗浄等の工程中に劣化しやすく、同軸共振器と
誘電体基板との間の半田付けが不十分となり、その電気
的接続が不安定となって製品不良の原因となっていた。
は加熱や洗浄等の工程中に劣化しやすく、同軸共振器と
誘電体基板との間の半田付けが不十分となり、その電気
的接続が不安定となって製品不良の原因となっていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、誘電体基板
上に複数個の同軸共振器を配列してなる誘電体フィルタ
において、同軸共振器の外導体と誘電体基板の接地電極
との間の半田付け性を改善し、該誘電体フィルタの製造
工程の安定化、製造工数の低減、不良率の低減を図るも
のである。
上に複数個の同軸共振器を配列してなる誘電体フィルタ
において、同軸共振器の外導体と誘電体基板の接地電極
との間の半田付け性を改善し、該誘電体フィルタの製造
工程の安定化、製造工数の低減、不良率の低減を図るも
のである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明による誘電体フィ
ルタは、誘電体基板上に複数個の同軸共振器を配列して
なる誘電体フィルタにおいて、前記同軸共振器の外導体
の最外層に半田メッキ処理を施し、該同軸共振器の半田
メッキ層と前記誘電体基板の接地電極とを半田付けした
ことを特徴とするものである。
ルタは、誘電体基板上に複数個の同軸共振器を配列して
なる誘電体フィルタにおいて、前記同軸共振器の外導体
の最外層に半田メッキ処理を施し、該同軸共振器の半田
メッキ層と前記誘電体基板の接地電極とを半田付けした
ことを特徴とするものである。
【００１１】
【作用】上記本発明の構成によれば、同軸共振器の外導
体の最外層に形成された半田メッキ層によって同軸共振
器同士の電気的接続が確保され、同軸共振器の半田メッ
キ層と誘電体基板の接地パターンとの間がクリーム半田
等を用いて半田付け処理されることによって両者が電気
的及び機械的に連結され、半田付け不良に起因する製品
不良が低減する。また、半田の流れも良くなるので半田
付けポイントの数を削減することができ、製造工数が低
減する。
体の最外層に形成された半田メッキ層によって同軸共振
器同士の電気的接続が確保され、同軸共振器の半田メッ
キ層と誘電体基板の接地パターンとの間がクリーム半田
等を用いて半田付け処理されることによって両者が電気
的及び機械的に連結され、半田付け不良に起因する製品
不良が低減する。また、半田の流れも良くなるので半田
付けポイントの数を削減することができ、製造工数が低
減する。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【００１３】図１は、本発明第１実施例による誘電体フ
ィルタの断面図である。この誘電体フィルタにおいて
は、同軸共振器１Ａ及び１Ｂの外導体３が、無電解メッ
キ法を用いて形成れたＣｕメッキ層８と、該Ｃｕメッキ
層の表面に形成されたＮｉメッキ層９と、該Ｎｉメッキ
層の表面に形成された半田メッキ層１０（厚さ約２μ
ｍ）とによって構成され、このような同軸共振器１Ａ及
び１Ｂが、入出力電極５及び設置電極６を設けた誘電体
基板７の上に載置されている。
ィルタの断面図である。この誘電体フィルタにおいて
は、同軸共振器１Ａ及び１Ｂの外導体３が、無電解メッ
キ法を用いて形成れたＣｕメッキ層８と、該Ｃｕメッキ
層の表面に形成されたＮｉメッキ層９と、該Ｎｉメッキ
層の表面に形成された半田メッキ層１０（厚さ約２μ
ｍ）とによって構成され、このような同軸共振器１Ａ及
び１Ｂが、入出力電極５及び設置電極６を設けた誘電体
基板７の上に載置されている。
【００１４】図２は、本発明第２実施例による誘電体フ
ィルタの断面図であり、該誘電体フィルタにおいては、
同軸共振器１Ａ及び１Ｂの外導体３が、無電解メッキ法
を用いて形成れたＣｕメッキ層８と、該Ｃｕメッキ層の
表面に形成された半田メッキ層１０（厚さ２〜４μｍ）
とによって構成され、このような同軸共振器１Ａ及び１
Ｂが、入出力電極５及び設置電極６を設けた誘電体基板
７の上に載置されている。第２実施例における半田メッ
キ層の厚さは、Ｃｕ層中への半田の拡散がＮｉ層中への
拡散に比べて起こりやすいことを考慮して、第１実施例
の場合よりも厚く設定されている。
ィルタの断面図であり、該誘電体フィルタにおいては、
同軸共振器１Ａ及び１Ｂの外導体３が、無電解メッキ法
を用いて形成れたＣｕメッキ層８と、該Ｃｕメッキ層の
表面に形成された半田メッキ層１０（厚さ２〜４μｍ）
とによって構成され、このような同軸共振器１Ａ及び１
Ｂが、入出力電極５及び設置電極６を設けた誘電体基板
７の上に載置されている。第２実施例における半田メッ
キ層の厚さは、Ｃｕ層中への半田の拡散がＮｉ層中への
拡散に比べて起こりやすいことを考慮して、第１実施例
の場合よりも厚く設定されている。
【００１５】なお、前記第１及び第２の実施例において
は、同軸共振器１Ａ及び１Ｂの内導体２も外導体３と同
時に形成されるため、Ｃｕ／Ｎｉ／半田の３層、あるい
はＣｕ／半田の２層で構成されることになる。
は、同軸共振器１Ａ及び１Ｂの内導体２も外導体３と同
時に形成されるため、Ｃｕ／Ｎｉ／半田の３層、あるい
はＣｕ／半田の２層で構成されることになる。
【００１６】図３は、外導体の最外層に半田メッキ層１
０を形成した同軸共振器１Ａ及び１Ｂを、入出力電極５
及び設置電極６を設けた誘電体基板７の上に配列した状
態を示す平面図（ａ）、及び側面図（ｂ）であり、前記
同軸共振器の半田メッキ層１０と該誘電体基板１１の接
地電極６とは、クリーム半田１１を図中に示した２ケ所
に塗布して加熱流動させることにより、電気的及び機械
的に接続されている。
０を形成した同軸共振器１Ａ及び１Ｂを、入出力電極５
及び設置電極６を設けた誘電体基板７の上に配列した状
態を示す平面図（ａ）、及び側面図（ｂ）であり、前記
同軸共振器の半田メッキ層１０と該誘電体基板１１の接
地電極６とは、クリーム半田１１を図中に示した２ケ所
に塗布して加熱流動させることにより、電気的及び機械
的に接続されている。
【００１７】この時、前記クリーム半田の流動性は半田
メッキ層の存在によって促進され、半田メッキ層は同軸
共振器の短絡端面にも形成されているので、クリーム半
田の塗布ポイントは、図３に示したような２ケ所で十分
である。なお、半田付け性を改善するための表面処理と
しては、半田に対する濡れ性に優れたＳｎメッキ処理等
も有効である。
メッキ層の存在によって促進され、半田メッキ層は同軸
共振器の短絡端面にも形成されているので、クリーム半
田の塗布ポイントは、図３に示したような２ケ所で十分
である。なお、半田付け性を改善するための表面処理と
しては、半田に対する濡れ性に優れたＳｎメッキ処理等
も有効である。
【００１８】以上、２個の同軸共振器を有する誘電体フ
ィルタを対象として本発明実施例の説明を行ったが、本
発明は、３個以上の同軸共振器を有する誘電体フィルタ
に対しても有効である。
ィルタを対象として本発明実施例の説明を行ったが、本
発明は、３個以上の同軸共振器を有する誘電体フィルタ
に対しても有効である。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、面実装タイプの小型誘
電体フィルタにおいて、同軸共振器と誘電体基板との間
の半田による電気的接続を安定的に行うことが可能とな
り、製造工程上の歩留りが向上し、製造工数が低減す
る。
電体フィルタにおいて、同軸共振器と誘電体基板との間
の半田による電気的接続を安定的に行うことが可能とな
り、製造工程上の歩留りが向上し、製造工数が低減す
る。
【図１】本発明第１実施例による誘電体フィルタの断面
図である。
図である。
【図２】本発明第２実施例による誘電体フィルタの断面
図である。
図である。
【図３】本発明実施例によると誘電体フィルタの平面図
（ａ）、及び側面図（ｂ）である。
（ａ）、及び側面図（ｂ）である。
【図４】従来例による誘電体フィルタの斜視図である。
１Ａ 同軸共振器 １Ｂ 同軸共振器 ２ 角柱状誘電体部材 ３ 外導体 ４ 内導体 ５ 入出力電極 ６ 接地電極 ７ 誘電体基板 ８ Ｃｕメッキ層 ９ Ｎｉメッキ層 １０ 半田メッキ層 １１ クリーム半田
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１２月２０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】図１は、本発明第１実施例による誘電体フ
ィルタの断面図である。この誘電体フィルタにおいて
は、同軸共振器１Ａ及び１Ｂの外導体３が、無電解メッ
キ法を用いて形成れたＣｕメッキ層８（厚さ約２μｍ）
と、該Ｃｕメッキ層の表面に形成されたＮｉメッキ層９
（厚さ約１μｍ）と、該Ｎｉメッキ層の表面に形成され
た半田メッキ層１０（厚さ約１μｍ）とによって構成さ
れ、このような同軸共振器１Ａ及び１Ｂが、入出力電極
５及び設置電極６を設けた誘電体基板７の上に載置され
ている。
ィルタの断面図である。この誘電体フィルタにおいて
は、同軸共振器１Ａ及び１Ｂの外導体３が、無電解メッ
キ法を用いて形成れたＣｕメッキ層８（厚さ約２μｍ）
と、該Ｃｕメッキ層の表面に形成されたＮｉメッキ層９
（厚さ約１μｍ）と、該Ｎｉメッキ層の表面に形成され
た半田メッキ層１０（厚さ約１μｍ）とによって構成さ
れ、このような同軸共振器１Ａ及び１Ｂが、入出力電極
５及び設置電極６を設けた誘電体基板７の上に載置され
ている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】図２は、本発明第２実施例による誘電体フ
ィルタの断面図であり、該誘電体フィルタにおいては、
同軸共振器１Ａ及び１Ｂの外導体３が、無電解メッキ法
を用いて形成れたＣｕメッキ層８（厚さ約３μｍ）と、
該Ｃｕメッキ層の表面に形成された半田メッキ層１０
（厚さ約１μｍ）とによって構成され、このような同軸
共振器１Ａ及び１Ｂが、入出力電極５及び設置電極６を
設けた誘電体基板７の上に載置されている。第２実施例
における半田メッキ層の厚さは、Ｃｕ層中への半田の拡
散がＮｉ層中への拡散に比べて起こりやすいことを考慮
して、第１実施例の場合よりも厚く設定されている。
ィルタの断面図であり、該誘電体フィルタにおいては、
同軸共振器１Ａ及び１Ｂの外導体３が、無電解メッキ法
を用いて形成れたＣｕメッキ層８（厚さ約３μｍ）と、
該Ｃｕメッキ層の表面に形成された半田メッキ層１０
（厚さ約１μｍ）とによって構成され、このような同軸
共振器１Ａ及び１Ｂが、入出力電極５及び設置電極６を
設けた誘電体基板７の上に載置されている。第２実施例
における半田メッキ層の厚さは、Ｃｕ層中への半田の拡
散がＮｉ層中への拡散に比べて起こりやすいことを考慮
して、第１実施例の場合よりも厚く設定されている。
Claims (4)
- 【請求項１】 誘電体基板上に複数個の同軸共振器を配
列してなる誘電体フィルタにおいて、前記同軸共振器の
外導体の最外層に半田メッキ処理を施し、該同軸共振器
の半田メッキ層と前記誘電体基板の接地電極とを半田付
けしたことを特徴とする誘電体フィルタ。 - 【請求項２】 前記同軸共振器の外導体が、無電解メッ
キ法を用いて形成されたＣｕメッキ層と、該Ｃｕメッキ
層の表面に形成された半田メッキ層とからなることを特
徴とする請求項１記載の誘電体フィルタ。 - 【請求項３】 前記同軸共振器の外導体が、無電解メッ
キ法を用いて形成されたＣｕメッキ層と、該Ｃｕメッキ
層の表面に形成されたＮｉメッキ層と、該Ｎｉメッキ層
の表面に形成された半田メッキ層とからなることを特徴
とする請求項１記載の誘電体フィルタ。 - 【請求項４】 請求項１記載の誘電体フィルタにおい
て、同軸共振器の半田メッキ層と誘電体基板の接地電極
とを、２ケ所で半田付けしたことを特徴とする誘電体フ
ィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29822693A JPH07154104A (ja) | 1993-11-29 | 1993-11-29 | 誘電体フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29822693A JPH07154104A (ja) | 1993-11-29 | 1993-11-29 | 誘電体フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07154104A true JPH07154104A (ja) | 1995-06-16 |
Family
ID=17856868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29822693A Pending JPH07154104A (ja) | 1993-11-29 | 1993-11-29 | 誘電体フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07154104A (ja) |
-
1993
- 1993-11-29 JP JP29822693A patent/JPH07154104A/ja active Pending
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