JPH07154111A - 誘電体共振器及びその特性設定方法 - Google Patents

誘電体共振器及びその特性設定方法

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JPH07154111A
JPH07154111A JP5294996A JP29499693A JPH07154111A JP H07154111 A JPH07154111 A JP H07154111A JP 5294996 A JP5294996 A JP 5294996A JP 29499693 A JP29499693 A JP 29499693A JP H07154111 A JPH07154111 A JP H07154111A
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dielectric
conductor layer
layer
conductor
dielectric layer
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JP5294996A
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Noboru Masuda
昇 増田
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 金型等の変更を伴うことなく誘電体共振器の
特性を設定調整可能にする。 【構成】 強誘電体セラミクス10の外側面に形成され
た導体層14の少なくとも一部を、誘電体層26によっ
て被覆する。誘電体層26の一部を、更に導体層28に
よって被覆する。導体層14、誘電体層26及び導体層
28によって高周波的な分布容量コンデンサが形成され
るため、強誘電体セラミクス10を形成するための金型
等の変更を伴うことなく、誘電体共振器18の特性を変
化させることが可能になる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、強誘電体セラミクス等
により形成された誘電体共振器及びその特性設定方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】無線通信の分野は、近年、コードレス電
話機、衛星通信等を中心として飛躍的な発展を遂げてい
る。これに伴い、無線通信機器の高周波化が進んでお
り、またその小型化が要求されている。これら高周波化
及び小型化に寄与する部品として、いわゆる誘電体共振
器がある。
【0003】誘電体共振器は、インピーダンス整合性が
よいこと、高いQを有していること、高誘電率の誘電体
を使用しているためストリップラインに比べ小型な装置
を構成できること、等の利点を有している。このような
利点があるため、誘電体共振器は、数百MHz以上の帯
域で、発振回路や共振回路に多用されている。この結
果、誘電体共振器は、無線通信分野で重要な位置を占め
つつある。
【0004】更に、誘電体共振器は、無線通信以外の分
野にも広く用いられつつある。例えば、誘電体共振器を
用いた静電センサや、自動車等に搭載されその配線を少
なくするためのコードレスセンサ等が開発されている。
これらの分野では、いずれも、簡便化、小型化、軽量化
等が要求されており、誘電体共振器を使用することによ
って、これらの目的が好適に達成される。
【0005】このように、誘電体共振器は、通信、自動
車、計測、民生機器等多岐の分野にわたって用途を拡大
している。そのため、誘電体共振器に対しては、その特
性の改善や多品種化が要求されている。
【0006】図22には、誘電体共振器の形状の一例が
示されている。特に図22(a)に示されるものは丸型
共振器と呼ばれ、図22(b)に示されるものは角型共
振器と呼ばれる。
【0007】図22に示される共振器は、中空筒状の強
誘電体セラミクス10の内側面及び外側面にそれぞれ導
体層12及び14を形成した構造を有している。導体層
12及び14は、強誘電体セラミクス10を誘電体とし
た同軸線路を形成している。このコアを1/4波長共振
器として構成する場合には、導体層12と14は強誘電
体セラミクス10の端子16を設けていない端面におい
て短絡される。そして、導体層12には、高周波信号を
入力するための端子16が電気的に接続されている。
【0008】図23には、基板への実装方法が示されて
いる。この図に示される共振器18は図22(b)に示
される角型共振器であるが、同様の方法は、図22
(a)に示される丸型共振器にも適用できる。
【0009】共振器18の外側面に形成された導体層1
4は、基板20上の接地導体22に半田付けされる。ま
た、端子16は、基板20上の信号導体24に半田付け
される。このような方法で共振器18を基板20に実装
することにより、当該共振器18を基板20上に固定す
ると共に電気的接続を確保することができる。基板20
上には、図示しないが例えばトランジスタ、コンデンサ
等の部品が実装され、共振器18はこれらの部品と共に
共振回路等を構成する。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】従来の誘電体共振器の
基礎特性は、その寸法形状及び材料が決定されると一意
的に定まっていた。すなわち、その特性を僅かであって
も変更するためには、強誘電体セラミクスの形成に使用
する金型等の設備を一新しなければならず、仕様変更に
伴い著しい費用が発生していた。
【0011】本発明は、このような問題点を解決するこ
とを課題としてなされたものであり、簡単な構造を誘電
体共振器に付加することにより、当該共振器の特性を、
その寸法形状及び材料を変更することなく、すなわち金
型等を変更することなく設定調整することを可能にする
ことを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明に係る誘電体共振器は、その外部表面
に導体層が設けられた誘電体のコア(例えば強誘電体セ
ラミクスの形成体)と、導体層の少なくとも一部を被覆
するよう形成された被覆誘電体層と、被覆誘電体層の少
なくとも一部を被覆するよう形成された被覆導体層と、
を備えることを特徴とする。
【0013】また、本発明に係る特性設定方法は、その
外部表面に導体層が設けられた素子の周囲に、導体層の
少なくとも一部を被覆するよう被覆誘電体層を形成し、
更に被覆誘電体層の少なくとも一部を被覆するよう被覆
導体層を形成することにより、コアの特性を設定調整す
ることを特徴とする。
【0014】
【作用】本発明においては、コアの周囲に、被覆誘電体
層が形成される。この被覆誘電体層は、コアの外部表面
に設けられた導体層の少なくとも一部を被覆する。ま
た、この被覆誘電体層の少なくとも一部が、被覆導体層
によって被覆される。この被覆導体層を接地導体として
得られるコアの特性は、従来型のコアの特性と相違して
いる。従って、本発明においては、素子の寸法・形状や
材料を変更することなく、すなわちコア形成のための金
型等の設備を一新することなく、被覆誘電体層や被覆導
体層の設計によってコアの特性を設定調整することが可
能になる。
【0015】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例について図面に
基づき説明する。なお、図22及び26に示される従来
例と同様の構成には同一の符号を付し、説明を省略す
る。
【0016】図1には、本発明の第1実施例の構成が示
されている。特に、図1(a)は端子16側の端面を、
図1(b)は、従来型の共振器に相当する部分(以下コ
アという)18の長手方向側断面を、それぞれ示す図で
ある。
【0017】この図に示されるように、本実施例におい
ては、導体層14の外側に誘電体層26が形成されてお
り、この誘電体層26によって導体層14が被覆されて
いる。更に、誘電体層26の外側には導体層28が形成
されており、この導体層28に寄り誘電体層26が被覆
されている。
【0018】誘電体層26としては、例えば、ポリイミ
ド、ポリエステル、アセテートの単一物や混合物又はコ
ポリマ等の誘電体で作られた各種プラスチックフィルム
を使用することができる。また、その厚みは例えば10
〜50μm程度でよい。導体層28としては、例えば
鋼、銅、アルミニウム、金等の良導体を使用することが
できる。その厚みは3波長以上であれば本発明の機能を
奏するが、例えば35〜100μm程度でもよい。更
に、図1においては、誘電体層26及び導体層28が一
対であるが、これは複数対積層して設けても構わない。
【0019】図2には、本発明の第2実施例の構成が示
されている。この実施例においては、誘電体層26及び
導体層28が、導体層14の周囲に、ちょうど渦を巻く
ように複数回巻回形成されている。
【0020】図3には、本発明の第3実施例の構成が示
されている。特に、図3(a)は端子16側の端面を、
図3(b)はコア18の長手方向の側断面を、それぞれ
示している。この実施例においては、導体層28として
被覆導線が使用されている。すなわち、被覆導線が誘電
体層26の周囲に巻回されており、これにより導体層2
8が構成されている。
【0021】図4には、本発明の第4実施例の構成が示
されている。この図は、コア18の上側面図である。こ
の実施例においては、誘電体層26又は導体層28がパ
ターニングされている。
【0022】図5には、本発明の第5実施例の構成が示
されている。この図も図4と同様上側面図であり、本実
施例においても誘電体層26又は導体層28がパターニ
ングされている。但し、そのパターンは第4実施例のそ
れとは異なっており、櫛状のパターンが形成されてい
る。
【0023】図6には、本発明の第6実施例の構成が示
されている。この図は端子16側の端面を示している。
本実施例においては、導体層14の全周にわたって誘電
体層26及び導体層28が形成されるのではなく、導体
層14の一外側面に、誘電体層26及び導体層28が積
層形成されている。導体層28のうち最も外側の導体層
28は、押圧接触等により、接続部材30と電気的に接
続されている。接続部材30は「コ」の字状の形状を有
しており、その先端は、基板20上の接地導体22に例
えば半田付けによって電気的に接続されている。
【0024】図7には、本発明の第7実施例の構成が示
されている。この実施例においても第6実施例と同様の
接続部材30が使用されているが、但しその先端は導体
20上の接地導体22等とは直接接触していない。すな
わち、接続部材30の先端は基板20から浮いており、
接地導体22とは電磁界結合している。
【0025】図8には、本発明の第8実施例の構成が示
されている。この図は端子16側の端面を示している。
この実施例においては2個の導体層28のうち1個が、
「コ」の字状の湾曲部28a及びその両側に設けられた
「L」の字状の2個の橋絡部28bを有している。コア
18は、湾曲部28aによって保持されており、その4
個の外側面に形成された導体層14のうち3個の側面が
この湾曲部28aによって被覆されている。橋絡部28
bは、基板20上の例えば接地導体22に半田付けされ
ている。誘電体層26は、導体層14のうち湾曲部28
aによって被覆されていない一外側面及び橋絡部28b
の一部を被覆している。誘電体層26の上には、もう1
個の導体層28が設けられている。
【0026】図9には、本発明の第9実施例の構成が示
されている。この実施例は、第8実施例における橋絡部
28bの先端を、第7実施例における接続部材30の先
端と同様、基板20から浮かせ、接地導体22と電磁界
結合するよう構成した点を特徴としている。
【0027】図10には、本発明の第10実施例の構成
が示されている。この実施例においては、誘電体層26
が、導体層14の三外側面を被覆している。導体層28
は、第6又は第7実施例における接続部材30と同様の
形状を有している。但し、導体層28は、第6又は第7
実施例における接続部材30を裏返した態様で配置され
ており、導体層28の底部は基板20上の接地導体22
に半田付けされている。また、導体層28の先端はコア
18から見て左右に展開している。すなわち、導体層2
8は、2個の展開部28cを有している。
【0028】図11には、本発明の第11実施例の構成
が示されている。この実施例は、第10実施例の構成を
変形したものであり、導体層28の展開部28cの一部
28dが、展開部28cの展開方向とは逆方向に曲げら
れており、これによりコア18が第10実施例に比べ強
力に固定されている。それに伴い、誘電体層26の一部
26aも、展開部28cの展開方向と逆方向に伸展され
ている。
【0029】これら第1〜第11実施例に共通する特徴
は、第1に、導体層14の少なくとも一部を被覆するよ
う誘電体層26を設けた点にある。第2に、誘電体層2
6の少なくとも一部を被覆するよう導体層28を設けた
点にある。言い換えれば、導体層14及び28を電極と
し、誘電体層26を誘電体とするコンデンサが形成され
た点を共通の特徴としている。
【0030】この特徴、すなわち導体層14の外側に形
成されたコンデンサは、後に例示するように、コア18
の特性を変化させ、例えばそのQを向上させる。このよ
うな作用が生じる原理については現段階では未解明であ
るが、大まかには、次のような点にあると推測できる。
すなわち、導体層14は、強誘電体セラミクス10の外
側面に形成されており、当該導体層14の強誘電体セラ
ミクス10との界面においては渦電流が発生している。
この渦電流は、強誘電体セラミクス10内部における電
界分布に応じて分布している。従って、本発明の各実施
例のように誘電体層26及び導体層28を設け、これら
から構成されるコンデンサを介して接地導体22に導体
層14を接続すると、当該コンデンサによって強誘電体
セラミクス10内部における電界分布が均一化され、導
体層14における渦電流の分布が均一化すると考えられ
る。この均一化により、コア18の特性のうち導体層1
4内部における渦電流に依存した抵抗成分が変化すると
見られる。
【0031】また、導体層14、誘電体層26及び導体
層28から形成されるコンデンサは、高周波的な意味で
のコンデンサ、すなわち分布容量である。従って、本発
明の各実施例における特性変化作用は、例えば500M
Hz以上の高周波で生じると考えられる。更に、このコ
ンデンサが分布容量であるため、例えば第8又は第9実
施例のように導体層14と導体層28が低周波的に接触
していても前述の特性変化の作用が生じることとなる。
更に、このような高周波においては、第7又は第9実施
例に示されるような電磁界結合も可能となる。
【0032】加えて、第10及び第11実施例において
は、導体層28がコア18を挟持固定する部材としても
機能している。すなわち、コア18が導体層28により
挟持固定されると共に、このコア28を介して接地導体
22との接触が保たれる。従って、基板20に半田付け
すべき部材が導体層28のみで足りることとなり、大き
な出力の半田ごてを使用することなくコア18を基板2
0上に実装することやハトメ止め等の簡便な方法が可能
となる。加えて、第11実施例のような構造とすれば、
導体層28によるコア18の保持強度を更に高めること
ができる。
【0033】図12〜図24には、本発明の発明者が行
った特性測定の方法及びその結果が示されている。特
に、図12(a)には発明者が使用した測定治具の正面
が、図12(b)には側面が、図13〜図22には各実
施例の特性測定結果が、図24には測定再現性確認の結
果が、それぞれ示されている。
【0034】図12に示されるように、発明者が使用し
た治具32は、同軸ケーブル34の導体36を端子16
又は信号導体24に押圧接触させる一方で、リン青銅3
8及び箔40から構成されるバネ電極をコア18の導体
層28にバネ接触させる構造である。また、この治具3
2は、測定部位を包囲するカバー42を有している。こ
のカバー42は、例えば厚み0.8mmの銅板から形成
されており、同軸ケーブル34はこのカバー42を貫通
している。リン青銅38及び箔40はカバー42の内側
にスポット溶接後半田付けされており、同軸ケーブル3
4はその貫通部位において半田付けされている。測定用
の高周波(RF)信号は、同軸ケーブル34を介して供
給される。
【0035】図13〜図21は、図12に示される治具
32を用いて得られた周波数対減衰量のデータであり、
横軸は周波数(MHz,線形)、縦軸は減衰量(dB)
であり、誘電体層26の厚さは50μmである。また、
測定に係る試料は、導体層28として50μmの銅板を
用いた試料である。なお、各図において試料1、試料2
等の符号が使用されており、また異なる図において同一
の試料番号が現れているが、異なる図において現れる同
一の試料番号は一般に同一の試料を示すものではない点
に注意されたい。
【0036】まず、第1実施例の構成を採用しかつ誘電
体層26の材質としてポリイミドを使用した場合につい
て、図13及び図14に示されるような測定結果が得ら
れている。これらの図のうち、図13は誘電体層26を
1層とした場合を、図14は5層とした場合を、それぞ
れ示している。これらの図から明らかなように、第1実
施例の構成において誘電体層26をポリイミドとした場
合、共振点におけるQがコア単体の場合に比べ良好とな
る。また、誘電体層26の層数が5層の場合、1層の場
合に比べてQがさらに良好となる。
【0037】図15及び図16には、誘電体層26とし
てアセテートを使用した場合の特性測定結果が示されて
いる。特に、図15は第1実施例の構造において誘電体
層26の層数を5層とした場合であり、図16は第8実
施例の構成において誘電体層26の層数を1層とした場
合である。これらの図に示されるように、第1実施例及
び第8実施例のいずれにおいても、コア単体の場合に比
べ共振点におけるQが良好となる。同様の結果は、誘電
体層26として、テフロン(商標)、マイラー、ブレン
ドテープ、ポリエチレンテレフタレート(ペット)等を
使用した場合にも得られている。図17に示されるの
は、第1実施例において誘電体層26の層数を5層と
し、更にその材質としてテフロンを使用した場合の特性
測定結果である。図18に示されるのは、第1実施例に
おいて誘電体層26を1層とし更にその材質をマイラー
とした場合の特性である。更に、図19及び図20に示
されるのは第1実施例において誘電体層26をブレンド
テープとした場合の特性測定結果であり、図19におけ
る誘電体層26の層数は1層、図20における層数は5
層である。図21に示されるのは、第2実施例において
誘電体層26をペット(パナック社,商品名:GS−3
8)として2回巻回した場合の特性測定結果であり、こ
の図の場合誘電体層26の厚みは35μmである。
【0038】このように、発明者の特性測定結果によれ
ば、前述したコア18の特性変化が明らかに生じている
ことが分かる。
【0039】なお、以上の説明は、コア18として角型
コアを用いた場合について行ったが、同様の作用及び効
果は丸型コアにおいて誘電体層26及び導体層28を設
けた場合にも生じる。更に、以上の説明は1/4波長共
振器についてのものであったが、1/2波長共振器等に
ついても本発明を適用することができる。
【0040】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
コアの外部表面に設けられた導体層の少なくとも一部を
被覆するよう被覆誘電体層を設け、更にこの被覆誘電体
層の少なくとも一部を被覆するよう被覆体層を形成する
ようにしたため、誘電体共振器の特性を、コア形成のた
めの金型等の設備を再作成することなく、被覆誘電体層
及び被覆導体層の設計によって変形することが可能とな
り、仕様変更に伴う特性の設定調整がより容易となる。
これにより、誘電体共振器の製造コストが低減され、そ
の用途を更に拡大可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例の構成を示す図であり、図
1(a)は端子側の端面図、図1(b)はコア長手方向
の側断面図である。
【図2】本発明の第2実施例の構成を示す端子側の端面
図である。
【図3】本発明の第3実施例の構成を示す図であり、図
3(a)は端子側の端面図、図3(b)はコア長手方向
の側断面図である。
【図4】本発明の第4実施例の構成を示す上側面図であ
る。
【図5】本発明の第5実施例の構成を示す上側面図であ
る。
【図6】本発明の第6実施例の構成を示す端子側の端面
図である。
【図7】本発明の第7実施例の構成を示す端子側の端面
図である。
【図8】本発明の第8実施例の構成を示す端子側の端面
図である。
【図9】本発明の第9実施例の構成を示す端子側の端面
図である。
【図10】本発明の第10実施例の構成を示す斜視図で
ある。
【図11】本発明の第11実施例の構成を示す斜視図で
ある。
【図12】発明者が特性測定に使用した治具の構成を示
す図であり、図1(a)は正面図、図12(b)は側面
図(カバー内のみ断面図)である。
【図13】発明者による特性測定結果を示す図であり、
第1実施例において誘電体層を1層としその材質をポリ
イミドとした場合の特性図である。
【図14】発明者による特性測定結果を示す図であり、
第1実施例において誘電体層を5層としその材質をポリ
イミドとした場合の特性図である。
【図15】発明者による特性測定結果を示す図であり、
第1実施例において誘電体層を5層としその材質をアセ
テートとした場合の特性図である。
【図16】発明者による特性測定結果を示す図であり、
第8実施例において誘電体層を1層としその材質をアセ
テートとした場合の特性図である。
【図17】発明者による特性測定結果を示す図であり、
第1実施例において誘電体層を5層としその材質をテフ
ロンとした場合の特性図である。
【図18】発明者による特性測定結果を示す図であり、
第1実施例において誘電体層を1層としその材質をマイ
ラーとした場合の特性図である。
【図19】発明者による特性測定結果を示す図であり、
第1実施例において誘電体層を1層としその材質をブレ
ンドテープとした場合の特性図である。
【図20】発明者による特性測定結果を示す図であり、
第1実施例において誘電体層を5層としその材質をブレ
ンドテープとした場合の特性図である。
【図21】発明者による特性測定結果を示す図であり、
第2実施例において誘電体層を2回巻回しその材質をポ
リエチレンテレフタレートとした場合の特性図である。
【図22】従来における誘電体共振器の形状の一例を示
す図であり、図22(a)は丸型コアを、図22(b)
は角型コアを、それぞれ示す図である。
【図23】従来の誘電体共振器を基板に実装する方法を
示す斜視図である。
【符号の説明】
10 強誘電体セラミクス 12,14,28 導体層 16 端子 18 コア 20 基板 22 接地導体 24 信号導体 26 誘電体層

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 その外部表面に導体層が設けられた誘電
    体のコアと、 導体層の少なくとも一部を被覆するよう形成された被覆
    誘電体層と、 被覆誘電体層の少なくとも一部を被覆するよう形成され
    た被覆導体層と、 を備えることを特徴とする誘電体共振器。
  2. 【請求項2】 その外部表面に導体層が設けられた誘電
    体のコアの周囲に、導体層の少なくとも一部を被覆する
    よう被覆誘電体層を形成し、さらに被覆誘電体層の少な
    くとも一部を被覆するよう被覆導体層を形成することに
    より、誘電体共振器の特性を設定調整することを特徴と
    する誘電体共振器の特性設定方法。
JP5294996A 1993-11-25 1993-11-25 誘電体共振器及びその特性設定方法 Pending JPH07154111A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2000024080A1 (en) * 1998-10-16 2000-04-27 Paratek Microwave, Inc. Voltage tunable laminated dielectric materials for microwave applications

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WO2000024080A1 (en) * 1998-10-16 2000-04-27 Paratek Microwave, Inc. Voltage tunable laminated dielectric materials for microwave applications
US6377142B1 (en) 1998-10-16 2002-04-23 Paratek Microwave, Inc. Voltage tunable laminated dielectric materials for microwave applications

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