JPH071559B2 - 光磁気ディスク - Google Patents
光磁気ディスクInfo
- Publication number
- JPH071559B2 JPH071559B2 JP61123677A JP12367786A JPH071559B2 JP H071559 B2 JPH071559 B2 JP H071559B2 JP 61123677 A JP61123677 A JP 61123677A JP 12367786 A JP12367786 A JP 12367786A JP H071559 B2 JPH071559 B2 JP H071559B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magneto
- optical recording
- recording medium
- layer
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、光磁気ディスク、特に光磁気記録媒体層を
保護する保護膜を有する光磁気ディスクに関するもので
ある。
保護する保護膜を有する光磁気ディスクに関するもので
ある。
レーザ光を使用して情報の記録，再生及び消去を行なう
光磁気ディスクは、高密度の情報の記録が可能であり、
且つ情報の消去や追加記録が出来るので、各方向に広く
使用されている。
光磁気ディスクは、高密度の情報の記録が可能であり、
且つ情報の消去や追加記録が出来るので、各方向に広く
使用されている。
この種の光磁気ディスクの光磁気記録媒体としては、Tb
−Fe系、Tb−Fe−Co系、Gd−Tb−Fe系のものなどが使用
されているが、いずれのものも酸化などの耐蝕性の面で
充分ではない。
−Fe系、Tb−Fe−Co系、Gd−Tb−Fe系のものなどが使用
されているが、いずれのものも酸化などの耐蝕性の面で
充分ではない。
このために光磁気ディスクにおいて光磁気記録媒体層を
保護するための各種の手段が提案されている。
保護するための各種の手段が提案されている。
例えば光磁気記録媒体を酸素を含有しない膜間に挟持さ
せ、光磁気記録媒体の作成時における酸素の混入を防止
し、さらに最上層に容易に酸化し易い金属膜を形成し、
外部からの酸素はこの金属膜を酸化させることに費して
酸素の混入を防止する方法が提案されている（特開昭59
−110052号）。さらには、光磁気記録媒体と基板間に、
酸素を取り込んで安定化する還元性の誘電体膜を形成
し、この誘導体膜の存在で、光磁気記録媒体の酸化を防
止しようとする方法も提案されている（特開昭59−1100
56号）。又、光磁気記録媒体をAl,Bi,Pbなどの非通気性
で防湿効果の高い保護膜で保護する方式のものが提案さ
れている（特開昭58−80142号）。
せ、光磁気記録媒体の作成時における酸素の混入を防止
し、さらに最上層に容易に酸化し易い金属膜を形成し、
外部からの酸素はこの金属膜を酸化させることに費して
酸素の混入を防止する方法が提案されている（特開昭59
−110052号）。さらには、光磁気記録媒体と基板間に、
酸素を取り込んで安定化する還元性の誘電体膜を形成
し、この誘導体膜の存在で、光磁気記録媒体の酸化を防
止しようとする方法も提案されている（特開昭59−1100
56号）。又、光磁気記録媒体をAl,Bi,Pbなどの非通気性
で防湿効果の高い保護膜で保護する方式のものが提案さ
れている（特開昭58−80142号）。
しかし提案されているいずれの方法によっても、空気中
の湿度や油分及び水分の存在する雰囲気での、光磁気記
録媒体の酸化や腐蝕からの防止は不充分である。
の湿度や油分及び水分の存在する雰囲気での、光磁気記
録媒体の酸化や腐蝕からの防止は不充分である。
このために実用面では、このような雰囲気での光磁気記
録媒体の長時間にわたる使用に際しては、光磁気記録媒
体が劣化して、記録条件が変化し、記録情報のドロップ
アウトの問題や、C/N比の低下などの問題が完全には解
決されていなかった。
録媒体の長時間にわたる使用に際しては、光磁気記録媒
体が劣化して、記録条件が変化し、記録情報のドロップ
アウトの問題や、C/N比の低下などの問題が完全には解
決されていなかった。
この発明は、従来提案されている光磁気ディスクにおけ
る光磁気記録媒体の保護上の欠点を解決し、非通気性及
び非透湿性の保護膜で光磁気記録媒体を保護し、全体の
膜構造が簡単で作成上の成膜工程数が少なく製造技術も
複雑化せず、優れた光磁気記録再生特性を有する光磁気
ディスクを提供するものである。
る光磁気記録媒体の保護上の欠点を解決し、非通気性及
び非透湿性の保護膜で光磁気記録媒体を保護し、全体の
膜構造が簡単で作成上の成膜工程数が少なく製造技術も
複雑化せず、優れた光磁気記録再生特性を有する光磁気
ディスクを提供するものである。
この発明においては、第１図に示すように、ガラスやポ
リカーボネート、アクリル、エポキシ、ポリメチルペン
ランなどの透明高分子材で形成される透明基板１上に、
第１層として、組成がTaOx，NbOxまたはTa1-yNbyOx（但
し、1.6≦ｘ≦2.3、０＜ｙ＜１）で表わされ、膜厚が20
0〜1000Åである、前記光磁気記録媒体を保護し見かけ
のKerr回転角を増加させる誘電体膜３−１、第２層とし
て、前記光磁気記録媒体層２および第３層として、組成
がTaOz，NbOzまたはTa1-wNbwOz（但し、1.6≦ｘ≦2.3、
０＜ｗ＜１）で表わされるか金属の、膜厚が200Å以上
である前記光磁気記録媒体を保護する保護膜３−２が形
成される。
リカーボネート、アクリル、エポキシ、ポリメチルペン
ランなどの透明高分子材で形成される透明基板１上に、
第１層として、組成がTaOx，NbOxまたはTa1-yNbyOx（但
し、1.6≦ｘ≦2.3、０＜ｙ＜１）で表わされ、膜厚が20
0〜1000Åである、前記光磁気記録媒体を保護し見かけ
のKerr回転角を増加させる誘電体膜３−１、第２層とし
て、前記光磁気記録媒体層２および第３層として、組成
がTaOz，NbOzまたはTa1-wNbwOz（但し、1.6≦ｘ≦2.3、
０＜ｗ＜１）で表わされるか金属の、膜厚が200Å以上
である前記光磁気記録媒体を保護する保護膜３−２が形
成される。
この第１層の誘電体膜は、光磁気記録媒体層を保護する
と共に、情報の読み出し光の内、光磁気記録媒体層で反
射した光をこの膜内で多重反射させ、読み出し用反射光
の見かけのカー回転角が増大し、再生C/N比を向上させ
る（カーエンハンスメント効果）ために形成する。この
膜の成分はTaOx，NbOxまたはTa1-yNbyOxで表わされる必
要がある。それは、この成分がｘの幅広い範囲で安定で
あるため、一般の酸化物をスパッタリングもしくは蒸着
する際に見られる、（１）酸素不足の膜の形成を防止す
る目的で高純度酸素の導入を必要とする、（２）この酸
素導入により成膜速度が大幅に低下するといった不利を
解消するからである。そしてこの膜の組成を示すｘおよ
びｙには夫々1.6≦ｘ≦2.3、０＜ｙ＜１なる条件が設定
される。ｘが1.6未満では、誘電体膜中に金属性のTa,Nb
が形成され、均質で透明な膜が形成されず、一方ｘが2.
3を超えると未反応の酸素が過剰となり、長時間にわた
る使用により光磁気記録媒体が劣化する。更に、ｘが2.
7を越えると、酸素が光磁気記録媒体層の形成時にこの
層内に混入して得られる光磁気ディスクの光磁気記録再
生特性を劣化させる。この誘電体膜は、高周波スパッタ
リングにより膜厚が200〜1000Åに形成される。膜厚が2
00Å未満であると、ピンホールなどによる膜の不均一性
が増し光磁気記録媒体層が酸化することによる情報のド
ロップアウトが生じてこの媒体層を保護する効果が不充
分であると共に、カーエンハンスメント効果が充分に発
揮されない。一方、膜厚が1000Åを超えると、膜厚のバ
ラツキが増大し、カーエンハンスメント効果を有効に利
用できなくなる。
と共に、情報の読み出し光の内、光磁気記録媒体層で反
射した光をこの膜内で多重反射させ、読み出し用反射光
の見かけのカー回転角が増大し、再生C/N比を向上させ
る（カーエンハンスメント効果）ために形成する。この
膜の成分はTaOx，NbOxまたはTa1-yNbyOxで表わされる必
要がある。それは、この成分がｘの幅広い範囲で安定で
あるため、一般の酸化物をスパッタリングもしくは蒸着
する際に見られる、（１）酸素不足の膜の形成を防止す
る目的で高純度酸素の導入を必要とする、（２）この酸
素導入により成膜速度が大幅に低下するといった不利を
解消するからである。そしてこの膜の組成を示すｘおよ
びｙには夫々1.6≦ｘ≦2.3、０＜ｙ＜１なる条件が設定
される。ｘが1.6未満では、誘電体膜中に金属性のTa,Nb
が形成され、均質で透明な膜が形成されず、一方ｘが2.
3を超えると未反応の酸素が過剰となり、長時間にわた
る使用により光磁気記録媒体が劣化する。更に、ｘが2.
7を越えると、酸素が光磁気記録媒体層の形成時にこの
層内に混入して得られる光磁気ディスクの光磁気記録再
生特性を劣化させる。この誘電体膜は、高周波スパッタ
リングにより膜厚が200〜1000Åに形成される。膜厚が2
00Å未満であると、ピンホールなどによる膜の不均一性
が増し光磁気記録媒体層が酸化することによる情報のド
ロップアウトが生じてこの媒体層を保護する効果が不充
分であると共に、カーエンハンスメント効果が充分に発
揮されない。一方、膜厚が1000Åを超えると、膜厚のバ
ラツキが増大し、カーエンハンスメント効果を有効に利
用できなくなる。
光磁気記録媒体層としては、TbFe,GdCo,TbCo,DyCo,GdTb
Fe,GdFeCo,TbDyFe,GdTbDyFe,TbDyFeCoなどの希土類遷移
金属合金薄膜やこれらにSn,Zn,Ge,Pb,Si,Bi,B,Cr,Al,P
t,Niなどを添加含有させた希土類遷移金属合金薄膜が用
いられ、これらの薄膜が例えば1000Åの膜厚に真空蒸着
やスパッタリングの手段により形成される。
Fe,GdFeCo,TbDyFe,GdTbDyFe,TbDyFeCoなどの希土類遷移
金属合金薄膜やこれらにSn,Zn,Ge,Pb,Si,Bi,B,Cr,Al,P
t,Niなどを添加含有させた希土類遷移金属合金薄膜が用
いられ、これらの薄膜が例えば1000Åの膜厚に真空蒸着
やスパッタリングの手段により形成される。
第３層の保護膜は、光磁気記録媒体層を保護するために
形成し、組成がTaOz，NbOzまたはTa1-wNbwOz（但し、1.
6≦ｚ≦2.3、０＜ｗ＜１）で表わされるかAl,Bi,Pbなど
保護膜として公知の金属である。この膜の成分は、第１
層の誘電体の成分と必ずしも同じである必要はない。ま
た、ｚに1.6〜2.3なる条件が設定される理由は、この範
囲から外れると上記保護膜としての効果が充分発揮され
ないからである。ｘとｚとは必ずしも同じである必要は
ない。ｙとｗも必ずしも同じである必要はない。この保
護膜は，TaOz，NbOzまたはTa1-wNbwOzの場合高周波スパ
ッタリングにより、また金属の場合、高周波スパッタリ
ング、直流スパッタリング、真空蒸着によりいずれも膜
厚が200Å以上に形成される。この膜厚の下限が上記の
ように設定されたのは、この下限未満では、ピンホール
などによる膜の不均一性が増し光磁気記録媒体層を保護
する効果が充分得られない。
形成し、組成がTaOz，NbOzまたはTa1-wNbwOz（但し、1.
6≦ｚ≦2.3、０＜ｗ＜１）で表わされるかAl,Bi,Pbなど
保護膜として公知の金属である。この膜の成分は、第１
層の誘電体の成分と必ずしも同じである必要はない。ま
た、ｚに1.6〜2.3なる条件が設定される理由は、この範
囲から外れると上記保護膜としての効果が充分発揮され
ないからである。ｘとｚとは必ずしも同じである必要は
ない。ｙとｗも必ずしも同じである必要はない。この保
護膜は，TaOz，NbOzまたはTa1-wNbwOzの場合高周波スパ
ッタリングにより、また金属の場合、高周波スパッタリ
ング、直流スパッタリング、真空蒸着によりいずれも膜
厚が200Å以上に形成される。この膜厚の下限が上記の
ように設定されたのは、この下限未満では、ピンホール
などによる膜の不均一性が増し光磁気記録媒体層を保護
する効果が充分得られない。
以下、この発明の光磁気ディスクを、その実施例に基づ
き製作法に沿ってそれぞれ詳細に説明する。
き製作法に沿ってそれぞれ詳細に説明する。
第１表〜第３表には、この発明の各実施例（実施例１〜
実施例９）の光磁気ディスクと、各実施例に対応し、こ
の発明の組成条件或いは膜厚条件を満足しない各比較例
（比較例１〜比較例27）の光磁気ディスクの組成、膜厚
及び発明者等の実測した初期C/N比と経時C/N比とが示さ
れている。
実施例９）の光磁気ディスクと、各実施例に対応し、こ
の発明の組成条件或いは膜厚条件を満足しない各比較例
（比較例１〜比較例27）の光磁気ディスクの組成、膜厚
及び発明者等の実測した初期C/N比と経時C/N比とが示さ
れている。
第１表〜第３表に示した実施例及び比較例は、いずれも
第１図に示すように厚さ1.2mmのポリカーボネートの透
明基板１上に高周波スパッタリングの手段により、第１
層の誘電体膜３−１を形成し、この第１層の誘電体膜３
−１上に第２層のTb0.21Fe0.55Co0.24なる組成の光磁気
記録媒体層２を膜厚1000Åに形成し、この光磁気記録媒
体層２上に第３層の保護膜３−２を形成した膜構成のも
のである。
第１図に示すように厚さ1.2mmのポリカーボネートの透
明基板１上に高周波スパッタリングの手段により、第１
層の誘電体膜３−１を形成し、この第１層の誘電体膜３
−１上に第２層のTb0.21Fe0.55Co0.24なる組成の光磁気
記録媒体層２を膜厚1000Åに形成し、この光磁気記録媒
体層２上に第３層の保護膜３−２を形成した膜構成のも
のである。
このようにして形成された保護膜を具備する光磁気ディ
スクに対して、記録周波数2MHz（RBW30kHz）、レーザパ
ワー4mWで記録が行なわれ、再生レーザパワー1mWで再生
が行なわれた。記録直後に再生した場合のC/N比が第１
表〜第３表の初期C/N比（dB）であり、光磁気ディスク
を温度60℃、90％RH雰囲気中に1000時間放置した後に再
生を行なって得られたC/N比が第１表〜第３表の経時C/N
である。
スクに対して、記録周波数2MHz（RBW30kHz）、レーザパ
ワー4mWで記録が行なわれ、再生レーザパワー1mWで再生
が行なわれた。記録直後に再生した場合のC/N比が第１
表〜第３表の初期C/N比（dB）であり、光磁気ディスク
を温度60℃、90％RH雰囲気中に1000時間放置した後に再
生を行なって得られたC/N比が第１表〜第３表の経時C/N
である。
尚、第４表は第１表乃至第３表と同一の膜構成で、同様
にして実測された初期及び経時C/N比が得られた比較例
（比較例28〜36）を示すものである。
にして実測された初期及び経時C/N比が得られた比較例
（比較例28〜36）を示すものである。
いずれの実施例のものでも、誘電体膜３−１および保護
膜３−２の存在により長期の耐久性に優れ、安定した光
磁気記録再生特性を有する光磁気ディスクが得られてい
ることが確認される。しかし比較例では、第１層のｘが
1.6未満の場合（比較例1,10,19）、2.3を越える場合
（比較例2,11,20,28,29,30,34,35,36）、第１層の膜厚
が200Å未満の場合（比較例3,12,21）、1000Åを越える
場合（比較例4,13,22）そしてスパッタリングの際に酸
素導入がある場合（比較例9,18,27）のいずれも経時C/N
比の低下が大きいという欠点がある。又、第３層のｚが
1.6未満の場合（比較例6,15,24）、2.3を越える場合
（比較例7,16,25,31,32,33,34,35,36）、第３層の膜厚
が200Å未満の場合（比較例5,14,23）そしてスパッタリ
ングの際に酸素導入がある場合（比較例8,17,26）のい
ずれも経時C/N比の低下が大きいという欠点がある。
膜３−２の存在により長期の耐久性に優れ、安定した光
磁気記録再生特性を有する光磁気ディスクが得られてい
ることが確認される。しかし比較例では、第１層のｘが
1.6未満の場合（比較例1,10,19）、2.3を越える場合
（比較例2,11,20,28,29,30,34,35,36）、第１層の膜厚
が200Å未満の場合（比較例3,12,21）、1000Åを越える
場合（比較例4,13,22）そしてスパッタリングの際に酸
素導入がある場合（比較例9,18,27）のいずれも経時C/N
比の低下が大きいという欠点がある。又、第３層のｚが
1.6未満の場合（比較例6,15,24）、2.3を越える場合
（比較例7,16,25,31,32,33,34,35,36）、第３層の膜厚
が200Å未満の場合（比較例5,14,23）そしてスパッタリ
ングの際に酸素導入がある場合（比較例8,17,26）のい
ずれも経時C/N比の低下が大きいという欠点がある。
従って、比較例では、いずれも長期の耐久性に優れ安定
した光磁気記録再生特性を有する光磁気ディスクが得ら
れていない。
した光磁気記録再生特性を有する光磁気ディスクが得ら
れていない。
この発明は、以上説明した各実施例の構成に限るもので
なく、例えば保護膜３−２上にさらに紫外線硬化樹脂を
塗布した構成のものも実現可能である。
なく、例えば保護膜３−２上にさらに紫外線硬化樹脂を
塗布した構成のものも実現可能である。
あるいは、この発明で構成される光磁気ディスクを対向
させ、スペーサにより対向空間を形成し、この対向空間
内に不活性ガスを充填した構成のものも実現可能であ
る。
させ、スペーサにより対向空間を形成し、この対向空間
内に不活性ガスを充填した構成のものも実現可能であ
る。
以上詳細に説明したように、この発明によると成膜工程
が簡単で、光磁気記録媒体層を非通気性及び非透湿性を
維持した状態で保護し、長期耐久性を有し、カーエンハ
ンスメント効果を有効に利用する優れた光磁気記録再生
特性を有する光磁気ディスクを提供することが出来る。
が簡単で、光磁気記録媒体層を非通気性及び非透湿性を
維持した状態で保護し、長期耐久性を有し、カーエンハ
ンスメント効果を有効に利用する優れた光磁気記録再生
特性を有する光磁気ディスクを提供することが出来る。
第１図は、この発明の光磁気ディスクの実施例の構成を
示す断面図である。 1:透明基板、2:光磁気記録媒体層、３−1:誘電体膜、３
−2:保護膜。
示す断面図である。 1:透明基板、2:光磁気記録媒体層、３−1:誘電体膜、３
−2:保護膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 幹彦 千葉県市川市中国分３−18−５ 住友金属 鉱山株式会社中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−32242（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−197966（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】透明基板上に光磁気記録媒体層が形成さ
れ、この光磁気記録媒体層に光ビームを照射して情報の
書き込み及び読みだしを行う光磁気ディスクにおいて、
前記透明基板上に、第１層として、組成がTaOx，NbOx，
またはTa1-yNbyOx（但し、1.6≦ｘ≦2.3、０＜ｙ＜１）
で表され且つ膜厚が200〜1000Åである、前記光磁気記
録媒体層を保護し見かけのKerr回転角を増加させる誘電
体膜、第２層として前記光磁気記録媒体層、および第３
層として、組成がTaOz，NbOz，またはTa1-wNbwOz（但
し、1.6≦ｚ≦2.3、０＜ｗ＜１）で表されるか又は金属
から成り且つ膜厚が200Å以上である、前記光磁気記録
媒体を保護する保護膜、が夫々形成されて成ることを特
徴とする光磁気ディスク。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61123677A JPH071559B2 (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 光磁気ディスク |
| EP87903436A EP0324853B1 (en) | 1986-05-30 | 1987-05-29 | Magneto-optical disk |
| DE8787903436T DE3778905D1 (de) | 1986-05-30 | 1987-05-29 | Magnetooptische platte. |
| PCT/JP1987/000347 WO1987007422A1 (en) | 1986-05-30 | 1987-05-29 | Magneto-optical disk |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61123677A JPH071559B2 (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 光磁気ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62281139A JPS62281139A (ja) | 1987-12-07 |
| JPH071559B2 true JPH071559B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=14866568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61123677A Expired - Lifetime JPH071559B2 (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 光磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH071559B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2578418B2 (ja) * | 1986-12-29 | 1997-02-05 | 三菱化学株式会社 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH01173454A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH01204245A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-16 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH02152046A (ja) * | 1988-12-02 | 1990-06-12 | Daicel Chem Ind Ltd | 光磁気メディア |
| JP2699690B2 (ja) * | 1990-12-18 | 1998-01-19 | 三菱化学株式会社 | 光学的情報記録用媒体 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60197966A (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-07 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
| JPS6132242A (ja) * | 1984-07-24 | 1986-02-14 | Canon Inc | 光熱磁気記録媒体 |
-
1986
- 1986-05-30 JP JP61123677A patent/JPH071559B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62281139A (ja) | 1987-12-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0514407B2 (ja) | ||
| JPS6271042A (ja) | 光メモリ素子 | |
| JPS62267944A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH071559B2 (ja) | 光磁気ディスク | |
| JP2541677B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JPS62239349A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2595956B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2521713B2 (ja) | 光磁気記録用媒体 | |
| JPH05258361A (ja) | 光磁気記憶媒体及びその製造方法 | |
| JPS62232738A (ja) | 光磁気記録用媒体 | |
| EP0503607A2 (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH0731832B2 (ja) | 光磁気デイスク | |
| JP2754658B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS6252743A (ja) | 光学的記録媒体 | |
| JP2543677B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS6358641A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2654676B2 (ja) | 光磁気記録素子 | |
| JPH0777046B2 (ja) | 光磁気デイスク | |
| JPS62232739A (ja) | 光磁気記録用媒体 | |
| JP2723905B2 (ja) | 情報記録材料の製造方法 | |
| JPS6267750A (ja) | 光磁気デイスク | |
| JPS62298954A (ja) | 光磁気デイスク | |
| JPS63184940A (ja) | 光磁気デイスク | |
| JPH0528557A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS62246160A (ja) | 光磁気記録用媒体 |