JPH0777046B2 - 光磁気デイスク - Google Patents
光磁気デイスクInfo
- Publication number
- JPH0777046B2 JPH0777046B2 JP60183742A JP18374285A JPH0777046B2 JP H0777046 B2 JPH0777046 B2 JP H0777046B2 JP 60183742 A JP60183742 A JP 60183742A JP 18374285 A JP18374285 A JP 18374285A JP H0777046 B2 JPH0777046 B2 JP H0777046B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magneto
- optical recording
- ratio
- recording medium
- protective film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は、光磁気デイスク、特に光磁気記録媒体層を
保護する保護膜を有する光磁気デイスクに関するもので
ある。
保護する保護膜を有する光磁気デイスクに関するもので
ある。
「従来の技術」 レーザ光を使用して情報の記録、再生及び消去を行う光
磁気デイスクは、高密度の情報の記録が可能であり、且
つ情報の消去や書替えが出来るので、各方向で広く使用
されている。
磁気デイスクは、高密度の情報の記録が可能であり、且
つ情報の消去や書替えが出来るので、各方向で広く使用
されている。
この種の光磁気デイスクの光磁気記録媒体としては、Tb
−Fe系Tb−Fe−Co系、Gd−Tb−Fe系のものなどが使用さ
れているが、いずれのものも酸化などの耐蝕性の面で充
分な特性が得られず、このためにこの種の磁気デイスク
において光磁気記録媒体層を保護するための各種の手段
が提案されている。
−Fe系Tb−Fe−Co系、Gd−Tb−Fe系のものなどが使用さ
れているが、いずれのものも酸化などの耐蝕性の面で充
分な特性が得られず、このためにこの種の磁気デイスク
において光磁気記録媒体層を保護するための各種の手段
が提案されている。
例えば光磁気記録媒体を酸素を含有しない膜間に挾持さ
せ、光磁気記録媒体の作成時における酸素の混入を防止
し、さらに最上層に容易に酸化し易い金属膜を形成し、
外部からの酸素はこの金属膜を酸化させることに費して
酸素の混入を防止する方法が提案されている（特開昭59
−110052号）。さらには、光磁気記録媒体と基板間に酸
素を取り込んで安定化する還元性の誘電体膜を形成し、
この誘電体膜の存在で、光磁気記録媒体の酸化を阻止し
ようとする方法も提案されている（特開昭59−110056
号）。また光磁気記録媒体をAl,Bi,Pbなどの非通気性で
防湿効果の高い保護膜で保護する方式のものが提案され
ている（特開昭58−80142号）。
せ、光磁気記録媒体の作成時における酸素の混入を防止
し、さらに最上層に容易に酸化し易い金属膜を形成し、
外部からの酸素はこの金属膜を酸化させることに費して
酸素の混入を防止する方法が提案されている（特開昭59
−110052号）。さらには、光磁気記録媒体と基板間に酸
素を取り込んで安定化する還元性の誘電体膜を形成し、
この誘電体膜の存在で、光磁気記録媒体の酸化を阻止し
ようとする方法も提案されている（特開昭59−110056
号）。また光磁気記録媒体をAl,Bi,Pbなどの非通気性で
防湿効果の高い保護膜で保護する方式のものが提案され
ている（特開昭58−80142号）。
しかしこれらの提案されているいずれの方法によつて
も、空気中の湿気や油分及び水分の存在する雰囲気で
の、光磁気記録媒体の酸化や腐蝕からの防止は不充分で
ある。このために実用面においては、このような雰囲気
での光磁気記録媒体の長時間にわたる使用が行われる
と、光磁気記録媒体の特性が劣化して、記録条件が変化
し、記録情報のドロツプアウトやC/N比の低下などが発
生するという難点があり、この問題は完全には解決され
ていなかつた。
も、空気中の湿気や油分及び水分の存在する雰囲気で
の、光磁気記録媒体の酸化や腐蝕からの防止は不充分で
ある。このために実用面においては、このような雰囲気
での光磁気記録媒体の長時間にわたる使用が行われる
と、光磁気記録媒体の特性が劣化して、記録条件が変化
し、記録情報のドロツプアウトやC/N比の低下などが発
生するという難点があり、この問題は完全には解決され
ていなかつた。
「発明が解決すべき問題点」 この発明は、従来提案されている光磁気デイスクにおけ
る光磁気記録媒体の保護上の難点を解決することを目的
とし、非通気性及び非透湿性の保護膜で光磁気記録媒体
を保護し、全体の膜構造も簡単で作成上の成膜工程数が
少なく製造技術も複数化せず、優れた光磁気記録再生特
性を有する光磁気デイスクを提供するものである。
る光磁気記録媒体の保護上の難点を解決することを目的
とし、非通気性及び非透湿性の保護膜で光磁気記録媒体
を保護し、全体の膜構造も簡単で作成上の成膜工程数が
少なく製造技術も複数化せず、優れた光磁気記録再生特
性を有する光磁気デイスクを提供するものである。
「発明の構成」 この発明においては、ガラスやポリカーボネート，アク
リル，エポキシ，ポリメチルペンテンなどの透明高分子
材で形成される透明基板上に形成される光磁気記録媒体
層に対して、この光磁気記録媒体層を保護するために組
成がＭ0.5Zr0.5Owで表わされる保護膜が形成される。
リル，エポキシ，ポリメチルペンテンなどの透明高分子
材で形成される透明基板上に形成される光磁気記録媒体
層に対して、この光磁気記録媒体層を保護するために組
成がＭ0.5Zr0.5Owで表わされる保護膜が形成される。
この保護膜は高周波スパツタリング或は反応性スパツタ
リングにより膜厚が1000Å乃至5000Åに形成され、透明
基板上において少なくとも光磁気記録媒体層の透明基板
と反対側の面に積層形成される。
リングにより膜厚が1000Å乃至5000Åに形成され、透明
基板上において少なくとも光磁気記録媒体層の透明基板
と反対側の面に積層形成される。
この発明では、保護膜の組成を示すＭはＹもしくはAlで
あり、保護膜の組成比ｗには、0.6ｗ1.9なる条件が
設定される。
あり、保護膜の組成比ｗには、0.6ｗ1.9なる条件が
設定される。
光磁気記録媒体層としては、TbFe,GdCo,TbCo,DyCo,GdTb
Fe,GdFeCo,TbDyFe,GdTbDyFe,TbDyFeCoなどの希土類遷移
金属合金薄膜や、これらにSn,Zn,Ge,Pb,Si,Bi,B,Crなど
を添加含有させた希土類遷移金属合金薄膜が用いられ、
これらの薄膜が例えば1000Åの膜厚に真空蒸着やスパツ
タリングの手段により形成される。
Fe,GdFeCo,TbDyFe,GdTbDyFe,TbDyFeCoなどの希土類遷移
金属合金薄膜や、これらにSn,Zn,Ge,Pb,Si,Bi,B,Crなど
を添加含有させた希土類遷移金属合金薄膜が用いられ、
これらの薄膜が例えば1000Åの膜厚に真空蒸着やスパツ
タリングの手段により形成される。
本願発明者は先に特願昭60−172158号において、この種
の保護膜の組成として、ZrOw（0.6≦ｗ≦1.9）を提案し
ている。しかるに、Zrの一部をＹもしくはAlに置換した
組成においても優れた保護膜が得られることが本願発明
者の研究により判明し、この保護膜の組成をこの発明に
おいてＭ0.5Zr0.5Owと表したのである。
の保護膜の組成として、ZrOw（0.6≦ｗ≦1.9）を提案し
ている。しかるに、Zrの一部をＹもしくはAlに置換した
組成においても優れた保護膜が得られることが本願発明
者の研究により判明し、この保護膜の組成をこの発明に
おいてＭ0.5Zr0.5Owと表したのである。
この発明の保護膜は、ｗが0.6未満であると均質で透明
な保護膜が得られず、ｗが1.9より大きな値になると酸
素が過剰となり、この過剰な酸素が光磁気記録媒体層内
に混入して、光磁気ディスクの光磁気記録再生特性を劣
化させる。なお、光磁気記録媒体層の透明基板と反対側
の面に加え、透明基板側の面にも保護膜を形成し、両保
護膜により光磁気記録媒体層を挾持する構成とする場合
には、この過剰な酸素の存在によって、第１の保護膜成
膜後の光磁気記録媒体層の成膜工程において所望の真空
度への到達時間が延長し、光磁気ディスクの生産性が低
下する。
な保護膜が得られず、ｗが1.9より大きな値になると酸
素が過剰となり、この過剰な酸素が光磁気記録媒体層内
に混入して、光磁気ディスクの光磁気記録再生特性を劣
化させる。なお、光磁気記録媒体層の透明基板と反対側
の面に加え、透明基板側の面にも保護膜を形成し、両保
護膜により光磁気記録媒体層を挾持する構成とする場合
には、この過剰な酸素の存在によって、第１の保護膜成
膜後の光磁気記録媒体層の成膜工程において所望の真空
度への到達時間が延長し、光磁気ディスクの生産性が低
下する。
保護膜の膜厚が1000Å未満であると、長時間使用状態で
の非通気性及び非透湿性を維持することが出来ず、得ら
れる光磁気ディスクの光磁気記録再生特性が長時間の使
用状態で劣化する。一方、保護膜の膜厚が5000Åより大
きな値になると、保護膜内における熱拡散が増大し、光
磁気記録時におけるレーザ光の出力を増大させる必要が
生じる。
の非通気性及び非透湿性を維持することが出来ず、得ら
れる光磁気ディスクの光磁気記録再生特性が長時間の使
用状態で劣化する。一方、保護膜の膜厚が5000Åより大
きな値になると、保護膜内における熱拡散が増大し、光
磁気記録時におけるレーザ光の出力を増大させる必要が
生じる。
この発明においては、基板的には、第１図に示すよう
に、透明基板１上に光磁気記録媒体層２が形成され、こ
の光磁気記録媒体層２上の保護膜３が形成された構成と
される。しかし、第２図に示すように、透明基板１上に
第１の保護膜３−１が形成され、この第１の保護膜３−
１上に光磁気記録媒体層２が形成され、この光磁気記録
媒体層２上に第２の保護膜３−２が形成された構成のも
のとすることも出来る。
に、透明基板１上に光磁気記録媒体層２が形成され、こ
の光磁気記録媒体層２上の保護膜３が形成された構成と
される。しかし、第２図に示すように、透明基板１上に
第１の保護膜３−１が形成され、この第１の保護膜３−
１上に光磁気記録媒体層２が形成され、この光磁気記録
媒体層２上に第２の保護膜３−２が形成された構成のも
のとすることも出来る。
この第２図に示す構成のものでは、第１の保護膜３−１
は情報の読み出し光の内、光磁気記録媒体層２で反射し
た光を保護膜３−１内で多重反射させ読み出し用反射光
のカー回転角を増大させるために再生C/N比を向上させ
る効果も得られる。
は情報の読み出し光の内、光磁気記録媒体層２で反射し
た光を保護膜３−１内で多重反射させ読み出し用反射光
のカー回転角を増大させるために再生C/N比を向上させ
る効果も得られる。
「実施例」 以下、この発明の光磁気デイスクを、その実施例に基づ
き製作法に沿つて詳細に説明する。
き製作法に沿つて詳細に説明する。
第１表に実施例１及び２とこれらの実施例に対応する比
較例１乃至12により、それぞれに対して初期C/N比及び
経時C/N比を示したのは、組成がＹ0.5Zr0.5Owで表わさ
れる保護膜が設けられた光磁気デイスクである。
較例１乃至12により、それぞれに対して初期C/N比及び
経時C/N比を示したのは、組成がＹ0.5Zr0.5Owで表わさ
れる保護膜が設けられた光磁気デイスクである。
各実施例及び比較例においては、第１図または第２図に
示すように厚さ1.2mmのソーダガラスやアクリルなどの
透明基板１上に、高周波スパツタリングの手段により直
接或は保護膜を介してTb0.21Fe0.55Co0.24なる組成の光
磁気記録媒体層２を膜厚1000Åに形成し、この光磁気記
録媒体層２上に高純度酸素ガスを導入しながら、高周波
スパツタリングの手段により保護膜を形成した。
示すように厚さ1.2mmのソーダガラスやアクリルなどの
透明基板１上に、高周波スパツタリングの手段により直
接或は保護膜を介してTb0.21Fe0.55Co0.24なる組成の光
磁気記録媒体層２を膜厚1000Åに形成し、この光磁気記
録媒体層２上に高純度酸素ガスを導入しながら、高周波
スパツタリングの手段により保護膜を形成した。
いずれの実施例もしくは比較例の光磁気デイスクにおい
ても、記録周波数2MHz（RBW30KHz），レーザパワー6mW
で記録が行われ、再生レーザパワー1mWで再生を行つ
た。この場合記録直後に再生を行つた場合に得られるC/
N比が第１表中の初期C/N比（dB）であり、光磁気デイス
クを温度60℃,90％RH雰囲気中に1000時間放置した後に
再生を行つて得られるC/N比が経時C/N比である。
ても、記録周波数2MHz（RBW30KHz），レーザパワー6mW
で記録が行われ、再生レーザパワー1mWで再生を行つ
た。この場合記録直後に再生を行つた場合に得られるC/
N比が第１表中の初期C/N比（dB）であり、光磁気デイス
クを温度60℃,90％RH雰囲気中に1000時間放置した後に
再生を行つて得られるC/N比が経時C/N比である。
実施例１は、組成がＹ0.5Zr0.5Ｏ1.2で膜厚2000Åの保
護膜３を、第１図に示すように透明基板１上に直接形成
した光磁気記録媒体層２上に形成した場合であり、この
場合に得られる初期C/N比及び経時C/N比はいずれも49
（dB）である。実施例１では保護膜３の存在によつて長
期の耐久性に優れ、安定した光磁気記録再生特性を有す
る光磁気デイスクが得られていることが確認される。
護膜３を、第１図に示すように透明基板１上に直接形成
した光磁気記録媒体層２上に形成した場合であり、この
場合に得られる初期C/N比及び経時C/N比はいずれも49
（dB）である。実施例１では保護膜３の存在によつて長
期の耐久性に優れ、安定した光磁気記録再生特性を有す
る光磁気デイスクが得られていることが確認される。
比較例１は、実施例１と同様の条件下で第１図に示すよ
うな膜構成で光磁気記録媒体２上に組成がＹ0.5Zr0.5Ｏ
0.3の保護膜３を膜厚2000Åに形成した場合である。比
較例１では酸素がこの発明の条件に対して不足している
ために均質で透明な保護膜３が得られていない。このた
めに、保護膜３が非通気性及び非透湿性の条件を満足し
なくなり、初期C/N比47（dB）に対して経時C/N比が33
（dB）と大幅に低下している。
うな膜構成で光磁気記録媒体２上に組成がＹ0.5Zr0.5Ｏ
0.3の保護膜３を膜厚2000Åに形成した場合である。比
較例１では酸素がこの発明の条件に対して不足している
ために均質で透明な保護膜３が得られていない。このた
めに、保護膜３が非通気性及び非透湿性の条件を満足し
なくなり、初期C/N比47（dB）に対して経時C/N比が33
（dB）と大幅に低下している。
比較例２は、実施例１と同様の条件下で第１図に示すよ
うな膜構成で光磁気記録媒体層２上に組成がＹ0.5Zr0.5
Ｏ2.0の保護膜３を膜厚2000Åに形成した場合である。
比較例２ではこの発明の条件に対して酸素が過剰に存在
し、光磁気記録媒体層に過剰な酸素が混入するため、初
期C/N比及び経時C/N比がそれぞれ42（dB）及び28（dB）
となり、光磁気記録再生特性が劣化している。
うな膜構成で光磁気記録媒体層２上に組成がＹ0.5Zr0.5
Ｏ2.0の保護膜３を膜厚2000Åに形成した場合である。
比較例２ではこの発明の条件に対して酸素が過剰に存在
し、光磁気記録媒体層に過剰な酸素が混入するため、初
期C/N比及び経時C/N比がそれぞれ42（dB）及び28（dB）
となり、光磁気記録再生特性が劣化している。
比較例３は、実施例１と同一条件下で第１図に示すよう
な膜構成で、組成がＹ0.5Zr0.5Ｏ1.2の保護膜３を膜厚5
00Åに、光磁気記録媒体層２上に形成した場合である。
比較列３では、この発明の組成条件は満足しているが、
膜厚が条件を満足せず膜厚が薄い場合であり、初期C/N
比及び経時C/N比が、それぞれ47（dB）及び32（dB）で
あり、長時間使用状態での非通気性及び非透湿性の維持
が出来ず光磁気記録再生特性が劣化している。
な膜構成で、組成がＹ0.5Zr0.5Ｏ1.2の保護膜３を膜厚5
00Åに、光磁気記録媒体層２上に形成した場合である。
比較列３では、この発明の組成条件は満足しているが、
膜厚が条件を満足せず膜厚が薄い場合であり、初期C/N
比及び経時C/N比が、それぞれ47（dB）及び32（dB）で
あり、長時間使用状態での非通気性及び非透湿性の維持
が出来ず光磁気記録再生特性が劣化している。
比較例４は、実施例１と同一条件下で第１図に示すよう
な膜構成でＹ0.5Zr0.5Ｏ1.2の保護膜３を膜厚7000Åで
光磁気記録媒体層２上に形成した場合である。比較例４
はこの発明組成条件は満足しているが、膜厚が、この発
明の条件よりも厚い場合であり、この場合は得られる初
期C/N比と経時C/N比とがそれぞれ41（dB）及び40（dB）
であり、保護膜３が厚過ぎてレーザ光の保護膜内での熱
拡散が増大し、レーザ光の出力を増大させる必要もあ
り、充分な光磁気記録再生特性が得られない。
な膜構成でＹ0.5Zr0.5Ｏ1.2の保護膜３を膜厚7000Åで
光磁気記録媒体層２上に形成した場合である。比較例４
はこの発明組成条件は満足しているが、膜厚が、この発
明の条件よりも厚い場合であり、この場合は得られる初
期C/N比と経時C/N比とがそれぞれ41（dB）及び40（dB）
であり、保護膜３が厚過ぎてレーザ光の保護膜内での熱
拡散が増大し、レーザ光の出力を増大させる必要もあ
り、充分な光磁気記録再生特性が得られない。
実施例２は、組成がＹ0.5Zr0.5Ｏ1.2で膜厚が2000Åの
保護膜３−1,3−２を、第２図に示すような膜構成で透
明基板１上において光磁気記録媒体層２を両面から挾む
ようにして形成した場合である。この場合に得られる初
期C/N比及び経時C/N比はいずれも50（dB）であり、実施
例２により長期の耐久性に優れ、安定した光磁気記録再
生特性を有する光磁気デイスクが得られていることが明
らかである。
保護膜３−1,3−２を、第２図に示すような膜構成で透
明基板１上において光磁気記録媒体層２を両面から挾む
ようにして形成した場合である。この場合に得られる初
期C/N比及び経時C/N比はいずれも50（dB）であり、実施
例２により長期の耐久性に優れ、安定した光磁気記録再
生特性を有する光磁気デイスクが得られていることが明
らかである。
比較例５乃至比較例８は、いずれも、第２図に示すよう
な膜構成で透明基板１上において光磁気記録媒体層２を
両面から挾むようにして、保護膜３−1,3−２が形成さ
れた場合である。
な膜構成で透明基板１上において光磁気記録媒体層２を
両面から挾むようにして、保護膜３−1,3−２が形成さ
れた場合である。
比較例５は、組成がＹ0.5Zr0.5Ｏ0.3で膜厚が2000Åの
保護膜３−1,3−２を形成した場合であり、酸素がこの
発明の条件に比して不足している。このために比較例５
においては、均質で透明な保護膜３−1,3−２が得られ
ず、保護膜３−1,3−２の非通気性及び非透湿性が充分
でなく、得られる初期C/N比及び経時C/N比がそれぞれ49
（dB）及び33（dB）となり、特に経時C/N比が大幅に低
下していることが確認される。
保護膜３−1,3−２を形成した場合であり、酸素がこの
発明の条件に比して不足している。このために比較例５
においては、均質で透明な保護膜３−1,3−２が得られ
ず、保護膜３−1,3−２の非通気性及び非透湿性が充分
でなく、得られる初期C/N比及び経時C/N比がそれぞれ49
（dB）及び33（dB）となり、特に経時C/N比が大幅に低
下していることが確認される。
比較例６は、組成がＹ0.5Zr0.5Ｏ2.0で膜厚が2000Åの
保護膜３−1,3−２を形成した場合であり、酸素がこの
発明の条件に比して過剰に存在する。このために比較例
６においては光磁気記録媒体層に過剰な酸素が混入する
ため、初期C/N比及び経時C/N比がそれぞれ41（dB）及び
27（dB）となり、光磁気記録再生特性が劣化している。
保護膜３−1,3−２を形成した場合であり、酸素がこの
発明の条件に比して過剰に存在する。このために比較例
６においては光磁気記録媒体層に過剰な酸素が混入する
ため、初期C/N比及び経時C/N比がそれぞれ41（dB）及び
27（dB）となり、光磁気記録再生特性が劣化している。
比較例７は、組成がＹ0.5Zr0.5Ｏ1.2で膜厚が500Åの保
護膜３−1,3−２を形成した場合であり、組成条件はこ
の発明を満足しているが、膜厚が発明の条件に比して薄
い場合がある。比較例７で得られる初期C/N比及び経時C
/N比はそれぞれ48（dB）及び32（dB）であり、保護膜の
膜厚が薄いために長時間使用状態では非通気性及び非透
湿性が劣化し、光磁気デイスクとして充分な特性を得る
ことが出来ない。
護膜３−1,3−２を形成した場合であり、組成条件はこ
の発明を満足しているが、膜厚が発明の条件に比して薄
い場合がある。比較例７で得られる初期C/N比及び経時C
/N比はそれぞれ48（dB）及び32（dB）であり、保護膜の
膜厚が薄いために長時間使用状態では非通気性及び非透
湿性が劣化し、光磁気デイスクとして充分な特性を得る
ことが出来ない。
比較例８は、組成がＹ0.5Zr0.5Ｏ1.2で膜厚が7000Åの
保護膜３−1,3−２を形成した場合であり、組成条件は
この発明を満足しているが、膜厚が発明の条件よりも厚
い場合である。比較例８で得られる初期C/N比及び経時C
/N比はそれぞれ42（dB）及び39（dB）であり、保護膜が
厚過ぎるためにC/N比が全般に低く、保護膜３−1,3−２
内での熱拡散が増大し、レーザ光の出力を増大させる必
要がある。
保護膜３−1,3−２を形成した場合であり、組成条件は
この発明を満足しているが、膜厚が発明の条件よりも厚
い場合である。比較例８で得られる初期C/N比及び経時C
/N比はそれぞれ42（dB）及び39（dB）であり、保護膜が
厚過ぎるためにC/N比が全般に低く、保護膜３−1,3−２
内での熱拡散が増大し、レーザ光の出力を増大させる必
要がある。
比較例９は、実施例１と同一条件で第１図に示すような
膜構成で光磁気記録媒体層２上に組成がSiOの保護膜３
を膜厚2000Åに形成した場合である。この比較例９で得
られる初期C/N比及び経時C/N比はそれぞれ49（dB）及び
22（dB）であり、保護膜３を材質がSiOで形成した場合
には、非通気性及び非透湿性がこの発明の材質で保護膜
３を形成した場合に比して劣化している。
膜構成で光磁気記録媒体層２上に組成がSiOの保護膜３
を膜厚2000Åに形成した場合である。この比較例９で得
られる初期C/N比及び経時C/N比はそれぞれ49（dB）及び
22（dB）であり、保護膜３を材質がSiOで形成した場合
には、非通気性及び非透湿性がこの発明の材質で保護膜
３を形成した場合に比して劣化している。
比較例10は、実施例２と同一条件で、第２図に示すよう
な膜構成で透明基板上において光磁気記録媒体層２を挾
むようにして、組成がSiOで膜厚が2000Åの保護膜３−
1,3−２を形成した場合である。この比較例10では得ら
れる初期C/N比及び経時C/N比が、それぞれ52（dB）及び
26（dB）であり、SiOで保護膜を形成した場合には、非
通気性及び非透湿性の点でこの発明の材質で保護膜を形
成した場合に比して保護機能が充分でなく、その結果光
磁気デイスクの特性が劣化していることが確認される。
な膜構成で透明基板上において光磁気記録媒体層２を挾
むようにして、組成がSiOで膜厚が2000Åの保護膜３−
1,3−２を形成した場合である。この比較例10では得ら
れる初期C/N比及び経時C/N比が、それぞれ52（dB）及び
26（dB）であり、SiOで保護膜を形成した場合には、非
通気性及び非透湿性の点でこの発明の材質で保護膜を形
成した場合に比して保護機能が充分でなく、その結果光
磁気デイスクの特性が劣化していることが確認される。
比較列11は、実施例１と同一条件で第１図に示すような
膜構成で光磁気記録媒体層２上に組成がSi3N4で膜厚が2
000Åの保護膜３を形成した場合である。この比較例11
の場合には得られる初期C/N比及び経時C/N比はそれぞれ
49（dB）及び21（dB）であり、保護膜の材質としてSi3N
4を使用した場合には、非通気性及び非透湿性の点で、
この発明の材質で保護膜を形成した場合に比して保護機
能が充分でなく、その結果光磁気デイスクの特性が劣化
していることが確認される。
膜構成で光磁気記録媒体層２上に組成がSi3N4で膜厚が2
000Åの保護膜３を形成した場合である。この比較例11
の場合には得られる初期C/N比及び経時C/N比はそれぞれ
49（dB）及び21（dB）であり、保護膜の材質としてSi3N
4を使用した場合には、非通気性及び非透湿性の点で、
この発明の材質で保護膜を形成した場合に比して保護機
能が充分でなく、その結果光磁気デイスクの特性が劣化
していることが確認される。
比較例12は、実施例２と同一条件で第２図に示すような
膜構成に光磁気記録媒体層２上に組成がSi3N4で膜厚が2
000Åの保護膜３−1,3−２を形成した場合である。この
比較例12の場合には得られる初期C/N比及び経時C/N比は
それぞれ52（dB）及び26（dB）であり、保護膜の材質と
してSi3N4を使用した場合には、非通気性及び非透湿性
の点で、この発明の材質で保護膜を形成した場合に比し
て保護機能が充分でなく、この結果光磁気デイスクの特
性が劣下していることが確認される。
膜構成に光磁気記録媒体層２上に組成がSi3N4で膜厚が2
000Åの保護膜３−1,3−２を形成した場合である。この
比較例12の場合には得られる初期C/N比及び経時C/N比は
それぞれ52（dB）及び26（dB）であり、保護膜の材質と
してSi3N4を使用した場合には、非通気性及び非透湿性
の点で、この発明の材質で保護膜を形成した場合に比し
て保護機能が充分でなく、この結果光磁気デイスクの特
性が劣下していることが確認される。
第２表に第１表と同様にして、実施例３及び４とこれら
の実施例にそれぞれ対応する比較例13乃至24として、そ
れぞれについてその初期C/N比と経時C/N比とを示すの
は、組成がAl0.5Zr0.5 Owで表わされる保護膜を設けた光磁気デイスクである。
の実施例にそれぞれ対応する比較例13乃至24として、そ
れぞれについてその初期C/N比と経時C/N比とを示すの
は、組成がAl0.5Zr0.5 Owで表わされる保護膜を設けた光磁気デイスクである。
第２表の各実施例及び比較例では、第１図または第２図
に示すように厚さが1.2mmのソーダガラスやアクリルな
どの透明基板１上に、高周波スパツタリングの手段によ
り、直接或は保護膜を介してTb0.21Fe0.55Co0.24なる組
成の光磁気記録媒体２を膜厚1000Åに形成し、この光磁
気記録媒体層２上に高純度酸素ガスを導入しながら、高
周波スパツタリングの手段によりそれぞれの保護膜を形
成した。
に示すように厚さが1.2mmのソーダガラスやアクリルな
どの透明基板１上に、高周波スパツタリングの手段によ
り、直接或は保護膜を介してTb0.21Fe0.55Co0.24なる組
成の光磁気記録媒体２を膜厚1000Åに形成し、この光磁
気記録媒体層２上に高純度酸素ガスを導入しながら、高
周波スパツタリングの手段によりそれぞれの保護膜を形
成した。
第２表のいずれの実施例もしくは比較例の光磁気デイス
クにおいても、記録周波数2MHz（RBW30KHz），レーザパ
ワー6mWで記録が行われ、再生レーザパワー1mWで再生が
行われた。記録直後に再生を行つた場合のC/N比が第２
表中に示す初期C/N比（dB）であり、光磁気デイスクを
温度60℃,90％RH雰囲気中に1000時間放置した後に再生
を行つて得られるC/N比が第２表中に示す経時C/N比であ
る。
クにおいても、記録周波数2MHz（RBW30KHz），レーザパ
ワー6mWで記録が行われ、再生レーザパワー1mWで再生が
行われた。記録直後に再生を行つた場合のC/N比が第２
表中に示す初期C/N比（dB）であり、光磁気デイスクを
温度60℃,90％RH雰囲気中に1000時間放置した後に再生
を行つて得られるC/N比が第２表中に示す経時C/N比であ
る。
実施例３は、第１図に示すような膜構成で透明基板１上
に直接形成した組成がTb0.21Fe0.55Co0.24の光磁気記録
媒体層２上に組成がAl0.5Zr0.5Ｏ1.5で膜厚2000Åの保
護膜３を形成した場合である。実施例３で得られる初期
C/N比及び経時C/N比はいずれも49（dB）であり、実施例
においては保護膜３の存在によつて長期の耐久性に優
れ、安定した光磁気記録再生特性を有する光磁気デイス
クが得られていることが確認される。
に直接形成した組成がTb0.21Fe0.55Co0.24の光磁気記録
媒体層２上に組成がAl0.5Zr0.5Ｏ1.5で膜厚2000Åの保
護膜３を形成した場合である。実施例３で得られる初期
C/N比及び経時C/N比はいずれも49（dB）であり、実施例
においては保護膜３の存在によつて長期の耐久性に優
れ、安定した光磁気記録再生特性を有する光磁気デイス
クが得られていることが確認される。
比較例13では、実施例１と同一条件で第１図に示す膜構
成に組成がAl0.5Zr0.5Ｏ0.3で膜厚2000Åの保護膜３を
形成した場合である。比較例13は発明の条件に比して酸
素が不足しているために、均質で透明な保護膜３が得ら
れず、得られる初期C/N比及び経時C/N比はそれぞれ46
（dB）及び33（dB）であり、特に経時C/N比が大幅に低
下していることが確認される。
成に組成がAl0.5Zr0.5Ｏ0.3で膜厚2000Åの保護膜３を
形成した場合である。比較例13は発明の条件に比して酸
素が不足しているために、均質で透明な保護膜３が得ら
れず、得られる初期C/N比及び経時C/N比はそれぞれ46
（dB）及び33（dB）であり、特に経時C/N比が大幅に低
下していることが確認される。
比較例14は、実施例３と同一条件で第１図に示す膜構成
に組成がAl0.5Zr0.5Ｏ2.0で膜厚2000Åの保護膜３を形
成した場合である。この比較例14は酸素が発明の条件に
比して過剰に存在する場合であり、この過剰な酸素が光
磁気記録媒体層内に混入する。このために、得られる光
磁気デイスクの初期C/N比及び経時C/N比はそれぞれ41
（dB）及び27（dB）であり、光磁気記録再生特性が劣化
している。
に組成がAl0.5Zr0.5Ｏ2.0で膜厚2000Åの保護膜３を形
成した場合である。この比較例14は酸素が発明の条件に
比して過剰に存在する場合であり、この過剰な酸素が光
磁気記録媒体層内に混入する。このために、得られる光
磁気デイスクの初期C/N比及び経時C/N比はそれぞれ41
（dB）及び27（dB）であり、光磁気記録再生特性が劣化
している。
比較例15は、実施例３と同一条件で第１図に示す膜構成
に、組成がAl0.5Zr0.5Ｏ1.5の保護膜３を膜厚500Åに形
成した場合である。比較例15はこの発明の組成条件は満
足しているが、保護膜の膜厚がこの発明の条件よりも薄
い場合であり、長時間使用状態での非通気性及び非透湿
性が維持出来ない。このために比較例15で得られる初期
C/N比及び経時C/N比はそれぞれ48（dB）及び31（dB）と
なつている。
に、組成がAl0.5Zr0.5Ｏ1.5の保護膜３を膜厚500Åに形
成した場合である。比較例15はこの発明の組成条件は満
足しているが、保護膜の膜厚がこの発明の条件よりも薄
い場合であり、長時間使用状態での非通気性及び非透湿
性が維持出来ない。このために比較例15で得られる初期
C/N比及び経時C/N比はそれぞれ48（dB）及び31（dB）と
なつている。
比較例16は、実施例３と同一条件下で第１図に示す膜構
成に組成Al0.5Zr0.5Ｏ1.5の保護膜３を膜厚7000Åに形
成した場合である。この比較例はこの発明の組成条件は
満足しているが、膜厚がこの発明の条件に比して厚い場
合である。保護膜３が厚いために初期C/N比及び経時C/N
比がそれぞれ43（dB）及び41（dB）となり、C/N比が全
般に低く、また保護膜３内での熱拡散が増加し、レーザ
光の出力を増加させる必要があり、充分な光磁気記録再
生特性が得られない。
成に組成Al0.5Zr0.5Ｏ1.5の保護膜３を膜厚7000Åに形
成した場合である。この比較例はこの発明の組成条件は
満足しているが、膜厚がこの発明の条件に比して厚い場
合である。保護膜３が厚いために初期C/N比及び経時C/N
比がそれぞれ43（dB）及び41（dB）となり、C/N比が全
般に低く、また保護膜３内での熱拡散が増加し、レーザ
光の出力を増加させる必要があり、充分な光磁気記録再
生特性が得られない。
実施例４は、第２図に示す膜構成で保護膜３−1,3−２
を形成した場合であり、保護膜としては組成がAl0.5Zr
0.5Ｏ1.5で膜厚が2000Åのものを形成した。実施例４に
おいては、得られる初期C/N比及び経時C/N比がいずれも
51（dB）であり、保護膜３−1,3−２の存在により長期
の耐久性に優れ、安定した光磁気記録再生特性を有する
光磁気デイスクが得られている。
を形成した場合であり、保護膜としては組成がAl0.5Zr
0.5Ｏ1.5で膜厚が2000Åのものを形成した。実施例４に
おいては、得られる初期C/N比及び経時C/N比がいずれも
51（dB）であり、保護膜３−1,3−２の存在により長期
の耐久性に優れ、安定した光磁気記録再生特性を有する
光磁気デイスクが得られている。
比較例17は、実施例４と同様に第２図に示す膜構成で組
成がAl0.5Zr0.5Ｏ0.3で膜厚が2000Åの保護膜３−1,3−
２を形成した場合で、酸素がこの発明の条件に対して不
足している場合である。この比較例17では、均質で透明
な保護膜が得られずその結果初期C/N比及び経時C/N比が
それぞれ48（dB）及び34（dB）となつている。
成がAl0.5Zr0.5Ｏ0.3で膜厚が2000Åの保護膜３−1,3−
２を形成した場合で、酸素がこの発明の条件に対して不
足している場合である。この比較例17では、均質で透明
な保護膜が得られずその結果初期C/N比及び経時C/N比が
それぞれ48（dB）及び34（dB）となつている。
比較例18は、実施例４と同様に第２図に示す膜構成で組
成がAl0.5Zr0.5Ｏ2.0で膜厚が2000Åの保護膜３−1,3−
２を形成した場合であり、この比較例18は酸素が発明の
条件に対して過剰に存在する場合である。このために光
磁気記録媒体層内に酸素が混入し、得られる初期C/N比
及び経時C/N比がそれぞれ41（dB）及び26（dB）であつ
て充分な光磁気記録再生特性が得られない。
成がAl0.5Zr0.5Ｏ2.0で膜厚が2000Åの保護膜３−1,3−
２を形成した場合であり、この比較例18は酸素が発明の
条件に対して過剰に存在する場合である。このために光
磁気記録媒体層内に酸素が混入し、得られる初期C/N比
及び経時C/N比がそれぞれ41（dB）及び26（dB）であつ
て充分な光磁気記録再生特性が得られない。
比較例19は、実施例４と同様に第２図に示す膜構成に組
成Al0.5Zr0.5Ｏ1.5で膜厚が500Åの保護膜３−1,3−２
を形成した場合で、この発明の条件に対して膜厚が薄い
場合である。膜厚が薄いために長時間使用状態での非通
気性及び非透湿性が維持出来ず、得られる初期C/N比及
び経時C/N比は、それぞれ49（dB）及び33（dB）であ
り、充分な光磁気記録再生特性が得られない。
成Al0.5Zr0.5Ｏ1.5で膜厚が500Åの保護膜３−1,3−２
を形成した場合で、この発明の条件に対して膜厚が薄い
場合である。膜厚が薄いために長時間使用状態での非通
気性及び非透湿性が維持出来ず、得られる初期C/N比及
び経時C/N比は、それぞれ49（dB）及び33（dB）であ
り、充分な光磁気記録再生特性が得られない。
比較例20は、実施例４と同一の条件で第２図に示す膜構
成に組成Al0.5Zr0.5Ｏ1.5で膜厚が7000Å保護膜３−1,3
−２を形成した場合であり、膜厚がこの発明の条件を満
足せず厚過ぎる場合である。この場合も、保護膜３−1,
3−２が厚過ぎるために、得られる初期C/N比及び経時C/
N比がそれぞれ42（dB）及び39（dB）で、比較例20では
保護膜内の熱拡散が増大し、全般にC/N比が低く光磁気
記録時におけるレーザ光の出力を増加させる必要もあ
り、光磁気デイスクとして充分な特性が得られない。
成に組成Al0.5Zr0.5Ｏ1.5で膜厚が7000Å保護膜３−1,3
−２を形成した場合であり、膜厚がこの発明の条件を満
足せず厚過ぎる場合である。この場合も、保護膜３−1,
3−２が厚過ぎるために、得られる初期C/N比及び経時C/
N比がそれぞれ42（dB）及び39（dB）で、比較例20では
保護膜内の熱拡散が増大し、全般にC/N比が低く光磁気
記録時におけるレーザ光の出力を増加させる必要もあ
り、光磁気デイスクとして充分な特性が得られない。
比較例21は、実施例３と同一条件で第１図に示す膜構成
に組成がSiOで膜厚が2000Åの保護膜３を形成した場合
である。この場合に得られる初期C/N比及び経時C/N比
は、それぞれ49（dB）及び22（dB）となり、組成がSiO
の保護膜を形成した場合には、この発明の材質で保護膜
を形成した場合に比して充分な保護機能が認められない
ことが明らかである。
に組成がSiOで膜厚が2000Åの保護膜３を形成した場合
である。この場合に得られる初期C/N比及び経時C/N比
は、それぞれ49（dB）及び22（dB）となり、組成がSiO
の保護膜を形成した場合には、この発明の材質で保護膜
を形成した場合に比して充分な保護機能が認められない
ことが明らかである。
比較例22は、実施例４と同一条件で、第２図に示す膜組
成に組成がSiOで膜厚が2000Åの保護膜３−1,3−２を形
成した場合である。この場合に得られる初期C/N比及び
経時C/N比はそれぞれ52（dB）及び26（dB）であり、組
成がSiOの保護膜を形成した場合には、この発明の材質
で保護膜を形成した場合に比して充分な保護機能が認め
られないことが明らかである。
成に組成がSiOで膜厚が2000Åの保護膜３−1,3−２を形
成した場合である。この場合に得られる初期C/N比及び
経時C/N比はそれぞれ52（dB）及び26（dB）であり、組
成がSiOの保護膜を形成した場合には、この発明の材質
で保護膜を形成した場合に比して充分な保護機能が認め
られないことが明らかである。
比較例23は、実施例３と同一条件で第１図に示す膜構成
に組成がSi3N4で膜厚が2000Åの保護膜３を形成した場
合である。この場合も、初期C/N比及び経時C/N比はそれ
ぞれ49（dB）及び21（dB）であり、組成がSi3N4の保護
膜を形成した場合には、この発明の材質で保護膜を形成
した場合に比して充分な保護機能が認められないことが
明らかである。
に組成がSi3N4で膜厚が2000Åの保護膜３を形成した場
合である。この場合も、初期C/N比及び経時C/N比はそれ
ぞれ49（dB）及び21（dB）であり、組成がSi3N4の保護
膜を形成した場合には、この発明の材質で保護膜を形成
した場合に比して充分な保護機能が認められないことが
明らかである。
比較例24は、実施例４と同一条件で第２図に示す膜構成
に組成がSi3N4で膜厚2000Åの保護膜３−1,3−２を形成
した場合である。この場合も、初期C/N比及び経時C/N比
はそれぞれ53（dB）及び26（dB）であり、組成がSi3N4
の保護膜を形成した場合には、この発明の材質で保護膜
を形成した場合に比して充分な保護機能が認められない
ことが明らかである。
に組成がSi3N4で膜厚2000Åの保護膜３−1,3−２を形成
した場合である。この場合も、初期C/N比及び経時C/N比
はそれぞれ53（dB）及び26（dB）であり、組成がSi3N4
の保護膜を形成した場合には、この発明の材質で保護膜
を形成した場合に比して充分な保護機能が認められない
ことが明らかである。
各実施例においては、組成がTb0.2Fe0.55Co0.24なる光
磁気記録媒体層を使用しているが、光磁気記録媒体層の
組成は実施例のものに限らず、例えばGd−Fe−Co系の光
磁気記録媒体層など他の光磁気記録媒体層を使用すると
こも可能である。
磁気記録媒体層を使用しているが、光磁気記録媒体層の
組成は実施例のものに限らず、例えばGd−Fe−Co系の光
磁気記録媒体層など他の光磁気記録媒体層を使用すると
こも可能である。
また各実施例においては、透明基板１上に直接光磁気記
録媒体層２を形成し、この光磁気記録媒体層２上に保護
膜３を設けたものと、透明基板１上において保護膜３−
1,3−２で挾まれるようにして光磁気記録媒体層２が形
成されたものを説明した。
録媒体層２を形成し、この光磁気記録媒体層２上に保護
膜３を設けたものと、透明基板１上において保護膜３−
1,3−２で挾まれるようにして光磁気記録媒体層２が形
成されたものを説明した。
しかし、この発明は各実施例の構成に限るものではな
く、例えば光磁気記録媒体層２の透明基板１と反対側の
面に形成される保護膜上にさらに紫外線硬化樹脂を塗布
した構成のものも実現可能である。或はこの発明で構成
れる光磁気デイスクを互に対向させてスペーサにより対
向空間を形成し、この対向空間内の不活性ガスを充填し
た構成のものも実現可能である。
く、例えば光磁気記録媒体層２の透明基板１と反対側の
面に形成される保護膜上にさらに紫外線硬化樹脂を塗布
した構成のものも実現可能である。或はこの発明で構成
れる光磁気デイスクを互に対向させてスペーサにより対
向空間を形成し、この対向空間内の不活性ガスを充填し
た構成のものも実現可能である。
「発明の効果」 以上詳細に説明したように、この発明によると透明基板
上に光磁気記録媒体層が形成される光磁気デイスクにお
いて、少なくとも光磁気記録媒体層の透明基板と反対側
の面に、組成がＭ0.5Zr0.5Ow（ＭはＹもしくはAl）で表
わされる膜厚が1000Å乃至5000Åの保護膜を形成し、0.
6ｗ1.9に設定することにより、光磁気記録媒体層が
非通気性及び非透湿性を維持した状態で保護されるため
長期耐久性を有し、成膜工程が簡単で優れた光磁気記録
再生特性を有する光磁気デイスクを提供することが可能
となる。
上に光磁気記録媒体層が形成される光磁気デイスクにお
いて、少なくとも光磁気記録媒体層の透明基板と反対側
の面に、組成がＭ0.5Zr0.5Ow（ＭはＹもしくはAl）で表
わされる膜厚が1000Å乃至5000Åの保護膜を形成し、0.
6ｗ1.9に設定することにより、光磁気記録媒体層が
非通気性及び非透湿性を維持した状態で保護されるため
長期耐久性を有し、成膜工程が簡単で優れた光磁気記録
再生特性を有する光磁気デイスクを提供することが可能
となる。
第１図及び第２図はそれぞれこの発明の光磁気デイスク
の実施例の構成を示す断面図である。 1:透明基板、2:光磁気記録媒体層、3,3−1,3−2:保護
膜。
の実施例の構成を示す断面図である。 1:透明基板、2:光磁気記録媒体層、3,3−1,3−2:保護
膜。
Claims (1)
- 【請求項１】透明基板上に光磁気記録媒体層が形成さ
れ、この光磁気記録媒体層に光ビームを照射して情報の
書込み及び読み出しを行う光磁気ディスクにおいて、少
なくとも前記光磁気記録媒体層の前記透明基板と反対側
の面に、組成がＭ0.5Zr0.5Ow（ＭはＹもしくはAl）で表
わされ、前記光磁気記録媒体層を保護する膜厚が1000Å
乃至5000Åの保護膜が形成され、前記ｗが0.6≦ｗ≦1.9
に選定されてなることを特徴とする光磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60183742A JPH0777046B2 (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 | 光磁気デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60183742A JPH0777046B2 (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 | 光磁気デイスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6243851A JPS6243851A (ja) | 1987-02-25 |
| JPH0777046B2 true JPH0777046B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=16141180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60183742A Expired - Fee Related JPH0777046B2 (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 | 光磁気デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0777046B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59140652A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-13 | Canon Inc | 光熱磁気記録媒体 |
-
1985
- 1985-08-21 JP JP60183742A patent/JPH0777046B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6243851A (ja) | 1987-02-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS60145525A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0335734B2 (ja) | ||
| JPH04364249A (ja) | 光磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPS62267944A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0777046B2 (ja) | 光磁気デイスク | |
| JPH071559B2 (ja) | 光磁気ディスク | |
| US5643687A (en) | Magneto-optic memory medium and a method for producing the same | |
| JPH0731832B2 (ja) | 光磁気デイスク | |
| JP3414823B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS60219655A (ja) | 光学的記録媒体 | |
| JPH0548539B2 (ja) | ||
| JPS6252743A (ja) | 光学的記録媒体 | |
| JP2740814B2 (ja) | 光磁記録媒体 | |
| JPS62121943A (ja) | 光学的記録媒体 | |
| JPS6267750A (ja) | 光磁気デイスク | |
| JP2704186B2 (ja) | 磁気光学記憶媒体 | |
| JP2841764B2 (ja) | 光磁気ディスク | |
| JPS63184940A (ja) | 光磁気デイスク | |
| JPS6358641A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH03268249A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS62226449A (ja) | 光学的磁気記録媒体 | |
| JPS63200345A (ja) | 光磁気デイスク | |
| JPS62114134A (ja) | 光学的情報記録媒体 | |
| JPS61278061A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS6180638A (ja) | 光学的記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |