JPH0715873B2 - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
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- JPH0715873B2 JPH0715873B2 JP58224079A JP22407983A JPH0715873B2 JP H0715873 B2 JPH0715873 B2 JP H0715873B2 JP 58224079 A JP58224079 A JP 58224079A JP 22407983 A JP22407983 A JP 22407983A JP H0715873 B2 JPH0715873 B2 JP H0715873B2
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- Japan
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- resist
- resist film
- substrate
- cooling
- resist pattern
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の属する技術分野］ 本発明は、パターン精度を向上させたレジストパターン
の形成方法に関する。
の形成方法に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］ 超LSIをはじめとして、半導体素子の集積密度が大きく
なるにつれて微細にしてかつ高精度なパターン形成技術
が要求されている。この為、許容される寸法精度は非常
に厳しいものとなり、６インチマスク或いは５インチウ
ェハではパターン寸法の最大偏差値が0.1［μｍ］以下
の寸法精度が要求され始めている。
なるにつれて微細にしてかつ高精度なパターン形成技術
が要求されている。この為、許容される寸法精度は非常
に厳しいものとなり、６インチマスク或いは５インチウ
ェハではパターン寸法の最大偏差値が0.1［μｍ］以下
の寸法精度が要求され始めている。
第１図は従来技術によるレジストパターン形成プロセス
を示す流れ作業図である。先づ、被処理基板上にスピン
塗布法により所望の膜厚にレジストを塗布する。次に、
塗布溶媒を除去し、基板との密着性を向上させるために
基板をオーブン内に置いてレジストの種類に応じた所定
の温度（Tb）でベーキング（プリベーク）を行う。この
後、オーブンから取り出されたレジスト膜付被処理基板
を清浄な大気中で自然放冷することにより、室温程度迄
20〜30分かけて冷却する。レジスト膜付被処理基板に対
して、レジストの種類に応じた所定の照射量で所定波長
域の電磁波、例えば紫外光或いは所定エネルギーの粒子
線、例えば電子線を選択的に照射して露光する。その
後、現像・リンス処理工程を経て所望のレジストパター
ンが形成される。
を示す流れ作業図である。先づ、被処理基板上にスピン
塗布法により所望の膜厚にレジストを塗布する。次に、
塗布溶媒を除去し、基板との密着性を向上させるために
基板をオーブン内に置いてレジストの種類に応じた所定
の温度（Tb）でベーキング（プリベーク）を行う。この
後、オーブンから取り出されたレジスト膜付被処理基板
を清浄な大気中で自然放冷することにより、室温程度迄
20〜30分かけて冷却する。レジスト膜付被処理基板に対
して、レジストの種類に応じた所定の照射量で所定波長
域の電磁波、例えば紫外光或いは所定エネルギーの粒子
線、例えば電子線を選択的に照射して露光する。その
後、現像・リンス処理工程を経て所望のレジストパター
ンが形成される。
ところで、本発明者等が上述した自然放冷中の被処理基
板（レジスト膜）のある時点に於ける全面の温度分布を
赤外線放射温度計により調べて結果、第２図に示す通り
であった。即ち、被処理基板の上方中央部（Ａ点）では
温度が高く冷え難く、その下方及び周辺部（Ｂ点,C点）
では温度が低くなり、冷却され易いことが判明した。な
お、図中の曲線は等温線である。
板（レジスト膜）のある時点に於ける全面の温度分布を
赤外線放射温度計により調べて結果、第２図に示す通り
であった。即ち、被処理基板の上方中央部（Ａ点）では
温度が高く冷え難く、その下方及び周辺部（Ｂ点,C点）
では温度が低くなり、冷却され易いことが判明した。な
お、図中の曲線は等温線である。
第３図は更に上記各点A,B,Cの時間経過に対する温度変
化の様子を示しており、曲線P,Q,Rは点A,B,Cに対応する
特性である。Ａ点とＢ点の最大温度差が15［℃］程度、
Ａ点とＣ点の最大温度差が30［℃］程度であった。この
ような温度分布が生じる理由としては、自然放冷中処理
基板が支持体上に立てられる為、熱放散による自然対流
が基板面に沿って上方向に起こり易いこと及び基板底部
が支持台により熱を奪われ易いことが考えられる。
化の様子を示しており、曲線P,Q,Rは点A,B,Cに対応する
特性である。Ａ点とＢ点の最大温度差が15［℃］程度、
Ａ点とＣ点の最大温度差が30［℃］程度であった。この
ような温度分布が生じる理由としては、自然放冷中処理
基板が支持体上に立てられる為、熱放散による自然対流
が基板面に沿って上方向に起こり易いこと及び基板底部
が支持台により熱を奪われ易いことが考えられる。
更に、本発明者等が基板（レジスト膜）の温度分布とパ
ターン精度の関係について着目し、温度測定点A,B,Cに
於いて形成パターンの寸法を測定した所、本来それぞれ
同一寸法（２μｍ）であるべきパターンが各々Ｂ点に於
いて0.1［μｍ］Ｃ点に於いて0.2［μｍ］程度の誤差が
生じており、基板（レジスト膜）の温度分布と形成され
るパターンの寸法分布が極めて対応することが確認さ
れ、第４図に示すようにレジストのガラス転移温度Tgを
越える温度でベークした後、基板（レジスト膜）の温度
分布が均一な状態で温度降下させるとパターン寸法にむ
らが少なく精度が向上することが見い出された。
ターン精度の関係について着目し、温度測定点A,B,Cに
於いて形成パターンの寸法を測定した所、本来それぞれ
同一寸法（２μｍ）であるべきパターンが各々Ｂ点に於
いて0.1［μｍ］Ｃ点に於いて0.2［μｍ］程度の誤差が
生じており、基板（レジスト膜）の温度分布と形成され
るパターンの寸法分布が極めて対応することが確認さ
れ、第４図に示すようにレジストのガラス転移温度Tgを
越える温度でベークした後、基板（レジスト膜）の温度
分布が均一な状態で温度降下させるとパターン寸法にむ
らが少なく精度が向上することが見い出された。
また、本発明者等の更なる鋭意研究によれば、従来のプ
リベーク〜自然放冷を経たレジストでも、パターン露光
後で現像処理の前に、該レジストのガラス転移温度Tgを
越える温度でベークを行ない、その後第４図に示すよう
なレジスト膜付基板の温度分布が均一な状態で冷却させ
ると、現像処理後のパターン寸法精度が大幅に向上する
ことが判った。又、基板へのレジスト膜塗布、プリベー
ク、パターン露光までのレジスト膜の熱履歴がどのよう
な場合であっても、現像前に改めてレジスト膜付基板を
上記の如くベークし、均一な冷却を施せば、現像処理後
に寸法精度の高いレジストパターンが得られることも判
った。
リベーク〜自然放冷を経たレジストでも、パターン露光
後で現像処理の前に、該レジストのガラス転移温度Tgを
越える温度でベークを行ない、その後第４図に示すよう
なレジスト膜付基板の温度分布が均一な状態で冷却させ
ると、現像処理後のパターン寸法精度が大幅に向上する
ことが判った。又、基板へのレジスト膜塗布、プリベー
ク、パターン露光までのレジスト膜の熱履歴がどのよう
な場合であっても、現像前に改めてレジスト膜付基板を
上記の如くベークし、均一な冷却を施せば、現像処理後
に寸法精度の高いレジストパターンが得られることも判
った。
［発明の目的］ 本発明の目的は、レジストの感度を基板面内で安定化さ
せることができ、電磁波若しくは粒子線照射及び現像処
理により形成されるレジストパターンの高精度化をはか
り得るレジストパターンの形成方法を提供することにあ
る。
せることができ、電磁波若しくは粒子線照射及び現像処
理により形成されるレジストパターンの高精度化をはか
り得るレジストパターンの形成方法を提供することにあ
る。
［発明の概要］ 本発明は、基板上にレジスト膜を塗布形成し、プリベー
クしたのち所定波長の電磁波或いは所定エネルギーの粒
子線を上記レジストに選択的に照射して所望のレジスト
パターンを露光し、その後現像処理することによりレジ
ストパターンを形成するレジストパターンの形成方法に
おいて、前記露光後で前記現像処理の前に、前記レジス
ト膜を該レジストのガラス転移温度以上の温度に加熱し
てベークし、しかるのち、前記基板を１枚単位で強制冷
却して、該基板上のレジスト膜を全体として均一な温度
分布を保持した状態で冷却するようにした方法である。
クしたのち所定波長の電磁波或いは所定エネルギーの粒
子線を上記レジストに選択的に照射して所望のレジスト
パターンを露光し、その後現像処理することによりレジ
ストパターンを形成するレジストパターンの形成方法に
おいて、前記露光後で前記現像処理の前に、前記レジス
ト膜を該レジストのガラス転移温度以上の温度に加熱し
てベークし、しかるのち、前記基板を１枚単位で強制冷
却して、該基板上のレジスト膜を全体として均一な温度
分布を保持した状態で冷却するようにした方法である。
即ち本発明によるレジストパターン形成プロセスでは、
まず第５図に示す如く被処理基板上にレジストを塗布し
た後、レジスト膜をベーク（プリベーク）し冷却する。
続いて、所定のパターン露光を行なう。ここ迄は従来の
工程と同様である。次に、前記レジスト膜を該レジスト
のガラス転移温度以上の温度で所定の時間ベークし続い
て冷却処理を行なうのであるが、この冷却処理はレジス
ト膜全体に均一な温度分布を持たせながらその温度を低
下させることにより行なう。その後、所定の現像・リン
ス処理を行なうことによりレジストパターンを形成す
る。
まず第５図に示す如く被処理基板上にレジストを塗布し
た後、レジスト膜をベーク（プリベーク）し冷却する。
続いて、所定のパターン露光を行なう。ここ迄は従来の
工程と同様である。次に、前記レジスト膜を該レジスト
のガラス転移温度以上の温度で所定の時間ベークし続い
て冷却処理を行なうのであるが、この冷却処理はレジス
ト膜全体に均一な温度分布を持たせながらその温度を低
下させることにより行なう。その後、所定の現像・リン
ス処理を行なうことによりレジストパターンを形成す
る。
［発明の効果］ 本発明によれば、被処理基板上全体に亙りレジスト膜の
感度を安定化させることができる。このため、レジスト
パターンの寸法のばらつきが少なくなりパターン精度を
大幅に向上させることができる。
感度を安定化させることができる。このため、レジスト
パターンの寸法のばらつきが少なくなりパターン精度を
大幅に向上させることができる。
［発明の実施例］ 以下、本発明の実施例について具体的に説明する。先
づ、第５図に示された本発明によるレジストパターン形
成プロセスに従って、次の実験を行なった。
づ、第５図に示された本発明によるレジストパターン形
成プロセスに従って、次の実験を行なった。
回転台に載置されたクロムを蒸着したガラス基板上に、
溶媒に溶かされたレジストとしてポリ2,2,2−トリフル
オロエチル−α−クロロアクリレートを噴出ノズルより
滴下して周知のスピン塗布法により所定膜厚塗布した。
その後、レジスト膜をオーブンにより200［℃］で30分
間ベーキング（プリベーク）した、次いで、前記レジス
ト膜に対して加速電圧20［KeV］で電子線を選択的に照
射した。続いて、電子線照射後のレジスト膜（レジスト
ク膜付ガラス基板）を前記レジストのガラス転移温度Tg
〜133［℃］を越える180［℃］で30分間オーブンにてベ
ーク（現像前）ベークした。現像前ベーク完了後、レジ
スト膜付ガラス基板を冷却液としての常温の純水を入れ
た水槽中に一気に浸漬してガラス転移温度を通過して均
一冷却した。この場合、第４図に示すようなレジスト膜
がプリベーク温度から常温近く迄温度が低下する間に第
２図のA,B,Cの各点に相当する箇所の温度が曲線P,Q,Rの
ように均一に低下した。
溶媒に溶かされたレジストとしてポリ2,2,2−トリフル
オロエチル−α−クロロアクリレートを噴出ノズルより
滴下して周知のスピン塗布法により所定膜厚塗布した。
その後、レジスト膜をオーブンにより200［℃］で30分
間ベーキング（プリベーク）した、次いで、前記レジス
ト膜に対して加速電圧20［KeV］で電子線を選択的に照
射した。続いて、電子線照射後のレジスト膜（レジスト
ク膜付ガラス基板）を前記レジストのガラス転移温度Tg
〜133［℃］を越える180［℃］で30分間オーブンにてベ
ーク（現像前）ベークした。現像前ベーク完了後、レジ
スト膜付ガラス基板を冷却液としての常温の純水を入れ
た水槽中に一気に浸漬してガラス転移温度を通過して均
一冷却した。この場合、第４図に示すようなレジスト膜
がプリベーク温度から常温近く迄温度が低下する間に第
２図のA,B,Cの各点に相当する箇所の温度が曲線P,Q,Rの
ように均一に低下した。
次にレジスト膜付基板を回転台に載置してスピン乾燥し
た。十分乾燥したレジスト膜をメチルイソブチルケト
ン：イソプロピルアルコール＝7:3の現像液により25
［℃］で10分間現像処理し、続いてイソプロピルアルコ
ールにより25［℃］で30秒間リンス処理した。その結
果、基板上のレジストパターン寸法の最大偏差値が0.1
［μｍ］以下という高精度のパターンを形成することが
できた。
た。十分乾燥したレジスト膜をメチルイソブチルケト
ン：イソプロピルアルコール＝7:3の現像液により25
［℃］で10分間現像処理し、続いてイソプロピルアルコ
ールにより25［℃］で30秒間リンス処理した。その結
果、基板上のレジストパターン寸法の最大偏差値が0.1
［μｍ］以下という高精度のパターンを形成することが
できた。
また、レジストの種類としてポリメチルメタクリレート
を用いた場合に於いても上記実施例と同様に0.1［μ
ｍ］以下の最大偏差値で高精度なパターンを形成するこ
とができた。更にフォトレジストやＸ線レジストについ
ても従来プロセスに比しパターン精度が大幅に向上する
ことが確認された。
を用いた場合に於いても上記実施例と同様に0.1［μ
ｍ］以下の最大偏差値で高精度なパターンを形成するこ
とができた。更にフォトレジストやＸ線レジストについ
ても従来プロセスに比しパターン精度が大幅に向上する
ことが確認された。
尚、本発明の主眼は、現像前ベーク後のレジスト膜の冷
却を膜全体として等しい温度で均一に温度低下させるこ
とにあり、その冷却速度は任意に選択できるし、その冷
媒や冷却手段並びにその後乾燥方法等については、特に
上述した実施例に限定されるものではない。例えば冷媒
としては、純水以外にレジストに対して溶解若しくは反
応を生じない液体或いは気体を用いることができる。そ
の場合、できる限り比熱の大きな材料を選択すると効果
的である。適合する冷媒として液体フロン、低温の窒素
ガス、フロンガス等がある。又、レジストの種類やレジ
スト膜が被着される基板材料、レジストの溶媒、現像液
等についても上述した実施例に限定されものではなく、
公知の種々の材料、溶媒、現像液を用いた場合でも上記
実施例の如き高精度のパターンが達成されることが確認
された。又、現像前ベーク温度は、任意に選ぶことがで
きるが、レジストのガラス転移温度Tgを越えておれば
（勿論レジストの分解温度よりも低く設定することは言
及するまでもないが）、パターン精度の向上が安定して
達成されることが確認された。レジストの露光方法につ
いても、電子線、光線、Ｘ線以外にイオンビーム等の所
定エネルギーの粒子線や所定波長域の電磁波等を用いて
も同様の結果が得られる。
却を膜全体として等しい温度で均一に温度低下させるこ
とにあり、その冷却速度は任意に選択できるし、その冷
媒や冷却手段並びにその後乾燥方法等については、特に
上述した実施例に限定されるものではない。例えば冷媒
としては、純水以外にレジストに対して溶解若しくは反
応を生じない液体或いは気体を用いることができる。そ
の場合、できる限り比熱の大きな材料を選択すると効果
的である。適合する冷媒として液体フロン、低温の窒素
ガス、フロンガス等がある。又、レジストの種類やレジ
スト膜が被着される基板材料、レジストの溶媒、現像液
等についても上述した実施例に限定されものではなく、
公知の種々の材料、溶媒、現像液を用いた場合でも上記
実施例の如き高精度のパターンが達成されることが確認
された。又、現像前ベーク温度は、任意に選ぶことがで
きるが、レジストのガラス転移温度Tgを越えておれば
（勿論レジストの分解温度よりも低く設定することは言
及するまでもないが）、パターン精度の向上が安定して
達成されることが確認された。レジストの露光方法につ
いても、電子線、光線、Ｘ線以外にイオンビーム等の所
定エネルギーの粒子線や所定波長域の電磁波等を用いて
も同様の結果が得られる。
次に本発明の方法を実施するのに適合するレジスト処理
装置の一例について第６図を参照して説明する。第６図
の装置は露光後のレジスト膜（レジスト膜付基板）をベ
ークし然る後冷却する工程で全自動で行なうものであ
る。
装置の一例について第６図を参照して説明する。第６図
の装置は露光後のレジスト膜（レジスト膜付基板）をベ
ークし然る後冷却する工程で全自動で行なうものであ
る。
先ず、露光後のレジスト膜付基板１が、予めカセット2a
に収納されており、所定の搬送シーケンスの下にベルト
コンベア3a上に載置されベーク用オーブン４内に順次導
入される。オーブン４の室内にはベークのためのヒータ
ー５が設けられ、又ヒーター５の下方にはレジスト膜付
基板１の搬送様の低速ベルトコンベア3bが設けられてい
る。ベルトコンベア3aによって搬送された基板１はオー
ブン４内に入るとベルトコンベア3bに移され、このベル
トコンベア3bによりゆっくりとオーブン４内を通過しヒ
ーター５によって所定時間、所定温度でベークされる。
前記ベークの終了した基板１はベルトコンベア3cへ移さ
れさらに搬送され冷却機構６へ導入される。即ち、ベル
トコンベア3cにより搬送されてきた基板１は上下・左右
に移動可能な搬送機構７に移され冷却層８内の液体冷媒
である純水９に浸漬され、均一冷却される。冷却された
基板１は搬送機構７によりベルトコンベア3dに移され、
スピン乾燥用回転試料台10上に載置される。試料台10の
回転により乾燥した基板１は、真空チャック11によりベ
ルトコンベア3eに移され搬送されてカセット2bに順次収
納される。このようにして得られたレジスト膜付基板１
に所定の現像・リンス処理を施してレジストパターンが
形成される。なお、12a及び12bはレジスト膜の温度を測
定するための熱電対である。温度測定には赤外線放射温
度計を用いてもよい。後者の場合には、非接触状態で基
板温度を正確に求めることができる。
に収納されており、所定の搬送シーケンスの下にベルト
コンベア3a上に載置されベーク用オーブン４内に順次導
入される。オーブン４の室内にはベークのためのヒータ
ー５が設けられ、又ヒーター５の下方にはレジスト膜付
基板１の搬送様の低速ベルトコンベア3bが設けられてい
る。ベルトコンベア3aによって搬送された基板１はオー
ブン４内に入るとベルトコンベア3bに移され、このベル
トコンベア3bによりゆっくりとオーブン４内を通過しヒ
ーター５によって所定時間、所定温度でベークされる。
前記ベークの終了した基板１はベルトコンベア3cへ移さ
れさらに搬送され冷却機構６へ導入される。即ち、ベル
トコンベア3cにより搬送されてきた基板１は上下・左右
に移動可能な搬送機構７に移され冷却層８内の液体冷媒
である純水９に浸漬され、均一冷却される。冷却された
基板１は搬送機構７によりベルトコンベア3dに移され、
スピン乾燥用回転試料台10上に載置される。試料台10の
回転により乾燥した基板１は、真空チャック11によりベ
ルトコンベア3eに移され搬送されてカセット2bに順次収
納される。このようにして得られたレジスト膜付基板１
に所定の現像・リンス処理を施してレジストパターンが
形成される。なお、12a及び12bはレジスト膜の温度を測
定するための熱電対である。温度測定には赤外線放射温
度計を用いてもよい。後者の場合には、非接触状態で基
板温度を正確に求めることができる。
尚、冷却機構６としては、第６図の浸漬式に限定される
ことはなく、例えばスプレー式、シャワー式あるいは冷
却プレート式等種々変形実施が可能である。
ことはなく、例えばスプレー式、シャワー式あるいは冷
却プレート式等種々変形実施が可能である。
第７図はスプレー法による冷却機構を示しており、基板
１を回転試料台20に載置し、回転駆動しつつ、上方の噴
出ノズル21から液体又は気体の冷媒を吹き付けるもので
ある。冷却された基板１は真空チャック22により移送さ
れる。
１を回転試料台20に載置し、回転駆動しつつ、上方の噴
出ノズル21から液体又は気体の冷媒を吹き付けるもので
ある。冷却された基板１は真空チャック22により移送さ
れる。
第８図はシャワー式の冷却機構を示しており、ベルトコ
ンベア3cにより搬送されてきた基板１を多孔式の冷却装
置23の冷却室24内にある低速ベルトコンベア25に移し、
液体冷媒室26に溜められた冷媒27を隔壁28の多孔ノズル
29から噴出するものである。冷却された基板１はベルト
コンベア3dに移され回転試料台10により乾燥されその後
真空チャック11によりベルトコンベア3eへ移され搬出さ
れる。冷媒27として気体を用いることもできる。その場
合回転試料台10及び真空チャック11は不要となる。
ンベア3cにより搬送されてきた基板１を多孔式の冷却装
置23の冷却室24内にある低速ベルトコンベア25に移し、
液体冷媒室26に溜められた冷媒27を隔壁28の多孔ノズル
29から噴出するものである。冷却された基板１はベルト
コンベア3dに移され回転試料台10により乾燥されその後
真空チャック11によりベルトコンベア3eへ移され搬出さ
れる。冷媒27として気体を用いることもできる。その場
合回転試料台10及び真空チャック11は不要となる。
第９図は、冷却プレート式の冷却機構を示している。基
板１がベルトコンベア31により搬送されている間、上方
の基板１に近接する冷却プレート32により均一に冷却さ
れるようになっている。尚、ベルトコンベア31を止めて
冷却プレート32を基板１に接触させてもよい。
板１がベルトコンベア31により搬送されている間、上方
の基板１に近接する冷却プレート32により均一に冷却さ
れるようになっている。尚、ベルトコンベア31を止めて
冷却プレート32を基板１に接触させてもよい。
更に簡便な均一冷却方法としては、第６図に於いて搬送
機構７に載置されたレジスト膜付の基板１を、冷却層８
に入れること無く、破線で示す位置で基板１を平置きし
て空中放冷することによってもよい。この場合、従来の
ように支持台上に基板を立てることによる基板に沿った
上方への気流が生じないのでレジスト膜の温度分布が均
一となる。この例の場合、温度が均一でかつ清浄なエア
ーフローを適用すると均一冷却の効果をあげることがで
きる。
機構７に載置されたレジスト膜付の基板１を、冷却層８
に入れること無く、破線で示す位置で基板１を平置きし
て空中放冷することによってもよい。この場合、従来の
ように支持台上に基板を立てることによる基板に沿った
上方への気流が生じないのでレジスト膜の温度分布が均
一となる。この例の場合、温度が均一でかつ清浄なエア
ーフローを適用すると均一冷却の効果をあげることがで
きる。
第１図は従来のレジストパターン形成工程を概略的に示
す流れ作業図、第２図は従来工程に於けるプリベーク後
の被処理基板の各点の温度変化の様子を等温曲線で示す
模式図、第３図は同温度変化の様子を時間対温度曲線で
示す特性図、第４図は本発明におけるレジスト均一冷却
による被処理基板の温度変化の様子を示す特性図、第５
図は本発明によるレジストパターン形成工程を概略的に
示す流れ作業図、第６図は本発明方法の実施に適合する
レジスト処理装置の一例を示す配置図、第７図乃至第９
図はそれぞれ均一冷却機構の変形例を説明するための図
である。 １…レジスト膜付基板、2a,2b…カセット、3a〜3e…ベ
ルトコンベア、４…オーブン、５…ヒーター、７…搬送
機構、８…冷却槽、９…液体冷媒、10…基板回転台、11
…真空チャック、12a,12b…熱電対、21…冷媒噴出ノズ
ル、22…真空チャック、24…冷却室、25…ベルトコンベ
ア、26…液体冷媒室、27…冷媒、28…隔壁、29…多孔ノ
ズル、31…ベルトコンベア、32…冷却プレート。
す流れ作業図、第２図は従来工程に於けるプリベーク後
の被処理基板の各点の温度変化の様子を等温曲線で示す
模式図、第３図は同温度変化の様子を時間対温度曲線で
示す特性図、第４図は本発明におけるレジスト均一冷却
による被処理基板の温度変化の様子を示す特性図、第５
図は本発明によるレジストパターン形成工程を概略的に
示す流れ作業図、第６図は本発明方法の実施に適合する
レジスト処理装置の一例を示す配置図、第７図乃至第９
図はそれぞれ均一冷却機構の変形例を説明するための図
である。 １…レジスト膜付基板、2a,2b…カセット、3a〜3e…ベ
ルトコンベア、４…オーブン、５…ヒーター、７…搬送
機構、８…冷却槽、９…液体冷媒、10…基板回転台、11
…真空チャック、12a,12b…熱電対、21…冷媒噴出ノズ
ル、22…真空チャック、24…冷却室、25…ベルトコンベ
ア、26…液体冷媒室、27…冷媒、28…隔壁、29…多孔ノ
ズル、31…ベルトコンベア、32…冷却プレート。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 篠崎 俊昭 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 東 京芝浦電気株式会社総合研究所内 (72)発明者 土屋 宜司 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 東 京芝浦電気株式会社多摩川工場内 (72)発明者 臼田 欣也 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 東 京芝浦電気株式会社多摩川工場内 (72)発明者 重光 文明 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 東 京芝浦電気株式会社多摩川工場内 (56)参考文献 特開 昭55−46559（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−14975（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−100417（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−104127（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−176936（ＪＰ，Ａ)
Claims (6)
- 【請求項１】基板上にレジスト膜を塗布形成し、プリベ
ークした後所定波長の電磁波或いは所定エネルギーの粒
子線を上記レジスト膜に選択的に照射して所望のレジス
トパターンを露光し、その後現像処理することによりレ
ジストパターンを形成する方法において、前記露光後で
前記現像処理の前に、前記レジスト膜を該レジストのガ
ラス転移点以上の温度にてベーク（現像前ベーク）し、
しかるのち前記レジスト又は基板に対し冷却プレートを
前記レジスト又は基板に接触もしくは近接させることに
より前記基板を１枚単位で冷却して前記レジスト膜を全
体として均一な温度分布を保持した状態で冷却すること
を特徴とするレジストパターン形成方法。 - 【請求項２】前記現像前ベーク後のレジスト膜の冷却
は、前記基板を平置することによることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のレジストパターン形成方法。 - 【請求項３】前記現像前ベーク後のレジスト膜の冷却
は、異なる基板間においてもレジスト膜の温度履歴が同
一となるように制御しながら冷却せしめることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のレジストパターン形成
方法。 - 【請求項４】基板上にレジスト膜を塗布形成し、プリベ
ークした後所定波長の電磁波或いは所定エネルギーの粒
子線を上記レジスト膜に選択的に照射して所望のレジス
トパターンを露光し、その後現像処理することによりレ
ジストパターンを形成する方法において、前記露光後で
前記現像処理の前に、前記レジスト膜を該レジストのガ
ラス転移点以上の温度にてベーク（現像前ベーク）し、
しかるのち前記レジストに対して溶解若しくは反応を生
じない液体を用い、浸漬法、スプレー法若しくはシャワ
ー法により、あるいは前記レジストに対して溶解若しく
は反応を生じない気体を用い、スプレー法若しくはシャ
ワー法により、前記レジスト膜に接触させることにより
前記基板を１枚単位で冷却して前記レジスト膜を全体と
して均一な温度分布を保持した状態で冷却することを特
徴とするレジストパターン形成方法。 - 【請求項５】前記冷却用の液体は、水若しくは液体フロ
ンであることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の
レジストパターン形成方法。 - 【請求項６】前記冷却用の気体は、低温の窒素ガス若し
くはフロンガスであることを特徴とする特許請求の範囲
第４項記載のレジストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58224079A JPH0715873B2 (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58224079A JPH0715873B2 (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | レジストパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60117626A JPS60117626A (ja) | 1985-06-25 |
| JPH0715873B2 true JPH0715873B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=16808225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58224079A Expired - Lifetime JPH0715873B2 (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0715873B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0255360A (ja) * | 1988-08-22 | 1990-02-23 | Tokyo Electron Ltd | レジスト処理装置 |
| EP0559934A1 (en) * | 1992-03-11 | 1993-09-15 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for deep UV image reversal patterning |
| JP4537324B2 (ja) * | 2006-01-24 | 2010-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板冷却装置、基板冷却方法、制御プログラム、コンピュータ読取可能な記憶媒体 |
| JP4537323B2 (ja) * | 2006-01-24 | 2010-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板冷却装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58176936A (ja) * | 1982-04-09 | 1983-10-17 | Fujitsu Ltd | 基板冷却方法 |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP58224079A patent/JPH0715873B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60117626A (ja) | 1985-06-25 |
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