JPH0716077B2 - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法Info
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- JPH0716077B2 JPH0716077B2 JP60227192A JP22719285A JPH0716077B2 JP H0716077 B2 JPH0716077 B2 JP H0716077B2 JP 60227192 A JP60227192 A JP 60227192A JP 22719285 A JP22719285 A JP 22719285A JP H0716077 B2 JPH0716077 B2 JP H0716077B2
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- forming
- layer
- cantilever structure
- separation layer
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- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
- H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体レーザ装置の製造方法に関するもの
である。
である。
第６図（ａ）および第６図（ｂ）は、短波長レーザを発
振する従来のAlGaAs系の半導体レーザ装置およびその製
造工程を示す断面図である。図において、（１）はｎ側
電極、（２）はｎ型（以下、ｎ−と略記する）GaAsでな
るコンタクト層、（３）はｎ−AlGaAsでなる上クラッド
層、（４）はｐ型（以下、ｐ−と略記する）AlGaAsでな
る活性層、（５）はｐ−AlGaAsでなる下クラッド層、
（７）はｐ−GaAsでなる基板、（８）はｐ側電極、（1
3）はｐ−GaAsでなくバッファ層、（14）はへき開のた
めのメサ溝、（15）はへき開の際に力を加える方向、
（16）はレーザ共振器面、（23）はコンタクト層
（２）、上クラッド層（３）、活性層（４）および下ク
ラッド層（５）でなるレーザ動作に関与するエピタキシ
ャル層群である。
振する従来のAlGaAs系の半導体レーザ装置およびその製
造工程を示す断面図である。図において、（１）はｎ側
電極、（２）はｎ型（以下、ｎ−と略記する）GaAsでな
るコンタクト層、（３）はｎ−AlGaAsでなる上クラッド
層、（４）はｐ型（以下、ｐ−と略記する）AlGaAsでな
る活性層、（５）はｐ−AlGaAsでなる下クラッド層、
（７）はｐ−GaAsでなる基板、（８）はｐ側電極、（1
3）はｐ−GaAsでなくバッファ層、（14）はへき開のた
めのメサ溝、（15）はへき開の際に力を加える方向、
（16）はレーザ共振器面、（23）はコンタクト層
（２）、上クラッド層（３）、活性層（４）および下ク
ラッド層（５）でなるレーザ動作に関与するエピタキシ
ャル層群である。
次に動作について説明する。ｎ側電極（１）およびｐ側
電極（８）間に順方向電圧を印加すると、両電極
（１）、（８）間に電流が流れて活性層（４）に少数キ
ャリアが注入され、レーザ発振が行われてレーザ光がレ
ーザ共振器面（16）から出力される。
電極（８）間に順方向電圧を印加すると、両電極
（１）、（８）間に電流が流れて活性層（４）に少数キ
ャリアが注入され、レーザ発振が行われてレーザ光がレ
ーザ共振器面（16）から出力される。
続いて、このような従来の半導体レーザ装置の製造方法
について説明する。まず、基板（７）上にバッファ層
（13）、下クラッド層（５）、活性層（４）、上クラッ
ド層（３）およびコンタクト層（２）を順次成長させて
レーザ動作に関与するエピタキシャル層群（23）を含む
エピタキシャルウェハを得る。この後、このエピタキシ
ャルウェハにｎ側電極（１）およびｐ側電極（８）を形
成し、基板（７）の下面にへき開のためのメサ溝（14）
を穿設する。次に、エピタキシャルウェハに第６図
（ｂ）の矢印（15）で示すような力を加え、エピタキシ
ャルウェハをメサ溝（14）に沿ってへき開しレーザ共振
器面（16）を形成する。
について説明する。まず、基板（７）上にバッファ層
（13）、下クラッド層（５）、活性層（４）、上クラッ
ド層（３）およびコンタクト層（２）を順次成長させて
レーザ動作に関与するエピタキシャル層群（23）を含む
エピタキシャルウェハを得る。この後、このエピタキシ
ャルウェハにｎ側電極（１）およびｐ側電極（８）を形
成し、基板（７）の下面にへき開のためのメサ溝（14）
を穿設する。次に、エピタキシャルウェハに第６図
（ｂ）の矢印（15）で示すような力を加え、エピタキシ
ャルウェハをメサ溝（14）に沿ってへき開しレーザ共振
器面（16）を形成する。
へき開面の形成方法としては数種類あるが、代表的な方
法は、エピタキシャルウェハをピンセットでつまんで力
を加える方法、メサ溝（14）と反対側のウェハ面上にメ
ス等の鋭い刃物により力を加える方法などがある。
法は、エピタキシャルウェハをピンセットでつまんで力
を加える方法、メサ溝（14）と反対側のウェハ面上にメ
ス等の鋭い刃物により力を加える方法などがある。
従来の半導体レーザ装置およびその製造方法は以上のよ
うに構成されているので、レーザ共振器面を形成した後
は半導体レーザ装置はバー状になっており、その管理が
難しいという問題点があった。
うに構成されているので、レーザ共振器面を形成した後
は半導体レーザ装置はバー状になっており、その管理が
難しいという問題点があった。
また、レーザ共振器面の形成工程は熟練した作業者に頼
っているため、作業性が悪いという問題点があった。
っているため、作業性が悪いという問題点があった。
さらに、半導体レーザ装置の機器への組込みの際にはレ
ーザ光出力をモニタするフォトダイオードを半導体レー
ザ装置の後方に設けなければならないが、従来の半導体
レーザ装置にはフォトダイオードは集積されておらず、
半導体レーザ装置とフォトダイオードとを別個に組付け
なければならないという問題点があった。
ーザ光出力をモニタするフォトダイオードを半導体レー
ザ装置の後方に設けなければならないが、従来の半導体
レーザ装置にはフォトダイオードは集積されておらず、
半導体レーザ装置とフォトダイオードとを別個に組付け
なければならないという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、第１の発明は、ウエハ状態で端面窓層のへき
開面でなるレーザ共振器面を形成することができる高出
力の半導体レーザ装置の製造方法を得ることを目的とす
る。
たもので、第１の発明は、ウエハ状態で端面窓層のへき
開面でなるレーザ共振器面を形成することができる高出
力の半導体レーザ装置の製造方法を得ることを目的とす
る。
また、第２の発明は、ウエハ状態で端面窓層のへき開面
でなるレーザ共振器面および受光面を形成し、レーザダ
イオード部とモニタフォトダイオード部とを１チップ上
に形成することができる高出力の半導体レーザ装置の製
造方法を得ることを目的とする。
でなるレーザ共振器面および受光面を形成し、レーザダ
イオード部とモニタフォトダイオード部とを１チップ上
に形成することができる高出力の半導体レーザ装置の製
造方法を得ることを目的とする。
この第１の発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、
基板上にエピタキシャル分離層を形成する工程と、この
エピタキシャル分離層上にレーザ動作に関与するエピタ
キシャル層群を順次形成する工程と、エピタキシャル分
離層を選択的にエッチングすることによってエピタキシ
ャル層群からなる第１の片持ち梁構造を形成する工程
と、この第１の片持ち梁構造を圧力をかけて折ることに
よりへき開面を形成する工程と、エピタキシャル分離層
のエッチングにより除去された部分を再度うめこむ工程
と、へき開面にエピタキシャル窓層を形成する工程と、
このエピタキシャル窓層およびエピタキシャル分離層を
選択的にエッチングすることによってエピタキシャル窓
層からなる第２の片持ち梁構造を形成する工程と、この
第２の片持ち梁構造を圧力をかけて折ることによりレー
ザ共振器面を形成する工程とを含むものである。
基板上にエピタキシャル分離層を形成する工程と、この
エピタキシャル分離層上にレーザ動作に関与するエピタ
キシャル層群を順次形成する工程と、エピタキシャル分
離層を選択的にエッチングすることによってエピタキシ
ャル層群からなる第１の片持ち梁構造を形成する工程
と、この第１の片持ち梁構造を圧力をかけて折ることに
よりへき開面を形成する工程と、エピタキシャル分離層
のエッチングにより除去された部分を再度うめこむ工程
と、へき開面にエピタキシャル窓層を形成する工程と、
このエピタキシャル窓層およびエピタキシャル分離層を
選択的にエッチングすることによってエピタキシャル窓
層からなる第２の片持ち梁構造を形成する工程と、この
第２の片持ち梁構造を圧力をかけて折ることによりレー
ザ共振器面を形成する工程とを含むものである。
また、第２の発明に係る半導体レーザ装置の製造方法
は、基板上にエピタキシャル分離層を形成する工程と、
このエピタキシャル分離層上にレーザ動作および光電変
換動作に関与するエピタキシャル層群を順次形成する工
程と、エピタキシャル分離層を選択的にエッチングする
ことによりエピタキシャル層群からなる第１の片持ち梁
構造を形成する工程と、この第１の片持ち梁構造を圧力
をかけて折ることによりへき開面を形成する工程と、エ
ピタキシャル分離層のエッチングにより除去された部分
を再度うめこむ工程と、へき開面にエピタキシャル窓層
を形成する工程と、このエピタキシャル窓層およびエピ
タキシャル分離層を選択的にエッチングすることにより
エピタキシャル窓層からなる第２の片持ち梁構造を形成
する工程と、この第２の片持ち梁構造を圧力をかけて折
ることによりレーザ共振器面および受光面を形成する工
程とを含むものである。
は、基板上にエピタキシャル分離層を形成する工程と、
このエピタキシャル分離層上にレーザ動作および光電変
換動作に関与するエピタキシャル層群を順次形成する工
程と、エピタキシャル分離層を選択的にエッチングする
ことによりエピタキシャル層群からなる第１の片持ち梁
構造を形成する工程と、この第１の片持ち梁構造を圧力
をかけて折ることによりへき開面を形成する工程と、エ
ピタキシャル分離層のエッチングにより除去された部分
を再度うめこむ工程と、へき開面にエピタキシャル窓層
を形成する工程と、このエピタキシャル窓層およびエピ
タキシャル分離層を選択的にエッチングすることにより
エピタキシャル窓層からなる第２の片持ち梁構造を形成
する工程と、この第２の片持ち梁構造を圧力をかけて折
ることによりレーザ共振器面および受光面を形成する工
程とを含むものである。
この第１の発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、
基板上にエピタキシャル分離層を形成する工程と、この
エピタキシャル分離層上にレーザ動作に関与するエピタ
キシャル層群を順次形成する工程と、エピタキシャル分
離層を選択的にエッチングすることによってエピタキシ
ャル層群からなる第１の片持ち梁構造を形成する工程
と、この第１の片持ち梁構造を圧力をかけて折ることに
よりへき開面を形成する工程と、エピタキシャル分離層
のエッチングにより除去された部分を再度うめこむ工程
と、へき開面にエピタキシャル窓層を形成する工程と、
このエピタキシャル窓層および上記エピタキシャル分離
層を選択的にエッチングすることによってエピタキシャ
ル窓層からなる第２の片持ち梁構造を形成する工程と、
この第２の片持ち梁構造を圧力をかけて折ることにより
レーザ共振器面を形成する工程とを含むので、基板を分
割することなしに片持ち梁構造のエピタキシャル窓層を
圧力をかけて折り、エピタキシャル窓層のへき開面でな
るレーザ共振器面を形成することができる。
基板上にエピタキシャル分離層を形成する工程と、この
エピタキシャル分離層上にレーザ動作に関与するエピタ
キシャル層群を順次形成する工程と、エピタキシャル分
離層を選択的にエッチングすることによってエピタキシ
ャル層群からなる第１の片持ち梁構造を形成する工程
と、この第１の片持ち梁構造を圧力をかけて折ることに
よりへき開面を形成する工程と、エピタキシャル分離層
のエッチングにより除去された部分を再度うめこむ工程
と、へき開面にエピタキシャル窓層を形成する工程と、
このエピタキシャル窓層および上記エピタキシャル分離
層を選択的にエッチングすることによってエピタキシャ
ル窓層からなる第２の片持ち梁構造を形成する工程と、
この第２の片持ち梁構造を圧力をかけて折ることにより
レーザ共振器面を形成する工程とを含むので、基板を分
割することなしに片持ち梁構造のエピタキシャル窓層を
圧力をかけて折り、エピタキシャル窓層のへき開面でな
るレーザ共振器面を形成することができる。
また、第２の発明に係る半導体レーザ装置の製造方法
は、基板上にエピタキシャル分離層を形成する工程と、
このエピタキシャル分離層上にレーザ動作および光電変
換動作に関与するエピタキシャル層群を順次形成する工
程と、エピタキシャル分離層を選択的にエッチングする
ことによりエピタキシャル層群からなる第１の片持ち梁
構造を形成する工程と、この第１の片持ち梁構造を圧力
をかけて折ることによりへき開面を形成する工程と、エ
ピタキシャル分離層のエッチングにより除去された部分
を再度うめこむ工程と、へき開面にエピタキシャル窓層
を形成する工程と、このエピタキシャル窓層およびエピ
タキシャル分離層を選択的にエッチングすることにより
エピタキシャル窓層からなる第２の片持ち梁構造を形成
する工程と、この第２の片持ち梁構造を圧力をかけて折
ることによりレーザ共振器面および受光面を形成する工
程とを含むので、片持ち梁構造のエピタキシャル窓層を
圧力をかけて折り、エピタキシャル窓層のへき開面によ
りレーザ共振器面および受光面を形成することを可能に
するとともに、同一基板上に高出力のレーザダイオード
部とモニタフォトダイオード部とを集積することができ
る。
は、基板上にエピタキシャル分離層を形成する工程と、
このエピタキシャル分離層上にレーザ動作および光電変
換動作に関与するエピタキシャル層群を順次形成する工
程と、エピタキシャル分離層を選択的にエッチングする
ことによりエピタキシャル層群からなる第１の片持ち梁
構造を形成する工程と、この第１の片持ち梁構造を圧力
をかけて折ることによりへき開面を形成する工程と、エ
ピタキシャル分離層のエッチングにより除去された部分
を再度うめこむ工程と、へき開面にエピタキシャル窓層
を形成する工程と、このエピタキシャル窓層およびエピ
タキシャル分離層を選択的にエッチングすることにより
エピタキシャル窓層からなる第２の片持ち梁構造を形成
する工程と、この第２の片持ち梁構造を圧力をかけて折
ることによりレーザ共振器面および受光面を形成する工
程とを含むので、片持ち梁構造のエピタキシャル窓層を
圧力をかけて折り、エピタキシャル窓層のへき開面によ
りレーザ共振器面および受光面を形成することを可能に
するとともに、同一基板上に高出力のレーザダイオード
部とモニタフォトダイオード部とを集積することができ
る。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は、この発明の一実施例により製造された半導体レー
ザ装置を示す断面図である。図において、（１）〜
（５）、（７）、（８）、（16）は第６図（ａ）および
（ｂ）に示した従来の半導体レーザ装置におけるものと
同様のものである。（６）はｐ−AlAsでなる比較的厚い
エピタキシャル分離層、（９）はInGaPでなく端面窓
層、（10）はレーザダイオード部、（11）はモニタフォ
トダイオード部、（17）は受光面である。
図は、この発明の一実施例により製造された半導体レー
ザ装置を示す断面図である。図において、（１）〜
（５）、（７）、（８）、（16）は第６図（ａ）および
（ｂ）に示した従来の半導体レーザ装置におけるものと
同様のものである。（６）はｐ−AlAsでなる比較的厚い
エピタキシャル分離層、（９）はInGaPでなく端面窓
層、（10）はレーザダイオード部、（11）はモニタフォ
トダイオード部、（17）は受光面である。
次に動作について説明する。レーザダイオード部（10）
の動作については、従来の半導体レーザ装置における動
作とほぼ同じであるが、レーザ共振器面近傍に活性層
（４）より禁止帯幅の広いInGaPでなる端面窓層（９）
をエピタキシャル成長させているため、高出力化が可能
となっている。
の動作については、従来の半導体レーザ装置における動
作とほぼ同じであるが、レーザ共振器面近傍に活性層
（４）より禁止帯幅の広いInGaPでなる端面窓層（９）
をエピタキシャル成長させているため、高出力化が可能
となっている。
モニタフォトダイオード部（11）は、レーザダイオード
部（10）より放出されたレーザ光を受光面（17）を介し
て受光し、レーザ光を光電変換して電気信号に変える働
きをする。このフォトダイオード部（11）の構造はレー
ザダイオード部（10）の構造と同じであるが、第５図に
示す回路などによりレーザダイオード部（10）からのレ
ーザ光出力をモニタすることができる。第５図におい
て、（19）はレーザ駆動信号源、（20）は抵抗、（21）
は電圧増幅器、（22）はレーザ光出力モニタ電圧測定端
子である。
部（10）より放出されたレーザ光を受光面（17）を介し
て受光し、レーザ光を光電変換して電気信号に変える働
きをする。このフォトダイオード部（11）の構造はレー
ザダイオード部（10）の構造と同じであるが、第５図に
示す回路などによりレーザダイオード部（10）からのレ
ーザ光出力をモニタすることができる。第５図におい
て、（19）はレーザ駆動信号源、（20）は抵抗、（21）
は電圧増幅器、（22）はレーザ光出力モニタ電圧測定端
子である。
続いて、この発明の一実施例による半導体レーザ装置の
製造方法を図について説明する。第２図（ａ）ないし第
２図（ｈ）は製造方法の順次の工程を示す断面図であ
る。図において、（9a）はエピタキシャル窓層（９）の
片持ち梁構造、（12）はレジスト、（23）はレーザ動作
および光電変換動作に関与するエピタキシャル層群、
（23a）はエピタキシャル層群（23）の片持ち梁構造、
（25）はエピタキシャル層群（23）のへき開面である。
製造方法を図について説明する。第２図（ａ）ないし第
２図（ｈ）は製造方法の順次の工程を示す断面図であ
る。図において、（9a）はエピタキシャル窓層（９）の
片持ち梁構造、（12）はレジスト、（23）はレーザ動作
および光電変換動作に関与するエピタキシャル層群、
（23a）はエピタキシャル層群（23）の片持ち梁構造、
（25）はエピタキシャル層群（23）のへき開面である。
まず、基板（７）上に厚いエピタキシャル分離層（６）
を形成し、さらにこのエピタキシャル分離層（６）上に
レーザ動作および光電変換動作に関与するエピタキシャ
ル層群（23）を形成したエピタキシャルウェハを準備す
る（第２図（ａ）参照）。その後、写真製版技術により
レーザ共振器面付近を除きレジスト（12）でエピタキシ
ャルウェハ上面を被覆し（第２図（ｂ）参照）、エッチ
ングによりエピタキシャル層群（23）を部分的に除去す
る（第２図（ｃ）参照）。この際、エッチングはエピタ
キシャル分離層（６）の上面で停止する必要はなく、多
少エピタキシャル分離層（６）をエッチングしてもかま
わない。
を形成し、さらにこのエピタキシャル分離層（６）上に
レーザ動作および光電変換動作に関与するエピタキシャ
ル層群（23）を形成したエピタキシャルウェハを準備す
る（第２図（ａ）参照）。その後、写真製版技術により
レーザ共振器面付近を除きレジスト（12）でエピタキシ
ャルウェハ上面を被覆し（第２図（ｂ）参照）、エッチ
ングによりエピタキシャル層群（23）を部分的に除去す
る（第２図（ｃ）参照）。この際、エッチングはエピタ
キシャル分離層（６）の上面で停止する必要はなく、多
少エピタキシャル分離層（６）をエッチングしてもかま
わない。
次に、フッ酸（HF）などによりAlAsでなるエピタキシャ
ル分離層（６）のみを選択的に掘り込みエッチングしエ
ピタキシャル層群（23）よりなる片持ち梁構造（23a）
を作る（第２図（ｄ）参照）。続いて、ウェハ上面より
純水スプレーなどにより片持ち梁構造（23a）に圧力を
加えて折ることによりへき開面（25）を形成する（第２
図（ｅ）参照）。
ル分離層（６）のみを選択的に掘り込みエッチングしエ
ピタキシャル層群（23）よりなる片持ち梁構造（23a）
を作る（第２図（ｄ）参照）。続いて、ウェハ上面より
純水スプレーなどにより片持ち梁構造（23a）に圧力を
加えて折ることによりへき開面（25）を形成する（第２
図（ｅ）参照）。
この後、エピタキシャル成長技術によりエピタキシャル
分離層（６）とエピタキシャル窓層（９′）とを成長さ
せ（第２図（ｆ）参照）、レーザ共振器面付近を除き写
真製版技術によりレジスト（12）でウェハ上面を被覆
し、エピタキシャル窓層（９′）をエッチングにより部
分的に除去する（第２図（ｇ）参照）。
分離層（６）とエピタキシャル窓層（９′）とを成長さ
せ（第２図（ｆ）参照）、レーザ共振器面付近を除き写
真製版技術によりレジスト（12）でウェハ上面を被覆
し、エピタキシャル窓層（９′）をエッチングにより部
分的に除去する（第２図（ｇ）参照）。
次に、ｎ側電極（１）およびｐ側電極（８）の形成等を
行った後にフッ酸などの選択エッチャントによりエピタ
キシャル分離層（６）のみを部分的にエッチングし、エ
ピタキシャル窓層（９′）でなる片持ち梁構造（9a）を
形成する（第２図（ｈ）参照）。この後、ウェハ上面に
純水スプレー等により圧力をかけて片持ち梁構造（9a）
を折り端面窓層（９）のへき開面を形成して、レーザ共
振器面（16）および受光面（17）を得る（第１図参
照）。
行った後にフッ酸などの選択エッチャントによりエピタ
キシャル分離層（６）のみを部分的にエッチングし、エ
ピタキシャル窓層（９′）でなる片持ち梁構造（9a）を
形成する（第２図（ｈ）参照）。この後、ウェハ上面に
純水スプレー等により圧力をかけて片持ち梁構造（9a）
を折り端面窓層（９）のへき開面を形成して、レーザ共
振器面（16）および受光面（17）を得る（第１図参
照）。
ところで、第２図（ｆ）に示すエピタキシャル成長の際
には、へき開面（25）上に結晶が成長することは望しく
ないので、MBE法により形成するとよい。
には、へき開面（25）上に結晶が成長することは望しく
ないので、MBE法により形成するとよい。
また、上記実施例ではエピタキシャル分離層（６）にAl
Asを用いたAlGaAs系短波長レーザの場合について述べた
が、InGaAsP系長波長レーザの場合にはエピタキシャル
分離層（６）にInPを用い第４図に示すような構造にす
ることも可能である。この場合、エピタキシャル分離層
（６）のエッチング液には塩酸（HCL）系エッチャント
を用いるとよい。なお、第４図においては、InGaAsP系
短波長レーザへの適用の特徴としてｐ−InGaAsエッチン
グブロック層（26）が基板（７）とエピタキシャル分離
層（６）との間にさらに設けられている。
Asを用いたAlGaAs系短波長レーザの場合について述べた
が、InGaAsP系長波長レーザの場合にはエピタキシャル
分離層（６）にInPを用い第４図に示すような構造にす
ることも可能である。この場合、エピタキシャル分離層
（６）のエッチング液には塩酸（HCL）系エッチャント
を用いるとよい。なお、第４図においては、InGaAsP系
短波長レーザへの適用の特徴としてｐ−InGaAsエッチン
グブロック層（26）が基板（７）とエピタキシャル分離
層（６）との間にさらに設けられている。
また、上記実施例では１チップ内にレーザダイオード部
（11）とモニタフォトダイオード部（12）とを併設した
が、レーザダイオード部（11）のみを形成する際にも上
記実施例と全く同様の製造方法が適用できるということ
はいうまでもない。
（11）とモニタフォトダイオード部（12）とを併設した
が、レーザダイオード部（11）のみを形成する際にも上
記実施例と全く同様の製造方法が適用できるということ
はいうまでもない。
以上のように、この第１の発明によれば基板上にエピタ
キシャル分離層を形成する工程と、このエピタキシャル
分離層上にレーザ動作に関与するエピタキシャル層群を
順次形成する工程と、エピタキシャル分離層を選択的に
エッチングすることによってエピタキシャル層群からな
る第１の片持ち梁構造を形成する工程と、この第１の片
持ち梁構造を圧力をかけて折ることによりへき開面を形
成する工程と、エピタキシャル分離層のエッチングによ
り除去された部分を再度うめこむ工程と、へき開面にエ
ピタキシャル窓層を形成する工程と、このエピタキシャ
ル窓層および上記エピタキシャル分離層を選択的にエピ
タキシャルすることによってエピタキシャル窓層からな
る第２の片持ち梁構造を形成する工程と、この第２の片
持ち梁構造を圧力をかけて折ることによりレーザ共振器
面を形成する工程とを含むので、基板を分割することな
しに片持ち梁構造のエピタキシャル窓層を圧力をかけて
折り、エピタキシャル窓層のへき開面でなるレーザ共振
器面を形成することができるから、ウエハ状態でレーザ
共振器面を作業性よく形成できる高出力の半導体レーザ
装置の製造方法か得られる効果がある。
キシャル分離層を形成する工程と、このエピタキシャル
分離層上にレーザ動作に関与するエピタキシャル層群を
順次形成する工程と、エピタキシャル分離層を選択的に
エッチングすることによってエピタキシャル層群からな
る第１の片持ち梁構造を形成する工程と、この第１の片
持ち梁構造を圧力をかけて折ることによりへき開面を形
成する工程と、エピタキシャル分離層のエッチングによ
り除去された部分を再度うめこむ工程と、へき開面にエ
ピタキシャル窓層を形成する工程と、このエピタキシャ
ル窓層および上記エピタキシャル分離層を選択的にエピ
タキシャルすることによってエピタキシャル窓層からな
る第２の片持ち梁構造を形成する工程と、この第２の片
持ち梁構造を圧力をかけて折ることによりレーザ共振器
面を形成する工程とを含むので、基板を分割することな
しに片持ち梁構造のエピタキシャル窓層を圧力をかけて
折り、エピタキシャル窓層のへき開面でなるレーザ共振
器面を形成することができるから、ウエハ状態でレーザ
共振器面を作業性よく形成できる高出力の半導体レーザ
装置の製造方法か得られる効果がある。
また、第２の発明によれば、基板上にエピタキシャル分
離層を形成する工程と、このエピタキシャル分離層上に
レーザ動作および光電変換動作に関与するエピタキシャ
ル層群を順次形成する工程と、エピタキシャル分離層を
選択的にエッチングすることによりエピタキシャル層群
からなる第１の片持ち梁構造を形成する工程と、この第
１の片持ち梁構造を圧力をかけて折ることによりへき開
面を形成する工程と、エピタキシャル分離層のエッチン
グにより除去された部分を再度うめこむ工程と、へき開
面にエピタキシャル窓層を形成する工程と、このエピタ
キシャル窓層およびエピタキシャル分離層を選択的にエ
ッチングすることによりエピタキシャル窓層からなる第
２の片持ち梁構造を形成する工程と、この第２の片持ち
梁構造を圧力をかけて折ることによりレーザ共振器面お
よび受光面を形成する工程とを含むので、片持ち梁構造
のエピタキシャル窓層を圧力をかけて折り、エピタキシ
ャル窓層のへき開面によりレーザ共振器面および受光面
を形成することを可能にするとともに、同一基板上に高
出力のレーザダイオード部とモニタフォトダイオード部
とを集積することができるから、ウエハ状態でレーザ共
振器面および受光面を作業性よく形成できるとともに組
み立てを必要としないレーザダイオード部とモニタフォ
トダイオード部とを１チップ上に集積した高出力の半導
体レーザ装置の製造方法が得られる効果がある。
離層を形成する工程と、このエピタキシャル分離層上に
レーザ動作および光電変換動作に関与するエピタキシャ
ル層群を順次形成する工程と、エピタキシャル分離層を
選択的にエッチングすることによりエピタキシャル層群
からなる第１の片持ち梁構造を形成する工程と、この第
１の片持ち梁構造を圧力をかけて折ることによりへき開
面を形成する工程と、エピタキシャル分離層のエッチン
グにより除去された部分を再度うめこむ工程と、へき開
面にエピタキシャル窓層を形成する工程と、このエピタ
キシャル窓層およびエピタキシャル分離層を選択的にエ
ッチングすることによりエピタキシャル窓層からなる第
２の片持ち梁構造を形成する工程と、この第２の片持ち
梁構造を圧力をかけて折ることによりレーザ共振器面お
よび受光面を形成する工程とを含むので、片持ち梁構造
のエピタキシャル窓層を圧力をかけて折り、エピタキシ
ャル窓層のへき開面によりレーザ共振器面および受光面
を形成することを可能にするとともに、同一基板上に高
出力のレーザダイオード部とモニタフォトダイオード部
とを集積することができるから、ウエハ状態でレーザ共
振器面および受光面を作業性よく形成できるとともに組
み立てを必要としないレーザダイオード部とモニタフォ
トダイオード部とを１チップ上に集積した高出力の半導
体レーザ装置の製造方法が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例により製造された半導体レ
ーザ装置を示す断面図、第２図（ａ）ないし第２図
（ｈ）はこの発明の一実施例による半導体レーザ装置の
製造方法を示す順次の工程断面図、第３図および第４図
はこの発明の他の実施例により製造された半導体レーザ
装置をそれぞれ示す断面図、第５図はこの発明の一実施
例による半導体レーザ装置の使用例を示す回路図、第６
図（ａ）は従来の半導体レーザ装置を示す断面図、第６
図（ｂ）は従来の半導体レーザ装置の製造方法によりレ
ーザ共振器面を形成する工程を示す図である。 （１）はｎ側電極、（２）はコンタクト層、（３）は上
クラッド層、（４）は活性層、（５）は下クラッド層、
（６）はエピタキシャル分離層、（７）は基板、（８）
はｐ側電極、（９）は端面窓層、（９′）は片持ち梁構
造、（10）はレーザダイオード部、（11）はモニタフォ
トダイオード部、（16）はレーザ共振器面、（23）はエ
ピタキシャル層群、（23a）は片持ち梁構造、（25）は
へき開面。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
ーザ装置を示す断面図、第２図（ａ）ないし第２図
（ｈ）はこの発明の一実施例による半導体レーザ装置の
製造方法を示す順次の工程断面図、第３図および第４図
はこの発明の他の実施例により製造された半導体レーザ
装置をそれぞれ示す断面図、第５図はこの発明の一実施
例による半導体レーザ装置の使用例を示す回路図、第６
図（ａ）は従来の半導体レーザ装置を示す断面図、第６
図（ｂ）は従来の半導体レーザ装置の製造方法によりレ
ーザ共振器面を形成する工程を示す図である。 （１）はｎ側電極、（２）はコンタクト層、（３）は上
クラッド層、（４）は活性層、（５）は下クラッド層、
（６）はエピタキシャル分離層、（７）は基板、（８）
はｐ側電極、（９）は端面窓層、（９′）は片持ち梁構
造、（10）はレーザダイオード部、（11）はモニタフォ
トダイオード部、（16）はレーザ共振器面、（23）はエ
ピタキシャル層群、（23a）は片持ち梁構造、（25）は
へき開面。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- 【請求項１】基板上にエピタキシャル分離層を形成する
工程と、このエピタキシャル分離層上にレーザ動作に関
与するエピタキシャル層群を順次形成する工程と、上記
エピタキシャル分離層を選択的にエッチングすることに
よって上記エピタキシャル層群からなる第１の片持ち梁
構造を形成する工程と、この第１の片持ち梁構造を圧力
をかけて折ることによりへき開面を形成する工程と、上
記エピタキシャル分離層のエッチングにより除去された
部分を再度うめこむ工程と、上記へき開面にエピタキシ
ャル窓層を形成する工程と、このエピタキシャル窓層お
よび上記エピタキシャル分離層を選択的にエッチングす
ることによって上記エピタキシャル窓層からなる第２の
片持ち梁構造を形成する工程と、この第２の片持ち梁構
造を圧力をかけて折ることによりレーザ共振器面を形成
する工程とを含むことを特徴とする半導体レーザ装置の
製造方法。 - 【請求項２】基板上にエピタキシャル分離層を形成する
工程と、このエピタキシャル分離層上にレーザ動作およ
び光電変換動作に関与するエピタキシャル層群を順次形
成する工程と、上記エピタキシャル分離層を選択的にエ
ッチングすることにより上記エピタキシャル層群からな
る第１の片持ち梁構造を形成する工程と、この第１の片
持ち梁構造を圧力をかけて折ることによりへき開面を形
成する工程と、上記エピタキシャル分離層のエッチング
により除去された部分を再度うめこむ工程と、上記へき
開面にエピタキシャル窓層を形成する工程と、このエピ
タキシャル窓層および上記エピタキシャル分離層を選択
的にエッチングすることにより上記エピタキシャル窓層
からなる第２の片持ち梁構造を形成する工程と、この第
２の片持ち梁構造を圧力をかけて折ることによりレーザ
共振器面および受光面を形成する工程とを含むことを特
徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60227192A JPH0716077B2 (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| US06/917,678 US4769342A (en) | 1985-10-11 | 1986-10-10 | Method for making a semiconductor laser by cleaving a cantilever heterostructure |
| US07/092,225 US4758532A (en) | 1985-10-11 | 1987-09-02 | Method for making a heterostructure semiconductor laser device by pressure cleaving of a cantilever structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60227192A JPH0716077B2 (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6286786A JPS6286786A (ja) | 1987-04-21 |
| JPH0716077B2 true JPH0716077B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=16856932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60227192A Expired - Lifetime JPH0716077B2 (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4769342A (ja) |
| JP (1) | JPH0716077B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4914053A (en) * | 1987-09-08 | 1990-04-03 | Texas Instruments Incorporated | Heteroepitaxial selective-area growth through insulator windows |
| US4940672A (en) * | 1989-03-17 | 1990-07-10 | Kopin Corporation | Method of making monolithic integrated III-V type laser devices and silicon devices on silicon |
| US5081002A (en) * | 1989-04-24 | 1992-01-14 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Method of localized photohemical etching of multilayered semiconductor body |
| DE3930658A1 (de) * | 1989-09-13 | 1991-03-21 | Abstreiter Gerhard Prof Dr | Hochortsaufloesender halbleiterphotodetektor |
| JPH0834337B2 (ja) * | 1990-04-02 | 1996-03-29 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| DE69204828T2 (de) * | 1992-06-09 | 1996-05-02 | Ibm | Herstellung von Laserdioden mit durch Spaltung erzeugten Stirnflächen auf einem vollständigen Wafer. |
| US6090635A (en) * | 1992-11-17 | 2000-07-18 | Gte Laboratories Incorporated | Method for forming a semiconductor device structure having a laser portion |
| US5882988A (en) * | 1995-08-16 | 1999-03-16 | Philips Electronics North America Corporation | Semiconductor chip-making without scribing |
| JP2914430B2 (ja) * | 1996-01-05 | 1999-06-28 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| US5985687A (en) * | 1996-04-12 | 1999-11-16 | The Regents Of The University Of California | Method for making cleaved facets for lasers fabricated with gallium nitride and other noncubic materials |
| JPH10215031A (ja) * | 1997-01-30 | 1998-08-11 | Hewlett Packard Co <Hp> | 半導体レーザ素子 |
| KR100239473B1 (ko) * | 1997-08-20 | 2000-02-01 | 구자홍 | 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
| US6347107B1 (en) | 1998-07-15 | 2002-02-12 | Eastman Kodak Company | System and method of improving intensity control of laser diodes using back facet photodiode |
| US6599362B2 (en) * | 2001-01-03 | 2003-07-29 | Sandia Corporation | Cantilever epitaxial process |
| TWI408832B (zh) * | 2009-03-30 | 2013-09-11 | Huga Optotech Inc | 具有中空結構之柱狀結構之發光元件及其形成方法 |
| RU2582302C1 (ru) * | 2015-03-25 | 2016-04-20 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ) | Полупроводниковый лазер на основе эпитаксиальной гетероструктуры |
| USD808799S1 (en) | 2015-11-17 | 2018-01-30 | Hunter Fan Company | Carton with color striping |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3959045A (en) * | 1974-11-18 | 1976-05-25 | Varian Associates | Process for making III-V devices |
| IT1059086B (it) * | 1976-04-14 | 1982-05-31 | Ates Componenti Elettron | Procedimento per la passivazione di dispositivi a semiconduttore di potenza ad alta tensione inversa |
| JPS538092A (en) * | 1976-07-09 | 1978-01-25 | Fujitsu Ltd | Semiconductor light emitting device |
| DE2730130C2 (de) * | 1976-09-14 | 1987-11-12 | Mitsubishi Denki K.K., Tokyo | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen |
| GB1532286A (en) * | 1976-10-07 | 1978-11-15 | Elliott Bros | Manufacture of electro-luminescent display devices |
| US4237601A (en) * | 1978-10-13 | 1980-12-09 | Exxon Research & Engineering Co. | Method of cleaving semiconductor diode laser wafers |
| US4236296A (en) * | 1978-10-13 | 1980-12-02 | Exxon Research & Engineering Co. | Etch method of cleaving semiconductor diode laser wafers |
| JPS56103447A (en) * | 1980-01-22 | 1981-08-18 | Toshiba Corp | Dicing method of semiconductor wafer |
| US4276098A (en) * | 1980-03-31 | 1981-06-30 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Batch processing of semiconductor devices |
| US4448797A (en) * | 1981-02-04 | 1984-05-15 | Xerox Corporation | Masking techniques in chemical vapor deposition |
| JPS5946082A (ja) * | 1982-09-09 | 1984-03-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体装置及びその製法 |
| US4695332A (en) * | 1982-12-27 | 1987-09-22 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Method of making a semiconductor laser CRT |
| JPS6019157A (ja) * | 1983-07-14 | 1985-01-31 | Ricoh Co Ltd | 静電潜像現像剤用キヤリア |
| US4498451A (en) * | 1983-08-05 | 1985-02-12 | At&T Technologies, Inc. | Cutting articles along known planes |
| US4597003A (en) * | 1983-12-01 | 1986-06-24 | Harry E. Aine | Chemical etching of a semiconductive wafer by undercutting an etch stopped layer |
| US4595454A (en) * | 1984-06-15 | 1986-06-17 | At&T Bell Laboratories | Fabrication of grooved semiconductor devices |
| GB2160823B (en) * | 1984-06-28 | 1987-05-28 | Stc Plc | Semiconductor devices and their fabrication |
| US4660275A (en) * | 1984-08-29 | 1987-04-28 | General Motors Corporation | Method of making cleaved-coupled-cavity (C3) diode lasers |
-
1985
- 1985-10-11 JP JP60227192A patent/JPH0716077B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-10-10 US US06/917,678 patent/US4769342A/en not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-09-02 US US07/092,225 patent/US4758532A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6286786A (ja) | 1987-04-21 |
| US4758532A (en) | 1988-07-19 |
| US4769342A (en) | 1988-09-06 |
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