JPH0834337B2 - 半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ素子の製造方法Info
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- JPH0834337B2 JPH0834337B2 JP2087714A JP8771490A JPH0834337B2 JP H0834337 B2 JPH0834337 B2 JP H0834337B2 JP 2087714 A JP2087714 A JP 2087714A JP 8771490 A JP8771490 A JP 8771490A JP H0834337 B2 JPH0834337 B2 JP H0834337B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は，高出力状態で長期間動作させても高い信頼
性を示す端面出射型半導体レーザ素子の簡便な製造方法
に関する。
性を示す端面出射型半導体レーザ素子の簡便な製造方法
に関する。
（従来の技術） 端面出射型半導体レーザ素子は，半導体結晶の劈開を
利用した代表的な半導体素子であって，半導体結晶と空
気との屈折率差に基づく１組の半導体鏡面からなるファ
ブリペロ型共振器を備えている。
利用した代表的な半導体素子であって，半導体結晶と空
気との屈折率差に基づく１組の半導体鏡面からなるファ
ブリペロ型共振器を備えている。
現在，このような端面出射型半導体レーザ素子は，光
ディスク装置などの光源として幅広く用いられている。
特に，これらの半導体レーザ素子を，書き込み可能な追
記型光ディスク装置または消去可能な書き換え型光ディ
スク装置の光源として用いる場合には,40〜50mW程度の
高出力状態においても高い信頼性を示すことが要求され
る。しかも，光ディスク装置を含むシステム全体の動作
速度を高めることを目的として，さらに高い光出力が得
られる半導体レーザ素子が要望されている。また，高精
彩のレーザプリンタ装置の光源またはYAGレーザなどの
固体レーザ装置の励起用光源として用いる場合には，光
出力が100mW以上の高出力半導体レーザ素子が必要であ
る。
ディスク装置などの光源として幅広く用いられている。
特に，これらの半導体レーザ素子を，書き込み可能な追
記型光ディスク装置または消去可能な書き換え型光ディ
スク装置の光源として用いる場合には,40〜50mW程度の
高出力状態においても高い信頼性を示すことが要求され
る。しかも，光ディスク装置を含むシステム全体の動作
速度を高めることを目的として，さらに高い光出力が得
られる半導体レーザ素子が要望されている。また，高精
彩のレーザプリンタ装置の光源またはYAGレーザなどの
固体レーザ装置の励起用光源として用いる場合には，光
出力が100mW以上の高出力半導体レーザ素子が必要であ
る。
ところが，端面出射型半導体レーザ素子には，高出力
状態で動作させた場合に，その端面が次第に劣化すると
いう問題点がある。端面が劣化すると，駆動電流が増加
し，やがてはレーザ発振が起こらなくなる。したがっ
て，高出力状態では，高い信頼性を得るのが困難であっ
た。
状態で動作させた場合に，その端面が次第に劣化すると
いう問題点がある。端面が劣化すると，駆動電流が増加
し，やがてはレーザ発振が起こらなくなる。したがっ
て，高出力状態では，高い信頼性を得るのが困難であっ
た。
このような端面劣化は次のような原因によって起こ
る。まず，出射端面における光密度が高く，非発光再結
合が表面準位を介して起こるので，端面近傍で局部的な
発熱が生じる。端面近傍の温度が上昇すると，その熱に
よって端面近傍領域の禁制帯幅が減少し，光の吸収が増
大する。それによって発生したキャリアは表面準位を介
して非発光再結合するので，さらに発熱が生ずることに
なる。この過程が繰り返されるにつれて，端面近傍にお
ける半導体結晶の温度が上昇して，ついには融点に達
し，そして端面が破壊される。このような端面劣化を防
ぐため，端面に禁制帯幅の広い半導体層を形成すること
が考えられる。
る。まず，出射端面における光密度が高く，非発光再結
合が表面準位を介して起こるので，端面近傍で局部的な
発熱が生じる。端面近傍の温度が上昇すると，その熱に
よって端面近傍領域の禁制帯幅が減少し，光の吸収が増
大する。それによって発生したキャリアは表面準位を介
して非発光再結合するので，さらに発熱が生ずることに
なる。この過程が繰り返されるにつれて，端面近傍にお
ける半導体結晶の温度が上昇して，ついには融点に達
し，そして端面が破壊される。このような端面劣化を防
ぐため，端面に禁制帯幅の広い半導体層を形成すること
が考えられる。
また，本発明者らは，端面出射型半導体レーザ素子に
おける端面劣化を抑制する手段として，共振器端面とな
る半導体結晶の劈開面上に傾斜禁制帯幅層を設けること
を提案した（特願平１−60422号）。
おける端面劣化を抑制する手段として，共振器端面とな
る半導体結晶の劈開面上に傾斜禁制帯幅層を設けること
を提案した（特願平１−60422号）。
この傾斜禁制帯幅層は劈開面から遠ざかるにつれて漸
増する禁制帯幅を有する。それゆえ，端面近傍で発生し
たキャリアは，拡散によって移動するだけでなく，禁制
帯幅の傾斜に起因するドリフトによって半導体結晶内部
に強く引き込まれ，端面近傍の表面準位に捕捉される確
率が極めて小さくなる。さらに，傾斜禁制帯幅層の禁制
帯幅が活性層を含むレーザ励起部より大きいので，端面
近傍における光吸収が低減される。その結果，端面劣化
が効果的に抑制され，高出力状態における信頼性が向上
する。
増する禁制帯幅を有する。それゆえ，端面近傍で発生し
たキャリアは，拡散によって移動するだけでなく，禁制
帯幅の傾斜に起因するドリフトによって半導体結晶内部
に強く引き込まれ，端面近傍の表面準位に捕捉される確
率が極めて小さくなる。さらに，傾斜禁制帯幅層の禁制
帯幅が活性層を含むレーザ励起部より大きいので，端面
近傍における光吸収が低減される。その結果，端面劣化
が効果的に抑制され，高出力状態における信頼性が向上
する。
従来，このような広禁制帯幅層や傾斜禁制帯幅層を有
する端面出射型半導体レーザ素子は第６図（ａ）〜
（ｃ）に示す工程によって製造されていた。以下に，そ
の一例として,GaAs系またはGaAlAs系の端面出射型半導
体レーザ素子の場合について説明する。
する端面出射型半導体レーザ素子は第６図（ａ）〜
（ｃ）に示す工程によって製造されていた。以下に，そ
の一例として,GaAs系またはGaAlAs系の端面出射型半導
体レーザ素子の場合について説明する。
まず，第６図（ａ）に示すように，例えばGaAs基板11
1上に，液相成長法または気相成長法などの公知の成長
法を用いて,GaAs活性層またはGaAlAs活性層112を含む積
層構造113を成長させる。次いで，処理された基板111
を，所定の共振器長となるように，通常の劈開法によっ
て分割し，第６図（ｂ）に示すような複数個のレーザバ
ー115を得る。このとき形成される劈開面114が共振器端
面となる。
1上に，液相成長法または気相成長法などの公知の成長
法を用いて,GaAs活性層またはGaAlAs活性層112を含む積
層構造113を成長させる。次いで，処理された基板111
を，所定の共振器長となるように，通常の劈開法によっ
て分割し，第６図（ｂ）に示すような複数個のレーザバ
ー115を得る。このとき形成される劈開面114が共振器端
面となる。
次いで，個々のレーザバー115に対し，プラズマCVD法
などにより，第６図（ｃ）に示すように,SiO2膜116を劈
開面114以外の部分に形成する。そして，劈開面114上
に，分子線エピタキシー法や有機金属熱分解法などの気
相成長法を用いて,GaAlAs広禁制帯幅層またはGaAlAs傾
斜禁制帯幅層を形成する。SiO2膜116上に成長した多結
晶はエッチングにより除去され，続いて,SiO2膜116も除
去される。
などにより，第６図（ｃ）に示すように,SiO2膜116を劈
開面114以外の部分に形成する。そして，劈開面114上
に，分子線エピタキシー法や有機金属熱分解法などの気
相成長法を用いて,GaAlAs広禁制帯幅層またはGaAlAs傾
斜禁制帯幅層を形成する。SiO2膜116上に成長した多結
晶はエッチングにより除去され，続いて,SiO2膜116も除
去される。
そして，積層構造113の上面および基板111の下面に，
それぞれ電極金属を蒸着した後，出射端面側には低反射
率の端面反射膜を形成し，他方の端面側には高反射率の
端面反射膜を形成する。最後に，このように処理された
レーザバー115を劈開することにより，個々の半導体レ
ーザ素子を得る。
それぞれ電極金属を蒸着した後，出射端面側には低反射
率の端面反射膜を形成し，他方の端面側には高反射率の
端面反射膜を形成する。最後に，このように処理された
レーザバー115を劈開することにより，個々の半導体レ
ーザ素子を得る。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら，従来の製造方法では，積層構造が形成
された基板を劈開させることによって，まず共振器端面
を形成した後，得られたレーザバーに広禁制帯幅層また
は傾斜禁制帯幅層および端面反射膜を形成するので，製
造工程が複雑となり，半導体レーザ素子の品質を維持す
ることが困難である。また，一度に処理することができ
る素子の数も少なく，その生産性に問題があった。
された基板を劈開させることによって，まず共振器端面
を形成した後，得られたレーザバーに広禁制帯幅層また
は傾斜禁制帯幅層および端面反射膜を形成するので，製
造工程が複雑となり，半導体レーザ素子の品質を維持す
ることが困難である。また，一度に処理することができ
る素子の数も少なく，その生産性に問題があった。
本発明は，上記従来の問題点を解決するものであり，
その目的とするところは，少なくとも一方の共振器端面
上に広禁制帯幅層または傾斜禁制帯幅層が形成された高
出力の端面出射型半導体レーザ素子を生産性よく製造し
得る方法を提供することにある。
その目的とするところは，少なくとも一方の共振器端面
上に広禁制帯幅層または傾斜禁制帯幅層が形成された高
出力の端面出射型半導体レーザ素子を生産性よく製造し
得る方法を提供することにある。
（課題を解決するための手段） 本発明による端面出射型半導体レーザ素子の製造方法
は，基板上に活性層を含む積層構造を形成する工程と；
該積層構造を構成する半導体結晶の一部を劈開させるこ
とによって，共振器端面となる劈開面を形成する工程
と；少なくとも出射側の共振器端面上に，活性領域より
禁制帯幅の広い広禁制帯幅層を形成する工程と；該広禁
制帯幅層の表面に端面反射膜を形成する（出射側の共振
器端面上にのみ広禁制帯幅層を形成した場合には，該広
禁制帯幅層の表面と，他方の共振器端面上とに，端面反
射膜を形成する）工程と；最後に，該基板を劈開させる
ことによって，個々の半導体レーザ素子に分割する工程
と；を包含し，そのことにより上記目的が達成される。
は，基板上に活性層を含む積層構造を形成する工程と；
該積層構造を構成する半導体結晶の一部を劈開させるこ
とによって，共振器端面となる劈開面を形成する工程
と；少なくとも出射側の共振器端面上に，活性領域より
禁制帯幅の広い広禁制帯幅層を形成する工程と；該広禁
制帯幅層の表面に端面反射膜を形成する（出射側の共振
器端面上にのみ広禁制帯幅層を形成した場合には，該広
禁制帯幅層の表面と，他方の共振器端面上とに，端面反
射膜を形成する）工程と；最後に，該基板を劈開させる
ことによって，個々の半導体レーザ素子に分割する工程
と；を包含し，そのことにより上記目的が達成される。
上記の広禁制帯幅層は，好ましくは，その禁制帯幅が
共振器端面から遠ざかるにつれて漸増する傾斜禁制帯幅
層である。
共振器端面から遠ざかるにつれて漸増する傾斜禁制帯幅
層である。
（実施例） 以下に本発明の実施例について説明する。
第１図に本発明の製造方法により得られる端面出射型
半導体レーザ素子の一実施例を示す。この図には，以下
のような構造を有する半導体レーザ素子の出射端面側の
みが示されている。
半導体レーザ素子の一実施例を示す。この図には，以下
のような構造を有する半導体レーザ素子の出射端面側の
みが示されている。
まず,GaAs基板11上に,GaAs活性層またはGaAlAs活性層
12を含む積層構造13が形成されている。積層構造13の上
面およびGaAs基板11の下面には，それぞれ電極14および
15が設けられている。そして，少なくとも出射側の共振
器端面上には，傾斜禁制帯幅層16が形成されており，さ
らにその表面には，端面反射膜が形成されている。な
お，傾斜禁制帯幅層16が出射側の共振器端面上にのみ形
成されている場合には，この傾斜禁制帯幅層16の表面に
は低反射率の端面反射膜17が形成されており，他方の共
振器端面上には高反射率の端面反射膜18（第１図には示
さず）が形成されている。
12を含む積層構造13が形成されている。積層構造13の上
面およびGaAs基板11の下面には，それぞれ電極14および
15が設けられている。そして，少なくとも出射側の共振
器端面上には，傾斜禁制帯幅層16が形成されており，さ
らにその表面には，端面反射膜が形成されている。な
お，傾斜禁制帯幅層16が出射側の共振器端面上にのみ形
成されている場合には，この傾斜禁制帯幅層16の表面に
は低反射率の端面反射膜17が形成されており，他方の共
振器端面上には高反射率の端面反射膜18（第１図には示
さず）が形成されている。
このような構造を有する端面出射型半導体レーザ素子
は以下のようにして製造された。
は以下のようにして製造された。
まず,GaAs基板11上に，液相成長法または気相成長法
などの公知の成長法を用いて,GaAs活性層またはGaAlAs
活性層12を含む積層構造13を形成した。次いで，プラズ
マCVD法を用いて，この積層構造13の表面にSiO2膜19を
形成した。そして,SiO2膜19上の全面にホトレジストを
塗布した後，ホトリソグラフィ法を用いて，所定のレジ
ストパターンを形成した。このレジストパターンをマス
クとして,SiO2膜19をエッチングすることにより，レー
ザ励起部20に合わせた第３図の斜線部のようなSiO2膜19
を形成した。
などの公知の成長法を用いて,GaAs活性層またはGaAlAs
活性層12を含む積層構造13を形成した。次いで，プラズ
マCVD法を用いて，この積層構造13の表面にSiO2膜19を
形成した。そして,SiO2膜19上の全面にホトレジストを
塗布した後，ホトリソグラフィ法を用いて，所定のレジ
ストパターンを形成した。このレジストパターンをマス
クとして,SiO2膜19をエッチングすることにより，レー
ザ励起部20に合わせた第３図の斜線部のようなSiO2膜19
を形成した。
次いで，イオンミリング法を用いて，第４図の太い矢
印で示すように，斜め方向から基板11および積層構造13
をエッチングすることにより，突起部21を形成した。
印で示すように，斜め方向から基板11および積層構造13
をエッチングすることにより，突起部21を形成した。
第２図（ａ）に第４図の突起部21のＺ−Ｚ′断面を示
す。ただし，第２図（ａ）〜（ｅ）では,GaAs活性層ま
たはGaAlAs活性層12を含む積層構造13の図示は省略され
ている。また，第５図に，第４図の突起部21のＸ−Ｘ′
断面およびＹ−Ｙ′断面を合わせて示す。斜め方向から
エッチングを行ったので，突起部21の断面形状は三角形
となる。突起部21は連結部22で基板11および積層構造13
と接続されているのみであり，その底部は基板11から分
離している。なお，連結部22の断面形状は，やはり三角
形であるが，突起部21に比べて小さい。
す。ただし，第２図（ａ）〜（ｅ）では,GaAs活性層ま
たはGaAlAs活性層12を含む積層構造13の図示は省略され
ている。また，第５図に，第４図の突起部21のＸ−Ｘ′
断面およびＹ−Ｙ′断面を合わせて示す。斜め方向から
エッチングを行ったので，突起部21の断面形状は三角形
となる。突起部21は連結部22で基板11および積層構造13
と接続されているのみであり，その底部は基板11から分
離している。なお，連結部22の断面形状は，やはり三角
形であるが，突起部21に比べて小さい。
このように突起部21が形成された基板11を，有機金属
熱分解装置または分子線エピタキシー装置などの気相成
長装置内に入れ，酸素が実質的に存在しない雰囲気下
（例えば，真空下，窒素雰囲気下または水素雰囲気下）
における劈開工程に供した。連結部22の断面が突起部21
の断面より小さいので，突起部21はわずかな力を加える
ことによって連結部22の部分で容易に劈開した。この劈
開によって，基板11には，第２図（ｂ）に示すようなス
トライプ溝が形成された。そして，この際の劈開面23が
共振器端面となった。なお，突起部21を形成する方法と
しては，上記の方法以外に，選択エッチング法（Appl.P
hys.Lett.,40,289（1982）参照）を用いてもよい。
熱分解装置または分子線エピタキシー装置などの気相成
長装置内に入れ，酸素が実質的に存在しない雰囲気下
（例えば，真空下，窒素雰囲気下または水素雰囲気下）
における劈開工程に供した。連結部22の断面が突起部21
の断面より小さいので，突起部21はわずかな力を加える
ことによって連結部22の部分で容易に劈開した。この劈
開によって，基板11には，第２図（ｂ）に示すようなス
トライプ溝が形成された。そして，この際の劈開面23が
共振器端面となった。なお，突起部21を形成する方法と
しては，上記の方法以外に，選択エッチング法（Appl.P
hys.Lett.,40,289（1982）参照）を用いてもよい。
次いで，有機金属熱分解装置または分子線エピタキシ
ー装置を用いて，第２図（ｃ）に示すように，まずGa
1-XAlXAsからなる傾斜禁制帯幅層16を，劈開面23を含む
ストライプ溝の底面および側面に形成した。そして，酸
化を防止するために，傾斜禁制帯幅層16の表面に,GaAs
からなる保護層24を形成した。
ー装置を用いて，第２図（ｃ）に示すように，まずGa
1-XAlXAsからなる傾斜禁制帯幅層16を，劈開面23を含む
ストライプ溝の底面および側面に形成した。そして，酸
化を防止するために，傾斜禁制帯幅層16の表面に,GaAs
からなる保護層24を形成した。
傾斜禁制帯幅層16のAl混晶比ｘは，ストライプ溝の表
面から遠ざかるにつれて活性層12と同じAl混晶比から漸
増するように設定した。例えば，波長約780nmのレーザ
光を出射する半導体レーザ素子を製造する場合には,0.1
4から0.5まで漸増するAl混晶比ｘを用いた。しかし,Al
混晶比ｘは，劈開面23から漸増していればよく,0.14か
ら0.5の範囲に限定されることはない。また,Al混晶比ｘ
の変化は，直線的であっても，放物線的であってもよ
い。さらに，半導体レーザ素子内部の活性層12を含む積
層構造13と傾斜禁制帯幅層16との間に，劈開面23を挟ん
でAl混晶比のステップが存在してもよい。なお，傾斜禁
制帯幅層16の厚さは約0.1μｍとした。
面から遠ざかるにつれて活性層12と同じAl混晶比から漸
増するように設定した。例えば，波長約780nmのレーザ
光を出射する半導体レーザ素子を製造する場合には,0.1
4から0.5まで漸増するAl混晶比ｘを用いた。しかし,Al
混晶比ｘは，劈開面23から漸増していればよく,0.14か
ら0.5の範囲に限定されることはない。また,Al混晶比ｘ
の変化は，直線的であっても，放物線的であってもよ
い。さらに，半導体レーザ素子内部の活性層12を含む積
層構造13と傾斜禁制帯幅層16との間に，劈開面23を挟ん
でAl混晶比のステップが存在してもよい。なお，傾斜禁
制帯幅層16の厚さは約0.1μｍとした。
有機金属熱分解法を用いれば，第２図（ｃ）に示すよ
うに，互いに対向する劈開面23のいずれにも，傾斜禁制
帯幅層16を同時に形成することができる。分子線エピタ
キシー法を用いた場合には，基板11を回転させながら，
斜め方向から分子線を照射することによって，劈開面23
の全面に傾斜禁制帯幅層16を形成することができる。
うに，互いに対向する劈開面23のいずれにも，傾斜禁制
帯幅層16を同時に形成することができる。分子線エピタ
キシー法を用いた場合には，基板11を回転させながら，
斜め方向から分子線を照射することによって，劈開面23
の全面に傾斜禁制帯幅層16を形成することができる。
そして,GaAsからなる保護層24を熱エッチング法また
はスパッタリング法などによって除去した後，電子ビー
ム蒸着装置を用いて，第２図（ｄ）の太い矢印で示すよ
うに，基板11を傾斜させて斜め方向から蒸着を行うこと
により,Al2O3からなる低反射率の端面反射膜17と,Al2O3
およびα−Siからなる高反射率の端面反射膜18とを順次
形成した。なお，端面反射膜17および18はスパッタリン
グ法によっても形成され得る。
はスパッタリング法などによって除去した後，電子ビー
ム蒸着装置を用いて，第２図（ｄ）の太い矢印で示すよ
うに，基板11を傾斜させて斜め方向から蒸着を行うこと
により,Al2O3からなる低反射率の端面反射膜17と,Al2O3
およびα−Siからなる高反射率の端面反射膜18とを順次
形成した。なお，端面反射膜17および18はスパッタリン
グ法によっても形成され得る。
このとき,SiO2膜19上には，単結晶ではなく，多結晶
が成長するので,SiO2膜19上の傾斜禁制帯幅層16ならび
に端面反射膜17および18を，通常のエッチング法によ
り，選択的に除去することができた。このようにして，
出射側の共振器端面上には低反射率の端面反射膜17が形
成され，他方の共振器端面上には高反射率の端面反射率
18が形成された。そして,SiO2膜19を除去した後，積層
構造13の上面および基板11の下面に，通常の方法によ
り，それぞれ電極14および15を形成した。最後に，第２
図（ｅ）に示すように，基板11を分割して，端面出射型
半導体レーザ素子を得た。
が成長するので,SiO2膜19上の傾斜禁制帯幅層16ならび
に端面反射膜17および18を，通常のエッチング法によ
り，選択的に除去することができた。このようにして，
出射側の共振器端面上には低反射率の端面反射膜17が形
成され，他方の共振器端面上には高反射率の端面反射率
18が形成された。そして,SiO2膜19を除去した後，積層
構造13の上面および基板11の下面に，通常の方法によ
り，それぞれ電極14および15を形成した。最後に，第２
図（ｅ）に示すように，基板11を分割して，端面出射型
半導体レーザ素子を得た。
本実施例で得られた端面出射型半導体レーザ素子は，
高出力状態においても，長期間にわたって特性の劣化が
見られず，非常に高い信頼性を示した。
高出力状態においても，長期間にわたって特性の劣化が
見られず，非常に高い信頼性を示した。
なお，本実施例では，共振器端面上に傾斜禁制帯幅層
を形成した半導体レーザ素子について説明したが，本発
明の半導体レーザは，これに限定されるものではなく，
一般に，活性領域より禁制帯幅の広い広禁制帯幅層を少
なくとも出射側の共振器端面上に形成すればよい。例え
ば,Al混晶比ｘが0.5で一定のGa1-XAlXAsからなる広禁制
帯幅層を共振器端面上に形成することによって，上記実
施例と同様の結果が得られる。
を形成した半導体レーザ素子について説明したが，本発
明の半導体レーザは，これに限定されるものではなく，
一般に，活性領域より禁制帯幅の広い広禁制帯幅層を少
なくとも出射側の共振器端面上に形成すればよい。例え
ば,Al混晶比ｘが0.5で一定のGa1-XAlXAsからなる広禁制
帯幅層を共振器端面上に形成することによって，上記実
施例と同様の結果が得られる。
（発明の効果） このように，本発明の製造方法によれば，基板状態の
ままで，共振器端面の形成と，広禁制帯幅層および端面
反射膜の形成とを行い，そして最後に個々の半導体レー
ザ素子に分割するので，製造工程が簡便化され，しかも
得られた半導体レーザ素子の品質が著しく向上する。し
たがって，高出力状態においても高い信頼性を示す端面
出射型半導体レーザ素子が生産性よく得られる。
ままで，共振器端面の形成と，広禁制帯幅層および端面
反射膜の形成とを行い，そして最後に個々の半導体レー
ザ素子に分割するので，製造工程が簡便化され，しかも
得られた半導体レーザ素子の品質が著しく向上する。し
たがって，高出力状態においても高い信頼性を示す端面
出射型半導体レーザ素子が生産性よく得られる。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の製造方法により得られる端面出射型半
導体レーザ素子の一実施例を示す斜視図，第２図（ａ）
〜（ｅ）は第１図の端面出射型半導体レーザ素子の製造
工程を示す断面図，第３図は基板上の積層構造の表面に
形成されたSiO2膜のパターンを示す平面図，第４図はイ
オンミリング法を用いて基板上に形成された突起部の形
状を示す斜視図，第５図は第４図のＸ−Ｘ′断面および
Ｙ−Ｙ′断面を合わせて示す図，および第６図（ａ）〜
（ｃ）は端面出射型半導体レーザ素子を製造するための
従来の工程を示す斜視図である。 11,111……基板,12,112……活性層,13,113……積層構
造,16……傾斜禁制帯幅層,17……低反射率の端面反射
膜,18……高反射率の端面反射膜,19,116……SiO2膜,21
……突起部,22……連結部,23……劈開面。
導体レーザ素子の一実施例を示す斜視図，第２図（ａ）
〜（ｅ）は第１図の端面出射型半導体レーザ素子の製造
工程を示す断面図，第３図は基板上の積層構造の表面に
形成されたSiO2膜のパターンを示す平面図，第４図はイ
オンミリング法を用いて基板上に形成された突起部の形
状を示す斜視図，第５図は第４図のＸ−Ｘ′断面および
Ｙ−Ｙ′断面を合わせて示す図，および第６図（ａ）〜
（ｃ）は端面出射型半導体レーザ素子を製造するための
従来の工程を示す斜視図である。 11,111……基板,12,112……活性層,13,113……積層構
造,16……傾斜禁制帯幅層,17……低反射率の端面反射
膜,18……高反射率の端面反射膜,19,116……SiO2膜,21
……突起部,22……連結部,23……劈開面。
Claims (2)
- 【請求項１】少なくとも出射側の共振器端面上に活性領
域より禁制帯幅の広い広禁制帯幅層が形成された端面出
射型半導体レーザ素子の製造方法であって， 基板上に活性層を含む積層構造を形成する工程と； 該積層構造を構成する半導体結晶の一部を劈開させるこ
とによって，共振器端面となる劈開面を形成する工程
と； 少なくとも出射側の共振器端面上に，活性領域より禁制
帯幅の広い広禁制帯幅層を形成する工程と； 該広禁制帯幅層の表面に端面反射膜を形成する工程と； 最後に，該基板を劈開させることによって，個々の半導
体レーザ素子に分割する工程と； を包含する製造方法。 - 【請求項２】前記広禁制帯幅層が，前記共振器端面から
遠ざかるにつれて禁制帯幅が漸増する傾斜禁制帯幅層で
ある，請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP2087714A JPH0834337B2 (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| DE69110726T DE69110726T2 (de) | 1990-04-02 | 1991-04-02 | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers. |
| US07/678,834 US5180685A (en) | 1990-04-02 | 1991-04-02 | Method for the production of a semiconductor laser device |
| EP91302860A EP0450902B1 (en) | 1990-04-02 | 1991-04-02 | A method for the production of a semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP2087714A JPH0834337B2 (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
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|---|---|
| JPH03285380A JPH03285380A (ja) | 1991-12-16 |
| JPH0834337B2 true JPH0834337B2 (ja) | 1996-03-29 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2087714A Expired - Fee Related JPH0834337B2 (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Country Status (4)
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| EP (1) | EP0450902B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0834337B2 (ja) |
| DE (1) | DE69110726T2 (ja) |
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| JPH0983061A (ja) * | 1995-09-08 | 1997-03-28 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子製造装置 |
| DE19536434C2 (de) * | 1995-09-29 | 2001-11-15 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterlaser-Bauelements |
| JPH09298339A (ja) * | 1996-04-30 | 1997-11-18 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザの製法 |
| US5668049A (en) * | 1996-07-31 | 1997-09-16 | Lucent Technologies Inc. | Method of making a GaAs-based laser comprising a facet coating with gas phase sulphur |
| JPH10242557A (ja) * | 1997-02-21 | 1998-09-11 | Sony Corp | 半導体発光装置の製造方法 |
| JP3444536B2 (ja) * | 1999-10-25 | 2003-09-08 | 松下電器産業株式会社 | 半導体レーザー素子の製造方法および劈開装置 |
| JP2003023209A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体素子の製造方法および半導体素子 |
| JP4451371B2 (ja) * | 2004-12-20 | 2010-04-14 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| DE102011054954A1 (de) | 2011-10-31 | 2013-05-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronischer Halbleiterlaser |
| US10732349B2 (en) | 2016-02-08 | 2020-08-04 | Skorpios Technologies, Inc. | Broadband back mirror for a III-V chip in silicon photonics |
| EP3414806B1 (en) * | 2016-02-08 | 2023-06-21 | Skorpios Technologies, Inc. | Broadband back mirror for a iii-v chip in silicon photonics |
| JP6939119B2 (ja) * | 2017-06-19 | 2021-09-22 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケード半導体レーザ、発光装置、半導体レーザを作製する方法 |
| JP6939120B2 (ja) * | 2017-06-19 | 2021-09-22 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケード半導体レーザ、発光装置、半導体レーザを作製する方法 |
| JP6911567B2 (ja) | 2017-06-22 | 2021-07-28 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケード半導体レーザ |
| US10608412B2 (en) * | 2017-06-19 | 2020-03-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Quantum cascade laser, light emitting apparatus |
| US10476235B2 (en) * | 2017-06-22 | 2019-11-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Quantum cascade laser |
| US10404038B2 (en) * | 2017-06-22 | 2019-09-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Quantum cascade laser |
| US10476237B2 (en) * | 2017-06-22 | 2019-11-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Quantum cascade laser |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5527474A (en) * | 1978-08-19 | 1980-02-27 | Arata Kogyosho:Kk | Manufacture of spherical head for use of oiler or the like of diesel engine |
| JPS5766688A (en) * | 1980-10-14 | 1982-04-22 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor laser element |
| JPS57170585A (en) * | 1981-04-14 | 1982-10-20 | Nec Corp | Semiconductor laser device |
| JPS5844787A (ja) * | 1981-09-11 | 1983-03-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レ−ザ |
| US4751708A (en) * | 1982-03-29 | 1988-06-14 | International Business Machines Corporation | Semiconductor injection lasers |
| JPS59121989A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-14 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
| JPS59181082A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-15 | Nec Corp | 半導体レ−ザとその製造方法 |
| JPS603182A (ja) * | 1983-06-21 | 1985-01-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ素子の製造方法 |
| JPS60113983A (ja) * | 1983-11-26 | 1985-06-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| JPH0716077B2 (ja) * | 1985-10-11 | 1995-02-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| JPH07109924B2 (ja) * | 1989-03-13 | 1995-11-22 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-04-02 JP JP2087714A patent/JPH0834337B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-04-02 US US07/678,834 patent/US5180685A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-04-02 DE DE69110726T patent/DE69110726T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-04-02 EP EP91302860A patent/EP0450902B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5180685A (en) | 1993-01-19 |
| DE69110726D1 (de) | 1995-08-03 |
| EP0450902A3 (en) | 1992-02-12 |
| DE69110726T2 (de) | 1996-07-18 |
| JPH03285380A (ja) | 1991-12-16 |
| EP0450902A2 (en) | 1991-10-09 |
| EP0450902B1 (en) | 1995-06-28 |
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