JPH07165497A - 低温における結晶質炭化ケイ素コーティングの作成方法 - Google Patents
低温における結晶質炭化ケイ素コーティングの作成方法Info
- Publication number
- JPH07165497A JPH07165497A JP6192511A JP19251194A JPH07165497A JP H07165497 A JPH07165497 A JP H07165497A JP 6192511 A JP6192511 A JP 6192511A JP 19251194 A JP19251194 A JP 19251194A JP H07165497 A JPH07165497 A JP H07165497A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- silicon carbide
- substrate
- cyclobutane
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
- H10P14/2901—Materials
- H10P14/2902—Materials being Group IVA materials
- H10P14/2904—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3451—Structure
- H10P14/3452—Microstructure
- H10P14/3458—Monocrystalline
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/69—Inorganic materials
- H10P14/6903—Inorganic materials containing silicon
- H10P14/6905—Inorganic materials containing silicon being a silicon carbide or silicon carbonitride and not containing oxygen, e.g. SiC or SiC:H
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体デバイス用途等に有用な単結晶炭化ケ
イ素皮膜の作成方法を提供する。 【構成】 炭化によってシリコン基材上に炭化ケイ素緩
衝層を成長させ、薄い炭化ケイ素緩衝層を有するシリコ
ン基材を６００℃以上の温度に加熱し、前記加熱したシ
リコン基材を、炭化ケイ素皮膜がエピタキシャル成長す
るに充分な時間までケイ素含有シクロブタンを含むガス
に接触させることによってシリコン基材上に炭化ケイ素
皮膜をエピタキシャル成長させる。好ましくは、炭化ケ
イ素緩衝層をを成長させる前に、基材を酸に浸すか、又
は１０００℃以上の温度のＨＣｌ／Ｈ2 に基材を接触さ
せる方法によってシリコン基材を洗浄し、炭化水素と水
素を含む１０００℃以上の温度の混合ガスに基材を接触
させることによって炭化を行う。
イ素皮膜の作成方法を提供する。 【構成】 炭化によってシリコン基材上に炭化ケイ素緩
衝層を成長させ、薄い炭化ケイ素緩衝層を有するシリコ
ン基材を６００℃以上の温度に加熱し、前記加熱したシ
リコン基材を、炭化ケイ素皮膜がエピタキシャル成長す
るに充分な時間までケイ素含有シクロブタンを含むガス
に接触させることによってシリコン基材上に炭化ケイ素
皮膜をエピタキシャル成長させる。好ましくは、炭化ケ
イ素緩衝層をを成長させる前に、基材を酸に浸すか、又
は１０００℃以上の温度のＨＣｌ／Ｈ2 に基材を接触さ
せる方法によってシリコン基材を洗浄し、炭化水素と水
素を含む１０００℃以上の温度の混合ガスに基材を接触
させることによって炭化を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化学蒸着（ＣＶＤ）プ
ロセスにおいて、原料ガスとしてケイ素含有シクロブタ
ンを用いた、低温での結晶質炭化ケイ素皮膜の成長に関
する。
ロセスにおいて、原料ガスとしてケイ素含有シクロブタ
ンを用いた、低温での結晶質炭化ケイ素皮膜の成長に関
する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】結晶質
炭化ケイ素は、広いバンドギャップ、高い飽和電子ドリ
フト速度、高い破壊電場、高い熱伝導率、優れた耐薬品
性により、多くの高温、高電力、高い周波数の半導体デ
バイス用途に有用である。しかし、殆ど全ての製造プロ
セスは単結晶炭化ケイ素皮膜の形成を必要とする。一般
に、これらの皮膜は１０００℃以上におけるＣＶＤによ
って成長する。例えば、Ｌｅａｒｎらは、文献「Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ．，Ｖｏｌ．１７、Ｎｏ．１、１
９７０年７月」において、１１００℃のように低い温度
におけるアセチレン中のケイ素の反応性蒸発又は反応性
スパッタリングによって、α（６Ｈ）とβ（３Ｃ）の炭
化ケイ素基材の上に立方晶炭化ケイ素を形成させること
を示している。同様に、ＳｔｅｃｋｉとＬｉは文献「Ｉ
ＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃｅｓ，Ｖｏｌ．３９，Ｎｏ．１，
１９９２年１月」において、１１００〜１３００℃にお
けるシランとプロパンの高速熱ＣＶＤによって、炭化し
たシリコン（１００）の上のβ（３Ｃ）炭化ケイ素皮膜
の形成を教示している。
炭化ケイ素は、広いバンドギャップ、高い飽和電子ドリ
フト速度、高い破壊電場、高い熱伝導率、優れた耐薬品
性により、多くの高温、高電力、高い周波数の半導体デ
バイス用途に有用である。しかし、殆ど全ての製造プロ
セスは単結晶炭化ケイ素皮膜の形成を必要とする。一般
に、これらの皮膜は１０００℃以上におけるＣＶＤによ
って成長する。例えば、Ｌｅａｒｎらは、文献「Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ．，Ｖｏｌ．１７、Ｎｏ．１、１
９７０年７月」において、１１００℃のように低い温度
におけるアセチレン中のケイ素の反応性蒸発又は反応性
スパッタリングによって、α（６Ｈ）とβ（３Ｃ）の炭
化ケイ素基材の上に立方晶炭化ケイ素を形成させること
を示している。同様に、ＳｔｅｃｋｉとＬｉは文献「Ｉ
ＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃｅｓ，Ｖｏｌ．３９，Ｎｏ．１，
１９９２年１月」において、１１００〜１３００℃にお
けるシランとプロパンの高速熱ＣＶＤによって、炭化し
たシリコン（１００）の上のβ（３Ｃ）炭化ケイ素皮膜
の形成を教示している。
【０００３】この他の研究者も、高温における有機ケイ
素前駆体からの３Ｃ炭化ケイ素皮膜の堆積を示してい
る。例えば、Ｔａｋａｈａｓｈｉらは、文献「Ｊ．Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｖｏｌ１３９，Ｎｏ．
１２，１９９２年１２月」において、１１００℃の温度
でヘキサメチルジシランと水素の混合ガスを用い、大気
圧下のＣＶＤによってＳｉ（１００）とＳｉ（１１１）
の基材の上（炭化層は有りと無し）に３Ｃ炭化ケイ素を
形成することを教示している。
素前駆体からの３Ｃ炭化ケイ素皮膜の堆積を示してい
る。例えば、Ｔａｋａｈａｓｈｉらは、文献「Ｊ．Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｖｏｌ１３９，Ｎｏ．
１２，１９９２年１２月」において、１１００℃の温度
でヘキサメチルジシランと水素の混合ガスを用い、大気
圧下のＣＶＤによってＳｉ（１００）とＳｉ（１１１）
の基材の上（炭化層は有りと無し）に３Ｃ炭化ケイ素を
形成することを教示している。
【０００４】Ｇｏｌｅｃｋｉらは、文献「Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．Ｌｅｔｔ，６０（１４），１９９２年４月」に
おいて、７５０℃のように低い基材温度でメチルシラン
を用いる低圧ＣＶＤにより、シリコン（１００）基材の
上に立方晶炭化ケイ素を形成することを開示している。
しかしながら、この文献で記載の方法は、前駆体ガスと
してメチルシランの使用のみに限られている。
ｈｙｓ．Ｌｅｔｔ，６０（１４），１９９２年４月」に
おいて、７５０℃のように低い基材温度でメチルシラン
を用いる低圧ＣＶＤにより、シリコン（１００）基材の
上に立方晶炭化ケイ素を形成することを開示している。
しかしながら、この文献で記載の方法は、前駆体ガスと
してメチルシランの使用のみに限られている。
【０００５】また、ケイ素含有シクロブタンを使用し、
アモルファス又は多結晶炭化ケイ素皮膜を作成すること
が従来技術で知られている。例えば、米国特許第５０１
１７０６号は、ケイ素含有シクロブタンを用いる低温プ
ラズマ増速ＣＶＤによってアモルファス炭化ケイ素コー
ティングを作成することを開示している。同様に、Ｌａ
ｒｋｉｎらは、文献「Ｍａｔ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．Ｓｙｍ
ｐ．Ｐｒｏｃ．２０４，１４１（１９９１）」におい
て、置換１，３−ジシラシロブタンを用いる低温ＣＶＤ
によるシリコン（１００）基材上の多結晶炭化ケイ素皮
膜の作成を開示している。また、Ｊｏｈｎｓｏｎらは、
文献「Ｍａｔ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．Ｓｙｍｐ．Ｐｒｏｃ．
１９９２年１１月」において、６５０〜１０５０℃の温
度範囲でのシラシクロブタンの熱分解によるアモルファ
ス炭化ケイ素皮膜の形成を開示している。これらの文献
はいずれも結晶質炭化ケイ素の作成を教示していない。
アモルファス又は多結晶炭化ケイ素皮膜を作成すること
が従来技術で知られている。例えば、米国特許第５０１
１７０６号は、ケイ素含有シクロブタンを用いる低温プ
ラズマ増速ＣＶＤによってアモルファス炭化ケイ素コー
ティングを作成することを開示している。同様に、Ｌａ
ｒｋｉｎらは、文献「Ｍａｔ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．Ｓｙｍ
ｐ．Ｐｒｏｃ．２０４，１４１（１９９１）」におい
て、置換１，３−ジシラシロブタンを用いる低温ＣＶＤ
によるシリコン（１００）基材上の多結晶炭化ケイ素皮
膜の作成を開示している。また、Ｊｏｈｎｓｏｎらは、
文献「Ｍａｔ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．Ｓｙｍｐ．Ｐｒｏｃ．
１９９２年１１月」において、６５０〜１０５０℃の温
度範囲でのシラシクロブタンの熱分解によるアモルファ
ス炭化ケイ素皮膜の形成を開示している。これらの文献
はいずれも結晶質炭化ケイ素の作成を教示していない。
【０００６】本発明者らは、ＣＶＤプロセスにおいて、
ケイ素含有シクロブタンを用い、割合に低温で結晶質炭
化ケイ素皮膜を堆積できることを見いだした。
ケイ素含有シクロブタンを用い、割合に低温で結晶質炭
化ケイ素皮膜を堆積できることを見いだした。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び作用効果】本発明はシ
リコン基材上に結晶質炭化ケイ素を作成する方法を提供
する。この方法は、まず、シリコンと炭化水素ガスを反
応させることによってシリコン基材の上に薄い炭化ケイ
素皮膜を成長させることを含む（炭化）。薄い炭化ケイ
素皮膜を有するシリコン基材を次に６００℃以上の温度
まで加熱し、ケイ素含有シクロブタンガスに接触させ、
それにより結晶質炭化ケイ素皮膜を堆積させる。
リコン基材上に結晶質炭化ケイ素を作成する方法を提供
する。この方法は、まず、シリコンと炭化水素ガスを反
応させることによってシリコン基材の上に薄い炭化ケイ
素皮膜を成長させることを含む（炭化）。薄い炭化ケイ
素皮膜を有するシリコン基材を次に６００℃以上の温度
まで加熱し、ケイ素含有シクロブタンガスに接触させ、
それにより結晶質炭化ケイ素皮膜を堆積させる。
【０００８】また、本発明は、炭化ケイ素基材上に結晶
質炭化ケイ素皮膜を作成する方法に関する。この方法
は、炭化ケイ素基材を６００℃以上の温度に加熱し、加
熱した基材をケイ素含有シクロブタンガスに接触させ、
それによって結晶質炭化ケイ素皮膜を堆積させる。本発
明は、ケイ素含有シクロブタンガスを用いて低温（例、
６００〜１０００℃）で結晶質炭化ケイ素（ＳｉＣ）皮
膜を成長させることができるといった、本発明者らの意
外な発見に基づく。
質炭化ケイ素皮膜を作成する方法に関する。この方法
は、炭化ケイ素基材を６００℃以上の温度に加熱し、加
熱した基材をケイ素含有シクロブタンガスに接触させ、
それによって結晶質炭化ケイ素皮膜を堆積させる。本発
明は、ケイ素含有シクロブタンガスを用いて低温（例、
６００〜１０００℃）で結晶質炭化ケイ素（ＳｉＣ）皮
膜を成長させることができるといった、本発明者らの意
外な発見に基づく。
【０００９】本発明の方法で使用する基材は、一般に、
単結晶炭化ケイ素基材又は単結晶シリコンウェハーのい
ずれかを含む。このような基材は市販されている。本発
明の方法の第１の過程は所望の基材の洗浄である。この
洗浄はエピタキシャル成長を確保するためのきれいな結
晶面を提供する。ここで、表面がそのままで使用できれ
ば、付加的な洗浄が必要ないことは言うまでもない。所
望のきれいな表面を提供するほぼ任意の方法が使用で
き、これらの方法の多くは従来技術で知られている。例
えば、ＨＦのような酸の中に基材を浸してエッチングす
ることができる。或いは、高温のＨＣｌ／Ｈ2 のような
腐食性雰囲気中（例、１０００℃以上）で基材をエッチ
ングすることができる。
単結晶炭化ケイ素基材又は単結晶シリコンウェハーのい
ずれかを含む。このような基材は市販されている。本発
明の方法の第１の過程は所望の基材の洗浄である。この
洗浄はエピタキシャル成長を確保するためのきれいな結
晶面を提供する。ここで、表面がそのままで使用できれ
ば、付加的な洗浄が必要ないことは言うまでもない。所
望のきれいな表面を提供するほぼ任意の方法が使用で
き、これらの方法の多くは従来技術で知られている。例
えば、ＨＦのような酸の中に基材を浸してエッチングす
ることができる。或いは、高温のＨＣｌ／Ｈ2 のような
腐食性雰囲気中（例、１０００℃以上）で基材をエッチ
ングすることができる。
【００１０】シリコン基材を使用する場合、次に炭化ケ
イ素の薄い緩衝層を洗浄した表面上に成長させる。ここ
で、これらの層を成長させる方法は従来技術で知られて
おり、所望の炭化ケイ素層を提供するほぼ任意の方法を
使用することができる。このような方法の１つの例に
は、大気圧又は減圧条件下で高温（例、＞１０００℃）
において炭化水素ガスにシリコンを接触させる（炭化）
方法がある。メタン、エタン、プロパン、ブタン、エチ
レン、アセチレンのような炭化水素が使用可能である。
このような方法の特定の例に、Ｈ2 で希釈したプロパン
（９ｓｃｃｍの流量）とＨ2 のガスの流れ（０．９リッ
トル／分の流量）を大気圧の１３００℃にて基材に導
き、１分間で２５ナノメートルのＳｉＣ層を作成する方
法がある。このような方法のもう１つの例に、プロパン
を含むガス（９９ｓｃｃｍの流量）とＨ2 のガスの流れ
（０．９リットル／分の流量）を０．６７ｋＰａ（５ト
ール）の１３００℃にて基材に導き、１分間で１２０ナ
ノメートルのＳｉＣ層を作成する方法がある。炭化ケイ
素基材を使用するならば、上記の層を形成する必要はな
い。
イ素の薄い緩衝層を洗浄した表面上に成長させる。ここ
で、これらの層を成長させる方法は従来技術で知られて
おり、所望の炭化ケイ素層を提供するほぼ任意の方法を
使用することができる。このような方法の１つの例に
は、大気圧又は減圧条件下で高温（例、＞１０００℃）
において炭化水素ガスにシリコンを接触させる（炭化）
方法がある。メタン、エタン、プロパン、ブタン、エチ
レン、アセチレンのような炭化水素が使用可能である。
このような方法の特定の例に、Ｈ2 で希釈したプロパン
（９ｓｃｃｍの流量）とＨ2 のガスの流れ（０．９リッ
トル／分の流量）を大気圧の１３００℃にて基材に導
き、１分間で２５ナノメートルのＳｉＣ層を作成する方
法がある。このような方法のもう１つの例に、プロパン
を含むガス（９９ｓｃｃｍの流量）とＨ2 のガスの流れ
（０．９リットル／分の流量）を０．６７ｋＰａ（５ト
ール）の１３００℃にて基材に導き、１分間で１２０ナ
ノメートルのＳｉＣ層を作成する方法がある。炭化ケイ
素基材を使用するならば、上記の層を形成する必要はな
い。
【００１１】次いで標準的なＣＶＤプロセスによって基
材の上に結晶質炭化ケイ素層を作成するが、堆積チャン
バーの中で基材を所望の温度に加熱し、次いで基材をケ
イ素含有シクロブタンガスに接触させる。基材の温度は
６００℃以上が適切であり、６００〜１２００℃の温度
が好ましい。より好ましくは、６００〜１０００℃の温
度である。
材の上に結晶質炭化ケイ素層を作成するが、堆積チャン
バーの中で基材を所望の温度に加熱し、次いで基材をケ
イ素含有シクロブタンガスに接触させる。基材の温度は
６００℃以上が適切であり、６００〜１２００℃の温度
が好ましい。より好ましくは、６００〜１０００℃の温
度である。
【００１２】皮膜の形成のために必要な時間は、ケイ素
含有シクロブタンの濃度と所望の皮膜の厚さによって異
なる。概して、１〜３０分間の接触時間で充分である。
本発明の方法に使用する原料ガスはケイ素含有シクロブ
タンである。より詳しくは、ＳｉＣを生成するに足りる
炭素を残しながら、環の１以上の炭素原子がケイ素原子
で置換されたシクロブタンである。１つのケイ素原子を
有するシクロブタンは次の式で表され、
含有シクロブタンの濃度と所望の皮膜の厚さによって異
なる。概して、１〜３０分間の接触時間で充分である。
本発明の方法に使用する原料ガスはケイ素含有シクロブ
タンである。より詳しくは、ＳｉＣを生成するに足りる
炭素を残しながら、環の１以上の炭素原子がケイ素原子
で置換されたシクロブタンである。１つのケイ素原子を
有するシクロブタンは次の式で表され、
【００１３】
【化３】
【００１４】ここで、各々のＲは水素、フッ素、１〜４
の炭素原子を有する炭化水素基からなる群より独立して
選択され、各々のＲ’は水素、１〜４の炭素原子を有す
る炭化水素基から独立して選択される。例えば、有用な
シラシクロブタンには、親化合物のシラシクロブタン
（Ｈ2 ＳｉＣ3 Ｈ6 ）と、その誘導体の例えば１，１−
ジフルオロシラシクロブタン、１−メチルシラシクロブ
タン、１，１−ジメチルシラシクロブタン、１，１−エ
チルメチルシラシクロブタン、１−ブチルシラシクロブ
タン、２，４−ジメチルシラシクロブタン、３，３−ジ
エチルシラシクロブタン、３，３−エチルプロピルシラ
シクロブタンがある。
の炭素原子を有する炭化水素基からなる群より独立して
選択され、各々のＲ’は水素、１〜４の炭素原子を有す
る炭化水素基から独立して選択される。例えば、有用な
シラシクロブタンには、親化合物のシラシクロブタン
（Ｈ2 ＳｉＣ3 Ｈ6 ）と、その誘導体の例えば１，１−
ジフルオロシラシクロブタン、１−メチルシラシクロブ
タン、１，１−ジメチルシラシクロブタン、１，１−エ
チルメチルシラシクロブタン、１−ブチルシラシクロブ
タン、２，４−ジメチルシラシクロブタン、３，３−ジ
エチルシラシクロブタン、３，３−エチルプロピルシラ
シクロブタンがある。
【００１５】２つのケイ素原子を有するシクロブタンに
は次の式で表される１，３−ジシラシクロブタンがあ
り、
は次の式で表される１，３−ジシラシクロブタンがあ
り、
【００１６】
【化４】
【００１７】ここで、各々のＲとＲ’は前記と同じ意味
を有する。例えば、有用な１，３−ジシラシクロブタン
には、親化合物の１，３−ジシラシクロブタンと、その
誘導体の例えば１，１，３，３−テトラフルオロ−１，
３−ジシラシクロブタン、１−メチル−１，３−ジシラ
シクロブタン、１，３−ジメチル−１，３−ジシラシク
ロブタン、１，１−エチルメチル−１，３−ジシラシク
ロブタン、１−ブチル−１，３−ジシラシクロブタン、
２，４−ジメチル−１，３−ジシラシクロブタン、２，
２−ジエチル−１，３−ジシラシクロブタン、２，４−
エチルプロピル−１，３−ジシラシクロブタンがある。
を有する。例えば、有用な１，３−ジシラシクロブタン
には、親化合物の１，３−ジシラシクロブタンと、その
誘導体の例えば１，１，３，３−テトラフルオロ−１，
３−ジシラシクロブタン、１−メチル−１，３−ジシラ
シクロブタン、１，３−ジメチル−１，３−ジシラシク
ロブタン、１，１−エチルメチル−１，３−ジシラシク
ロブタン、１−ブチル−１，３−ジシラシクロブタン、
２，４−ジメチル−１，３−ジシラシクロブタン、２，
２−ジエチル−１，３−ジシラシクロブタン、２，４−
エチルプロピル−１，３−ジシラシクロブタンがある。
【００１８】当業者には、この他の揮発性ケイ素含有シ
クロブタンもまた本発明の方法における原料ガスとして
同様に作用することが明らかであろうが、取扱いの容易
性と入手し易さからシラシクロブタンと１，３−ジシラ
シクロブタンが好ましいと考えられる。上記のシラシク
ロブタンと１，３−ジシラシクロブタン、及びこれらの
誘導体は既知の物質であり、これらの製造方法は当該技
術で知られている。例えば、Ｊ．Ｌａａｎｅの文献
「Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．８９，１１４４（１９
６７）」に、リチウムアルミニウムハイドライドによる
１，１−ジクロロシラシクロブタンからのシラシクロブ
タンの調製が記載されている。
クロブタンもまた本発明の方法における原料ガスとして
同様に作用することが明らかであろうが、取扱いの容易
性と入手し易さからシラシクロブタンと１，３−ジシラ
シクロブタンが好ましいと考えられる。上記のシラシク
ロブタンと１，３−ジシラシクロブタン、及びこれらの
誘導体は既知の物質であり、これらの製造方法は当該技
術で知られている。例えば、Ｊ．Ｌａａｎｅの文献
「Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．８９，１１４４（１９
６７）」に、リチウムアルミニウムハイドライドによる
１，１−ジクロロシラシクロブタンからのシラシクロブ
タンの調製が記載されている。
【００１９】上記のケイ素含有シクロブタン蒸気は、一
般に不活性キャリヤガスで堆積チャンバーの中で希釈す
る。このようなキャリヤガスには水素、アルゴン、ヘリ
ウムがある。希釈率は基材への接触速度に依存するが、
一般にシクロブタン：キャリヤの希釈比として１：１〜
１：１００００が使用される。当然ながら、２以上のケ
イ素含有シクロブタン種の混合物もまた使用することが
できる。
般に不活性キャリヤガスで堆積チャンバーの中で希釈す
る。このようなキャリヤガスには水素、アルゴン、ヘリ
ウムがある。希釈率は基材への接触速度に依存するが、
一般にシクロブタン：キャリヤの希釈比として１：１〜
１：１００００が使用される。当然ながら、２以上のケ
イ素含有シクロブタン種の混合物もまた使用することが
できる。
【００２０】堆積チャンバーの中のガスの全圧力は広範
囲に変わることができ、一般に、妥当なエピタキシャル
成長速度を提供するレベルに調節する。一般に、１３
３．３Ｐａ（１トール）から大気圧までの範囲の圧力が
使用される。堆積チャンバーに導入される化合物蒸気の
量は、望ましいＳｉＣ皮膜の成長速度を可能にする量に
すべきである。ここで、堆積チャンバーは、雰囲気中の
殆ど全てのシクロブタンが堆積し、「枯渇し(starved)
」していることが好ましく、それにより結晶構造がゆ
っくりと成長する。一般に、１〜１０００ナノメートル
／分の成長速度を達成することができる。
囲に変わることができ、一般に、妥当なエピタキシャル
成長速度を提供するレベルに調節する。一般に、１３
３．３Ｐａ（１トール）から大気圧までの範囲の圧力が
使用される。堆積チャンバーに導入される化合物蒸気の
量は、望ましいＳｉＣ皮膜の成長速度を可能にする量に
すべきである。ここで、堆積チャンバーは、雰囲気中の
殆ど全てのシクロブタンが堆積し、「枯渇し(starved)
」していることが好ましく、それにより結晶構造がゆ
っくりと成長する。一般に、１〜１０００ナノメートル
／分の成長速度を達成することができる。
【００２１】本発明の方法は静的条件下で行うことがで
きるが、通常は、基材の面の全体に均一な蒸気の流れを
生じさせるように、チャンバーの１箇所から排気しなが
ら、チャンバーの一部分に調節した量の蒸気を連続的に
導入することが好ましい。本発明の方法に使用する堆積
チャンバーは、ＣＶＤプロセスによる皮膜の成長を促進
する任意のものでよい。このようなチャンバーの例は上
記のＧｏｌｅｃｋｉら、Ｓｔｅｃｋｌらが記載してい
る。
きるが、通常は、基材の面の全体に均一な蒸気の流れを
生じさせるように、チャンバーの１箇所から排気しなが
ら、チャンバーの一部分に調節した量の蒸気を連続的に
導入することが好ましい。本発明の方法に使用する堆積
チャンバーは、ＣＶＤプロセスによる皮膜の成長を促進
する任意のものでよい。このようなチャンバーの例は上
記のＧｏｌｅｃｋｉら、Ｓｔｅｃｋｌらが記載してい
る。
【００２２】また、結晶質炭化ケイ素のエピタキシャル
成長は種々の方法によって助長することができると考え
られる。例えば、分子ビームエピタキシー、レーザー及
び／又はイオンビームは気体種を励起し、低温でエピタ
キシャル層を成長させることができると考えられる。得
られる皮膜は、結晶質の３Ｃ又は６ＨのＳｉＣである。
これらは約０．０１ｍｍから５ｍｍまで又はそれ以上の
広範囲な厚さに成長することができる。これらの皮膜
は、立方晶対称を有する鋭い点のみからなる透過電子回
折パターンを示す。これらの皮膜のＸ線回折は、主とし
て（２００）と（４００）のＳｉＣラインを示す。
成長は種々の方法によって助長することができると考え
られる。例えば、分子ビームエピタキシー、レーザー及
び／又はイオンビームは気体種を励起し、低温でエピタ
キシャル層を成長させることができると考えられる。得
られる皮膜は、結晶質の３Ｃ又は６ＨのＳｉＣである。
これらは約０．０１ｍｍから５ｍｍまで又はそれ以上の
広範囲な厚さに成長することができる。これらの皮膜
は、立方晶対称を有する鋭い点のみからなる透過電子回
折パターンを示す。これらの皮膜のＸ線回折は、主とし
て（２００）と（４００）のＳｉＣラインを示す。
【００２３】次の例（限定されない）は、当該技術の関
係者が本発明を充分に理解できるように用意したもので
ある。
係者が本発明を充分に理解できるように用意したもので
ある。
【００２４】
【実施例】例１ ４枚のＳｉ（１００）ウェハーを１２００℃のＨＣｌ／
Ｈ2 雰囲気中で洗浄した。次いで、９ｓｃｃｍのプロパ
ンの流れと、０．９リットル／分の別なＨ2 の流れを用
い、大気圧下の炭化によって、洗浄したウェハーの上に
薄いＳｉＣ皮膜を成長させ、２５ｎｍのＳｉＣ層を得
た。次いで、シラシクロブタンを用い、図１に示す装置
の中で９００と１１００℃において、被覆したウェハー
の上にＳｉＣ皮膜を成長させた。成長反応は０．６７ｋ
Ｐａ（５トール）において、１ｓｃｃｍのシラシクロブ
タンと２リットル／分のＨ2 の流れを用い、１分間（薄
い層）と１０分間（厚い層）行った。
Ｈ2 雰囲気中で洗浄した。次いで、９ｓｃｃｍのプロパ
ンの流れと、０．９リットル／分の別なＨ2 の流れを用
い、大気圧下の炭化によって、洗浄したウェハーの上に
薄いＳｉＣ皮膜を成長させ、２５ｎｍのＳｉＣ層を得
た。次いで、シラシクロブタンを用い、図１に示す装置
の中で９００と１１００℃において、被覆したウェハー
の上にＳｉＣ皮膜を成長させた。成長反応は０．６７ｋ
Ｐａ（５トール）において、１ｓｃｃｍのシラシクロブ
タンと２リットル／分のＨ2 の流れを用い、１分間（薄
い層）と１０分間（厚い層）行った。
【００２５】透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）と回折（ＴＥ
Ｄ）による分析を薄い皮膜について行った。ウェハー上
に９００と１１００℃で成長させた薄い層は単結晶物質
であることを示した。９００℃で成長させた薄い層は１
００ｎｍ／分の成長速度を示し、通常のＸ線回折で評価
した（θ〜２θ）。Ｘ線回折は、４１．４４°における
ＳｉＣ（２００）反射と８９．９０°におけるＳｉＣ
（４００）反射の主なピークを示した。ＳｉＣ（１１
１）と（２２０）の非常に小さいピークが観察され、支
配的な構造は（１００）であり、他のわずかな配向成分
を含むことを示した。
Ｄ）による分析を薄い皮膜について行った。ウェハー上
に９００と１１００℃で成長させた薄い層は単結晶物質
であることを示した。９００℃で成長させた薄い層は１
００ｎｍ／分の成長速度を示し、通常のＸ線回折で評価
した（θ〜２θ）。Ｘ線回折は、４１．４４°における
ＳｉＣ（２００）反射と８９．９０°におけるＳｉＣ
（４００）反射の主なピークを示した。ＳｉＣ（１１
１）と（２２０）の非常に小さいピークが観察され、支
配的な構造は（１００）であり、他のわずかな配向成分
を含むことを示した。
【００２６】さらに４枚のＳｉ（１００）ウェハーを１
２００℃のＨＣｌ／Ｈ2 雰囲気中で洗浄した。次いで、
９９ｓｃｃｍのプロパンの流れと、０．９リットル／分
の別なＨ2 の流れを用い、０．６７ｋＰａ（５トール）
の低圧下の炭化によって、洗浄したウェハーの上に薄い
ＳｉＣ皮膜を成長させ、１２０ｎｍのＳｉＣ層を得た。
次いで、シラシクロブタンを用い、図１に示す装置の中
で９００〜１１００℃において、被覆したウェハーの上
にＳｉＣ皮膜を成長させた。成長反応は０．６７ｋＰａ
（５トール）において、１ｓｃｃｍのシラシクロブタン
と２リットル／分のＨ2 の流れを用い、１分間（薄い
層）と１０分間（厚い層）行った。
２００℃のＨＣｌ／Ｈ2 雰囲気中で洗浄した。次いで、
９９ｓｃｃｍのプロパンの流れと、０．９リットル／分
の別なＨ2 の流れを用い、０．６７ｋＰａ（５トール）
の低圧下の炭化によって、洗浄したウェハーの上に薄い
ＳｉＣ皮膜を成長させ、１２０ｎｍのＳｉＣ層を得た。
次いで、シラシクロブタンを用い、図１に示す装置の中
で９００〜１１００℃において、被覆したウェハーの上
にＳｉＣ皮膜を成長させた。成長反応は０．６７ｋＰａ
（５トール）において、１ｓｃｃｍのシラシクロブタン
と２リットル／分のＨ2 の流れを用い、１分間（薄い
層）と１０分間（厚い層）行った。
【００２７】透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）と回折（ＴＥ
Ｄ）による分析を薄い皮膜について行った。ウェハー上
に１１００℃で成長させた薄い層は単結晶物質であるこ
とを示した。９００℃で成長させた薄い層は、結晶質と
多結晶質の構造の組み合わせを示すＴＥＤパターンを呈
した。
Ｄ）による分析を薄い皮膜について行った。ウェハー上
に１１００℃で成長させた薄い層は単結晶物質であるこ
とを示した。９００℃で成長させた薄い層は、結晶質と
多結晶質の構造の組み合わせを示すＴＥＤパターンを呈
した。
【００２８】例２ ４枚のＳｉ（１１１）ウェハーを１２００℃のＨＣｌ／
Ｈ2 雰囲気中で洗浄した。次いで、９ｓｃｃｍのプロパ
ンの流れと、０．９リットル／分の別なＨ2 の流れを用
い、大気圧下の炭化によって、洗浄したウェハーの上に
薄いＳｉＣ皮膜を成長させ、２５ｎｍのＳｉＣ層を得
た。次いで、シラシクロブタンの熱分解により、図１に
示す装置の中で９００と１１００℃において、被覆した
ウェハーの上にＳｉＣ皮膜を成長させた。成長反応は
０．６７ｋＰａ（５トール）において、１ｓｃｃｍのシ
ラシクロブタンと２リットル／分のＨ2 の流れを用い、
１分間（薄い層）と１０分間（厚い層）行った。
Ｈ2 雰囲気中で洗浄した。次いで、９ｓｃｃｍのプロパ
ンの流れと、０．９リットル／分の別なＨ2 の流れを用
い、大気圧下の炭化によって、洗浄したウェハーの上に
薄いＳｉＣ皮膜を成長させ、２５ｎｍのＳｉＣ層を得
た。次いで、シラシクロブタンの熱分解により、図１に
示す装置の中で９００と１１００℃において、被覆した
ウェハーの上にＳｉＣ皮膜を成長させた。成長反応は
０．６７ｋＰａ（５トール）において、１ｓｃｃｍのシ
ラシクロブタンと２リットル／分のＨ2 の流れを用い、
１分間（薄い層）と１０分間（厚い層）行った。
【００２９】９００℃で成長させた薄い層は５０ｎｍ／
分の成長速度を示し、通常のＸ線回折で評価した（θ〜
２θ）。Ｘ線回折は（１１１）反射（３５．６３°）に
おいて非常に大きくて鋭いピークを示した。７５．４６
°における第２の反射の他にはＳｉＣのピークは観察さ
れなかった。このことは皮膜が（１１１）配向を有する
単結晶であることを示す。
分の成長速度を示し、通常のＸ線回折で評価した（θ〜
２θ）。Ｘ線回折は（１１１）反射（３５．６３°）に
おいて非常に大きくて鋭いピークを示した。７５．４６
°における第２の反射の他にはＳｉＣのピークは観察さ
れなかった。このことは皮膜が（１１１）配向を有する
単結晶であることを示す。
【図１】実施例で用いたＳｉＣ皮膜の堆積装置である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジ−ピン リ アメリカ合衆国，オハイオ，シンシナテ ィ，ビショップ ストリート 3317，アパ ートメント 210 (72)発明者 アンドリュー ジェイ．ステックル アメリカ合衆国，オハイオ，シンシナテ ィ，サニーエイカーズ ドライブ 269 (72)発明者 チョン ユアン アメリカ合衆国，オハイオ，シンシナテ ィ，ホワイトフィールド アベニュ 3242，アパートメント シー４
Claims (10)
- 【請求項１】 シリコン基材上に炭化ケイ素皮膜をエピ
タキシャル成長させる方法であって、炭化によってシリ
コン基材上に炭化ケイ素緩衝層を成長させ、薄い炭化ケ
イ素緩衝層を有するシリコン基材を６００℃以上の温度
に加熱し、前記加熱したシリコン基材を、炭化ケイ素皮
膜がエピタキシャル成長するに充分な時間までケイ素含
有シクロブタンを含むガスに接触させる方法。 - 【請求項２】 炭化ケイ素緩衝層をを成長させる前に、
基材を酸に浸すか、又は１０００℃以上の温度のＨＣｌ
／Ｈ2 に基材を接触させる方法によって、シリコン基材
を洗浄する請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 炭化水素と水素を含む１０００℃以上の
温度の混合ガスに基材を接触させることによって炭化を
行う請求項１に記載の方法。 - 【請求項４】 ケイ素含有シクロブタンが次の構造を有
する化合物を含む請求項１に記載の方法： 【化１】 ここで、各々のＲは水素、フッ素、１〜４の炭素原子を
有する炭化水素基からなる群より独立して選択され、各
々のＲ’は水素、１〜４の炭素原子を有する炭化水素基
から独立して選択される。 - 【請求項５】 ケイ素含有シクロブタンが次の構造を有
する化合物を含む請求項１に記載の方法： 【化２】 ここで、各々のＲは水素、フッ素、１〜４の炭素原子を
有する炭化水素基からなる群より独立して選択され、各
々のＲ’は水素、１〜４の炭素原子を有する炭化水素基
から独立して選択される。 - 【請求項６】 前記ガスが、シクロブタン：キャリヤの
比において１：１〜１：１００００の範囲で不活性キャ
リヤガスをさらに含む請求項１に記載の方法。 - 【請求項７】 加熱したシリコン基材を、１〜３０分間
の時間範囲でケイ素含有シクロブタンガスに接触させる
請求項１に記載の方法。 - 【請求項８】 加熱したシリコン基材を、１３３．３Ｐ
ａ（１トール）〜大気圧の圧力範囲でケイ素含有シクロ
ブタンガスに接触させる請求項１に記載の方法。 - 【請求項９】 炭化ケイ素皮膜のエピタキシャル成長
を、分子ビームエキタキシー、イオンビーム、レーザー
から選択した手段によって助長する請求項１に記載の方
法。 - 【請求項１０】 炭化ケイ素基材上に炭化ケイ素皮膜を
エピタキシャル成長させる方法であって、炭化ケイ素基
材を６００℃以上の温度に加熱し、前記加熱した炭化ケ
イ素基材を、炭化ケイ素皮膜がエピタキシャル成長する
に充分な時間までケイ素含有シクロブタンを含むガスに
接触させる方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US106665 | 1993-08-16 | ||
| US08/106,665 US5415126A (en) | 1993-08-16 | 1993-08-16 | Method of forming crystalline silicon carbide coatings at low temperatures |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07165497A true JPH07165497A (ja) | 1995-06-27 |
| JP3545459B2 JP3545459B2 (ja) | 2004-07-21 |
Family
ID=22312615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19251194A Expired - Lifetime JP3545459B2 (ja) | 1993-08-16 | 1994-08-16 | 低温における結晶質炭化ケイ素コーティングの作成方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5415126A (ja) |
| EP (1) | EP0639661B1 (ja) |
| JP (1) | JP3545459B2 (ja) |
| KR (1) | KR100287489B1 (ja) |
| DE (1) | DE69413910T2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09263497A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-07 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
| JP2006179799A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体およびその製造方法 |
| JP2006519496A (ja) * | 2003-02-26 | 2006-08-24 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 水素化シリコンオキシカーバイド膜の生成方法。 |
| JP2010533633A (ja) * | 2007-07-13 | 2010-10-28 | ノースロップ グラマン システムズ コーポレーション | 大領域ＳｉＣ基板の製造方法 |
| JP2018506185A (ja) * | 2015-02-06 | 2018-03-01 | バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー | 炭素ドープケイ素含有膜のための組成物及びそれを使用する方法 |
| JP2021020819A (ja) * | 2019-07-24 | 2021-02-18 | 株式会社Sumco | ヘテロエピタキシャルウェーハの製造方法及びヘテロエピタキシャルウェーハ |
| KR20230074565A (ko) * | 2020-09-30 | 2023-05-30 | 젤리스트 인코퍼레이티드 | 탄화규소 박막 및 그의 증착 방법 |
| WO2023243259A1 (ja) * | 2022-06-14 | 2023-12-21 | 信越半導体株式会社 | ヘテロエピタキシャルウェーハの製造方法 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5759908A (en) * | 1995-05-16 | 1998-06-02 | University Of Cincinnati | Method for forming SiC-SOI structures |
| US5861346A (en) * | 1995-07-27 | 1999-01-19 | Regents Of The University Of California | Process for forming silicon carbide films and microcomponents |
| US6794255B1 (en) | 1997-07-29 | 2004-09-21 | Micron Technology, Inc. | Carburized silicon gate insulators for integrated circuits |
| US6936849B1 (en) | 1997-07-29 | 2005-08-30 | Micron Technology, Inc. | Silicon carbide gate transistor |
| US6746893B1 (en) | 1997-07-29 | 2004-06-08 | Micron Technology, Inc. | Transistor with variable electron affinity gate and methods of fabrication and use |
| US5886368A (en) | 1997-07-29 | 1999-03-23 | Micron Technology, Inc. | Transistor with silicon oxycarbide gate and methods of fabrication and use |
| US6031263A (en) | 1997-07-29 | 2000-02-29 | Micron Technology, Inc. | DEAPROM and transistor with gallium nitride or gallium aluminum nitride gate |
| US7196929B1 (en) | 1997-07-29 | 2007-03-27 | Micron Technology Inc | Method for operating a memory device having an amorphous silicon carbide gate insulator |
| US7154153B1 (en) | 1997-07-29 | 2006-12-26 | Micron Technology, Inc. | Memory device |
| US6965123B1 (en) | 1997-07-29 | 2005-11-15 | Micron Technology, Inc. | Transistor with variable electron affinity gate and methods of fabrication and use |
| US6749687B1 (en) * | 1998-01-09 | 2004-06-15 | Asm America, Inc. | In situ growth of oxide and silicon layers |
| US6217937B1 (en) | 1998-07-15 | 2001-04-17 | Cornell Research Foundation, Inc. | High throughput OMVPE apparatus |
| JP3650727B2 (ja) * | 2000-08-10 | 2005-05-25 | Ｈｏｙａ株式会社 | 炭化珪素製造方法 |
| JP2002220299A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-09 | Hoya Corp | 単結晶ＳｉＣ及びその製造方法、ＳｉＣ半導体装置並びにＳｉＣ複合材料 |
| KR20030058571A (ko) * | 2001-12-31 | 2003-07-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 제조방법 |
| JP3920103B2 (ja) * | 2002-01-31 | 2007-05-30 | 大阪府 | 絶縁層埋め込み型半導体炭化シリコン基板の製造方法及びその製造装置 |
| US7261919B2 (en) * | 2003-11-18 | 2007-08-28 | Flx Micro, Inc. | Silicon carbide and other films and method of deposition |
| JP5415853B2 (ja) * | 2009-07-10 | 2014-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 表面処理方法 |
| DE112015006024B9 (de) | 2015-01-21 | 2025-04-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Verfahren zum Herstellen eines Siliziumkarbid-Einkristalls, Siliziumkarbid-Einkristallsubstrat und Siliziumkarbid-Epitaxiesubstrat |
| WO2019055393A1 (en) * | 2017-09-14 | 2019-03-21 | Versum Material Us, Llc | COMPOSITIONS AND METHODS FOR DEPOSITION OF FILMS CONTAINING SILICON |
| DE102018107922A1 (de) * | 2018-04-04 | 2019-10-10 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Verarbeiten eines Siliciumcarbid enthaltenden kristallinen Substrats, Siliciumcarbidchip und Verarbeitungskammer |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0288065B1 (en) * | 1987-04-22 | 1993-10-06 | Idemitsu Petrochemical Co. Ltd. | Method for synthesis of diamond |
| JPH067594B2 (ja) * | 1987-11-20 | 1994-01-26 | 富士通株式会社 | 半導体基板の製造方法 |
| US5011706A (en) * | 1989-04-12 | 1991-04-30 | Dow Corning Corporation | Method of forming coatings containing amorphous silicon carbide |
| EP0459425A1 (en) * | 1990-05-30 | 1991-12-04 | Idemitsu Petrochemical Company Limited | Process for the preparation of diamond |
-
1993
- 1993-08-16 US US08/106,665 patent/US5415126A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-08-10 DE DE69413910T patent/DE69413910T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-08-10 EP EP94305931A patent/EP0639661B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-08-13 KR KR1019940019974A patent/KR100287489B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 1994-08-16 JP JP19251194A patent/JP3545459B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09263497A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-07 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
| JP2006519496A (ja) * | 2003-02-26 | 2006-08-24 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 水素化シリコンオキシカーバイド膜の生成方法。 |
| JP2006179799A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体およびその製造方法 |
| JP2010533633A (ja) * | 2007-07-13 | 2010-10-28 | ノースロップ グラマン システムズ コーポレーション | 大領域ＳｉＣ基板の製造方法 |
| JP2023182658A (ja) * | 2015-02-06 | 2023-12-26 | バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー | 炭素ドープケイ素含有膜のための組成物及びそれを使用する方法 |
| JP2018506185A (ja) * | 2015-02-06 | 2018-03-01 | バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー | 炭素ドープケイ素含有膜のための組成物及びそれを使用する方法 |
| JP2019220713A (ja) * | 2015-02-06 | 2019-12-26 | バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー | 炭素ドープケイ素含有膜のための組成物及びそれを使用する方法 |
| JP2022031313A (ja) * | 2015-02-06 | 2022-02-18 | バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー | 炭素ドープケイ素含有膜のための組成物及びそれを使用する方法 |
| JP2021020819A (ja) * | 2019-07-24 | 2021-02-18 | 株式会社Sumco | ヘテロエピタキシャルウェーハの製造方法及びヘテロエピタキシャルウェーハ |
| JP2023543862A (ja) * | 2020-09-30 | 2023-10-18 | ゲレスト・インコーポレイテッド | 炭化ケイ素薄膜及びその蒸着方法 |
| KR20230074565A (ko) * | 2020-09-30 | 2023-05-30 | 젤리스트 인코퍼레이티드 | 탄화규소 박막 및 그의 증착 방법 |
| US12378666B2 (en) | 2020-09-30 | 2025-08-05 | Gelest, Inc. | Silicon carbide thin films and vapor deposition methods thereof |
| WO2023243259A1 (ja) * | 2022-06-14 | 2023-12-21 | 信越半導体株式会社 | ヘテロエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP2023182034A (ja) * | 2022-06-14 | 2023-12-26 | 信越半導体株式会社 | ヘテロエピタキシャルウェーハの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69413910T2 (de) | 1999-06-02 |
| DE69413910D1 (de) | 1998-11-19 |
| EP0639661A2 (en) | 1995-02-22 |
| EP0639661A3 (en) | 1996-04-03 |
| KR950006035A (ko) | 1995-03-20 |
| US5415126A (en) | 1995-05-16 |
| JP3545459B2 (ja) | 2004-07-21 |
| EP0639661B1 (en) | 1998-10-14 |
| KR100287489B1 (ko) | 2001-04-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0632145B1 (en) | Method of forming crystalline silicon carbide coatings | |
| JPH07165497A (ja) | 低温における結晶質炭化ケイ素コーティングの作成方法 | |
| Muthukumar et al. | Control of morphology and orientation of ZnO thin films grown on SiO2/Si substrates | |
| Takahashi et al. | Low‐temperature growth of 3 C‐SiC on Si substrate by chemical vapor deposition using hexamethyldisilane as a source material | |
| US5759908A (en) | Method for forming SiC-SOI structures | |
| US5006203A (en) | Diamond growth method | |
| US5471946A (en) | Method for producing a wafer with a monocrystalline silicon carbide layer | |
| US12180611B2 (en) | Methods of forming silicon carbide coated base substrates at multiple temperatures | |
| Xie et al. | DPBs-free and polytype controlled growth of SiC via surface etching on on-axis 6H-SiC (0 0 0 1) | |
| Nordell et al. | Influence of H 2 addition and growth temperature on CVD of SiC using hexamethyldisilane and Ar | |
| JPH05315269A (ja) | 薄膜の製膜方法 | |
| JPH05226254A (ja) | Ｇｅ付着方法及び半導体構造 | |
| US6800133B1 (en) | Process for growing a magnesium oxide film on a silicon (100) substrate coated with a cubic silicon carbide butter layer | |
| JP3176086B2 (ja) | ダイヤモンド結晶及びダイヤモンド形成用基体 | |
| Nishino et al. | Heteroepitaxial growth of cubic SiC on a Si substrate using the Si2H6-C2H2-H2 system | |
| EP0432820B1 (en) | Laser deposition of crystalline boron nitride films | |
| Hurtos et al. | Low temperature SiC growth by metalorganic LPCVD on MBE carbonized Si (001) substrates | |
| JP2646961B2 (ja) | シリコン炭素混晶エピタキシャル膜の成長方法およびその装置 | |
| Hurtós et al. | Growth and Stress Characterization of LPCVD SiC Films Deposited on Bare, Carbonized and Oxidized Si (001) Substrates | |
| Rodrŕguez-Viejo et al. | Growth and characterisation of SiC films deposited on a-SiO2/Si (100) substrates | |
| Yang et al. | Diamond Nucleation and Growth on Mirror-Polish Silicon Wafer Pretreated by Silicon Ion Implantation | |
| JPH01172295A (ja) | エピタキシャル成長によるシリコン結晶薄膜の製造方法 | |
| JPH06267845A (ja) | 半導体素子およびその製造法 | |
| Bahavar et al. | Hetero-Epitaxial Growth of SiC Films by CVD from Silane, Methane, Propane, and Hydrogen Mixtures | |
| Obermeier et al. | Synthesis Report |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040212 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040309 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040408 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090416 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090416 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100416 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110416 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120416 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120416 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130416 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130416 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140416 Year of fee payment: 10 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |