JPH07166336A - マグネトロンスパッタリング用高強度焼結ターゲット材 - Google Patents
マグネトロンスパッタリング用高強度焼結ターゲット材Info
- Publication number
- JPH07166336A JPH07166336A JP31212993A JP31212993A JPH07166336A JP H07166336 A JPH07166336 A JP H07166336A JP 31212993 A JP31212993 A JP 31212993A JP 31212993 A JP31212993 A JP 31212993A JP H07166336 A JPH07166336 A JP H07166336A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- rare earth
- target material
- earth metal
- sintered target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マグネトロンスパッタリング法により光磁気
記録薄膜を形成するのに用いられる高強度焼結ターゲッ
ト材を提供する。 【構成】高強度焼結ターゲット材が、重量％で、Ｃｒ，
Ｔｉ，Ｎｂ，ＭｏおよびＴａの内のいずれかの被覆金
属：０．１〜１０％、希土類金属：３０〜５０％、鉄属
金属：残りからなる組成、ならびに希土類金属−鉄属金
属の金属間化合物相、この金属間化合物の表面を被覆す
る上記被覆金属相、および希土類金属相からなる組織を
有し、かつ９０％以上の理論密度比を有する。
記録薄膜を形成するのに用いられる高強度焼結ターゲッ
ト材を提供する。 【構成】高強度焼結ターゲット材が、重量％で、Ｃｒ，
Ｔｉ，Ｎｂ，ＭｏおよびＴａの内のいずれかの被覆金
属：０．１〜１０％、希土類金属：３０〜５０％、鉄属
金属：残りからなる組成、ならびに希土類金属−鉄属金
属の金属間化合物相、この金属間化合物の表面を被覆す
る上記被覆金属相、および希土類金属相からなる組織を
有し、かつ９０％以上の理論密度比を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば光磁気記録薄
膜をマグネトロンスパッタリングにより形成するのに用
いられる高強度焼結ターゲット材に関するものである。
膜をマグネトロンスパッタリングにより形成するのに用
いられる高強度焼結ターゲット材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、マグネトロンスパッタリング法に
より光磁気記録薄膜を形成するに際しては多くの焼結タ
ーゲット材が用いられており、これらの多くの焼結ター
ゲット材の中で希土類金属と鉄族金属の金属間化合物
と，希土類金属単体の混合組織からなる焼結ターゲット
材が、例えば特開昭６３−２７４７６４号公報に記載さ
れる通り知られている。
より光磁気記録薄膜を形成するに際しては多くの焼結タ
ーゲット材が用いられており、これらの多くの焼結ター
ゲット材の中で希土類金属と鉄族金属の金属間化合物
と，希土類金属単体の混合組織からなる焼結ターゲット
材が、例えば特開昭６３−２７４７６４号公報に記載さ
れる通り知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来焼結ターゲ
ット材では、希土類金属と鉄族金属の金属間化合物（以
下、金属間化合物と言う）と希土類金属との反応を抑制
するために焼結温度をあまり高くすることはできず、こ
の結果、ターゲット材の密度向上をはかることができな
いので、ターゲット材の強度は不十分なものとならざる
を得なかった。
ット材では、希土類金属と鉄族金属の金属間化合物（以
下、金属間化合物と言う）と希土類金属との反応を抑制
するために焼結温度をあまり高くすることはできず、こ
の結果、ターゲット材の密度向上をはかることができな
いので、ターゲット材の強度は不十分なものとならざる
を得なかった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記従来マグネトロンス
パッタリング用焼結ターゲット材の持つ問題点を解決す
るため本発明者等は種々の研究を重ねた結果、上記従来
マグネトロンスパッタリング用焼結ターゲット材におけ
る金属間化合物相の表面をＣｒ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｍｏおよ
びＴａの内のいずれかからなる金属で被覆した組織とす
ると、この結果のターゲット材においては、高温焼結し
ても金属間化合物相と希土類金属相との焼結時の反応が
上記被覆金属相によって抑制されることから、焼結後
も、金属間化合物相と希土類金属相が前記被覆金属相と
共に存在した組織となり、かつ前記高温焼結によって理
論密度比で９０％以上の高い密度、即ち、高強度を有す
るようになるという研究結果を得たのである。
パッタリング用焼結ターゲット材の持つ問題点を解決す
るため本発明者等は種々の研究を重ねた結果、上記従来
マグネトロンスパッタリング用焼結ターゲット材におけ
る金属間化合物相の表面をＣｒ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｍｏおよ
びＴａの内のいずれかからなる金属で被覆した組織とす
ると、この結果のターゲット材においては、高温焼結し
ても金属間化合物相と希土類金属相との焼結時の反応が
上記被覆金属相によって抑制されることから、焼結後
も、金属間化合物相と希土類金属相が前記被覆金属相と
共に存在した組織となり、かつ前記高温焼結によって理
論密度比で９０％以上の高い密度、即ち、高強度を有す
るようになるという研究結果を得たのである。
【０００５】つぎに、この発明の焼結ターゲット材にお
いて、配合組成および金属被覆層の割合を上記の通りに
限定した理由を説明する。 （ａ）希土類金属 ターゲット中の希土類金属の割合が重量％で３０％未満
の場合および重量％で５０％を越えた場合、形成薄膜に
満足な光磁気特性が得られないことから重量％で３０〜
５０％と定めた。
いて、配合組成および金属被覆層の割合を上記の通りに
限定した理由を説明する。 （ａ）希土類金属 ターゲット中の希土類金属の割合が重量％で３０％未満
の場合および重量％で５０％を越えた場合、形成薄膜に
満足な光磁気特性が得られないことから重量％で３０〜
５０％と定めた。
【０００６】（ｂ）被覆金属 被覆金属には、上記の通り高温焼結での金属間化合物相
と希土類金属相の反応を抑制する作用があるが、その重
量％が０．１％未満では前記作用に所望の結果が得られ
ず、一方その重量％が１０％を越えると形成薄膜の光磁
気特性に悪影響を及ぼすため、その割合を重量％で０．
１〜１０％と定めた。
と希土類金属相の反応を抑制する作用があるが、その重
量％が０．１％未満では前記作用に所望の結果が得られ
ず、一方その重量％が１０％を越えると形成薄膜の光磁
気特性に悪影響を及ぼすため、その割合を重量％で０．
１〜１０％と定めた。
【０００７】
【実施例】つぎに、この発明の焼結ターゲット材を実施
例により具体的に説明する。いずれも１００μmの平均
粒径を有し、かつ表１に示される組成を持った金属間化
合物粉末、ならびに希土類金属粉末を用意し、また上記
金属間化合物粉末の表面には、スパッタリング法により
通常の条件で同じく表１に示される組み合わせと割合で
金属被覆層を形成し、これら原料粉末を同じく表１に示
される配合組成に配合し、ボールミルで５時間混合した
後、真空雰囲気中、温度：１０００〜１２００℃の範囲
内の所定の温度、圧力：３００kg/cm2、時間：１時間の
条件でホットプレスすることにより本発明焼結ターゲッ
ト材１〜７をそれぞれ製造した。
例により具体的に説明する。いずれも１００μmの平均
粒径を有し、かつ表１に示される組成を持った金属間化
合物粉末、ならびに希土類金属粉末を用意し、また上記
金属間化合物粉末の表面には、スパッタリング法により
通常の条件で同じく表１に示される組み合わせと割合で
金属被覆層を形成し、これら原料粉末を同じく表１に示
される配合組成に配合し、ボールミルで５時間混合した
後、真空雰囲気中、温度：１０００〜１２００℃の範囲
内の所定の温度、圧力：３００kg/cm2、時間：１時間の
条件でホットプレスすることにより本発明焼結ターゲッ
ト材１〜７をそれぞれ製造した。
【０００８】また、比較の目的で、金属被覆層の形成を
行わない金属間化合物粉末を用い、前記金属間化合物粉
末と希土類金属粉末の反応を抑制する目的で、真空雰囲
気中、温度：９００℃、圧力：３００kg/cm2、時間：３
０分の条件で従来焼結材１〜７をそれぞれ製造した。
行わない金属間化合物粉末を用い、前記金属間化合物粉
末と希土類金属粉末の反応を抑制する目的で、真空雰囲
気中、温度：９００℃、圧力：３００kg/cm2、時間：３
０分の条件で従来焼結材１〜７をそれぞれ製造した。
【０００９】ついで、この結果得られた各種焼結ターゲ
ット材について、理論密度比と抗折力を測定した。この
測定結果を表１に示した。
ット材について、理論密度比と抗折力を測定した。この
測定結果を表１に示した。
【００１０】
【発明の効果】表１に示される結果から、本発明焼結タ
ーゲット材１〜７は金属被覆層の存在によって高温焼結
が可能となり、高密度および高強度をもつようになるの
に対して従来焼結ターゲット材１〜７においては、反応
抑制のために低温焼結とならざるを得ないことから密度
および強度は相対的に低いものとなっていることが明か
である。
ーゲット材１〜７は金属被覆層の存在によって高温焼結
が可能となり、高密度および高強度をもつようになるの
に対して従来焼結ターゲット材１〜７においては、反応
抑制のために低温焼結とならざるを得ないことから密度
および強度は相対的に低いものとなっていることが明か
である。
【００１１】上述のように、この発明の焼結ターゲット
材は、金属間化合物相と希土類金属相が共存した組織を
持つと共に高強度を有するので、これをマグネトロンス
パッタリングに用いた場合、優れた光磁気特性を持つ薄
膜を作成することができ、かつ取扱が容易であるばかり
でなく大面積化を図ることもできるなど工業上有用な特
性を持つのである。
材は、金属間化合物相と希土類金属相が共存した組織を
持つと共に高強度を有するので、これをマグネトロンス
パッタリングに用いた場合、優れた光磁気特性を持つ薄
膜を作成することができ、かつ取扱が容易であるばかり
でなく大面積化を図ることもできるなど工業上有用な特
性を持つのである。
【００１２】
【表１】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 丸山 仁 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社中央研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 重量％で、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｍｏおよ
びＴａの内のいずれかの被覆金属：０．１〜１０％、希
土類金属：３０〜５０％、鉄属金属：残りからなる組
成、ならびに希土類金属−鉄属金属の金属間化合物相、
この金属間化合物の表面を被覆する上記被覆金属相、お
よび希土類金属相からなる組織を有し、かつ９０％以上
の理論密度比を有することを特徴とするマグネトロンス
パッタリング用高強度焼結ターゲット材。 - 【請求項２】 上記希土類金属がＴｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，ＴｍおよびＥｒの内の１種または２種以上からな
り、上記鉄族金属がＦｅ，ＮｉおよびＣｏの内の１種ま
たは２種以上からなることを特徴とする請求項１記載の
マグネトロンスッパタリング用高強度焼結ターゲット
材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31212993A JPH07166336A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | マグネトロンスパッタリング用高強度焼結ターゲット材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31212993A JPH07166336A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | マグネトロンスパッタリング用高強度焼結ターゲット材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07166336A true JPH07166336A (ja) | 1995-06-27 |
Family
ID=18025606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31212993A Withdrawn JPH07166336A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | マグネトロンスパッタリング用高強度焼結ターゲット材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07166336A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7018696B2 (en) | 2003-04-18 | 2006-03-28 | Target Technology Company Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7045188B2 (en) | 1998-06-22 | 2006-05-16 | Nee Han H | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314657B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314659B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314660B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7316837B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-08 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7374805B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-05-20 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
-
1993
- 1993-12-13 JP JP31212993A patent/JPH07166336A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7045188B2 (en) | 1998-06-22 | 2006-05-16 | Nee Han H | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7291374B2 (en) | 1998-06-22 | 2007-11-06 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7384677B2 (en) | 1998-06-22 | 2008-06-10 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314657B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314659B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314660B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7316837B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-08 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7374805B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-05-20 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7018696B2 (en) | 2003-04-18 | 2006-03-28 | Target Technology Company Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4992095A (en) | Alloy target used for manufacturing magneto-optical recording medium | |
| JPH07166336A (ja) | マグネトロンスパッタリング用高強度焼結ターゲット材 | |
| US4915737A (en) | Alloy target for manufacturing a magneto-optical recording medium | |
| US5955685A (en) | Sputtering target for forming magnetic thin film and fabrication method thereof | |
| US5338331A (en) | Low-permeability high-strength target material for the formation of thin magnetooptical recording films | |
| JP2546989B2 (ja) | 耐酸化性に優れた永久磁石 | |
| US4946501A (en) | Alloy target for magneto-optical recording | |
| JPS6137946A (ja) | 複合材料及びその製造方法 | |
| US5607780A (en) | Target for magneto-optical recording medium and process for production thereof | |
| EP0289316B1 (en) | Alloy target for manufacturing a magneto-optical recording medium | |
| JPH07166337A (ja) | マグネトロンスパッタリング用高強度焼結ターゲット材 | |
| JPH01251704A (ja) | 耐酸化性に優れた希土類永久磁石 | |
| JPH07166338A (ja) | マグネトロンスパッタリング用高強度焼結ターゲット材 | |
| JPH07166339A (ja) | マグネトロンスパッタリング用高強度焼結ターゲット材 | |
| JP2546988B2 (ja) | 耐酸化性に優れた永久磁石 | |
| JPH036218B2 (ja) | ||
| JPS6362204A (ja) | 耐食性が改良された永久磁石およびその製造方法 | |
| JPH06248445A (ja) | スパッタリングターゲットとそれを用いて形成した磁性薄膜および薄膜磁気ヘッド | |
| JP2001226764A (ja) | スパッタリングのターゲット材用焼結体、その製造方法、及びスパッタリング用ターゲット | |
| JPS6398105A (ja) | 金属炭化物分散型Ｆｅ基焼結合金製永久磁石 | |
| JP2985011B2 (ja) | 窒素含有センダスト用スパッタリングターゲット | |
| JPH0754136A (ja) | 高強度を有するスパッタリング用焼結ターゲット材 | |
| JP2002212716A (ja) | 高スパッタ電力ですぐれた耐割損性を発揮する光磁気記録媒体の記録層形成用焼結スパッタリングターゲット材 | |
| JPH07111221A (ja) | 磁性スパッタターゲットとそれを用いて形成した磁性薄膜、および薄膜磁気ヘッド | |
| JPS63290272A (ja) | 希土類元素−遷移金属元素タ−ゲット材の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010306 |