JPH07166338A - マグネトロンスパッタリング用高強度焼結ターゲット材 - Google Patents
マグネトロンスパッタリング用高強度焼結ターゲット材Info
- Publication number
- JPH07166338A JPH07166338A JP31383593A JP31383593A JPH07166338A JP H07166338 A JPH07166338 A JP H07166338A JP 31383593 A JP31383593 A JP 31383593A JP 31383593 A JP31383593 A JP 31383593A JP H07166338 A JPH07166338 A JP H07166338A
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- JP
- Japan
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- metal
- target material
- rare earth
- phase
- sintered target
- Prior art date
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- Withdrawn
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 マグネトロンスパッタリング法により光磁気
記録薄膜を形成するのに用いられる高強度焼結ターゲッ
ト材を提供する。 【構成】高強度焼結ターゲット材が、重量％で、Ｃｒ，
Ｔｉ，Ｎｂ，ＭｏおよびＴａの内のいずれかの被覆金
属：０．１〜１０％、希土類金属：３０〜５０％、鉄族
金属：残りからなる組成、ならびに鉄族金属と希土類金
属−鉄族金属の金属間化合物との共存相、この共存相の
表面を被覆する上記被覆金属相、および希土類金属相か
らなる組織を有し、かつ９０％以上の理論密度比を有す
る。
記録薄膜を形成するのに用いられる高強度焼結ターゲッ
ト材を提供する。 【構成】高強度焼結ターゲット材が、重量％で、Ｃｒ，
Ｔｉ，Ｎｂ，ＭｏおよびＴａの内のいずれかの被覆金
属：０．１〜１０％、希土類金属：３０〜５０％、鉄族
金属：残りからなる組成、ならびに鉄族金属と希土類金
属−鉄族金属の金属間化合物との共存相、この共存相の
表面を被覆する上記被覆金属相、および希土類金属相か
らなる組織を有し、かつ９０％以上の理論密度比を有す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば光磁気記録薄
膜をマグネトロンスパッタリングにより形成するのに用
いられる高強度焼結ターゲット材に関するものである。
膜をマグネトロンスパッタリングにより形成するのに用
いられる高強度焼結ターゲット材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、マグネトロンスパッタリング法に
より光磁気記録薄膜を形成するに際しては多くの焼結タ
ーゲット材が用いられており、これらの多くの焼結ター
ゲット材の中で鉄族金属と希土類金属−鉄族金属の金属
間化合物との共存相と，希土類金属相からなる焼結ター
ゲット材が、例えば特開平４−３６５８６０号公報に記
載される通り知られている。
より光磁気記録薄膜を形成するに際しては多くの焼結タ
ーゲット材が用いられており、これらの多くの焼結ター
ゲット材の中で鉄族金属と希土類金属−鉄族金属の金属
間化合物との共存相と，希土類金属相からなる焼結ター
ゲット材が、例えば特開平４−３６５８６０号公報に記
載される通り知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来焼結ターゲ
ット材では、焼結時、上記共存相と上記希土類金属相と
の反応を抑制するために焼結温度をあまり高くすること
はできず、この結果、ターゲット材の密度向上をはかる
ことができないので、ターゲット材の強度は不十分なも
のとならざるを得なかった。
ット材では、焼結時、上記共存相と上記希土類金属相と
の反応を抑制するために焼結温度をあまり高くすること
はできず、この結果、ターゲット材の密度向上をはかる
ことができないので、ターゲット材の強度は不十分なも
のとならざるを得なかった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記従来マグネトロンス
パッタリング用焼結ターゲット材の持つ問題点を解決す
るため本発明者等は種々の研究を重ねた結果、上記従来
マグネトロンスパッタリング用焼結ターゲット材におけ
る共存相の表面を、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｎｂ，ＭｏおよびＴａ
の内のいずれかからなる金属で被覆した組織とすると、
この結果のターゲット材においては、高温焼結しても共
存相と希土類金属相の焼結時の反応が上記被覆金属相に
よって抑制されることから、焼結後も、上記共存相と希
土類金属相が前記被覆金属相と共に存在した組織とな
り、かつ前記高温焼結によって理論密度比で９０％以上
の高い密度、即ち、高強度を有するようになるという研
究結果を得たのである。
パッタリング用焼結ターゲット材の持つ問題点を解決す
るため本発明者等は種々の研究を重ねた結果、上記従来
マグネトロンスパッタリング用焼結ターゲット材におけ
る共存相の表面を、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｎｂ，ＭｏおよびＴａ
の内のいずれかからなる金属で被覆した組織とすると、
この結果のターゲット材においては、高温焼結しても共
存相と希土類金属相の焼結時の反応が上記被覆金属相に
よって抑制されることから、焼結後も、上記共存相と希
土類金属相が前記被覆金属相と共に存在した組織とな
り、かつ前記高温焼結によって理論密度比で９０％以上
の高い密度、即ち、高強度を有するようになるという研
究結果を得たのである。
【０００５】つぎに、この発明の焼結ターゲット材にお
いて、組成を上記の通りにした理由を説明する。 （ａ）希土類金属 ターゲット中の希土類金属の割合が重量％で３０％未満
の場合および重量％で５０％を越えた場合、形成薄膜に
満足な光磁気特性が得られないことから重量％で３０〜
５０％と定めた。
いて、組成を上記の通りにした理由を説明する。 （ａ）希土類金属 ターゲット中の希土類金属の割合が重量％で３０％未満
の場合および重量％で５０％を越えた場合、形成薄膜に
満足な光磁気特性が得られないことから重量％で３０〜
５０％と定めた。
【０００６】（ｂ）被覆金属 被覆金属には、上記の通り高温焼結での共存相と希土類
金属の反応を抑制する作用があるが、その重量％が０．
１％未満では前記作用に所望の結果が得られず、一方そ
の重量％が１０％を越えると形成薄膜の光磁気特性に悪
影響を及ぼすため、その割合を重量％で０．１〜１０％
と定めた。
金属の反応を抑制する作用があるが、その重量％が０．
１％未満では前記作用に所望の結果が得られず、一方そ
の重量％が１０％を越えると形成薄膜の光磁気特性に悪
影響を及ぼすため、その割合を重量％で０．１〜１０％
と定めた。
【０００７】
【実施例】つぎに、この発明の焼結ターゲット材を実施
例により具体的に説明する。いずれも１００μmの平均
粒径を有し、かつ表１に示される組成を持った共存相形
成粉末Ａ´〜Ｇ´、この共存相形成粉末Ａ´〜Ｇ´のそ
れぞれに同じく表１に示される割合の金属をスパッタリ
ングにより被覆した表面被覆共存相形成粉末Ａ〜Ｇなら
びに表２に示される希土類金属粉末を用意し、これら原
料粉末を同じく表２に示される組成を持つように配合
し、ボールミルで５時間混合した後、真空雰囲気中、温
度：１０００℃〜１２００℃の範囲内の所定の温度、圧
力：３００kg/cm2、時間：１時間の条件でホットプレス
することにより本発明焼結ターゲット材１〜７をそれぞ
れ製造した。
例により具体的に説明する。いずれも１００μmの平均
粒径を有し、かつ表１に示される組成を持った共存相形
成粉末Ａ´〜Ｇ´、この共存相形成粉末Ａ´〜Ｇ´のそ
れぞれに同じく表１に示される割合の金属をスパッタリ
ングにより被覆した表面被覆共存相形成粉末Ａ〜Ｇなら
びに表２に示される希土類金属粉末を用意し、これら原
料粉末を同じく表２に示される組成を持つように配合
し、ボールミルで５時間混合した後、真空雰囲気中、温
度：１０００℃〜１２００℃の範囲内の所定の温度、圧
力：３００kg/cm2、時間：１時間の条件でホットプレス
することにより本発明焼結ターゲット材１〜７をそれぞ
れ製造した。
【０００８】また、比較の目的で、表２に示される通り
共存相形成粉末Ａ´〜Ｇ´と希土類金属粉末を用い、原
料粉末相互の反応を抑制する目的で、真空雰囲気中、温
度：９００℃、圧力：３００kg/cm2、時間：３０分の条
件で従来焼結ターゲット材１〜７をそれぞれ製造した。
共存相形成粉末Ａ´〜Ｇ´と希土類金属粉末を用い、原
料粉末相互の反応を抑制する目的で、真空雰囲気中、温
度：９００℃、圧力：３００kg/cm2、時間：３０分の条
件で従来焼結ターゲット材１〜７をそれぞれ製造した。
【０００９】ついで、この結果得られた各種焼結ターゲ
ット材について、理論密度比と抗折力を測定した。この
測定結果を表２に示した。
ット材について、理論密度比と抗折力を測定した。この
測定結果を表２に示した。
【００１０】
【発明の効果】表２に示される結果から、本発明焼結タ
ーゲット材１〜７は被覆金属相の存在によって高温焼結
が可能となり、高密度および高強度をもつようになるの
に対して従来焼結ターゲット材１〜７においては、反応
抑制のために低温焼結とならざるを得ないことから密度
および強度は相対的に低いものとなっていることが明か
である。
ーゲット材１〜７は被覆金属相の存在によって高温焼結
が可能となり、高密度および高強度をもつようになるの
に対して従来焼結ターゲット材１〜７においては、反応
抑制のために低温焼結とならざるを得ないことから密度
および強度は相対的に低いものとなっていることが明か
である。
【００１１】上述のように、この発明の焼結ターゲット
材は、共存相と希土類金属相が共に存在した組織を持つ
と共に高強度を有するので、これをマグネトロンスパッ
タリングに用いた場合、優れた光磁気特性を持つ薄膜を
作成することができ、かつ取扱が容易であるばかりでな
く大面積化を図ることもできるなど工業上有用な特性を
持つのである。
材は、共存相と希土類金属相が共に存在した組織を持つ
と共に高強度を有するので、これをマグネトロンスパッ
タリングに用いた場合、優れた光磁気特性を持つ薄膜を
作成することができ、かつ取扱が容易であるばかりでな
く大面積化を図ることもできるなど工業上有用な特性を
持つのである。
【００１２】
【表１】
【００１３】
【表２】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 丸山 仁 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社中央研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 重量％で、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｍｏおよ
びＴａの内のいずれかの被覆金属：０．１〜１０％、希
土類金属：３０〜５０％、鉄族金属：残りからなる組
成、ならびに鉄族金属と希土類金属−鉄族金属の金属間
化合物との共存相、この共存相の表面を被覆する上記被
覆金属相、および希土類金属相からなる組織を有し、か
つ９０％以上の理論密度比を有することを特徴とするマ
グネトロンスパッタリング用高強度焼結ターゲット材。 - 【請求項２】 上記希土類金属がＴｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，ＴｍおよびＥｒの内の１種または２種以上からな
り、上記鉄族金属がＦｅ，ＮｉおよびＣｏの内の１種ま
たは２種以上からなることを特徴とする請求項１記載の
マグネトロンスッパタリング用高強度焼結ターゲット
材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31383593A JPH07166338A (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | マグネトロンスパッタリング用高強度焼結ターゲット材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31383593A JPH07166338A (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | マグネトロンスパッタリング用高強度焼結ターゲット材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07166338A true JPH07166338A (ja) | 1995-06-27 |
Family
ID=18046086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31383593A Withdrawn JPH07166338A (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | マグネトロンスパッタリング用高強度焼結ターゲット材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07166338A (ja) |
-
1993
- 1993-12-14 JP JP31383593A patent/JPH07166338A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010306 |