JPH02111878A

JPH02111878A - スパッタリング装置

Info

Publication number: JPH02111878A
Application number: JP26290688A
Authority: JP
Inventors: Junji Nakada; 純司中田; Hideaki Takeuchi; 英明竹内
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1988-10-20
Filing date: 1988-10-20
Publication date: 1990-04-24

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明はスパッタリング装置に関し、さらに詳しくはカ
ソード構造が改善されたマグネトロン型のスパッタリン
グ装置に関する。

〔従来技術〕

スパッタリング技術は低圧雰囲気中においてＡｒ等のグ
ロー放電を発生せしめ、プラズマ中のイオンを陰極ター
ゲットに衝突させて、ターゲット材料から原子をたたき
出し、基板上に所望原子の薄膜を付着形成する技術であ
り、広く工業的に利用されている。特に、ターゲット上
にターゲット平面（表面）と平行な磁場成分を形成し、
電界と磁界をほぼ直交させるマグネトロンスパッタ法は
成膜速度が高く有益な方法である。従来のマグネトロン
型のスパッタリング装置は、カソードがターゲット材料
の裏面に近接して配置された永久磁石あるいは電磁石が
組込まれた磁界発子段を備えている。第６図、第７図に
従来のマグネトロン型のスパッタリング装置の基本的な
構造の概略を示す。

第６図、第７図に共通したカソード１００はそれぞれ成
膜材料である円形のターゲット１０１　を有し、マグネ
トロン放電を可能にするために永久磁石１０２を備えて
いる。シールド部１０３及び図示してないチャンバはア
ース電位であり、前記ターゲット１０１　はチャンバ外
部のスパッタ用電源１０４に接続されている。基板１０
５は第６図においてはターゲット上方にて自公転するプ
ラネタリ治具１０６ａに、第７図においては回転基板ホ
ルダー１０６ｂにそれぞれ固定されている。前記プラネ
タリ治具１０６ａは、複数取りつけた全ての基板１０５
に付着形成される薄膜の膜厚分布が均一になるべく工夫
された自公転する構造となっている。第７図に示す装置
では、前記回転基板ホルダー１０６ｂと前記ターゲット
１０１の間に移動調節可能な膜厚分布修正板１０７なる
ものを備え、前記基板１０５の付着膜の膜厚分布の均一
化を図るような工夫がなされている。

さらに最近、混合物薄膜の組成を制御しつつ成膜するス
パッタリング装置としてコ・スパッタリング（Ｃｏ−Ｓ
ｐｕｔｔｅｒ　ｉｎｇ）　　と称されている複数ツカソ
ードを具備したスパッタリング装置がある。第８図にそ
の概略を示す。この装置は基本的には第７図に示したも
のと同じであるが、例えば、カソード１００が２つの円
形のスパッタ電極にて構成されており、それぞれが物質
ａ１物質すの異った材質でできたターゲットｌ０１ａ、
　１０１ｂを備え、所定の間隔をあけて配置されている
。そして、複数の基板１０５を前記回転基板ホルダー１
０６ｂに固定し回転させながら前記基板１０５上に物質
ａ及びｂの混合物薄膜を作成する。混合薄膜の組成はス
パッタ電源１０４ａ、１０４ｂより投入するスパッタ電
力（スパッタパワー）の比を制御することによって変え
ることができる。前記基板１０５内の全面にわたる組成
分布を均一化を図るためにそれぞれ膜厚分布修正板１０
７ａ、　１０７ｂが配置されている。以上から判るよう
に、従来装置では膜厚分布を均一にするために基板を単
純に回転させるとともに、前記膜厚分布修正板１０７ａ
、　１０７ｂを設けた構造や、自公転の如き複雑な回転
成膜方式により成膜する方法が一般的である。

しかしながら従来方法によれば、膜厚の均一性を図るた
めに機械的動作構造に多く依存していることは、真空チ
ャンバ内の清浄性の点から望ましくなく、特に、第６図
の装置の如き基板をプラネタリ治具のような動きをする
部材に取付ける作業は複雑で自動化しにくく生産性が低
い。また、駆動機構が複雑で設備コストが高いだけでな
く、メンテナンス性においても問題がある。さらに、従
来のカソードの構造では第６図の如きプラネタリ治具に
取付けられた基板とスパッタ源との距離は膜厚分布を均
一化するために一般的に少なくとも４００ｍｍ程度以上
必要である。したがって膜の堆積速度を前記距離を小さ
くすることにより高めることはむずかしく、又、前記距
離が長ければ長いほどスパッタ粒子のエネルギーが小さ
くなり基板への密着性が悪くなったり、また成膜中にお
いてスパッタ粒子と残留ガス成分との不測の結合が生じ
易くなり、高純度の成膜形成ができないという生産プロ
セス上の欠点を有している。また、第７図及び第８図に
示す装置において利用されている膜厚分布修正板の調整
は複雑であり、スパッタ粒子をさえぎることによる基板
への付着効率の低下が大きいという欠点があった。

また、上述のプラネタリ、膜厚分布修正板等の機械的動
作に大きく依存することなく良質の混合薄膜の成膜を行
おうとした方法が特開昭５８−１９９８６０号公報等に
開示されている。この方法は、異った種類の材料を環状
に配設したターゲットの裏面に設けた電磁石コイルの励
磁電流を制御し、ターゲット表面上の環状のプラズマの
位置（エロージョン領域）を磁気的に移動させて基板上
に所定の材料の組成比で混合薄膜を成膜しようとするも
のである。しかし、特開昭５８−１９９８６０号公報に
代表されるような従来装置では、第１０図に示すターゲ
ット１０１Ｃの蒸発領域１２０（エロージョン領域）を
円環状に形成するためには、基本的に第９図に示す様に
ターゲット０１ｃの表面にほぼ平行な漏れ磁場１１０を
発生させるための永久磁石や電磁石さらにこれらを組み
合せた磁界発生手段を組込んだ装置が利用されている。

ここで前記ターゲット１０１ｃの表面の漏れ磁場１１０
の磁界強度をターゲット材料の材質、厚さに合せて適当
に調整できることから第９図に示す如くターゲット中心
に対し同心円状にソレノイドコイルを巻いた電磁石コイ
ルによる磁界の利用が考えられてきた。この場合、電磁
石電源は、例えば中心側コイル１１１　用電源１１４と
外側コイル１１２用電源１１５であり、磁界強度の調整
は前記２つの電源によりターゲツト面全体にわたって一
様に設定されるか、強度を変えるときも全体を一様に変
化させるものであった。この方法の欠点としては前記タ
ーゲット１０１Ｃの半径が大きくなるとそれに伴って前
記ソレノイドコイル１１１．１１２の半径が大きくなる
。このとき、前記ソレノイドコイル１１１　、＋１２の
アンペア回数が径が小さい場合と同じであるならば、磁
束密度が減少し、従って磁界強度が弱くなってしまう。

一方、前記ターゲット１０１Ｃの径が大きくなったとき
も同一磁界強度を得たいときは、前記ソレノイドフィル
１１１．１１２の巻数を増加するかあるいはコイル電流
を増大させる必要がある。しかし、ターゲット径が大き
くコイルを巻き得る空間が比較的狭い場合や、さらには
ターゲット材料に強磁性体を用いた場合の様に、該強磁
性体が磁束に影響を与える結果から強い磁界強度が必要
な場合すなわち、強磁性体ターゲットを使用した場合、
強磁性体は透磁率が高いために磁極から出た大部分の磁
力線がターゲット内部を通ってしまい、マグネトロンス
パッタに必要なターゲット表面に平行な漏れ磁束が不足
してしまう。従って強磁性体ターゲットを使う場合は、
そのターゲット自体の飽和磁束を超えてさらに漏れ磁束
がターゲット表面に出てくる程度の強い磁界を与える必
要がある。このような場合には従来方法では十分な磁界
強度が得られない。又、大きな磁界強度が得られたとし
ても、設備のコスト高やランニングコストの増大、特開
昭５８−１９９８６０号公報に示されているような混合
薄膜の成膜における膜組成の制御性にも課コがあった。

（発明の目的）本発明の目的は、上記したような種々の課題に鑑みてな
されたものであり、膜厚の均−化等において機械的動作
手段に大きく依存することなく、合わせて大きな磁界強
度が得られて、成膜速度が高く、磁界強度の制御性が良
く、高品質な成膜ができ、特に異種材料の複合薄膜の成
膜に好適なスパッタリング装置を提供するものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の上記目的は薄膜が形成される基板に対向するよ
うに配置したターゲットの裏面側に磁界発生手段を設け
、前記ターゲットの表面にて電界とほぼ直交する磁界を
形成するカソードを具備したマグネトロン型のスパッタ
リング装置において、前記ターゲットは複数の分割部か
らなり、全体形状が環状体に構成されており、前記磁界
発生手段は前記ターゲットの前記分割部にそれぞれ対応
した個別の複数構成であると共に、それぞれが磁力の独
立制御可能な少なくとも電磁石を有し、かつ前記磁界発
生手段の両極が前記環状体の内縁部分と外縁部分とに別
れるように構成されたことを特徴とするスパッタリング
装置により達成することができる。

以下、本発明の実施態様について詳細に説明する。

第１図は本実施態様のスパッタリング装置の要部概略図
であり、カソード部分を断面図として図示しである。

第１図に示すスパッタリング装置は、排気口９３から図
示しない真空ポンプ等により排気して所望の圧力に減圧
可能で、かつ適宜ガスをガス導入口９２から導入可能な
真空チャンバ９１の中に、全体形状が環状体となるよう
に複数の分割部１３０からなり、ターゲット（１，２，
３，４，５，６，７，８）を配置したカソード１００と
、該カソード１００に対向するように被スパツタリング
部材である基板９を着脱自在に保持した自転可能なホル
ダ１９を有する７ノード側とが設けられている。

前記各ターゲット（１、・・・８）は各々が第２図に示
す如く台形状であり、全体形状が８角形の環状体で、各
ターゲット表面がターゲット中心軸方向に向くように（
基板９に向くように）適宜傾斜角（α）を有している。

前記各ターゲット（１，２，３，４，５，６，７，８）
にはそれぞれ対応した別々の８ケのターゲット電源（図
示は１０．２０．７０．８０のみ）に接続されており各
ターゲット裏側（反７ノード側）には主要磁石である２
つの永久磁石９６．９７と軟磁性のヨーク部９５及びソ
レノイドコイル９４からなる補助磁石である電磁石との
組体からなる磁界発生手段が設けられている。この磁界
発生手段は、第３図に示すように前記ターゲット（１，
・・・８）の内縁部に対応する前記永久磁石９６と、外
縁部に対応する前記永久磁石９７とが前記ヨーク部９５
により繋げられ、前記ヨーク部９５を芯にして前記ソレ
ノイドコイル９４が巻回された構造となっている。前記
永久磁石９６．９７及び前記ソレノイドコイル９４によ
り前記各ターゲット（１、・・・８）の表面付近におい
て、７ノード側とカソード側との間に生じる電界に概ね
直交する磁界（Ｘａ）を発生し、この磁界の強さを前記
ソレノイドコイル９４の励磁電流の制御により変えられ
る構造となっている。このように、前記磁界発生手段は
前記ターゲット（１、・・・８）の外縁部９７ｂのほぼ
全域にわたって配置したＮ極と、内縁部９６ａに配置し
たＳ極によりターゲット形状に沿って環状にほぼ連続し
た閉磁界（Ｘａ）を形成し、ターゲット全体形状にほぼ
対応したトンネル状の磁界内にプラズマをトラップさせ
ることができる。したがって、エロージョン領域はター
ゲット全体形状とほぼ一致し、ターゲット消耗の均一化
が図れ前記ターゲット（１、・・・８）を有効に利用す
ることができる。そして、前記各ソレノイドコイル９４
、前記各分割部１３０に対応して各々独立した８ケの電
磁石電源（図示は１２と１７のみ）の制御により８ケの
前記分割部１３０の各磁界（Ｘａ）の強さを各部分ごと
に自在にコントロールすることができる。

また、前記基板９はターゲット中心軸上に位置しており
、前記各ターゲット（１、・・・８）が前記基板９との
距離によって前記傾斜角（α）が適度に調整されている
ので、前記各ターゲット（１、・・・８）から飛散する
粒子の基板９に対する入射むらを防ぎ、成膜厚みのむら
の防止、特に複合成膜では、第２図において斜線を引い
た部分で示すように例えば前記ターゲット（１，２，３
，４）のＡ組と、その他の（５，６，７，８）のＢ組と
を遷移金属と希土類金属との異種金属で構成したような
場合、前記基板ホルダ１９の回転に大きく依存すること
なく膜質、膜厚の安定を図ることができる。

前記各ターゲット（１、・・・８）の傾斜角（α）を設
定する構成は、前記永久磁石９６と９７の高さ（ｈ）を
変えた傾きの構成や、傾斜角（α）を固定したものでも
よいが、第１図に示すように前記永久磁石９６と９７の
高さ（ｈ）を同じにし、かつ前記磁界発生手段を傾くよ
うに前記真空チャンバ９１の底面に取り付け、例えばボ
ルト締め等の周知の構造にて前記各分割部１３０ごとに
傾斜角（α）を調整できるようになされている方が望ま
しい。なお、隣り合う前記分割部１３０における磁極間
のすき間を大きくすると、前記磁界（Ｘａ）の連続性が
悪くなることから、このすき間は磁界強度等によって多
少変わるが３ｍｍ程度以下であることが好ましい。

前記各ターゲット（１、・・・８）はスパッタ放電によ
り温度上昇が生じてスパッタ効率が低下する。

このために、図示しないがターゲット下側を冷却水が流
れるような周知の構造が設けられている。

また、前記基板９は、付着膜の特性に応じて冷却あるい
は加熱するため、図示しないが冷却水がその裏面に流れ
るような周知の構造あるいはヒータが設けられている。

上述した本実施態様のスパッタリング装置の前述以外の
大きな特徴について述べる。前記の如く複数個（８ケ）
に分割された前記分割部１３０は、個々に独立して磁界
発生手段を有している。従って、マグネトロン放電によ
るスパッタリング成膜工程において、その成膜速度及び
複合材の場合はその組成を制御するための方法として、
前記各ターゲット（１、・・・８）に印加する電力を制
御する方法と、前記各々の分割部１３０のソレノイドコ
イルの励磁電流を可変してターゲット表面の漏れ磁場で
ある前記磁界×ａを制御することにより、プラズマ密度
を増減させる方法の何方か一方を用いた方法や、両方を
組み合わせた方法があり、その制御範囲は従来と比較に
ならない程広範囲にすることができる。このうち、どち
らかと云うと電源装置の負担を大きくしない主として磁
界制御の方法を利用すると、前記各分割部１３０の磁界
強度を独立に制御することにより、前記各分割部１３０
からの前記各ターゲット（１、・・・８）の蒸発速度を
独立にコントロールすることができる。例えば第２図に
示す環状の前記ターゲットを８ケに分割し、反時計回り
に順番に番号を付した場合、（１、・・・８）のうち１
．２．３．４の材料をＡ組、５．６．７．８の材料を８
組として構成した場合、それぞれの前記ソレノイドコイ
ル９４の電流値を上記各材料の組において同一条件に設
定し、ターゲット上方でその中心軸をターゲット中心軸
と一致させた前記ホルダ１９の回転軸１９ａを中心に自
転させつつ成膜を行なう。これによってＡとＢ材料の高
品質な混合膜（複合膜）を所望の組成にて均一に作成す
ることができる。その組成比のコントロールは前記材料
Ａ％Ｂの組合せ数を変えること、あるいは磁界（×ａ）
の強度を変えることにより極めて容易に可能であり、第
８図等に示した従来の膜厚分布修正板などを用いないの
で、スパッタ粒子の無駄もなく、任意の組成の薄膜が高
速作成できる。

また、前記各分割部１３０の１つ１つは小さいものであ
るので、前記磁界（×ａ）を強くするためのアンペア回
数をかせぐことが容易であり、磁界強度を従来に比べて
強くすることができ、かつ低コストで達成できることも
極めて大きな効果である。しかも、前記ターゲット（１
、・・・８）の全体形状と前記磁界Ｘａによりて生じる
エロージョン領域とがほぼ一致し、且つ連続しているこ
とにより、エロージョン領域の分布は前記基板９に対し
てスパッタ粒子の飛散むらがない、即ち従来の複数配置
されたターゲットにように、一つ一つが別々のエロージ
ョン領域を形成するものにくらべてスパッタリング収量
を高くすることが出来る。この結果、前記基板９と前記
ターゲット（１、・・・８）の距離を従来よりも小さく
しても膜厚分布のむらを抑えることができ、又、ターゲ
ット材料の無駄がなく極めて経済的である。

さらに、特に、前記基板９がほぼターゲット中心軸線上
に位置している場合、前記傾斜角（α）により、前記基
板９へのスパッタ粒子の飛来が円周方向から基板全域に
おいて距離及び方向性が安定するので、前記基板９が回
転しない構成であっても均一な膜厚にすることができる
。

前記実施態様においては、前記分割部１３０を８個とし
たが、本発明はこれより少なくとも多くともよい。又、
ターゲット全体形状は多角形の環状体でなく、第４図に
示すように円環状であってもよいことは勿論である。な
お、円環状ターゲットの場合、磁界発生手段は第３図に
示すものと同様に永久磁石９６．９７、ヨーク部９５、
ソレノイドコイル９４で構成されるが、第５図に示すよ
うに磁極を構成する前・記永久磁石９６．９７の形状は
、ターゲット形状に対応した円弧形状が望ましい。また
、例えば第４図に示すようにターゲツト材の材質をＡ。

Ｂ、０３組に分けて３種の混合膜の形成、あるいはそれ
以上の混合膜も容易に行えることは勿論である。

前記実施態様においては、前記基板９を前記カンード１
００の中心軸線上（中心線上）に位置するようにすると
共に、前記各ターゲット（１、・・・８）を所望の傾斜
角（α）に設定したが、本発明においてはこのような形
態に限るものではなく、円環状ターゲットの前記傾斜角
（α）をゼロにすると共に、前記基板９を該ターゲット
の大きさに対応した公転半径の構成であってもよい。こ
の場合、前記基板９が公転しているとき、該基板９はど
の位置においてもスパッタリング収量の高い同条件下に
置かれるので、高速成膜ができかつ良好な膜厚分布を得
ることができる。なお、前記傾くｊ角（α）がゼロであ
る場合は、単種あるいは混合材で１枚構成の環状のター
ゲットを使用することもできる。

本発明の装置においては、前記実施態様の如く電磁石と
永久磁石の組合せは、主磁界発生手段として永久磁石、
調整用磁界発生手段として電磁石に限るものではなく、
主磁界発生手段として電磁石、調整用磁界発生手段とし
て永久磁石という役割分担でもよく、さらに電磁石のみ
の構成であってもよい。

〔発明の効果〕

以上述べたように本発明のスパッタリング装置は、カソ
ード内に設けられるターゲットが複数の分割部からなり
、その全体形状が環状体に構成されており、ターゲット
裏側の磁界発生手段が前記ターゲットの前記分割部にそ
れぞれ対応した個別の複数構成であると共に、それぞれ
が磁力の独立制御可能な少なくとも電磁石を有し、かつ
前記磁界発生手段の両極が前記環状体の内縁部分と外縁
部分とに別れるように構成されたので、カソード全体の
大きさが大径であってもアンペア回数をかせぐのが容易
で、大きな磁界強度を得ることができ成膜速度を高める
ことができ、又、前記分割部の磁界強度が独立制御でき
ることにより、スパッタリングの制御範囲を従来よりも
広くでき、成膜時のコントロール性が向上し高品質な膜
質を得ることができ、特に異種材料の混合薄膜の成膜の
場合には、組成比のコントロールをも棲めて容易に行う
ことができ膜組成の再現性を高めることができる。

さらに、本発明による前記カソードは、従来の複数配置
されたターゲットにように、一つ一つが別々のエロージ
ョン領域を形成するものにくらべてエロージョン領域の
分布が高密度にでき、スパッタ粒子の飛散むらがないよ
うに方向性を持たせることがよういであるので、スパッ
タリング収量を高くすることが出来き、かつ、前記基板
と前記ターゲットの距離を従来よりも小さくしても膜厚
分布のむらを抑えることができる。また、ターゲット全
体形状にほぼ一致したエロージョン領域を形成すること
ができるので、ターゲット材料の有効利用ができる。更
に、ターゲット中心軸線上に位置させた基板に対し、タ
ーゲット表面を前記基板に向けて適宜傾斜させることに
より従来のプラネタリ治具のような複雑な構造に依存す
ることなく膜厚分布をさらに均一にすることができる。

以下、本発明の効果を実施例によりさらに明確にするこ
とができる。

（実施例−１）第１図に示すスパッタリング装置においてカソードの全
体形状が円環状の装置を使用した。分割部の数は６個、
カソードの内径は１２０ｍｍφ、外径は２００ｍｍφ、
（カソード内外径はターゲット内外径と略一致）であり
、ターゲットの材料はチタン（Ｔｉ）でその純度が４Ｎ
、厚み５ｍｍ、傾斜角αは３０’とした。

各分割部のソレノイドコイルのアンペア回数（ＡＴ）は
１５００〜２５００ＡＴに設定した。

基板は円形のガラス材を用い、その直径は１２Ｑｍｍφ
とした。

基板とターゲットとの距離（Ｌ）は７０ｍｍ、１１０ｍ
ｍ、　　１５０ｍｍ、の場合についてテストした。

その他のスパッタ条件は、到達真空度は１，０×１Ｏ−
６Ｔｏｒｒ、スパッタガスはＡｒ、ガス圧は２，０×１
Ｏ−３Ｔｏｒｒ、ターゲットに印加するスパッタパワー
は６００Ｗとした。成膜時間１０分。

膜厚分布と成膜速度についてテスト結果を第１表に示す
。

第　　１　　表（比較例−１）第６図に示すようなプラネタリ治具を有する装置におい
て、外径２００ｍｍφの円盤状のターゲットを用い、タ
ーゲットの材料はチタン（Ｔｉ）　、純度４Ｎ、厚み５
ｍｍ、磁石は永久磁石を使用した。

基板とターゲットとの距離は３００　ｍｍ、　４００　
ｍｍ。

５００ｍの場合についてテストした。他の条件はほぼ同
じ条件でスパッタリングした場合、第２表のような結果
となった。

第２表実施例の第１表と比較例の第２表から明らかなように、
本発明のスパッタリング装置は、基板とターゲットの距
離を小さくしても膜厚分布に優れ、また成膜速度が優れ
ている事が判る。

（実施例−２）第１図に示すスパッタリング装置で、カソード全体形状
も第２図に示した多角形状で分割部の個数を８個とした
。カソードの内径は１００ｍｍφ、外形は１８０ｍｍφ
とし、ターゲット１．２．３．４のＡ組みのターゲット
材料はモリブデン（Ｍｏ）でその純度は４Ｎ、厚み３ｍ
ｍ、ターゲット５．６．７゜８の８組みのターゲット材
料はケイ素（Ｓｉ）でその純度は５Ｎ、厚み３ｍｍであ
り、傾斜角αは３００とした。

基板は円形のシリコンウェハーを用い、その直径はφ４
”とした。

基板とターゲットとの距離（Ｌ）は６０〜１２Ｑｍｍと
し、Ａ組みと８組みごとのそれぞれのアンペア回数につ
いては第３表のようにした。

その他のスパッタ条件は、到達真空度は６，０×１０−
フＴｏｒｒ、スパッタガスはＡｒ、ガス圧は２，０ｘ１
０−３Ｔｏｒｒ、ターゲットに印加するスパッタパワー
はＡ組みのそれぞれの分割部に６００Ｗ％Ｂ組みのそれ
ぞれの分割部に４００Ｗとした。

膜厚分布と成膜の組成比についてのテスト結果を第３表
に示す。

第３表第３表に示すよう、本実施例によれば八組みのアンペア
回数（ＡＴ）を変えるだけで成膜の組成比を自在に変え
ることが出来、かつ良好な膜厚分布に保つことができ、
しかも基板とターゲット間の距離が従来のプラネタリ治
具を用いた装置における４００ｎｗｎ程度に比べて６０
〜１２０ｍｍと極めて小さくすることができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施態様であるスパッタリング装置
の概略図、第２図は第１図に示すターゲットの平面図、
第３図は分割部の要部斜視図、第十図は本発明における
他のターゲットの形状を示す平面図、第５図は第４図に
示すターゲットの形状に対応した分割部の要部斜視図、
第６図〜第８図は従来にスパッタリング装置の概略図、
第９図は従来のスパッタリング装置におけるカソード部
分の概略断面図、第１０図は第９図に示したターゲット
に置けるエロージョン領域を示すための平面図である。１．２．３．４．５．６．７．８・・ターゲット、　　
　９・・基板、　　　１０．２０．７０．８０・・ター
ゲット電源、　　　１２．１７・・電磁石電源、　　１
９・・基板ホルダ、　　１９ａ・・回転軸、　　　９１
・・真空チャンバ　　９２・・ガス導入口、　　　９３
・・排気口、　　　９４・・ソレノイドコイル、　　　
９５・・ヨーク部、９６．９７・・永久磁石９６ａ・・
内縁部、９７ｂ・・外縁部、　　　１００・・カソード
、１３０・・分割部。第図シー図第図第図

Claims

【特許請求の範囲】

薄膜が形成される基板に対向するように配置したターゲ
ットの裏面側に磁界発生手段を設け、前記ターゲットの
表面にて電界とほぼ直交する磁界を形成するカソードを
具備したマグネトロン型のスパッタリング装置において
、前記ターゲットは複数の分割部からなり、全体形状が
環状体に構成されており、前記磁界発生手段は前記ター
ゲットの前記分割部にそれぞれ対応した個別の複数構成
であると共に、それぞれが磁力の独立制御可能な少なく
とも電磁石を有し、かつ前記磁界発生手段の両極が前記
環状体の内縁部分と外縁部分とに別れるように構成され
たことを特徴とするスパッタリング装置。