JPH07169122A - 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及び光磁気記録方法Info
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- JPH07169122A JPH07169122A JP34190993A JP34190993A JPH07169122A JP H07169122 A JPH07169122 A JP H07169122A JP 34190993 A JP34190993 A JP 34190993A JP 34190993 A JP34190993 A JP 34190993A JP H07169122 A JPH07169122 A JP H07169122A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低初期化磁界で信頼性良くオーバーライトで
きる光磁気記録媒体を提供する。 【構成】 記録層を、第１磁性層３、第２磁性層４及び
第３磁性層５の積層構造とする。第１磁性層の飽和磁化
をＭs1、保磁力をＨc1、キュリー温度をＴc1、膜厚をｔ
1、第２磁性層の飽和磁化をＭs2、保磁力をＨc2、補償
温度をＴcomp2、キュリー温度をＴc2、膜厚をt2、第３
磁性層の保磁力をＨc3、補償温度をＴcomp3、キュリー
温度をＴ3、室温をＴroom、第１磁性層及び第２磁性層
間の界面磁壁エネルギーをσw1、第２磁性層及び第３磁
性層間の界面磁壁エネルギーをσw2としたときに下記の
条件を満足するように磁性材料を選定する。 Ｔroom＜Ｔcomp3≒Ｔc3＜Ｔc1≒Ｔcomp2＜Ｔc2 Ｈc1＞Ｈc2＞Ｈc3 Ｈc1＞σw1／２Ｍs1ｔ1 σw1／２Ｍs2ｔ2＜Ｈc2＜σw2／２Ｍs2ｔ2
きる光磁気記録媒体を提供する。 【構成】 記録層を、第１磁性層３、第２磁性層４及び
第３磁性層５の積層構造とする。第１磁性層の飽和磁化
をＭs1、保磁力をＨc1、キュリー温度をＴc1、膜厚をｔ
1、第２磁性層の飽和磁化をＭs2、保磁力をＨc2、補償
温度をＴcomp2、キュリー温度をＴc2、膜厚をt2、第３
磁性層の保磁力をＨc3、補償温度をＴcomp3、キュリー
温度をＴ3、室温をＴroom、第１磁性層及び第２磁性層
間の界面磁壁エネルギーをσw1、第２磁性層及び第３磁
性層間の界面磁壁エネルギーをσw2としたときに下記の
条件を満足するように磁性材料を選定する。 Ｔroom＜Ｔcomp3≒Ｔc3＜Ｔc1≒Ｔcomp2＜Ｔc2 Ｈc1＞Ｈc2＞Ｈc3 Ｈc1＞σw1／２Ｍs1ｔ1 σw1／２Ｍs2ｔ2＜Ｈc2＜σw2／２Ｍs2ｔ2
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は低初期化磁界でオーバー
ライトを可能とする光磁気記録媒体及び光磁気記録方法
に関する。
ライトを可能とする光磁気記録媒体及び光磁気記録方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
書き換え可能な光記録媒体として、磁気光学効果を利用
した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され、既に実用
化されるに至っている。この光磁気記録媒体は大容量高
密度記録、非接触記録再生、アクセスの容易さ等の利点
に加え、オーバーライト（重ね書き）が可能という点で
文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイル、コンピュ
ータ用メモリ等への利用が期待されている。光磁気記録
媒体を磁気ディスクと同等もしくはそれ以上の性能を持
った記録媒体とするためには、いくつかの技術的課題が
あり、その中の主要なものの１つに、オーバーライト技
術がある。現在提案されているオーバーライト技術は、
記録の方法により磁界変調方式と光変調方式（マルチビ
ーム方式、２層膜方式等）に大別される。
書き換え可能な光記録媒体として、磁気光学効果を利用
した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され、既に実用
化されるに至っている。この光磁気記録媒体は大容量高
密度記録、非接触記録再生、アクセスの容易さ等の利点
に加え、オーバーライト（重ね書き）が可能という点で
文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイル、コンピュ
ータ用メモリ等への利用が期待されている。光磁気記録
媒体を磁気ディスクと同等もしくはそれ以上の性能を持
った記録媒体とするためには、いくつかの技術的課題が
あり、その中の主要なものの１つに、オーバーライト技
術がある。現在提案されているオーバーライト技術は、
記録の方法により磁界変調方式と光変調方式（マルチビ
ーム方式、２層膜方式等）に大別される。
【０００３】磁界変調方式は記録情報に応じて印加磁界
の極性を反転させて記録を行う方式である。この方式で
は、磁界の反転を高速で行わなくてはならないため、浮
上タイプの磁気ヘッドを用いる必要があり、媒体交換が
困難である。
の極性を反転させて記録を行う方式である。この方式で
は、磁界の反転を高速で行わなくてはならないため、浮
上タイプの磁気ヘッドを用いる必要があり、媒体交換が
困難である。
【０００４】一方、光変調方式は記録情報に応じて照射
レーザビームをオン・オフあるいは強度変調させて記録
を行う方式である。この方式のうちマルチビーム方式
は、２〜３個のレーザビームを用い、磁界の方向を１回
転毎に反転させてトラック毎に記録／消去を行う擬似オ
ーバーライト方式であるが、装置構成が複雑化し、コス
トアップを招くなどの欠点を有している。また、２層膜
方式は光磁気記録媒体の記録層を２層膜とし、オーバー
ライトを達成しようとするもので、例えば特開昭６２−
１７５９４８号公報等に開示されている。同公報に記載
されている方式は、例えばＴｂＦｅからなるメモリ層と
ＴｂＦｅＣｏからなる補助層との２層膜の記録層を備え
た光磁気記録媒体を用い、初期化を行った後、外部磁界
の印加とパワーの異なるレーザビームの照射によりオー
バーライトを実現しようとするものである。すなわち、
この方式では、記録に先立ち予め初期化用磁界により補
助層の磁化を一方向に揃え、高出力レーザビームを照射
して媒体温度ＴをＴ＞Ｔc2（Ｔc2は補助層のキュリー温
度）なる温度迄昇温させ、記録用磁界（初期化用磁界と
反対方向）を印加して補助層の磁化を反転させ、媒体が
冷却される際にその磁化をメモリ層に転写させることに
より記録を行い、また、低出力レーザビームを照射して
媒体温度をＴc1＜Ｔ＜Ｔc2（Ｔc1はメモリ層のキュリー
温度）なる温度迄昇温させ、補助層の磁化方向をメモリ
層に転写させることにより消去を行う。そのためこの方
式では、磁界の大きい初期化用磁石が必要になるなどの
問題があった。
レーザビームをオン・オフあるいは強度変調させて記録
を行う方式である。この方式のうちマルチビーム方式
は、２〜３個のレーザビームを用い、磁界の方向を１回
転毎に反転させてトラック毎に記録／消去を行う擬似オ
ーバーライト方式であるが、装置構成が複雑化し、コス
トアップを招くなどの欠点を有している。また、２層膜
方式は光磁気記録媒体の記録層を２層膜とし、オーバー
ライトを達成しようとするもので、例えば特開昭６２−
１７５９４８号公報等に開示されている。同公報に記載
されている方式は、例えばＴｂＦｅからなるメモリ層と
ＴｂＦｅＣｏからなる補助層との２層膜の記録層を備え
た光磁気記録媒体を用い、初期化を行った後、外部磁界
の印加とパワーの異なるレーザビームの照射によりオー
バーライトを実現しようとするものである。すなわち、
この方式では、記録に先立ち予め初期化用磁界により補
助層の磁化を一方向に揃え、高出力レーザビームを照射
して媒体温度ＴをＴ＞Ｔc2（Ｔc2は補助層のキュリー温
度）なる温度迄昇温させ、記録用磁界（初期化用磁界と
反対方向）を印加して補助層の磁化を反転させ、媒体が
冷却される際にその磁化をメモリ層に転写させることに
より記録を行い、また、低出力レーザビームを照射して
媒体温度をＴc1＜Ｔ＜Ｔc2（Ｔc1はメモリ層のキュリー
温度）なる温度迄昇温させ、補助層の磁化方向をメモリ
層に転写させることにより消去を行う。そのためこの方
式では、磁界の大きい初期化用磁石が必要になるなどの
問題があった。
【０００５】本発明は上記従来技術の実状に鑑みてなさ
れたものであって、低初期化磁界で信頼性良くオーバー
ライトでき、再生特性が良い光磁気記録媒体及び光磁気
記録方法を提供することを目的とする。
れたものであって、低初期化磁界で信頼性良くオーバー
ライトでき、再生特性が良い光磁気記録媒体及び光磁気
記録方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
するため、本発明によれば、垂直磁気異方性を示す第１
磁性層、第２磁性層及び第３磁性層を積層してなり、第
１磁性層の飽和磁化をＭs1、保磁力をＨc1、キュリー温
度をＴc1、膜厚をｔ1、第２磁性層の飽和磁化をＭs2、
保磁力をＨc2、補償温度をＴcomp2、キュリー温度をＴc
2、膜厚をｔ2、第３磁性層の保磁力をＨc3、補償温度を
Ｔcomp3、キュリー温度をＴ3、室温をＴroom、第１磁性
層及び第２磁性層間の界面磁壁エネルギーをσw1、第２
磁性層及び第３磁性層間の界面磁壁エネルギーをσw2と
したときに下記の条件を満足することを特徴とする光磁
気記録媒体が提供される。 Ｔroom＜Ｔcomp3≒Ｔc3＜Ｔc1≒Ｔcomp2＜Ｔc2 Ｈc1＞Ｈc2＞Ｈc3 Ｈc1＞σw1／２Ｍs1ｔ1 σw1／２Ｍs2ｔ2＜Ｈc2＜σw2／２Ｍs2ｔ2
するため、本発明によれば、垂直磁気異方性を示す第１
磁性層、第２磁性層及び第３磁性層を積層してなり、第
１磁性層の飽和磁化をＭs1、保磁力をＨc1、キュリー温
度をＴc1、膜厚をｔ1、第２磁性層の飽和磁化をＭs2、
保磁力をＨc2、補償温度をＴcomp2、キュリー温度をＴc
2、膜厚をｔ2、第３磁性層の保磁力をＨc3、補償温度を
Ｔcomp3、キュリー温度をＴ3、室温をＴroom、第１磁性
層及び第２磁性層間の界面磁壁エネルギーをσw1、第２
磁性層及び第３磁性層間の界面磁壁エネルギーをσw2と
したときに下記の条件を満足することを特徴とする光磁
気記録媒体が提供される。 Ｔroom＜Ｔcomp3≒Ｔc3＜Ｔc1≒Ｔcomp2＜Ｔc2 Ｈc1＞Ｈc2＞Ｈc3 Ｈc1＞σw1／２Ｍs1ｔ1 σw1／２Ｍs2ｔ2＜Ｈc2＜σw2／２Ｍs2ｔ2
【０００７】また、本発明によれば、上記構成におい
て、第１磁性層と第２磁性層との間及び／又は第２磁性
層と第３磁性との間に、両層間の交換結合力を調整する
ための中間層を設けたことを特徴とする記載の光磁気記
録媒体が提供される。
て、第１磁性層と第２磁性層との間及び／又は第２磁性
層と第３磁性との間に、両層間の交換結合力を調整する
ための中間層を設けたことを特徴とする記載の光磁気記
録媒体が提供される。
【０００８】また、本発明によれば、上記構成におい
て、第１磁性層及び第２磁性層がそれぞれ下記一般式化
１で表わされるアモルファス磁性膜から成ることを特徴
とする光磁気記録媒体が提供される。
て、第１磁性層及び第２磁性層がそれぞれ下記一般式化
１で表わされるアモルファス磁性膜から成ることを特徴
とする光磁気記録媒体が提供される。
【化１】 （但し、ＲＥ１はＴｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ及びＥｒのう
ちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ２はＣ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なくと
も１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ｘ≦
０．３５、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ≦０．５である）
ちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ２はＣ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なくと
も１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ｘ≦
０．３５、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ≦０．５である）
【０００９】また、本発明によれば、上記構成におい
て、第１磁性層の光入射側に隣接して第１磁性層より保
磁力が小さくキュリー温度が大きい垂直磁気異方性を示
す下記一般式化２で表わされるアモルファス磁性膜から
成る再生層を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体が
提供される。
て、第１磁性層の光入射側に隣接して第１磁性層より保
磁力が小さくキュリー温度が大きい垂直磁気異方性を示
す下記一般式化２で表わされるアモルファス磁性膜から
成る再生層を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体が
提供される。
【化２】 （但し、ＲＥ３はＴｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ及びＥｒのう
ちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ４はＣ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なくと
も１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ａ≦
０．３５、０≦ｂ≦０．４、０≦ｃ≦０．５である）
ちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ４はＣ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なくと
も１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ａ≦
０．３５、０≦ｂ≦０．４、０≦ｃ≦０．５である）
【００１０】また、本発明によれば、上記構成におい
て、第３磁性層の光入射側とは反対側の面に隣接して熱
伝導層を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体が提供
される。
て、第３磁性層の光入射側とは反対側の面に隣接して熱
伝導層を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体が提供
される。
【００１１】また、本発明によれば、上記のいずれかの
光磁気記録媒体を用い、低初期化磁界を印加して初期化
を行い、Ｔc1付近迄昇温させて消去を行い、Ｔc2付近迄
昇温させて記録を行うことを特徴とする光磁気記録方法
が提供される。
光磁気記録媒体を用い、低初期化磁界を印加して初期化
を行い、Ｔc1付近迄昇温させて消去を行い、Ｔc2付近迄
昇温させて記録を行うことを特徴とする光磁気記録方法
が提供される。
【００１２】さらに、本発明によれば、上記構成におい
て、第２磁性層の初期化を、下記条件を満足する初期化
磁界Ｈiniを用いて行うことを特徴とする光磁気記録方
法が提供される。 Ｈc1±σw1／２Ｍs1ｔ1＞Ｈini＞Ｈc3＋σw2／２Ｍs3ｔ
3 （式中、Ｍs3は第３磁性層の飽和磁化、ｔ3は第３磁性
層の膜厚である）
て、第２磁性層の初期化を、下記条件を満足する初期化
磁界Ｈiniを用いて行うことを特徴とする光磁気記録方
法が提供される。 Ｈc1±σw1／２Ｍs1ｔ1＞Ｈini＞Ｈc3＋σw2／２Ｍs3ｔ
3 （式中、Ｍs3は第３磁性層の飽和磁化、ｔ3は第３磁性
層の膜厚である）
【００１３】以下本発明を図面に基づき詳述する。図１
に本発明による光磁気記録媒体の一構成例を示す。この
構成例は、ガラス、プラスチック、セラミックなどから
成る透明基板１上にＳｉＯ2、ＳｉＯ、Ｓｉ3 Ｎ4、Ａｌ
Ｎなどから成る保護層（膜厚１００〜５０００Å）２を
設け、その上にそれぞれ垂直磁気異方性を示すアモルフ
ァス磁性膜から成る第１磁性層３、第２磁性層４及び第
３磁性層５をその順に設け、さらにその上にＳｉＯ2、
ＳｉＯ、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮなどから成る保護層（膜厚１
００〜５０００Å）６を設けた構成を有する。各膜はス
パッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等により形
成することができる。
に本発明による光磁気記録媒体の一構成例を示す。この
構成例は、ガラス、プラスチック、セラミックなどから
成る透明基板１上にＳｉＯ2、ＳｉＯ、Ｓｉ3 Ｎ4、Ａｌ
Ｎなどから成る保護層（膜厚１００〜５０００Å）２を
設け、その上にそれぞれ垂直磁気異方性を示すアモルフ
ァス磁性膜から成る第１磁性層３、第２磁性層４及び第
３磁性層５をその順に設け、さらにその上にＳｉＯ2、
ＳｉＯ、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮなどから成る保護層（膜厚１
００〜５０００Å）６を設けた構成を有する。各膜はス
パッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等により形
成することができる。
【００１４】第１磁性層３の構成材料としては下記式化
１で示される希土類−遷移金属系アモルファス合金が好
ましく使用される。
１で示される希土類−遷移金属系アモルファス合金が好
ましく使用される。
【化１】 （ただし、ＲＥ１はＴｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ及びＥｒの
うちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ２は
Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なく
とも１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ｘ≦
０．３５、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ≦０．５である）
うちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ２は
Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なく
とも１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ｘ≦
０．３５、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ≦０．５である）
【００１５】具体的には、Ｔｂ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｆｅ，Ｇ
ｄ−Ｔｂ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆ
ｅ，Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ
−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−
Ｃｏ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｈｏ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｔｂ−Ｅｒ−Ｆｅ−Ｃｏなどで上記条件を満足する
もの、及びこれらにＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及び
Ｅｕのうちの少なくとも１種類の軽希土類金属元素を添
加したものが使用される。特に、軽希土類金属元素を含
む組成の材料を用いた場合、短波長域の光源を用いて再
生したときの再生特性の低下が小さいという利点があ
る。第１磁性層３の膜厚ｔ1は１００〜２０００Åが適
当である。
ｄ−Ｔｂ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆ
ｅ，Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ
−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−
Ｃｏ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｈｏ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｔｂ−Ｅｒ−Ｆｅ−Ｃｏなどで上記条件を満足する
もの、及びこれらにＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及び
Ｅｕのうちの少なくとも１種類の軽希土類金属元素を添
加したものが使用される。特に、軽希土類金属元素を含
む組成の材料を用いた場合、短波長域の光源を用いて再
生したときの再生特性の低下が小さいという利点があ
る。第１磁性層３の膜厚ｔ1は１００〜２０００Åが適
当である。
【００１６】第２磁性層４の構成材料としては、第１磁
性層３と同様、下記一般式化１で表される希土類−遷移
金属系アモルファス合金が好ましく使用される。
性層３と同様、下記一般式化１で表される希土類−遷移
金属系アモルファス合金が好ましく使用される。
【化１】 （ただし、ＲＥ１はＴｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ及びＥｒの
うちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ２は
Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なく
とも１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ｘ≦
０．３５、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ≦０．５である）
うちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ２は
Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なく
とも１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ｘ≦
０．３５、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ≦０．５である）
【００１７】具体的には、Ｔｂ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｆｅ，Ｇ
ｄ−Ｔｂ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆ
ｅ，Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ
−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−
Ｃｏ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｈｏ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｔｂ−Ｅｒ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｎｄ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｔｂ−Ｓｍ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｅｕ−Ｆｅ−Ｃｏ
など、及びこれらにＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ及び
Ｅｕのうちの少なくとも一種類の軽希土類金属元素を添
加したものが使用される。この場合も、特に、軽希土類
金属元素を含む組成の材料を用いた場合、短波長域の光
源を用いて再生したときの再生特性の低下が小さいとい
う利点がある。第２磁性層４の膜厚ｔ2は１００〜３０
００Åが適当である。
ｄ−Ｔｂ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆ
ｅ，Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ
−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−
Ｃｏ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｈｏ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｔｂ−Ｅｒ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｎｄ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｔｂ−Ｓｍ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｅｕ−Ｆｅ−Ｃｏ
など、及びこれらにＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ及び
Ｅｕのうちの少なくとも一種類の軽希土類金属元素を添
加したものが使用される。この場合も、特に、軽希土類
金属元素を含む組成の材料を用いた場合、短波長域の光
源を用いて再生したときの再生特性の低下が小さいとい
う利点がある。第２磁性層４の膜厚ｔ2は１００〜３０
００Åが適当である。
【００１８】第３磁性層５の構成材料としては、第１磁
性層３及び第２磁性層５と同様、下記一般式化１で表さ
れる希土類−遷移金属系アモルファス合金が好ましく使
用される。
性層３及び第２磁性層５と同様、下記一般式化１で表さ
れる希土類−遷移金属系アモルファス合金が好ましく使
用される。
【化１】 （ただし、ＲＥ１はＴｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ及びＥｒの
うちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ２は
Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なく
とも１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ｘ≦
０．３５、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ≦０．５である）
うちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ２は
Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なく
とも１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ｘ≦
０．３５、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ≦０．５である）
【００１９】具体的には、Ｔｂ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｆｅ，Ｇ
ｄ−Ｔｂ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆ
ｅ，Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ
−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−
Ｃｏ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｈｏ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｔｂ−Ｅｒ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｎｄ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｔｂ−Ｓｍ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｅｕ−Ｆｅ−Ｃｏ
など、及びこれらにＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ及び
Ｅｕのうちの少なくとも一種類の軽希土類金属元素を添
加したものが使用される。この場合も、特に、軽希土類
金属元素を含む組成の材料を用いた場合、短波長域の光
源を用いて再生したときの再生特性の低下が小さいとい
う利点がある。第３磁性層４の膜厚ｔ3は１００〜３０
００Åが適当である。
ｄ−Ｔｂ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆ
ｅ，Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ
−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−
Ｃｏ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｈｏ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｔｂ−Ｅｒ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｎｄ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｔｂ−Ｓｍ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｅｕ−Ｆｅ−Ｃｏ
など、及びこれらにＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ及び
Ｅｕのうちの少なくとも一種類の軽希土類金属元素を添
加したものが使用される。この場合も、特に、軽希土類
金属元素を含む組成の材料を用いた場合、短波長域の光
源を用いて再生したときの再生特性の低下が小さいとい
う利点がある。第３磁性層４の膜厚ｔ3は１００〜３０
００Åが適当である。
【００２０】ここで第１磁性層３、第２磁性層４及び第
３磁性層５は、第１磁性層３の飽和磁化をＭs1、保磁力
をＨc1、キュリー温度をＴc1、膜厚をｔ1、第２磁性層
４の飽和磁化をＭs2、保磁力をＨc2、補償温度をＴcomp
2、キュリー温度をＴc2、膜厚をt2、第３磁性層５の保
磁力をＨc3、補償温度をＴcomp3、キュリー温度をＴ3、
室温をＴroom、第１磁性層３及び第２磁性層４間の界面
磁壁エネルギーをσw1、第２磁性層４及び第３磁性層５
間の界面磁壁エネルギーをσw2としたときに下記の条件
を満たしていなければならない。 Ｔroom＜Ｔcomp3≒Ｔc3＜Ｔc1≒Ｔcomp2＜Ｔc2 …（１） Ｈc1＞Ｈc2＞Ｈc3 …（２） Ｈc1＞σw1／２Ｍs1ｔ1 …（３） σw1／２Ｍs2t2＜Ｈc2＜σw2／２Ｍs2ｔ2 …（４）
３磁性層５は、第１磁性層３の飽和磁化をＭs1、保磁力
をＨc1、キュリー温度をＴc1、膜厚をｔ1、第２磁性層
４の飽和磁化をＭs2、保磁力をＨc2、補償温度をＴcomp
2、キュリー温度をＴc2、膜厚をt2、第３磁性層５の保
磁力をＨc3、補償温度をＴcomp3、キュリー温度をＴ3、
室温をＴroom、第１磁性層３及び第２磁性層４間の界面
磁壁エネルギーをσw1、第２磁性層４及び第３磁性層５
間の界面磁壁エネルギーをσw2としたときに下記の条件
を満たしていなければならない。 Ｔroom＜Ｔcomp3≒Ｔc3＜Ｔc1≒Ｔcomp2＜Ｔc2 …（１） Ｈc1＞Ｈc2＞Ｈc3 …（２） Ｈc1＞σw1／２Ｍs1ｔ1 …（３） σw1／２Ｍs2t2＜Ｈc2＜σw2／２Ｍs2ｔ2 …（４）
【００２１】先ず、上記（１）の条件について説明する
と、第２磁性層４の磁化を第１磁性層３へ磁化転写し
て、第１磁性層３に磁化をメモリさせるため、Ｔc2はＴ
c1より大きく、当然Ｔc1とＴc2はＴroomより大きくなけ
ればならない。また、第２磁性層４の磁化を確実に第１
磁性層３へ磁化転写するため、Ｔcomp2とＴc1はほぼ等
しく（｜Ｔcomp2-Ｔc1｜＜３０℃）、Ｔcomp2はＴc2よ
り小さくなければならない。さらに、初期化を確実に行
うため、Ｔc3とＴcomp3はほぼ等しく（｜Ｔc3−Ｔcomp3
｜＜２０℃）、当然Ｔc3とＴcomp3はＴroomより大きく
なければならない。Ｔc1は１３０〜２００℃が適当であ
り、Ｔc2は２００〜３００℃が適当であり、Ｔc3は７０
〜１３０℃が適当である。
と、第２磁性層４の磁化を第１磁性層３へ磁化転写し
て、第１磁性層３に磁化をメモリさせるため、Ｔc2はＴ
c1より大きく、当然Ｔc1とＴc2はＴroomより大きくなけ
ればならない。また、第２磁性層４の磁化を確実に第１
磁性層３へ磁化転写するため、Ｔcomp2とＴc1はほぼ等
しく（｜Ｔcomp2-Ｔc1｜＜３０℃）、Ｔcomp2はＴc2よ
り小さくなければならない。さらに、初期化を確実に行
うため、Ｔc3とＴcomp3はほぼ等しく（｜Ｔc3−Ｔcomp3
｜＜２０℃）、当然Ｔc3とＴcomp3はＴroomより大きく
なければならない。Ｔc1は１３０〜２００℃が適当であ
り、Ｔc2は２００〜３００℃が適当であり、Ｔc3は７０
〜１３０℃が適当である。
【００２２】次に、上記（２）の条件について説明する
と、Ｈc1≦Ｈc2になると第１磁性層３の磁化がバイアス
磁界や外部磁界により磁化反転させられることになるた
め、Ｈc1＞Ｈc2でなければならない。また第２磁性層４
の初期化を確実に行うために第３磁性層５の磁化を利用
するため、Ｈc2＞Ｈc3でなければならない。
と、Ｈc1≦Ｈc2になると第１磁性層３の磁化がバイアス
磁界や外部磁界により磁化反転させられることになるた
め、Ｈc1＞Ｈc2でなければならない。また第２磁性層４
の初期化を確実に行うために第３磁性層５の磁化を利用
するため、Ｈc2＞Ｈc3でなければならない。
【００２３】次に、上記（３）及び（４）の条件につい
て説明する。Ｈc1は室温Ｔroomでの第１磁性層３の磁化
が交換結合力により第２磁性層４の磁化方向を向かない
ように（３）式を満たしていなければならない。またＨ
c2は第１磁性層３の磁化と第２磁性層４の磁化とが交換
結合力により常に安定になるようにし、第３磁性層５の
磁化を用いて初期化を確実に行なうために（４）式を満
たしていなければならない。Ｈc1は５ＫＯe以上が適当
であり、Ｈc2は０．５〜３ＫＯeが適当であり、Ｈc3は
０．５ＫＯe以下が適当である。Ｍs1は０〜１５０ｅｍ
ｕ／ｃｃが適当であり、Ｍs2は１００〜３００ｅｍｕ／
ｃｃが適当である。上記の（１）〜（４）の条件を満足
するものは、０．５〜２．５ＫＯｅ程度の低初期化磁界
を印加して初期化を行うことにより、第２磁性層４の磁
化方向をレーザ照射温度により変えることができ、その
磁化を第１磁性層３に交換結合力により磁化転写できる
ため、オーバーライトを行うことが可能となる。
て説明する。Ｈc1は室温Ｔroomでの第１磁性層３の磁化
が交換結合力により第２磁性層４の磁化方向を向かない
ように（３）式を満たしていなければならない。またＨ
c2は第１磁性層３の磁化と第２磁性層４の磁化とが交換
結合力により常に安定になるようにし、第３磁性層５の
磁化を用いて初期化を確実に行なうために（４）式を満
たしていなければならない。Ｈc1は５ＫＯe以上が適当
であり、Ｈc2は０．５〜３ＫＯeが適当であり、Ｈc3は
０．５ＫＯe以下が適当である。Ｍs1は０〜１５０ｅｍ
ｕ／ｃｃが適当であり、Ｍs2は１００〜３００ｅｍｕ／
ｃｃが適当である。上記の（１）〜（４）の条件を満足
するものは、０．５〜２．５ＫＯｅ程度の低初期化磁界
を印加して初期化を行うことにより、第２磁性層４の磁
化方向をレーザ照射温度により変えることができ、その
磁化を第１磁性層３に交換結合力により磁化転写できる
ため、オーバーライトを行うことが可能となる。
【００２４】上記構成例では記録層を三層構造とした
が、本発明によれば、図２に示すように、第１磁性層３
と第２磁性層４との間の交換結合力及び／又は第２磁性
層４と第３磁性層５との間の交換結合力をコントロール
する目的で、これらの層間に中間層７及び／又は中間層
８を設けてもよい。中間層７、８の材料としては、第１
磁性層３、第２磁性層４及び第３磁性層５を劣化させな
いもので、非磁性材料の垂直磁気異方性の小さい磁性材
料が好ましい。具体的には、希土類金属−遷移金属系ア
モルファス磁性膜はもちろんのこと、Ｓｉ，Ａｌ，Ａ
ｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｓｉ−Ｎ，
Ａｌ−Ｎ，Ｆｅ−Ｎ，ＳｉＯ，ＳｉＯ2，Ｆｅ−Ｃｏ，
Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｎｄ等を挙げることができる。中間
層７、８の膜厚は薄すぎると交換結合力の調整効果は得
られず、厚すぎると両磁性層間の交換結合力が小さくな
りすぎ記録及び消去に支障をきたすので、数Å〜５００
Å程度が適当である。中間層７、８は、スパッタ法、蒸
着法、イオンプレーティング法等により形成することが
できる。
が、本発明によれば、図２に示すように、第１磁性層３
と第２磁性層４との間の交換結合力及び／又は第２磁性
層４と第３磁性層５との間の交換結合力をコントロール
する目的で、これらの層間に中間層７及び／又は中間層
８を設けてもよい。中間層７、８の材料としては、第１
磁性層３、第２磁性層４及び第３磁性層５を劣化させな
いもので、非磁性材料の垂直磁気異方性の小さい磁性材
料が好ましい。具体的には、希土類金属−遷移金属系ア
モルファス磁性膜はもちろんのこと、Ｓｉ，Ａｌ，Ａ
ｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｓｉ−Ｎ，
Ａｌ−Ｎ，Ｆｅ−Ｎ，ＳｉＯ，ＳｉＯ2，Ｆｅ−Ｃｏ，
Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｎｄ等を挙げることができる。中間
層７、８の膜厚は薄すぎると交換結合力の調整効果は得
られず、厚すぎると両磁性層間の交換結合力が小さくな
りすぎ記録及び消去に支障をきたすので、数Å〜５００
Å程度が適当である。中間層７、８は、スパッタ法、蒸
着法、イオンプレーティング法等により形成することが
できる。
【００２５】また、本発明の光磁気記録媒体では、図３
に示すように、第１磁性層３の光入射側に隣接して、第
１磁性層３より保磁力Ｈcが小さく、キュリー温度Ｔcが
大きい垂直磁気異方性を示すアモルファス磁性膜から成
る再生層９を設けることができる。
に示すように、第１磁性層３の光入射側に隣接して、第
１磁性層３より保磁力Ｈcが小さく、キュリー温度Ｔcが
大きい垂直磁気異方性を示すアモルファス磁性膜から成
る再生層９を設けることができる。
【００２６】再生層９の材料としては、下記一般式化２
で表わされる磁気光学効果の大きい希土類−遷移金属系
アモルファス合金が好ましく使用される。
で表わされる磁気光学効果の大きい希土類−遷移金属系
アモルファス合金が好ましく使用される。
【００２７】
【化２】 （但し、ＲＥ３はＴｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ及びＥｒのう
ちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ４はＣ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なくと
も１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ａ≦
０．３５、０≦ｂ≦０．４、０≦ｃ≦０．５である）
ちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ４はＣ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なくと
も１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ａ≦
０．３５、０≦ｂ≦０．４、０≦ｃ≦０．５である）
【００２８】具体的には、Ｔｂ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｆｅ、Ｇ
ｄ−Ｔｂ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆ
ｅ、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ
−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−
Ｃｏ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｈｏ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ、Ｔｂ−Ｅｒ−Ｆｅ−Ｃｏなど、及びこれらにＣｅ、
Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ及びＥｕのうちの少なくとも１
種類の軽希土類元素を添加したものが使用される。再生
層の膜厚は、光を透過することができる位に薄くする必
要があり、６００Å以下が最適である。再生層９は、ス
パッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等により形
成することができる。再生層９は、再生特性を向上させ
る役目をもつ。この場合、再生層９の磁化は、第１磁性
層３の磁化情報を転写した状態になっていないといけな
いため、再生層９の保磁力Ｈcrは小さく、Ｈcr＜Ｈc1と
いう条件を満足してないといけない。Ｈcrは０．１〜２
ＫＯeであるのが好ましい。また、第１磁性層３の磁化
情報がなくなる前に再生層９の磁化情報がなくなると読
取りエラーになるため、再生層９のキュリー温度Ｔcr
は、Ｔcr＞Ｔc1という条件を満足してないといけない。
Ｔcrは１２０〜３００℃であるのが好ましい。再生層９
に転写された磁化情報は、再生レーザ光を用いて磁気光
学効果を利用して読出す。このとき、再生層９は磁気光
学効果の大きい材料から成っているうえ、再生層９の膜
厚は光が透過できる位に薄く（６００Å以下）なってい
るため、カー効果だけでなく、ファラデー効果を利用す
ることができ、磁気光学効果がエンハンスされ、再生特
性を向上させることができる。
ｄ−Ｔｂ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆ
ｅ、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ
−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−
Ｃｏ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｈｏ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ、Ｔｂ−Ｅｒ−Ｆｅ−Ｃｏなど、及びこれらにＣｅ、
Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ及びＥｕのうちの少なくとも１
種類の軽希土類元素を添加したものが使用される。再生
層の膜厚は、光を透過することができる位に薄くする必
要があり、６００Å以下が最適である。再生層９は、ス
パッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等により形
成することができる。再生層９は、再生特性を向上させ
る役目をもつ。この場合、再生層９の磁化は、第１磁性
層３の磁化情報を転写した状態になっていないといけな
いため、再生層９の保磁力Ｈcrは小さく、Ｈcr＜Ｈc1と
いう条件を満足してないといけない。Ｈcrは０．１〜２
ＫＯeであるのが好ましい。また、第１磁性層３の磁化
情報がなくなる前に再生層９の磁化情報がなくなると読
取りエラーになるため、再生層９のキュリー温度Ｔcr
は、Ｔcr＞Ｔc1という条件を満足してないといけない。
Ｔcrは１２０〜３００℃であるのが好ましい。再生層９
に転写された磁化情報は、再生レーザ光を用いて磁気光
学効果を利用して読出す。このとき、再生層９は磁気光
学効果の大きい材料から成っているうえ、再生層９の膜
厚は光が透過できる位に薄く（６００Å以下）なってい
るため、カー効果だけでなく、ファラデー効果を利用す
ることができ、磁気光学効果がエンハンスされ、再生特
性を向上させることができる。
【００２９】また、本発明の光磁気記録媒体では、図４
に示すように、第３磁性層５の光入射側とは反対の面に
隣接して、熱伝導層１０を設けることができる。この熱
伝導層１０は熱の横方向への拡がりを少なくし、記録磁
区形状を均一なものにして再生特性を向上させる役目を
もつ。熱伝導層１０の材料としてはＡｌ，Ｃｕ，Ａｕ，
Ａｇ，Ｐｔ，ＳｉＣ，ＡｌＮ等があげられる。熱伝導層
１０の膜厚は１００〜３０００Åが好ましく、スパッタ
法、蒸着法、イオンプレーティング法等により形成する
ことができる。このような構成にすると、記録の際、熱
伝導層１０がヒートシンク層としての役割を果たし、各
磁性層の膜温度の横方向への拡がりが少なくなり、記録
磁区の前縁の形状と後縁の形状が異なるとか、記録磁区
の長さが実際の記録パターンより長く伸びてしまう等の
不具合点がなくなり、均一な磁区形状になり、再生特性
が改良される。また、熱の横への拡がりがないため微小
な磁区の記録も可能になり、高密度記録にも適するもの
となる。
に示すように、第３磁性層５の光入射側とは反対の面に
隣接して、熱伝導層１０を設けることができる。この熱
伝導層１０は熱の横方向への拡がりを少なくし、記録磁
区形状を均一なものにして再生特性を向上させる役目を
もつ。熱伝導層１０の材料としてはＡｌ，Ｃｕ，Ａｕ，
Ａｇ，Ｐｔ，ＳｉＣ，ＡｌＮ等があげられる。熱伝導層
１０の膜厚は１００〜３０００Åが好ましく、スパッタ
法、蒸着法、イオンプレーティング法等により形成する
ことができる。このような構成にすると、記録の際、熱
伝導層１０がヒートシンク層としての役割を果たし、各
磁性層の膜温度の横方向への拡がりが少なくなり、記録
磁区の前縁の形状と後縁の形状が異なるとか、記録磁区
の長さが実際の記録パターンより長く伸びてしまう等の
不具合点がなくなり、均一な磁区形状になり、再生特性
が改良される。また、熱の横への拡がりがないため微小
な磁区の記録も可能になり、高密度記録にも適するもの
となる。
【００３０】なお、本発明で用いる光磁気記録媒体の層
構成は図１〜図４に示すものに限定されるものでなく種
々の変形、変更が可能である。
構成は図１〜図４に示すものに限定されるものでなく種
々の変形、変更が可能である。
【００３１】次に本発明の光磁気記録方法について説明
する。本発明の方法は、低初期化磁界Ｈiniを用いて照
射光のパワー変化で記録及び消去を行うものである。こ
の初期化磁界は下記条件を満足している必要がある。Hi
niの具体的な値としては０．５〜２．５ＫＯｅ、好まし
くは１〜２．５ＫＯｅである。また、バイアス磁界Ｈb
としては２００〜８００Ｏｅ、好ましくは３００〜６０
０Ｏｅの磁界を用いる。 Ｈc1±σw1／２Ｍs1ｔ1＞Ｈini＞Ｈc3＋σw2／２Ｍs3ｔ3 （５）
する。本発明の方法は、低初期化磁界Ｈiniを用いて照
射光のパワー変化で記録及び消去を行うものである。こ
の初期化磁界は下記条件を満足している必要がある。Hi
niの具体的な値としては０．５〜２．５ＫＯｅ、好まし
くは１〜２．５ＫＯｅである。また、バイアス磁界Ｈb
としては２００〜８００Ｏｅ、好ましくは３００〜６０
０Ｏｅの磁界を用いる。 Ｈc1±σw1／２Ｍs1ｔ1＞Ｈini＞Ｈc3＋σw2／２Ｍs3ｔ3 （５）
【００３２】図５は本発明の方法による記録及び消去を
説明するための図である。本発明において消去を行うと
きには、初期化磁界の下を通した後、低いレーザパワー
（ＰL）を照射し、膜温度ＴをＴc1付近（Ｔc1−３０≦
Ｔ≦Ｔc1＋３０［℃］）迄上げて行う。レーザ照射を行
う前は第１磁性層３では前に記録された方向に磁化は向
いており、第２磁性層４では第１磁性層３の磁化による
交換結合力によりエネルギー的に安定な方向に磁化が向
いており、第３磁性層５では第２磁性層４の磁化による
交換結合力によりエネルギー的に安定な第２磁性層４の
磁化と同じ方向に磁化が向いている。そこへ初期化磁界
Ｈiniを与えると、まずはＨｃ3が小さいので第３磁性層
５が初期化磁界Ｈiniの磁界方向に磁化反転し、そのあ
と第３磁性層５と第２磁性層４との交換結合力により第
２磁性層４も第３磁性層５と同じ方向（Ｈiniと同方
向）に磁化が向く。これにより初期化がなされる。この
初期化のあと、レーザ照射を行なうと、その照射部分は
第１磁性層３のキュリー温度Ｔc1付近迄膜温度が上昇す
るため、第１磁性層３の磁化は徐々に小さくなり、Ｔc1
でゼロになり、第２磁性層４の初期化された磁化は、逆
にＴc1付近でＨc2が非常に大きくなるためそのまま凍結
される。また、第３磁性層５はＴc3より温度が高くなっ
ているため、その磁化もゼロになってしまう。そのあと
レーザ照射が終り、膜温度が降下する際に、第２磁性層
４の磁化が交換結合力により第１磁性層３へ磁化転写さ
れ、室温ＴroomにもどったときにはＨc1は非常に大きい
ため、そのまま凍結される。第３磁性層５の磁化は降温
過程で第２磁性層４との交換結合力により、第２磁性層
４の磁化と同じ方向に向く。以上のようにして消去がな
される。
説明するための図である。本発明において消去を行うと
きには、初期化磁界の下を通した後、低いレーザパワー
（ＰL）を照射し、膜温度ＴをＴc1付近（Ｔc1−３０≦
Ｔ≦Ｔc1＋３０［℃］）迄上げて行う。レーザ照射を行
う前は第１磁性層３では前に記録された方向に磁化は向
いており、第２磁性層４では第１磁性層３の磁化による
交換結合力によりエネルギー的に安定な方向に磁化が向
いており、第３磁性層５では第２磁性層４の磁化による
交換結合力によりエネルギー的に安定な第２磁性層４の
磁化と同じ方向に磁化が向いている。そこへ初期化磁界
Ｈiniを与えると、まずはＨｃ3が小さいので第３磁性層
５が初期化磁界Ｈiniの磁界方向に磁化反転し、そのあ
と第３磁性層５と第２磁性層４との交換結合力により第
２磁性層４も第３磁性層５と同じ方向（Ｈiniと同方
向）に磁化が向く。これにより初期化がなされる。この
初期化のあと、レーザ照射を行なうと、その照射部分は
第１磁性層３のキュリー温度Ｔc1付近迄膜温度が上昇す
るため、第１磁性層３の磁化は徐々に小さくなり、Ｔc1
でゼロになり、第２磁性層４の初期化された磁化は、逆
にＴc1付近でＨc2が非常に大きくなるためそのまま凍結
される。また、第３磁性層５はＴc3より温度が高くなっ
ているため、その磁化もゼロになってしまう。そのあと
レーザ照射が終り、膜温度が降下する際に、第２磁性層
４の磁化が交換結合力により第１磁性層３へ磁化転写さ
れ、室温ＴroomにもどったときにはＨc1は非常に大きい
ため、そのまま凍結される。第３磁性層５の磁化は降温
過程で第２磁性層４との交換結合力により、第２磁性層
４の磁化と同じ方向に向く。以上のようにして消去がな
される。
【００３３】本発明において記録を行うときには、高い
レーザパワー（ＰH）を照射し、膜温度ＴをＴc2付近
（Ｔc2−３０≦Ｔ≦Ｔc2＋３０［℃］）迄上げて行う。
膜温度ＴをＴc2付近まで上げると第１磁性層３及び第３
磁性層５の磁化はゼロになり、第２磁性層４の磁化もゼ
ロに近づく。このため第２磁性層４は、バイアス磁界Ｈ
b方向に磁化反転（記録）され、冷却過程で凍結され
る。そして、温度降下してＴc1付近を通るときに、交換
結合力により第２磁性層４から第１磁性層３へ磁化転写
され、室温Ｔroomで第１磁性層３の磁化は凍結される。
第３磁性層５の磁化は、降温過程で第２磁性層４との交
換結合力により第２磁性層３の磁化と同じ方向を向く。
以上のようにして記録がなされる。
レーザパワー（ＰH）を照射し、膜温度ＴをＴc2付近
（Ｔc2−３０≦Ｔ≦Ｔc2＋３０［℃］）迄上げて行う。
膜温度ＴをＴc2付近まで上げると第１磁性層３及び第３
磁性層５の磁化はゼロになり、第２磁性層４の磁化もゼ
ロに近づく。このため第２磁性層４は、バイアス磁界Ｈ
b方向に磁化反転（記録）され、冷却過程で凍結され
る。そして、温度降下してＴc1付近を通るときに、交換
結合力により第２磁性層４から第１磁性層３へ磁化転写
され、室温Ｔroomで第１磁性層３の磁化は凍結される。
第３磁性層５の磁化は、降温過程で第２磁性層４との交
換結合力により第２磁性層３の磁化と同じ方向を向く。
以上のようにして記録がなされる。
【００３４】このように本発明の光磁気記録方法では、
保磁力Ｈc3の小さい第３磁性層５を用いて初期化を行な
い、記録及び消去を行なうため、低い初期化磁界で良
く、装置の小型化が可能になり、記録磁区の安定性にも
優れている。
保磁力Ｈc3の小さい第３磁性層５を用いて初期化を行な
い、記録及び消去を行なうため、低い初期化磁界で良
く、装置の小型化が可能になり、記録磁区の安定性にも
優れている。
【００３５】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はここに例示の実施例に限定されるものではな
い。
本発明はここに例示の実施例に限定されるものではな
い。
【００３６】実施例１及び比較例 グルーブ付きポリカーボネート（ＰＣ）基板（直径１３
０ｍｍ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層し、光磁気記録媒体を作製した。 −比較例の層構成− 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （９００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.5Ｔｂ0.5)0.19(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.81 (１５００Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å） −実施例１の層構成− 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （９００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.6Ｔｂ0.4)0.27(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.73 (６００Å) 第３磁性層：Ｄｙ0.27(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.73 (１００
０Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
０ｍｍ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層し、光磁気記録媒体を作製した。 −比較例の層構成− 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （９００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.5Ｔｂ0.5)0.19(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.81 (１５００Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å） −実施例１の層構成− 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （９００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.6Ｔｂ0.4)0.27(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.73 (６００Å) 第３磁性層：Ｄｙ0.27(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.73 (１００
０Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
【００３７】比較例の媒体の磁気特性を表１に、実施例
１の磁気特性を表２にそれぞれ示す。
１の磁気特性を表２にそれぞれ示す。
【表１】
【００３８】
【表２】
【００３９】また、σwについては比較例の媒体では
２．２ｅｒｇ／ｃｍ2、実施例１の媒体ではσw1＝２．
０ｅｒｇ／ｃｍ2、σw2＝３．２ｅｒｇ／ｃｍ2であり、
σw／２Ｍs1ｔ1については比較例の媒体では６．５ＫＯ
eであり、実施例１の媒体ではσw1／２Ｍs1ｔ1＝１．０
ＫＯe、σw2／２Ｍs2ｔ2＝１．７ＫＯe、σw1／２Ｍs1
ｔ1＝５．９ＫＯe、σw2／２Ｍs3ｔ3＝１．０ＫＯeであ
った。
２．２ｅｒｇ／ｃｍ2、実施例１の媒体ではσw1＝２．
０ｅｒｇ／ｃｍ2、σw2＝３．２ｅｒｇ／ｃｍ2であり、
σw／２Ｍs1ｔ1については比較例の媒体では６．５ＫＯ
eであり、実施例１の媒体ではσw1／２Ｍs1ｔ1＝１．０
ＫＯe、σw2／２Ｍs2ｔ2＝１．７ＫＯe、σw1／２Ｍs1
ｔ1＝５．９ＫＯe、σw2／２Ｍs3ｔ3＝１．０ＫＯeであ
った。
【００４０】上記で作製した比較例及び実施例１の媒体
につき、下記の条件でオーバーライト特性を測定し、比
較した。また、１２ｍＷのレーザ照射で媒体温度は約２
８０℃まで昇温し、６ｍＷのレーザ照射で媒体温度は約
１８０℃まで昇温した。 記録時のレーザパワー ：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー ： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー ： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ 初期化磁界（比較例１媒体）： ３ＫＯｅ （実施例１媒体）： １．５ＫＯｅ バイアス磁界 ： ０．４ＫＯｅ
につき、下記の条件でオーバーライト特性を測定し、比
較した。また、１２ｍＷのレーザ照射で媒体温度は約２
８０℃まで昇温し、６ｍＷのレーザ照射で媒体温度は約
１８０℃まで昇温した。 記録時のレーザパワー ：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー ： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー ： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ 初期化磁界（比較例１媒体）： ３ＫＯｅ （実施例１媒体）： １．５ＫＯｅ バイアス磁界 ： ０．４ＫＯｅ
【００４１】比較例及び実施例１の媒体について上記条
件で１ＭＨｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎ及び
この上に２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ
／Ｎを表３に示す。
件で１ＭＨｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎ及び
この上に２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ
／Ｎを表３に示す。
【表３】
【００４２】上記結果より、本発明による実施例１の媒
体は初期化磁界を低くしても、従来の高い初期化磁界を
用いた場合と同等のオーバーライト特性が得られること
が分かった。
体は初期化磁界を低くしても、従来の高い初期化磁界を
用いた場合と同等のオーバーライト特性が得られること
が分かった。
【００４３】実施例２ グルーブ付きポリカーボネート（ＰＣ）基板（直径１３
０ｍｍ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層して光磁気記録媒体を作製した。 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （９００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 中間層 ：Ｇｄ0.35(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)0.65 (１０
０Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.6Ｔｂ0.4)0.27(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.73 (６００Å) 中間層 ：Ｇｄ0.35(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)0.65 (４０
Å) 第３磁性層：Ｄｙ0.27(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.73 (１０００
Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
０ｍｍ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層して光磁気記録媒体を作製した。 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （９００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 中間層 ：Ｇｄ0.35(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)0.65 (１０
０Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.6Ｔｂ0.4)0.27(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.73 (６００Å) 中間層 ：Ｇｄ0.35(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)0.65 (４０
Å) 第３磁性層：Ｄｙ0.27(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.73 (１０００
Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
【００４４】第１磁性層、第２磁性層及び第３磁性層の
磁気特性は、それぞれ実施例１の場合と同じであった。
磁気特性は、それぞれ実施例１の場合と同じであった。
【００４５】この媒体のオーバーライト特性を初期化磁
界を印加しないで下記の条件で評価した。 記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ 初期化磁界 ： １．５ＫＯe バイアス磁界 ： ０．４ＫＯe
界を印加しないで下記の条件で評価した。 記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ 初期化磁界 ： １．５ＫＯe バイアス磁界 ： ０．４ＫＯe
【００４６】上記の条件で実施例２の媒体について１Ｍ
Ｈｚの信号を記録再生したときのＣ／Ｎ及びこの上に２
ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／Ｎを表４
に示す。
Ｈｚの信号を記録再生したときのＣ／Ｎ及びこの上に２
ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／Ｎを表４
に示す。
【表４】
【００４７】上記結果より、第１磁性層と第２磁性層と
の間及び第２磁性層と第３磁性層との間にそれぞれに中
間層を設けた場合には、設けない場合（実施例１参照）
よりさらにオーバーライト特性が良くなることが分かっ
た。
の間及び第２磁性層と第３磁性層との間にそれぞれに中
間層を設けた場合には、設けない場合（実施例１参照）
よりさらにオーバーライト特性が良くなることが分かっ
た。
【００４８】実施例３ グルーブ付きポリカーボネート（ＰＣ）基板（直径１３
０ｍｍ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層し光磁気記録媒体を作製した。 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （９００Å） 第１磁性層：(Ｎｄ0.2Ｔｂ0.8)0.22(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.
78 (５００Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.6Ｔｂ0.4)0.27(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.73 (６００Å) 第３磁性層：Ｄｙ0.27(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.73 (１０００
Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
０ｍｍ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層し光磁気記録媒体を作製した。 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （９００Å） 第１磁性層：(Ｎｄ0.2Ｔｂ0.8)0.22(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.
78 (５００Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.6Ｔｂ0.4)0.27(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.73 (６００Å) 第３磁性層：Ｄｙ0.27(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.73 (１０００
Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
【００４９】第１磁性層、第２磁性層及び第３磁性層の
磁気特性は以下のようになった。
磁気特性は以下のようになった。
【表５】
【００５０】実施例３の媒体について下記の条件でオー
バーライト特性を評価した。 記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ 初期化磁界 ： １．５ＫＯｅ バイアス磁界 ： ０．４ＫＯｅ
バーライト特性を評価した。 記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ 初期化磁界 ： １．５ＫＯｅ バイアス磁界 ： ０．４ＫＯｅ
【００５１】上記の条件で実施例３の媒体について１Ｍ
Ｈｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎ及びこの上に
２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／Ｎを表
６に示す。
Ｈｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎ及びこの上に
２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／Ｎを表
６に示す。
【表６】
【００５２】上記結果より、第１磁性層に軽希土類元素
を添加した場合でも、実施例１の媒体と同等のオーバー
ライト特性が得られることが分かった。本実施例のよう
に軽希土類元素を添加した場合には、レーザ光の波長が
短くなった場合でも磁気光効果の落込みが小さいので有
利である。
を添加した場合でも、実施例１の媒体と同等のオーバー
ライト特性が得られることが分かった。本実施例のよう
に軽希土類元素を添加した場合には、レーザ光の波長が
短くなった場合でも磁気光効果の落込みが小さいので有
利である。
【００５４】実施例４ グルーブ付きポリカーボネート（ＰＣ）基板（直径１３
０ｍｍ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層し光磁気記録媒を作製した。 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （９００Å） 再生層 ：(Ｇｄ0.5Ｔｂ0.5)0.22(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.
78 (３００Å) 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.6Ｔｂ0.4)0.27(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.73 (６００Å) 第３磁性層：Ｄｙ0.27(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.73 (１０００
Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
０ｍｍ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層し光磁気記録媒を作製した。 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （９００Å） 再生層 ：(Ｇｄ0.5Ｔｂ0.5)0.22(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.
78 (３００Å) 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.6Ｔｂ0.4)0.27(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.73 (６００Å) 第３磁性層：Ｄｙ0.27(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.73 (１０００
Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
【００５５】再生層、第１磁性層、第２磁性層及び第３
磁性層の磁気特性は以下のようになった。
磁性層の磁気特性は以下のようになった。
【表７】
【００５６】実施例４の媒体について下記の条件でオー
バーライト特性を評価した。 記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ 初期化磁界 ： １．５ＫＯｅ バイアス磁界 ： ０．４ＫＯｅ
バーライト特性を評価した。 記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ 初期化磁界 ： １．５ＫＯｅ バイアス磁界 ： ０．４ＫＯｅ
【００５７】上記の条件で実施例４の媒体について１Ｍ
Ｈｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎ及びこの上に
２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／Ｎを表
８に示す。
Ｈｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎ及びこの上に
２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／Ｎを表
８に示す。
【表８】
【００５８】上記結果より、再生層を設けた方が実施例
１〜３の媒体に比べ再生Ｃ／Ｎがさらに一層高くなり、
オーバーライト特性も良いことが分かった。
１〜３の媒体に比べ再生Ｃ／Ｎがさらに一層高くなり、
オーバーライト特性も良いことが分かった。
【００５９】実施例５ グルーブ付きポリカーボネート（ＰＣ）基板（直径１３
０ｍｍ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層し光磁気記録媒体を作製した。 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （９００Å） 再生層 ：(Ｎｄ0.2Ｇｄ0.4Ｔｂ0.4)0.23(Ｆｅ0.9Ｃ
ｏ0.1)0.77(３００Å) 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.6Ｔｂ0.4)0.27(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.73 (６００Å) 第３磁性層：Ｄｙ0.27(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.73 (１０００
Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
０ｍｍ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層し光磁気記録媒体を作製した。 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （９００Å） 再生層 ：(Ｎｄ0.2Ｇｄ0.4Ｔｂ0.4)0.23(Ｆｅ0.9Ｃ
ｏ0.1)0.77(３００Å) 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.6Ｔｂ0.4)0.27(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.73 (６００Å) 第３磁性層：Ｄｙ0.27(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.73 (１０００
Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
【００６０】再生層、第１磁性層、第２磁性層及び第３
磁性層の磁気特性は以下のようになった。
磁性層の磁気特性は以下のようになった。
【表９】
【００６１】実施例５の媒体について下記の条件でオー
バーライト特性を評価した。 記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ 初期化磁界 ： １．５ＫＯｅ バイアス磁界 ： ０．４ＫＯｅ
バーライト特性を評価した。 記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ 初期化磁界 ： １．５ＫＯｅ バイアス磁界 ： ０．４ＫＯｅ
【００６２】上記の条件で実施例５の媒体について１Ｍ
Ｈｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎ及びこの上に
２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／Ｎを表
１０に示す。
Ｈｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎ及びこの上に
２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／Ｎを表
１０に示す。
【表１０】
【００６３】上記結果より、再生層に軽希土類元素を添
加した場合でも再生層を設けない実施例１よりＣ／Ｎが
さらに高くなり、オーバーライト特性も良いことが分か
った。再生層に軽希土類金属を添加すると、レーザ光の
波長が短くなった場合でも磁気光学効果の落込みが小さ
いので有利である。
加した場合でも再生層を設けない実施例１よりＣ／Ｎが
さらに高くなり、オーバーライト特性も良いことが分か
った。再生層に軽希土類金属を添加すると、レーザ光の
波長が短くなった場合でも磁気光学効果の落込みが小さ
いので有利である。
【００６４】実施例６ グルーブ付きポリカーボネート（ＰＣ）基板（直径１３
０ｍｍφ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜
を真空中で連続的に積層し光磁気記録媒体を作製した。 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （９００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.6Ｔｂ0.4)0.27(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.73 (６００Å) 第３磁性層：Ｄｙ0.27(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.73 (１０００
Å) 熱伝導層 ：Ａｌ （１０００Å） 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
０ｍｍφ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜
を真空中で連続的に積層し光磁気記録媒体を作製した。 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （９００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.6Ｔｂ0.4)0.27(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.73 (６００Å) 第３磁性層：Ｄｙ0.27(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.73 (１０００
Å) 熱伝導層 ：Ａｌ （１０００Å） 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
【００６５】第１磁性層、第２磁性層及び第３磁性層の
磁気特性は実施例１と同じであった。
磁気特性は実施例１と同じであった。
【００６６】実施例６の媒体について下記の条件でオー
バーライト特性を評価した。 記録時のレーザパワー：１３ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ 初期化磁界 ： １．５ＫＯｅ バイアス磁界 ： ０．４ＫＯｅ
バーライト特性を評価した。 記録時のレーザパワー：１３ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ 初期化磁界 ： １．５ＫＯｅ バイアス磁界 ： ０．４ＫＯｅ
【００６７】上記の条件で実施例６の媒体について１Ｍ
Ｈｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎ及びこの上に
２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／Ｎを表
１１に示す。
Ｈｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎ及びこの上に
２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／Ｎを表
１１に示す。
【表１１】
【００６８】上記結果より、熱伝導層を設けた方が熱伝
導層を設けない実施例１の場合よりＣ／Ｎがさらに高く
なり、オーバーライト特性も良いことが分かった。
導層を設けない実施例１の場合よりＣ／Ｎがさらに高く
なり、オーバーライト特性も良いことが分かった。
【００６９】
（１）請求項１の発明によれば前記条件を満たす第１磁
性層、第２磁性層及び第３磁性層とを積層することによ
り、低初期化磁界でオーバーライトが可能になる光磁気
記録媒体が提供される。 （２）請求項２の発明によれば、第１磁性層と第２磁性
層との間及び／又は第２磁性層と第３磁性層との間に中
間層を設けることにより、オーバーライト特性がより一
層向上する。 （３）請求項３の発明によれば、第１磁性層、第２磁性
層及び第３磁性層にそれぞれ特定組成のアモルファス磁
性膜を用いることにより、より良好なオーバーライト特
性を得ることができる。また、第１磁性層、第２磁性層
又は第３磁性層に軽希土類元素を添加することにより、
照射光の短波長化時のオーバーライト特性を向上させる
ことができる。 （４）請求項４の発明によれば、再生層を積層すること
により、再生Ｃ／Ｎ及びオーバーライト特性をより一層
向上させることができる。また、再生層に軽希土類元素
を添加することにより、照射光の短波長化時のオーバー
ライト特性を向上させることができる。 （５）請求項５の発明によれば、熱伝導層を設けること
により、再生Ｃ／Ｎ及びオーバーライト特性をより一層
向上させることができる。 （６）請求項６の発明によれば、上記のような媒体を用
い、Ｔc1付近迄温度を上げて消去を行い、Ｔc2付近迄温
度を上げて記録を行うことにより、低初期化磁界でオー
バーライトが可能となる。 （７）請求項７の発明によれば、初期化磁界Ｈiniを所
定の範囲の値に限定することにより、より信頼性良くオ
ーバーライトを行うことができる。
性層、第２磁性層及び第３磁性層とを積層することによ
り、低初期化磁界でオーバーライトが可能になる光磁気
記録媒体が提供される。 （２）請求項２の発明によれば、第１磁性層と第２磁性
層との間及び／又は第２磁性層と第３磁性層との間に中
間層を設けることにより、オーバーライト特性がより一
層向上する。 （３）請求項３の発明によれば、第１磁性層、第２磁性
層及び第３磁性層にそれぞれ特定組成のアモルファス磁
性膜を用いることにより、より良好なオーバーライト特
性を得ることができる。また、第１磁性層、第２磁性層
又は第３磁性層に軽希土類元素を添加することにより、
照射光の短波長化時のオーバーライト特性を向上させる
ことができる。 （４）請求項４の発明によれば、再生層を積層すること
により、再生Ｃ／Ｎ及びオーバーライト特性をより一層
向上させることができる。また、再生層に軽希土類元素
を添加することにより、照射光の短波長化時のオーバー
ライト特性を向上させることができる。 （５）請求項５の発明によれば、熱伝導層を設けること
により、再生Ｃ／Ｎ及びオーバーライト特性をより一層
向上させることができる。 （６）請求項６の発明によれば、上記のような媒体を用
い、Ｔc1付近迄温度を上げて消去を行い、Ｔc2付近迄温
度を上げて記録を行うことにより、低初期化磁界でオー
バーライトが可能となる。 （７）請求項７の発明によれば、初期化磁界Ｈiniを所
定の範囲の値に限定することにより、より信頼性良くオ
ーバーライトを行うことができる。
【図１】本発明による光磁気記録媒体の一構成例を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】図１の媒体において第１磁性層と第２磁性層の
間に中間層を設けた構成例を示す断面図である。
間に中間層を設けた構成例を示す断面図である。
【図３】図１の媒体において第１磁性層の光入射側面に
隣接して再生層を設けた構成例を示す断面図である。
隣接して再生層を設けた構成例を示す断面図である。
【図４】図１の媒体において第２磁性層の光入射側とは
反対の側の面に隣接して熱伝導層を設けた構成例を示す
断面図である。
反対の側の面に隣接して熱伝導層を設けた構成例を示す
断面図である。
【図５】（ａ）は本発明による記録の方法、（ｂ）は消
去の方法の説明図である。
去の方法の説明図である。
１ 基板 ２、６ 保護層 ３ 第１磁性層 ４ 第２磁性層 ５ 第３磁性層 ７、８ 中間層 ９ 再生層 １０ 熱伝導層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 11/10 Ｈ 8935−5Ｄ
Claims (7)
- 【請求項１】 垂直磁気異方性を示す第１磁性層、第２
磁性層及び第３磁性層を積層してなり、第１磁性層の飽
和磁化をＭs1、保磁力をＨc1、キュリー温度をＴc1、膜
厚をｔ1、第２磁性層の飽和磁化をＭs2、保磁力をＨ
c2、補償温度をＴcomp2、キュリー温度をＴc2、膜厚を
ｔ2、第３磁性層の保磁力をＨc3、補償温度をＴcomp3、
キュリー温度をＴ3、室温をＴroom、第１磁性層及び第
２磁性層間の界面磁壁エネルギーをσw1、第２磁性層及
び第３磁性層間の界面磁壁エネルギーをσw2としたとき
に下記の条件を満足することを特徴とする光磁気記録媒
体。 Ｔroom＜Ｔcomp3≒Ｔc3＜Ｔc1≒Ｔcomp2＜Ｔc2 Ｈc1＞Ｈc2＞Ｈc3 Ｈc1＞σw1／２Ｍs1ｔ1 σw1／２Ｍs2ｔ2＜Ｈc2＜σw2／２Ｍs2ｔ2 - 【請求項２】 第１磁性層と第２磁性層との間及び／又
は第２磁性層と第３磁性との間に、両層間の交換結合力
を調整するための中間層を設けたことを特徴とする請求
項１に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 第１磁性層、第２磁性層及び第３磁性層
がそれぞれ下記一般式化１で表わされるアモルファス磁
性膜から成ることを特徴とする請求項１又は２に記載の
光磁気記録媒体。 【化１】 （但し、ＲＥ１はＴｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ及びＥｒのう
ちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ２はＣ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なくと
も１種類の軽希土類金属元素であり、 ０．１５≦ｘ≦０．３５、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ≦
０．５である） - 【請求項４】 第１磁性層の光入射側に隣接して第１磁
性層より保磁力が小さくキュリー温度が大きい垂直磁気
異方性を示す下記一般式化２で表わされるアモルファア
ス磁性膜から成る再生層を設けたことを特徴とする請求
項１〜３のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体。 【化２】 （但し、ＲＥ３はＴｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ及びＥｒのう
ちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ４はＣ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なくと
も１種類の軽希土類金属元素であり、 ０．１５≦ａ≦０．３５、０≦ｂ≦０．４、０≦ｃ≦
０．５である） - 【請求項５】 第３磁性層の光入射側とは反対側の面に
隣接して熱伝導層を設けたことを特徴とする請求項１〜
４のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか一項に記載の光
磁気記録媒体を用い、低初期化磁界Ｈiniを印加して初
期化を行い、Ｔc1付近迄昇温させて消去を行い、Ｔc2付
近迄昇温させて記録を行うことを特徴とする光磁気記録
方法。 - 【請求項７】 第２磁性層の初期化を、下記条件を満足
する初期化磁界Ｈiniを用いて行うことを特徴とする請
求項６に記載の光磁気記録方法。 Ｈc1±σw1／２Ｍs1ｔ1＞Ｈini＞Ｈc3＋σw2／２Ｍs3ｔ
3 （式中、Ｍs3は第３磁性層の飽和磁化、ｔ3は第３磁性
層の膜厚である）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34190993A JPH07169122A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34190993A JPH07169122A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07169122A true JPH07169122A (ja) | 1995-07-04 |
Family
ID=18349692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34190993A Pending JPH07169122A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07169122A (ja) |
-
1993
- 1993-12-13 JP JP34190993A patent/JPH07169122A/ja active Pending
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