JPH06302030A - 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及び光磁気記録方法Info
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- JPH06302030A JPH06302030A JP11004693A JP11004693A JPH06302030A JP H06302030 A JPH06302030 A JP H06302030A JP 11004693 A JP11004693 A JP 11004693A JP 11004693 A JP11004693 A JP 11004693A JP H06302030 A JPH06302030 A JP H06302030A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 初期化磁界の印加なしに信頼性良くオーバー
ライトできる光磁気記録媒体を提供する。 【構成】 記録層を、第１磁性層３、第２磁性層４及び
第３磁性層５の積層構造とする。第１磁性層の飽和磁化
をＭs1、保磁力をＨc1、キュリー温度をＴc1、膜厚をｔ
1、第２磁性層の飽和磁化をＭs2、保磁力をＨc2、補償
温度をＴcomp2、キュリー温度をＴc2、膜厚をt2、第３
磁性層の保磁力をＨc3、補償温度をＴcomp3、キュリー
温度をＴ3、室温をＴroom、第１磁性層及び第２磁性層
間の界面磁壁エネルギーをσw1、第２磁性層及び第３磁
性層間の界面磁壁エネルギーをσw2としたときに下記の
条件を満足するように磁性材料を選定する。 Ｔroom＜Ｔcomp3≒Ｔc3Ｔc1＜Ｔcomp2＜Ｔc2 Ｈc1＞Ｈc2＞Ｈc3 Ｈc1＞σw1／２Ｍs1ｔ1 Ｈc2＜σw2／２Ｍs2ｔ2
ライトできる光磁気記録媒体を提供する。 【構成】 記録層を、第１磁性層３、第２磁性層４及び
第３磁性層５の積層構造とする。第１磁性層の飽和磁化
をＭs1、保磁力をＨc1、キュリー温度をＴc1、膜厚をｔ
1、第２磁性層の飽和磁化をＭs2、保磁力をＨc2、補償
温度をＴcomp2、キュリー温度をＴc2、膜厚をt2、第３
磁性層の保磁力をＨc3、補償温度をＴcomp3、キュリー
温度をＴ3、室温をＴroom、第１磁性層及び第２磁性層
間の界面磁壁エネルギーをσw1、第２磁性層及び第３磁
性層間の界面磁壁エネルギーをσw2としたときに下記の
条件を満足するように磁性材料を選定する。 Ｔroom＜Ｔcomp3≒Ｔc3Ｔc1＜Ｔcomp2＜Ｔc2 Ｈc1＞Ｈc2＞Ｈc3 Ｈc1＞σw1／２Ｍs1ｔ1 Ｈc2＜σw2／２Ｍs2ｔ2
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は初期化磁界を用いないで
オーバーライトを可能とする光磁気記録媒体及び光磁気
記録方法に関する。
オーバーライトを可能とする光磁気記録媒体及び光磁気
記録方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
書き換え可能な光記録媒体として、磁気光学効果を利用
した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され、既に実用
化されるに至っている。この光磁気記録媒体は大容量高
密度記録、非接触記録再生、アクセスの容易さ等の利点
に加え、オーバーライト（重ね書き）が可能という点で
文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイル、コンピュ
ータ用メモリ等への利用が期待されている。光磁気記録
媒体を磁気ディスクと同等もしくはそれ以上の性能を持
った記録媒体とするためには、いくつかの技術的課題が
あり、その中の主要なものの１つに、オーバーライト技
術がある。現在提案されているオーバーライト技術は、
記録の方法により磁界変調方式と光変調方式（マルチビ
ーム方式、２層膜方式等）に大別される。
書き換え可能な光記録媒体として、磁気光学効果を利用
した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され、既に実用
化されるに至っている。この光磁気記録媒体は大容量高
密度記録、非接触記録再生、アクセスの容易さ等の利点
に加え、オーバーライト（重ね書き）が可能という点で
文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイル、コンピュ
ータ用メモリ等への利用が期待されている。光磁気記録
媒体を磁気ディスクと同等もしくはそれ以上の性能を持
った記録媒体とするためには、いくつかの技術的課題が
あり、その中の主要なものの１つに、オーバーライト技
術がある。現在提案されているオーバーライト技術は、
記録の方法により磁界変調方式と光変調方式（マルチビ
ーム方式、２層膜方式等）に大別される。
【０００３】磁界変調方式は記録情報に応じて印加磁界
の極性を反転させて記録を行う方式である。この方式で
は、磁界の反転を高速で行わなくてはならないため、浮
上タイプの磁気ヘッドを用いる必要があり、媒体交換が
困難である。
の極性を反転させて記録を行う方式である。この方式で
は、磁界の反転を高速で行わなくてはならないため、浮
上タイプの磁気ヘッドを用いる必要があり、媒体交換が
困難である。
【０００４】一方、光変調方式は記録情報に応じて照射
レーザビームをオン・オフあるいは強度変調させて記録
を行う方式である。この方式のうちマルチビーム方式
は、２〜３個のレーザビームを用い、磁界の方向を１回
転毎に反転させてトラック毎に記録／消去を行う擬似オ
ーバーライト方式であるが、装置構成が複雑化し、コス
トアップを招くなどの欠点を有している。また、２層膜
方式は光磁気記録媒体の記録層を２層膜とし、オーバー
ライトを達成しようとするもので、例えば特開昭６２−
１７５９４８号公報等に開示されている。同公報に記載
されている方式は、例えばＴｂＦｅからなるメモリ層と
ＴｂＦｅＣｏからなる補助層との２層膜の記録層を備え
た光磁気記録媒体を用い、初期化を行った後、外部磁界
の印加とパワーの異なるレーザビームの照射によりオー
バーライトを実現しようとするものである。すなわち、
この方式では、記録に先立ち予め初期化用磁界により補
助層の磁化を一方向に揃え、高出力レーザビームを照射
して媒体温度ＴをＴ＞Ｔc2（Ｔc2は補助層のキュリー温
度）なる温度迄昇温させ、記録用磁界（初期化用磁界と
反対方向）を印加して補助層の磁化を反転させ、媒体が
冷却される際にその磁化をメモリ層に転写させることに
より記録を行い、また、低出力レーザビームを照射して
媒体温度をＴc1＜Ｔ＜Ｔc2（Ｔc1はメモリ層のキュリー
温度）なる温度迄昇温させ、補助層の磁化方向をメモリ
層に転写させることにより消去を行う。そのためこの方
式では、初期化用磁石が必要になるなどの問題があっ
た。
レーザビームをオン・オフあるいは強度変調させて記録
を行う方式である。この方式のうちマルチビーム方式
は、２〜３個のレーザビームを用い、磁界の方向を１回
転毎に反転させてトラック毎に記録／消去を行う擬似オ
ーバーライト方式であるが、装置構成が複雑化し、コス
トアップを招くなどの欠点を有している。また、２層膜
方式は光磁気記録媒体の記録層を２層膜とし、オーバー
ライトを達成しようとするもので、例えば特開昭６２−
１７５９４８号公報等に開示されている。同公報に記載
されている方式は、例えばＴｂＦｅからなるメモリ層と
ＴｂＦｅＣｏからなる補助層との２層膜の記録層を備え
た光磁気記録媒体を用い、初期化を行った後、外部磁界
の印加とパワーの異なるレーザビームの照射によりオー
バーライトを実現しようとするものである。すなわち、
この方式では、記録に先立ち予め初期化用磁界により補
助層の磁化を一方向に揃え、高出力レーザビームを照射
して媒体温度ＴをＴ＞Ｔc2（Ｔc2は補助層のキュリー温
度）なる温度迄昇温させ、記録用磁界（初期化用磁界と
反対方向）を印加して補助層の磁化を反転させ、媒体が
冷却される際にその磁化をメモリ層に転写させることに
より記録を行い、また、低出力レーザビームを照射して
媒体温度をＴc1＜Ｔ＜Ｔc2（Ｔc1はメモリ層のキュリー
温度）なる温度迄昇温させ、補助層の磁化方向をメモリ
層に転写させることにより消去を行う。そのためこの方
式では、初期化用磁石が必要になるなどの問題があっ
た。
【０００５】本発明は上記従来技術の実状に鑑みてなさ
れたものであって、初期化磁界を印加しないで信頼性良
くオーバーライトでき、再生特性が良い光磁気記録媒体
及び光磁気記録方法を提供することを目的とする。
れたものであって、初期化磁界を印加しないで信頼性良
くオーバーライトでき、再生特性が良い光磁気記録媒体
及び光磁気記録方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
するため、本発明によれば、垂直磁気異方性を示す第１
磁性層、第２磁性層及び第３磁性層を積層してなり、第
１磁性層の飽和磁化をＭs1、保磁力をＨc1、キュリー温
度をＴc1、膜厚をｔ1、第２磁性層の飽和磁化をＭs2、
保磁力をＨc2、補償温度をＴcomp2、キュリー温度をＴc
2、膜厚をｔ2、第３磁性層の保磁力をＨc3、補償温度を
Ｔcomp3、キュリー温度をＴ3、室温をＴroom、第１磁性
層及び第２磁性層間の界面磁壁エネルギーをσw1、第２
磁性層及び第３磁性層間の界面磁壁エネルギーをσw2と
したときに下記の条件を満足することを特徴とする光磁
気記録媒体。 Ｔroom＜Ｔcomp3≒Ｔc3＜Ｔc1＜Ｔcomp2＜Ｔc2 Ｈc1＞Ｈc2＞Ｈc3 Ｈc1＞σw1／２Ｍs1ｔ1 Ｈc2＜σw2／２Ｍs2ｔ2 が提供される。
するため、本発明によれば、垂直磁気異方性を示す第１
磁性層、第２磁性層及び第３磁性層を積層してなり、第
１磁性層の飽和磁化をＭs1、保磁力をＨc1、キュリー温
度をＴc1、膜厚をｔ1、第２磁性層の飽和磁化をＭs2、
保磁力をＨc2、補償温度をＴcomp2、キュリー温度をＴc
2、膜厚をｔ2、第３磁性層の保磁力をＨc3、補償温度を
Ｔcomp3、キュリー温度をＴ3、室温をＴroom、第１磁性
層及び第２磁性層間の界面磁壁エネルギーをσw1、第２
磁性層及び第３磁性層間の界面磁壁エネルギーをσw2と
したときに下記の条件を満足することを特徴とする光磁
気記録媒体。 Ｔroom＜Ｔcomp3≒Ｔc3＜Ｔc1＜Ｔcomp2＜Ｔc2 Ｈc1＞Ｈc2＞Ｈc3 Ｈc1＞σw1／２Ｍs1ｔ1 Ｈc2＜σw2／２Ｍs2ｔ2 が提供される。
【０００７】また、本発明によれば、上記構成におい
て、第１磁性層と第２磁性層との間及び／又は第２磁性
層と第３磁性との間に、両層間の交換結合力を調整する
ための中間層を設けたことを特徴とする記載の光磁気記
録媒体が提供される。
て、第１磁性層と第２磁性層との間及び／又は第２磁性
層と第３磁性との間に、両層間の交換結合力を調整する
ための中間層を設けたことを特徴とする記載の光磁気記
録媒体が提供される。
【０００８】また、本発明によれば、上記構成におい
て、第１磁性層及び第２磁性層がそれぞれ下記一般式化
１で表わされるアモルファス磁性膜から成ることを特徴
とする光磁気記録媒体が提供される。
て、第１磁性層及び第２磁性層がそれぞれ下記一般式化
１で表わされるアモルファス磁性膜から成ることを特徴
とする光磁気記録媒体が提供される。
【化１】 （但し、ＲＥ１はＴｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ及びＥｒのう
ちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ２はＣ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なくと
も１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ｘ≦
０．３５、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ≦０．５である）
ちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ２はＣ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なくと
も１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ｘ≦
０．３５、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ≦０．５である）
【０００９】また、本発明によれば、上記構成におい
て、第１磁性層の光入射側に隣接して第１磁性層より保
磁力が小さくキュリー温度が大きい垂直磁気異方性を示
す下記一般式化２で表わされるアモルファス磁性膜から
成る再生層を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体が
提供される。
て、第１磁性層の光入射側に隣接して第１磁性層より保
磁力が小さくキュリー温度が大きい垂直磁気異方性を示
す下記一般式化２で表わされるアモルファス磁性膜から
成る再生層を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体が
提供される。
【化２】 （但し、ＲＥ３はＴｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ及びＥｒのう
ちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ４はＣ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なくと
も１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ａ≦
０．３５、０≦ｂ≦０．４、０≦ｃ≦０．５である）
ちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ４はＣ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なくと
も１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ａ≦
０．３５、０≦ｂ≦０．４、０≦ｃ≦０．５である）
【００１０】また、本発明によれば、上記構成におい
て、第２磁性層の光入射側とは反対側の面に隣接して熱
伝導層を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体が提供
される。
て、第２磁性層の光入射側とは反対側の面に隣接して熱
伝導層を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体が提供
される。
【００１１】また、本発明によれば、上記のいずれかの
光磁気記録媒体を用い、初期化磁界を印加せずに、Ｔc1
付近迄昇温させて消去を行い、Ｔc2付近迄昇温させて記
録を行うことを特徴とする光磁気記録方法が提供され
る。
光磁気記録媒体を用い、初期化磁界を印加せずに、Ｔc1
付近迄昇温させて消去を行い、Ｔc2付近迄昇温させて記
録を行うことを特徴とする光磁気記録方法が提供され
る。
【００１２】さらに、本発明によれば、上記構成におい
て、第２磁性層の初期化をＴc1付近まで昇温する過程
で、下記条件を満足する記録用バイアス磁界Ｈbを用い
て行うことを特徴とする光磁気記録方法が提供される。 Ｈc1±σw1／２Ｍs1ｔ1＞Ｈb＞Ｈc3＋σw2／２Ｍs3ｔ3 （式中、Ｍs3は第３磁性層の飽和磁化、ｔ3は第３磁性
層の膜厚である）
て、第２磁性層の初期化をＴc1付近まで昇温する過程
で、下記条件を満足する記録用バイアス磁界Ｈbを用い
て行うことを特徴とする光磁気記録方法が提供される。 Ｈc1±σw1／２Ｍs1ｔ1＞Ｈb＞Ｈc3＋σw2／２Ｍs3ｔ3 （式中、Ｍs3は第３磁性層の飽和磁化、ｔ3は第３磁性
層の膜厚である）
【００１３】以下本発明を図面に基づき詳述する。図１
に本発明による光磁気記録媒体の一構成例を示す。この
構成例は、ガラス、プラスチック、セラミックなどから
成る透明基板１上にＳｉＯ2、ＳｉＯ、Ｓｉ3 Ｎ4、Ａｌ
Ｎなどから成る保護層（膜厚１００〜５０００Å）２を
設け、その上にそれぞれ垂直磁気異方性を示すアモルフ
ァス磁性膜から成る第１磁性層、第２磁性層４及び第３
磁性層５をその順に設け、さらにその上にＳｉＯ2、Ｓ
ｉＯ、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮなどから成る保護層（膜厚１０
０〜５０００Å）６を設けた構成を有する。各膜はスパ
ッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等により形成
することができる。
に本発明による光磁気記録媒体の一構成例を示す。この
構成例は、ガラス、プラスチック、セラミックなどから
成る透明基板１上にＳｉＯ2、ＳｉＯ、Ｓｉ3 Ｎ4、Ａｌ
Ｎなどから成る保護層（膜厚１００〜５０００Å）２を
設け、その上にそれぞれ垂直磁気異方性を示すアモルフ
ァス磁性膜から成る第１磁性層、第２磁性層４及び第３
磁性層５をその順に設け、さらにその上にＳｉＯ2、Ｓ
ｉＯ、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮなどから成る保護層（膜厚１０
０〜５０００Å）６を設けた構成を有する。各膜はスパ
ッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等により形成
することができる。
【００１４】第１磁性層３の構成材料としては下記式化
１で示される希土類−遷移金属系アモルファス合金が好
ましく使用される。
１で示される希土類−遷移金属系アモルファス合金が好
ましく使用される。
【化１】 （ただし、ＲＥ１はＴｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ及びＥｒの
うちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ２は
Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なく
とも１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ｘ≦
０．３５、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ≦０．５である）
うちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ２は
Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なく
とも１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ｘ≦
０．３５、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ≦０．５である）
【００１５】具体的には、Ｔｂ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｆｅ，Ｇ
ｄ−Ｔｂ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆ
ｅ，Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ
−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−
Ｃｏ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｈｏ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｔｂ−Ｅｒ−Ｆｅ−Ｃｏなどで上記条件を満足する
もの、及びこれらにＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及び
Ｅｕのうちの少なくとも１種類の軽希土類金属元素を添
加したものが使用される。特に、軽希土類金属元素を含
む組成の材料を用いた場合、短波長域の光源を用いて再
生したときの再生特性の低下が小さいという利点があ
る。第１磁性層３の膜厚ｔ1は１００〜２０００Åが適
当である。
ｄ−Ｔｂ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆ
ｅ，Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ
−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−
Ｃｏ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｈｏ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｔｂ−Ｅｒ−Ｆｅ−Ｃｏなどで上記条件を満足する
もの、及びこれらにＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及び
Ｅｕのうちの少なくとも１種類の軽希土類金属元素を添
加したものが使用される。特に、軽希土類金属元素を含
む組成の材料を用いた場合、短波長域の光源を用いて再
生したときの再生特性の低下が小さいという利点があ
る。第１磁性層３の膜厚ｔ1は１００〜２０００Åが適
当である。
【００１６】第２磁性層４の構成材料としては、第１磁
性層３と同様、下記一般式化１で表される希土類−遷移
金属系アモルファス合金が好ましく使用される。
性層３と同様、下記一般式化１で表される希土類−遷移
金属系アモルファス合金が好ましく使用される。
【化１】 （ただし、ＲＥ１はＴｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ及びＥｒの
うちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ２は
Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なく
とも１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ｘ≦
０．３５、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ≦０．５である）
うちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ２は
Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なく
とも１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ｘ≦
０．３５、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ≦０．５である）
【００１７】具体的には、Ｔｂ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｆｅ，Ｇ
ｄ−Ｔｂ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆ
ｅ，Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ
−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−
Ｃｏ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｈｏ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｔｂ−Ｅｒ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｎｄ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｔｂ−Ｓｍ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｅｕ−Ｆｅ−Ｃｏ
など、及びこれらにＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ及び
Ｅｕのうちの少なくとも一種類の軽希土類金属元素を添
加したものが使用される。この場合も、特に、軽希土類
金属元素を含む組成の材料を用いた場合、短波長域の光
源を用いて再生したときの再生特性の低下が小さいとい
う利点がある。第２磁性層４の膜厚ｔ2は１００〜３０
００Åが適当である。
ｄ−Ｔｂ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆ
ｅ，Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ
−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−
Ｃｏ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｈｏ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｔｂ−Ｅｒ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｎｄ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｔｂ−Ｓｍ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｅｕ−Ｆｅ−Ｃｏ
など、及びこれらにＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ及び
Ｅｕのうちの少なくとも一種類の軽希土類金属元素を添
加したものが使用される。この場合も、特に、軽希土類
金属元素を含む組成の材料を用いた場合、短波長域の光
源を用いて再生したときの再生特性の低下が小さいとい
う利点がある。第２磁性層４の膜厚ｔ2は１００〜３０
００Åが適当である。
【００１８】第３磁性層５の構成材料としては、第１磁
性層３及び第２磁性層５と同様、下記一般式化１で表さ
れる希土類−遷移金属系アモルファス合金が好ましく使
用される。
性層３及び第２磁性層５と同様、下記一般式化１で表さ
れる希土類−遷移金属系アモルファス合金が好ましく使
用される。
【化１】 （ただし、ＲＥ１はＴｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ及びＥｒの
うちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ２は
Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なく
とも１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ｘ≦
０．３５、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ≦０．５である）
うちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ２は
Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なく
とも１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ｘ≦
０．３５、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ≦０．５である）
【００１９】具体的には、Ｔｂ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｆｅ，Ｇ
ｄ−Ｔｂ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆ
ｅ，Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ
−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−
Ｃｏ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｈｏ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｔｂ−Ｅｒ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｎｄ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｔｂ−Ｓｍ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｅｕ−Ｆｅ−Ｃｏ
など、及びこれらにＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ及び
Ｅｕのうちの少なくとも一種類の軽希土類金属元素を添
加したものが使用される。この場合も、特に、軽希土類
金属元素を含む組成の材料を用いた場合、短波長域の光
源を用いて再生したときの再生特性の低下が小さいとい
う利点がある。第３磁性層４の膜厚ｔ3は１００〜３０
００Åが適当である。
ｄ−Ｔｂ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆ
ｅ，Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ
−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−
Ｃｏ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｈｏ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｔｂ−Ｅｒ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｎｄ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｔｂ−Ｓｍ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｅｕ−Ｆｅ−Ｃｏ
など、及びこれらにＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ及び
Ｅｕのうちの少なくとも一種類の軽希土類金属元素を添
加したものが使用される。この場合も、特に、軽希土類
金属元素を含む組成の材料を用いた場合、短波長域の光
源を用いて再生したときの再生特性の低下が小さいとい
う利点がある。第３磁性層４の膜厚ｔ3は１００〜３０
００Åが適当である。
【００２０】ここで第１磁性層３、第２磁性層４及び第
３磁性層５は、第１磁性層３の飽和磁化をＭs1、保磁力
をＨc1、キュリー温度をＴc1、膜厚をｔ1、第２磁性層
４の飽和磁化をＭs2、保磁力をＨc2、補償温度をＴcomp
2、キュリー温度をＴc2、膜厚をt2、第３磁性層５の保
磁力をＨc3、補償温度をＴcomp3、キュリー温度をＴ3、
室温をＴroom、第１磁性層３及び第２磁性層４間の界面
磁壁エネルギーをσw1、第２磁性層４及び第３磁性層５
間の界面磁壁エネルギーをσw2としたときに下記の条件
を満たしていなければならない。 Ｔroom＜Ｔcomp3≒Ｔc3＜Ｔc1＜Ｔcomp2＜Ｔc2 …（１） Ｈc1＞Ｈc2＞Ｈc3 …（２） Ｈc1＞σw1／２Ｍs1ｔ1 …（３） Ｈc2＜σw2／２Ｍs2ｔ2 …（４）
３磁性層５は、第１磁性層３の飽和磁化をＭs1、保磁力
をＨc1、キュリー温度をＴc1、膜厚をｔ1、第２磁性層
４の飽和磁化をＭs2、保磁力をＨc2、補償温度をＴcomp
2、キュリー温度をＴc2、膜厚をt2、第３磁性層５の保
磁力をＨc3、補償温度をＴcomp3、キュリー温度をＴ3、
室温をＴroom、第１磁性層３及び第２磁性層４間の界面
磁壁エネルギーをσw1、第２磁性層４及び第３磁性層５
間の界面磁壁エネルギーをσw2としたときに下記の条件
を満たしていなければならない。 Ｔroom＜Ｔcomp3≒Ｔc3＜Ｔc1＜Ｔcomp2＜Ｔc2 …（１） Ｈc1＞Ｈc2＞Ｈc3 …（２） Ｈc1＞σw1／２Ｍs1ｔ1 …（３） Ｈc2＜σw2／２Ｍs2ｔ2 …（４）
【００２１】先ず、上記（１）の条件について説明する
と、第２磁性層４の磁化を第１磁性層３へ磁化転写し
て、第１磁性層３に磁化をメモリさせるため、Ｔc2はＴ
c1より大きく、当然Ｔc1とＴc2はＴroomより大きくなけ
ればならない。また、記録バイアス磁界のみで記録と消
去を行うため、Ｔcomp2はＴc1より大きく、Ｔc2より小
さくなければならない。さらに、記録バイアス磁界を用
いての初期化を確実に行うため、Ｔc3とＴcomp3はほぼ
等しく（｜Ｔc3−Ｔcomp3｜＜２０℃）、当然Ｔc3とＴc
omp3はＴroomより大きくなければならない。Ｔc1は１３
０〜２００℃が適当であり、Ｔc2は２００〜３００℃が
適当であり、Ｔc3は７０〜１３０℃が適当である。
と、第２磁性層４の磁化を第１磁性層３へ磁化転写し
て、第１磁性層３に磁化をメモリさせるため、Ｔc2はＴ
c1より大きく、当然Ｔc1とＴc2はＴroomより大きくなけ
ればならない。また、記録バイアス磁界のみで記録と消
去を行うため、Ｔcomp2はＴc1より大きく、Ｔc2より小
さくなければならない。さらに、記録バイアス磁界を用
いての初期化を確実に行うため、Ｔc3とＴcomp3はほぼ
等しく（｜Ｔc3−Ｔcomp3｜＜２０℃）、当然Ｔc3とＴc
omp3はＴroomより大きくなければならない。Ｔc1は１３
０〜２００℃が適当であり、Ｔc2は２００〜３００℃が
適当であり、Ｔc3は７０〜１３０℃が適当である。
【００２２】次に、上記（２）の条件について説明する
と、Ｈc1≦Ｈc2になると第１磁性層３の磁化がバイアス
磁界や外部磁界により磁化反転させられることになるた
め、Ｈc1＞Ｈc2でなければならない。また記録バイアス
磁界を用いての第２磁性層４の初期化を確実に行うため
に第３磁性層５の磁化を利用するため、Ｈc2＞Ｈc3でな
ければならない。
と、Ｈc1≦Ｈc2になると第１磁性層３の磁化がバイアス
磁界や外部磁界により磁化反転させられることになるた
め、Ｈc1＞Ｈc2でなければならない。また記録バイアス
磁界を用いての第２磁性層４の初期化を確実に行うため
に第３磁性層５の磁化を利用するため、Ｈc2＞Ｈc3でな
ければならない。
【００２３】次に、上記（３）及び（４）の条件につい
て説明する。Ｈc1は室温Ｔroomでの第１磁性層３の磁化
が交換結合力により第２磁性層４の磁化方向を向かない
ように（３）式を満たしていなければならない。またＨ
c2は第１磁性層３の磁化と第２磁性層４の磁化とが交換
結合力により常に安定になるようにするため（４）式を
満たしていなければならない。Ｈc1は５ＫＯe以下が適
当であり、Ｈc2は０．５〜３ＫＯeが適当であり、Ｈc3
は０．５ＫＯe以下が適当である。Ｍs1は０〜１５０ｅ
ｍｕ／ｃｃが適当であり、Ｍs2は１００〜３００ｅｍｕ
／ｃｃが適当である。上記の（１）〜（４）の条件を満
足するものは、記録バイアス磁界のみを用いて第２磁性
層４の磁化方向をレーザ照射温度により変えることがで
き、その磁化を第１磁性層３に交換結合力により磁化転
写できるため、初期化磁界なしにオーバーライトを行う
ことが可能となる。
て説明する。Ｈc1は室温Ｔroomでの第１磁性層３の磁化
が交換結合力により第２磁性層４の磁化方向を向かない
ように（３）式を満たしていなければならない。またＨ
c2は第１磁性層３の磁化と第２磁性層４の磁化とが交換
結合力により常に安定になるようにするため（４）式を
満たしていなければならない。Ｈc1は５ＫＯe以下が適
当であり、Ｈc2は０．５〜３ＫＯeが適当であり、Ｈc3
は０．５ＫＯe以下が適当である。Ｍs1は０〜１５０ｅ
ｍｕ／ｃｃが適当であり、Ｍs2は１００〜３００ｅｍｕ
／ｃｃが適当である。上記の（１）〜（４）の条件を満
足するものは、記録バイアス磁界のみを用いて第２磁性
層４の磁化方向をレーザ照射温度により変えることがで
き、その磁化を第１磁性層３に交換結合力により磁化転
写できるため、初期化磁界なしにオーバーライトを行う
ことが可能となる。
【００２４】上記構成例では記録層を二層構造とした
が、本発明によれば、図２に示すように、第１磁性層３
と第２磁性層４との間の交換結合力及び／又は第２磁性
層４と第３磁性層５との間の交換結合力をコントロール
する目的で、これらの層間に中間層７及び／又は中間層
８を設けてもよい。中間層７、８の材料としては、第１
磁性層３、第２磁性層４及び第３磁性層５を劣化させな
いもので、非磁性材料の垂直磁気異方性の小さい磁性材
料が好ましい。具体的には、希土類金属−遷移金属系ア
モルファス磁性膜はもちろんのこと、Ｓｉ，Ａｌ，Ａ
ｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｓｉ−Ｎ，
Ａｌ−Ｎ，Ｆｅ−Ｎ，ＳｉＯ，ＳｉＯ2，Ｆｅ−Ｃｏ，
Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｎｄ等を挙げることができる。中間
層７、８の膜厚は薄すぎると交換結合力の調整効果は得
られず、厚すぎると両磁性層間の交換結合力が小さくな
りすぎ記録及び消去に支障をきたすので、数Å〜５００
Å程度が適当である。中間層７、８は、スパッタ法、蒸
着法、イオンプレーティング法等により形成することが
できる。
が、本発明によれば、図２に示すように、第１磁性層３
と第２磁性層４との間の交換結合力及び／又は第２磁性
層４と第３磁性層５との間の交換結合力をコントロール
する目的で、これらの層間に中間層７及び／又は中間層
８を設けてもよい。中間層７、８の材料としては、第１
磁性層３、第２磁性層４及び第３磁性層５を劣化させな
いもので、非磁性材料の垂直磁気異方性の小さい磁性材
料が好ましい。具体的には、希土類金属−遷移金属系ア
モルファス磁性膜はもちろんのこと、Ｓｉ，Ａｌ，Ａ
ｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｓｉ−Ｎ，
Ａｌ−Ｎ，Ｆｅ−Ｎ，ＳｉＯ，ＳｉＯ2，Ｆｅ−Ｃｏ，
Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｎｄ等を挙げることができる。中間
層７、８の膜厚は薄すぎると交換結合力の調整効果は得
られず、厚すぎると両磁性層間の交換結合力が小さくな
りすぎ記録及び消去に支障をきたすので、数Å〜５００
Å程度が適当である。中間層７、８は、スパッタ法、蒸
着法、イオンプレーティング法等により形成することが
できる。
【００２５】また、本発明の光磁気記録媒体では、図３
に示すように、第１磁性層３の光入射側に隣接して、第
１磁性層３より保磁力Ｈcが小さく、キュリー温度Ｔcが
大きい垂直磁気異方性を示すアモルファス磁性膜から成
る再生層９を設けることができる。
に示すように、第１磁性層３の光入射側に隣接して、第
１磁性層３より保磁力Ｈcが小さく、キュリー温度Ｔcが
大きい垂直磁気異方性を示すアモルファス磁性膜から成
る再生層９を設けることができる。
【００２６】再生層９の材料としては、下記一般式化２
で表わされる磁気光学効果の大きい希土類−遷移金属系
アモルファス合金が好ましく使用される。
で表わされる磁気光学効果の大きい希土類−遷移金属系
アモルファス合金が好ましく使用される。
【００２７】
【化２】 （但し、ＲＥ３はＴｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ及びＥｒのう
ちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ４はＣ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なくと
も１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ａ≦
０．３５、０≦ｂ≦０．４、０≦ｃ≦０．５である）
ちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ４はＣ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なくと
も１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ａ≦
０．３５、０≦ｂ≦０．４、０≦ｃ≦０．５である）
【００２８】具体的には、Ｔｂ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｆｅ、Ｇ
ｄ−Ｔｂ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆ
ｅ、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ
−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−
Ｃｏ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｈｏ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ、Ｔｂ−Ｅｒ−Ｆｅ−Ｃｏなど、及びこれらにＣｅ、
Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ及びＥｕのうちの少なくとも１
種類の軽希土類元素を添加したものが使用される。再生
層の膜厚は、光を透過することができる位に薄くする必
要があり、６００Å以下が最適である。再生層９は、ス
パッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等により形
成することができる。再生層９は、再生特性を向上させ
る役目をもつ。この場合、再生層９の磁化は、第１磁性
層３の磁化情報を転写した状態になっていないといけな
いため、再生層９の保磁力Ｈcrは小さく、Ｈcr＜Ｈc1と
いう条件を満足してないといけない。Ｈcrは０．１〜２
ＫＯeであるのが好ましい。また、第１磁性層３の磁化
情報がなくなる前に再生層９の磁化情報がなくなると読
取りエラーになるため、再生層９のキュリー温度Ｔcr
は、Ｔcr＞Ｔc1という条件を満足してないといけない。
Ｔcrは１２０〜３００℃であるのが好ましい。再生層９
に転写された磁化情報は、再生レーザ光を用いて磁気光
学効果を利用して読出す。このとき、再生層９は磁気光
学効果の大きい材料から成っているうえ、再生層９の膜
厚は光が透過できる位に薄く（６００Å以下）なってい
るため、カー効果だけでなく、ファラデー効果を利用す
ることができ、磁気光学効果がエンハンスされ、再生特
性を向上させることができる。
ｄ−Ｔｂ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆ
ｅ、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ
−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−
Ｃｏ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｈｏ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ、Ｔｂ−Ｅｒ−Ｆｅ−Ｃｏなど、及びこれらにＣｅ、
Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ及びＥｕのうちの少なくとも１
種類の軽希土類元素を添加したものが使用される。再生
層の膜厚は、光を透過することができる位に薄くする必
要があり、６００Å以下が最適である。再生層９は、ス
パッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等により形
成することができる。再生層９は、再生特性を向上させ
る役目をもつ。この場合、再生層９の磁化は、第１磁性
層３の磁化情報を転写した状態になっていないといけな
いため、再生層９の保磁力Ｈcrは小さく、Ｈcr＜Ｈc1と
いう条件を満足してないといけない。Ｈcrは０．１〜２
ＫＯeであるのが好ましい。また、第１磁性層３の磁化
情報がなくなる前に再生層９の磁化情報がなくなると読
取りエラーになるため、再生層９のキュリー温度Ｔcr
は、Ｔcr＞Ｔc1という条件を満足してないといけない。
Ｔcrは１２０〜３００℃であるのが好ましい。再生層９
に転写された磁化情報は、再生レーザ光を用いて磁気光
学効果を利用して読出す。このとき、再生層９は磁気光
学効果の大きい材料から成っているうえ、再生層９の膜
厚は光が透過できる位に薄く（６００Å以下）なってい
るため、カー効果だけでなく、ファラデー効果を利用す
ることができ、磁気光学効果がエンハンスされ、再生特
性を向上させることができる。
【００２９】また、本発明の光磁気記録媒体では、図４
に示すように、第２磁性層４の光入射側とは反対の面に
隣接して、熱伝導層１０を設けることができる。この熱
伝導層１０は熱の横方向への拡がりを少なくし、記録磁
区形状を均一なものにして再生特性を向上させる役目を
もつ。熱伝導層１０の材料としてはＡｌ，Ｃｕ，Ａｕ，
Ａｇ，Ｐｔ，ＳｉＣ，ＡｌＮ等があげられる。熱伝導層
１０の膜厚は１００〜３０００Åが好ましく、スパッタ
法、蒸着法、イオンプレーティング法等により形成する
ことができる。このような構成にすると、記録の際、熱
伝導層１０がヒートシンク層としての役割を果たし、各
磁性層の膜温度の横方向への拡がりが少なくなり、記録
磁区の前縁の形状と後縁の形状が異なるとか、記録磁区
の長さが実際の記録パターンより長く伸びてしまう等の
不具合点がなくなり、均一な磁区形状になり、再生特性
が改良される。また、熱の横への拡がりがないため微小
な磁区の記録も可能になり、高密度記録にも適するもの
となる。
に示すように、第２磁性層４の光入射側とは反対の面に
隣接して、熱伝導層１０を設けることができる。この熱
伝導層１０は熱の横方向への拡がりを少なくし、記録磁
区形状を均一なものにして再生特性を向上させる役目を
もつ。熱伝導層１０の材料としてはＡｌ，Ｃｕ，Ａｕ，
Ａｇ，Ｐｔ，ＳｉＣ，ＡｌＮ等があげられる。熱伝導層
１０の膜厚は１００〜３０００Åが好ましく、スパッタ
法、蒸着法、イオンプレーティング法等により形成する
ことができる。このような構成にすると、記録の際、熱
伝導層１０がヒートシンク層としての役割を果たし、各
磁性層の膜温度の横方向への拡がりが少なくなり、記録
磁区の前縁の形状と後縁の形状が異なるとか、記録磁区
の長さが実際の記録パターンより長く伸びてしまう等の
不具合点がなくなり、均一な磁区形状になり、再生特性
が改良される。また、熱の横への拡がりがないため微小
な磁区の記録も可能になり、高密度記録にも適するもの
となる。
【００３０】なお、本発明で用いる光磁気記録媒体の層
構成は図１〜図４に示すものに限定されるものでなく種
々の変形、変更が可能である。
構成は図１〜図４に示すものに限定されるものでなく種
々の変形、変更が可能である。
【００３１】次に本発明の光磁気記録方法について説明
する。本発明の方法では、Ｔc1付近迄温度上昇する過程
で下記条件を満足するバイアス磁界Ｈbを付与し、初期
化磁界を印加しないで、消去を行い、Ｔc1付近間迄昇温
させて記録を行う。 Ｈc1±σw1／２Ｍs1ｔ1＞Ｈb＞Ｈc3＋σw2／２Ｍs3ｔ3 （５）
する。本発明の方法では、Ｔc1付近迄温度上昇する過程
で下記条件を満足するバイアス磁界Ｈbを付与し、初期
化磁界を印加しないで、消去を行い、Ｔc1付近間迄昇温
させて記録を行う。 Ｈc1±σw1／２Ｍs1ｔ1＞Ｈb＞Ｈc3＋σw2／２Ｍs3ｔ3 （５）
【００３２】図５は本発明の方法による記録及び消去を
説明するための図である。本発明において消去を行うと
きには、低いレーザパワー（ＰL）を照射し、膜温度Ｔ
をＴc1付近（Ｔc1−２０≦Ｔ≦Ｔc1＋２０［℃］）迄上
げて行う。レーザ照射を行う前は第１磁性層３では前に
記録された方向に磁化は向いており、第２磁性層４では
第１磁性層３の磁化による交換結合力によりエネルギー
的に安定な方向に磁化が向いており、第３磁性層５では
第２磁性層４の磁化による交換結合力により第２磁性層
４の磁化と同じ方向に磁化が向いている。そこへレーザ
照射を行うと、第３磁性層５の磁化は昇温過程でバイア
ス磁界Ｈb方向に向き、それに伴ない、交換結合力によ
り第２磁性層４の磁化は第３磁性層５の磁化と同方向
（バイアス磁界Ｈb方向）を向く。Ｔc1付近ではＨc2は
非常に大きくなるので、そのまま凍結される。そのとき
第１磁性層３の磁化は徐々に小さくなり、Ｔc1でゼロに
なる。また、第３磁性層５はＴc3より温度が高くなって
いるため、その磁化もゼロになってしまう。そのあとレ
ーザ照射が終り、膜温度が降下する際に、第２磁性層４
の磁化が交換結合力により第１磁性層３へ磁化転写さ
れ、室温ＴroomにもどったときにはＨc1は非常に大きい
ため、そのまま凍結される。逆に第２磁性層４はＨc2が
小さいので、室温Ｔroom付近では第１磁性層３の磁化と
の交換結合力によりエネルギー的に安定な方向に磁化が
向き、第３磁性層５も降温過程で第２磁性層４との交換
結合力により、第２磁性層４の磁化と同じ方向に磁化が
向く。以上のようにして消去がなされる。
説明するための図である。本発明において消去を行うと
きには、低いレーザパワー（ＰL）を照射し、膜温度Ｔ
をＴc1付近（Ｔc1−２０≦Ｔ≦Ｔc1＋２０［℃］）迄上
げて行う。レーザ照射を行う前は第１磁性層３では前に
記録された方向に磁化は向いており、第２磁性層４では
第１磁性層３の磁化による交換結合力によりエネルギー
的に安定な方向に磁化が向いており、第３磁性層５では
第２磁性層４の磁化による交換結合力により第２磁性層
４の磁化と同じ方向に磁化が向いている。そこへレーザ
照射を行うと、第３磁性層５の磁化は昇温過程でバイア
ス磁界Ｈb方向に向き、それに伴ない、交換結合力によ
り第２磁性層４の磁化は第３磁性層５の磁化と同方向
（バイアス磁界Ｈb方向）を向く。Ｔc1付近ではＨc2は
非常に大きくなるので、そのまま凍結される。そのとき
第１磁性層３の磁化は徐々に小さくなり、Ｔc1でゼロに
なる。また、第３磁性層５はＴc3より温度が高くなって
いるため、その磁化もゼロになってしまう。そのあとレ
ーザ照射が終り、膜温度が降下する際に、第２磁性層４
の磁化が交換結合力により第１磁性層３へ磁化転写さ
れ、室温ＴroomにもどったときにはＨc1は非常に大きい
ため、そのまま凍結される。逆に第２磁性層４はＨc2が
小さいので、室温Ｔroom付近では第１磁性層３の磁化と
の交換結合力によりエネルギー的に安定な方向に磁化が
向き、第３磁性層５も降温過程で第２磁性層４との交換
結合力により、第２磁性層４の磁化と同じ方向に磁化が
向く。以上のようにして消去がなされる。
【００３３】本発明において記録を行うときには、高い
レーザパワー（ＰH）を照射し、膜温度ＴをＴc2付近
（Ｔc2−２０≦Ｔ≦Ｔc2＋３０［℃］）迄上げて行う。
膜温度ＴをＴc2付近まで上げると第１磁性層３及び第３
磁性層５の磁化はゼロになり、第２磁性層４の磁化もゼ
ロに近づく。このため第２磁性層４は、バイアス磁界Ｈ
b方向に磁化反転（記録）され、冷却過程で凍結され
る。温度降下してＴcomp2を通る際に、副格子磁化がＴ
ＭドミナントからＲＥドミナントに変化するため、全体
の磁化は再び反転する。そして、さらに温度降下してＴ
c1付近を通るときに、交換結合力により第２磁性層４か
ら第１磁性層３へ磁化転写され、室温Ｔroomで第１磁性
層３の磁化は凍結される。第２磁性層４の磁化は、室温
Ｔroom付近で、第１磁性層３の磁化との交換結合力によ
りエネルギー的に安定な方向に向く。第３磁性層５は降
温過程で第２磁性層４との交換結合力により第２磁性層
３の磁化と同じ方向に磁化が向く。以上のようにして記
録がなされる。
レーザパワー（ＰH）を照射し、膜温度ＴをＴc2付近
（Ｔc2−２０≦Ｔ≦Ｔc2＋３０［℃］）迄上げて行う。
膜温度ＴをＴc2付近まで上げると第１磁性層３及び第３
磁性層５の磁化はゼロになり、第２磁性層４の磁化もゼ
ロに近づく。このため第２磁性層４は、バイアス磁界Ｈ
b方向に磁化反転（記録）され、冷却過程で凍結され
る。温度降下してＴcomp2を通る際に、副格子磁化がＴ
ＭドミナントからＲＥドミナントに変化するため、全体
の磁化は再び反転する。そして、さらに温度降下してＴ
c1付近を通るときに、交換結合力により第２磁性層４か
ら第１磁性層３へ磁化転写され、室温Ｔroomで第１磁性
層３の磁化は凍結される。第２磁性層４の磁化は、室温
Ｔroom付近で、第１磁性層３の磁化との交換結合力によ
りエネルギー的に安定な方向に向く。第３磁性層５は降
温過程で第２磁性層４との交換結合力により第２磁性層
３の磁化と同じ方向に磁化が向く。以上のようにして記
録がなされる。
【００３４】このように本発明の光磁気記録方法では、
初期化磁界を印加しないで記録及び消去が行え、かつ室
温Ｔroomでは磁性層間に界面磁壁が存在する状態にはな
らないので、記録磁区の安定性に優れている。
初期化磁界を印加しないで記録及び消去が行え、かつ室
温Ｔroomでは磁性層間に界面磁壁が存在する状態にはな
らないので、記録磁区の安定性に優れている。
【００３５】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はここに例示の実施例に限定されるものではな
い。
本発明はここに例示の実施例に限定されるものではな
い。
【００３６】実施例１及び比較例 グルーブ付きポリカーボネート（ＰＣ）基板（直径１３
０ｍｍ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層し、光磁気記録媒体を作製した。 −比較例の層構成− 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （８００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.5Ｔｂ0.5)0.19(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.81 (１５００Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å） −実施例１の層構成− 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （８００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.8Ｔｂ0.2)0.28(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.72 (５００Å) 第３磁性層：Ｄｙ0.27(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.73 (１００
０Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
０ｍｍ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層し、光磁気記録媒体を作製した。 −比較例の層構成− 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （８００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.5Ｔｂ0.5)0.19(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.81 (１５００Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å） −実施例１の層構成− 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （８００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.8Ｔｂ0.2)0.28(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.72 (５００Å) 第３磁性層：Ｄｙ0.27(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.73 (１００
０Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
【００３７】比較例の媒体の磁気特性を表１に、実施例
１の磁気特性を表２にそれぞれ示す。
１の磁気特性を表２にそれぞれ示す。
【表１】
【００３８】
【表２】
【００３９】また、σwについては比較例の媒体では
１．５ｅｒｇ／ｃｍ2、実施例１の媒体ではσw1＝１．
４ｅｒｇ／ｃｍ2、σw2＝１．５ｅｒｇ／ｃｍ2であり、
σw／２Ｍs1ｔ1については比較例の媒体では４．４ＫＯ
eであり、実施例１の媒体ではσw1／２Ｍs1ｔ1＝４．１
ＫＯe、σw2／２Ｍs2ｔ2＝１．２ＫＯeであった。
１．５ｅｒｇ／ｃｍ2、実施例１の媒体ではσw1＝１．
４ｅｒｇ／ｃｍ2、σw2＝１．５ｅｒｇ／ｃｍ2であり、
σw／２Ｍs1ｔ1については比較例の媒体では４．４ＫＯ
eであり、実施例１の媒体ではσw1／２Ｍs1ｔ1＝４．１
ＫＯe、σw2／２Ｍs2ｔ2＝１．２ＫＯeであった。
【００４０】上記で作製した比較例及び実施例１の媒体
につき、比較例の媒体については４ＫＯeの初期化磁界
を印加し、実施例１の媒体については初期化磁界を印加
しないで、下記の条件でオーバーライト特性を測定し、
比較した。バイアス磁界Ｈbについては前述の（５）式
を満足するよう０．５ＫＯeの磁界を図５に示す方向に
印加した。また、１２ｍＷのレーザ照射で媒体温度は約
２８０℃まで昇温し、６ｍＷのレーザ照射で媒体温度は
約１８０℃まで昇温した。 記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ
につき、比較例の媒体については４ＫＯeの初期化磁界
を印加し、実施例１の媒体については初期化磁界を印加
しないで、下記の条件でオーバーライト特性を測定し、
比較した。バイアス磁界Ｈbについては前述の（５）式
を満足するよう０．５ＫＯeの磁界を図５に示す方向に
印加した。また、１２ｍＷのレーザ照射で媒体温度は約
２８０℃まで昇温し、６ｍＷのレーザ照射で媒体温度は
約１８０℃まで昇温した。 記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ
【００４１】比較例及び実施例１の媒体について上記条
件で１ＭＨｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎ及び
この上に２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ
／Ｎを表３に示す。
件で１ＭＨｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎ及び
この上に２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ
／Ｎを表３に示す。
【表３】
【００４２】上記本結果より、本発明による実施例１の
媒体は初期化磁界を用いなくとも、初期化磁界を用いた
比較例の媒体と同等のオーバーライト特性が得られるこ
とが分かった。なお、比較例の媒体では初期化磁界を用
いない場合にはオーバーライトはできなかった。
媒体は初期化磁界を用いなくとも、初期化磁界を用いた
比較例の媒体と同等のオーバーライト特性が得られるこ
とが分かった。なお、比較例の媒体では初期化磁界を用
いない場合にはオーバーライトはできなかった。
【００４３】実施例２ グルーブ付きポリカーボネート（ＰＣ）基板（直径１３
０ｍｍ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層して光磁気記録媒体を作製した。 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （８００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 中間層 ：Ｇｄ0.35(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)0.65 (１０
０Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.8Ｔｂ0.2)0.28(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.72 (５００Å) 中間層 ：Ｇｄ0.35(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)0.65 (５０
Å) 第３磁性層：Ｄｙ0.27(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.73 (１０００
Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
０ｍｍ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層して光磁気記録媒体を作製した。 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （８００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 中間層 ：Ｇｄ0.35(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)0.65 (１０
０Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.8Ｔｂ0.2)0.28(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.72 (５００Å) 中間層 ：Ｇｄ0.35(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)0.65 (５０
Å) 第３磁性層：Ｄｙ0.27(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.73 (１０００
Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
【００４４】第１磁性層、第２磁性層及び第３磁性層の
磁気特性は、それぞれ実施例１の場合と同じであった。
磁気特性は、それぞれ実施例１の場合と同じであった。
【００４５】この媒体のオーバーライト特性を初期化磁
界を印加しないで下記の条件で評価した。 記録時のレーザパワー： １２ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ バイアス磁界Ｈb ：０．５ＫＯe
界を印加しないで下記の条件で評価した。 記録時のレーザパワー： １２ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ バイアス磁界Ｈb ：０．５ＫＯe
【００４６】上記の条件で実施例２の媒体について１Ｍ
Ｈｚの信号を記録再生したときのＣ／Ｎ及びこの上に２
ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／Ｎを表４
に示す。
Ｈｚの信号を記録再生したときのＣ／Ｎ及びこの上に２
ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／Ｎを表４
に示す。
【表４】
【００４７】本結果より、第１磁性層と第２磁性層との
間及び第２磁性層と第３磁性層との間にそれぞれに中間
層を設けた場合には、設けない場合（実施例１参照）よ
りさらにオーバーライト特性が良くなることが分かっ
た。
間及び第２磁性層と第３磁性層との間にそれぞれに中間
層を設けた場合には、設けない場合（実施例１参照）よ
りさらにオーバーライト特性が良くなることが分かっ
た。
【００４８】実施例３ グルーブ付きポリカーボネート（ＰＣ）基板（直径１３
０ｍｍ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層し光磁気記録媒体を作製した。 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （８００Å） 第１磁性層：(Ｎｄ0.2Ｔｂ0.8)0.22(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.
78 (５００Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.8Ｔｂ0.2)0.28(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.72 (５００Å) 第３磁性層：Ｄｙ0.27(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.73 (１０００
Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
０ｍｍ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層し光磁気記録媒体を作製した。 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （８００Å） 第１磁性層：(Ｎｄ0.2Ｔｂ0.8)0.22(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.
78 (５００Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.8Ｔｂ0.2)0.28(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.72 (５００Å) 第３磁性層：Ｄｙ0.27(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.73 (１０００
Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
【００４９】第１磁性層、第２磁性層及び第３磁性層の
磁気特性は以下のようになった。
磁気特性は以下のようになった。
【表５】
【００５０】実施例３の媒体について初期化磁界を印加
しないで下記の条件でオーバーライト特性を評価した。
バイアス磁界Ｈbについては前述の（５）式を満足する
よう０．５ＫＯeの磁界を図５に示す方向に印加した。 記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ
しないで下記の条件でオーバーライト特性を評価した。
バイアス磁界Ｈbについては前述の（５）式を満足する
よう０．５ＫＯeの磁界を図５に示す方向に印加した。 記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ
【００５１】上記の条件で実施例３の媒体について１Ｍ
Ｈｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎ及びこの上に
２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／Ｎを表
６に示す。
Ｈｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎ及びこの上に
２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／Ｎを表
６に示す。
【表６】
【００５２】上記結果より、第１磁性層に軽希土類元素
を添加した場合でも、実施例１の媒体と同等のオーバー
ライト特性が得られることが分かった。本実施例のよう
に軽希土類元素を添加した場合には、レーザ光の波長が
短くなった場合でも磁気光効果の落込みが小さいので有
利である。
を添加した場合でも、実施例１の媒体と同等のオーバー
ライト特性が得られることが分かった。本実施例のよう
に軽希土類元素を添加した場合には、レーザ光の波長が
短くなった場合でも磁気光効果の落込みが小さいので有
利である。
【００５４】実施例４ グルーブ付きポリカーボネート（ＰＣ）基板（直径１３
０ｍｍ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層し光磁気記録媒を作製した。 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （８００Å） 再生層 ：(Ｇｄ0.5Ｔｂ0.5)0.22(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.
78 (３００Å) 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.8Ｔｂ0.2)0.28(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.72 (５００Å) 第３磁性層：Ｄｙ0.27(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.73 (１０００
Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
０ｍｍ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層し光磁気記録媒を作製した。 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （８００Å） 再生層 ：(Ｇｄ0.5Ｔｂ0.5)0.22(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.
78 (３００Å) 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.8Ｔｂ0.2)0.28(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.72 (５００Å) 第３磁性層：Ｄｙ0.27(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.73 (１０００
Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
【００５５】再生層、第１磁性層、第２磁性層及び第３
磁性層の磁気特性は以下のようになった。
磁性層の磁気特性は以下のようになった。
【表７】
【００５６】実施例４の媒体について初期化磁界を印加
しないで下記の条件でオーバーライト特性を評価した。
バイアス磁界Ｈbについては前述の（５）式を満足する
よう０．５ＫＯeの磁界を図５に示す方向に印加した。 記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ
しないで下記の条件でオーバーライト特性を評価した。
バイアス磁界Ｈbについては前述の（５）式を満足する
よう０．５ＫＯeの磁界を図５に示す方向に印加した。 記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ
【００５７】上記の条件で実施例４の媒体について１Ｍ
Ｈｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎ及びこの上に
２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／Ｎを表
８に示す。
Ｈｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎ及びこの上に
２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／Ｎを表
８に示す。
【表８】
【００５８】上記結果より、再生層を設けた方が実施例
１〜３の媒体に比べ再生Ｃ／Ｎがさらに一層高くなり、
オーバーライト特性も良いことが分かった。
１〜３の媒体に比べ再生Ｃ／Ｎがさらに一層高くなり、
オーバーライト特性も良いことが分かった。
【００５９】実施例５ グルーブ付きポリカーボネート（ＰＣ）基板（直径１３
０ｍｍ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層し光磁気記録媒体を作製した。 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （８００Å） 再生層 ：(Ｎｄ0.2Ｇｄ0.4Ｔｂ0.4)0.23(Ｆｅ0.9Ｃ
ｏ0.1)0.77(３００Å) 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.8Ｔｂ0.2)0.28(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.72 (５００Å) 第３磁性層：Ｄｙ0.27(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.73 (１０００
Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
０ｍｍ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層し光磁気記録媒体を作製した。 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （８００Å） 再生層 ：(Ｎｄ0.2Ｇｄ0.4Ｔｂ0.4)0.23(Ｆｅ0.9Ｃ
ｏ0.1)0.77(３００Å) 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.8Ｔｂ0.2)0.28(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.72 (５００Å) 第３磁性層：Ｄｙ0.27(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.73 (１０００
Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
【００６０】再生層、第１磁性層、第２磁性層及び第３
磁性層の磁気特性は以下のようになった。
磁性層の磁気特性は以下のようになった。
【表９】
【００６１】実施例５の媒体について初期化磁界を印加
しないで下記の条件でオーバーライト特性を評価した。
バイアス磁界Ｈbについては前述の（５）式を満足する
よう０．５ＫＯeの磁界を図５に示す方向に印加した。 記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ
しないで下記の条件でオーバーライト特性を評価した。
バイアス磁界Ｈbについては前述の（５）式を満足する
よう０．５ＫＯeの磁界を図５に示す方向に印加した。 記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ
【００６２】上記の条件で実施例５の媒体について１Ｍ
Ｈｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎ及びこの上に
２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／Ｎを表
１０に示す。
Ｈｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎ及びこの上に
２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／Ｎを表
１０に示す。
【表１０】
【００６３】上記結果より、再生層に軽希土類元素を添
加した場合でも再生層を設けない実施例１よりＣ／Ｎが
さらに高くなり、オーバーライト特性も良いことが分か
った。再生層に軽希土類金属を添加すると、レーザ光の
波長が短くなった場合でも磁気光学効果の落込みが小さ
いので有利である。
加した場合でも再生層を設けない実施例１よりＣ／Ｎが
さらに高くなり、オーバーライト特性も良いことが分か
った。再生層に軽希土類金属を添加すると、レーザ光の
波長が短くなった場合でも磁気光学効果の落込みが小さ
いので有利である。
【００６４】実施例６ グルーブ付きポリカーボネート（ＰＣ）基板（直径１３
０ｍｍφ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜
を真空中で連続的に積層し光磁気記録媒体を作製した。 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （８００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.8Ｔｂ0.2)0.28(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.72 (５００Å) 第３磁性層：Ｄｙ0.27(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.73 (１０００
Å) 熱伝導層 ：Ａｌ （１０００Å） 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
０ｍｍφ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜
を真空中で連続的に積層し光磁気記録媒体を作製した。 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （８００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.8Ｔｂ0.2)0.28(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.72 (５００Å) 第３磁性層：Ｄｙ0.27(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.73 (１０００
Å) 熱伝導層 ：Ａｌ （１０００Å） 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
【００６５】第１磁性層、第２磁性層及び第３磁性層の
磁気特性は実施例１と同じであった。
磁気特性は実施例１と同じであった。
【００６６】実施例６の媒体について初期化磁界を印加
しないで下記の条件でオーバーライト特性を評価した。
バイアス磁界Ｈbについては前述の（５）式を満足する
よう０．５ＫＯeの磁界を図５に示す方向に印加した。 記録時のレーザパワー：１３ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ
しないで下記の条件でオーバーライト特性を評価した。
バイアス磁界Ｈbについては前述の（５）式を満足する
よう０．５ＫＯeの磁界を図５に示す方向に印加した。 記録時のレーザパワー：１３ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ
【００６７】上記の条件で実施例６の媒体について１Ｍ
Ｈｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎ及びこの上に
２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／Ｎを表
１１に示す。
Ｈｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎ及びこの上に
２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／Ｎを表
１１に示す。
【表１１】
【００６８】上記結果より、熱伝導層を設けた方が熱伝
導層を設けない実施例１の場合よりＣ／Ｎがさらに高く
なり、オーバーライト特性も良いことが分かった。
導層を設けない実施例１の場合よりＣ／Ｎがさらに高く
なり、オーバーライト特性も良いことが分かった。
【００６９】
（１）請求項１の発明によれば前記条件を満たす第１磁
性層、第２磁性層及び第３磁性層とを積層することによ
り、初期化磁界を用いないでオーバーライトが可能にな
る光磁気記録媒体が提供される。 （２）請求項２の発明によれば、第１磁性層と第２磁性
層との間及び／又は第２磁性層と第３磁性層との間に中
間層を設けることにより、オーバーライト特性がより一
層向上する。 （３）請求項３の発明によれば、第１磁性層、第２磁性
層及び第３磁性層にそれぞれ特定組成のアモルファス磁
性膜を用いることにより、より良好なオーバーライト特
性を得ることができる。また、第１磁性層、第２磁性層
又は第３磁性層に軽希土類元素を添加することにより、
照射光の短波長化時のオーバーライト特性を向上させる
ことができる。 （４）請求項４の発明によれば、再生層を積層すること
により、再生Ｃ／Ｎ及びオーバーライト特性をより一層
向上させることができる。また、再生層に軽希土類元素
を添加することにより、照射光の短波長化時のオーバー
ライト特性を向上させることができる。 （５）請求項５の発明によれば、熱伝導層を設けること
により、再生Ｃ／Ｎ及びオーバーライト特性をより一層
向上させることができる。 （６）請求項６の発明によれば、上記のような媒体を用
い、Ｔc1付近迄温度を上げて消去を行い、Ｔc2付近迄温
度を上げて記録を行うことにより、初期化磁界を印加し
ないでオーバーライトが可能となる。 （７）請求項７の発明によれば、バイアス磁界Ｈbを所
定の範囲の値に限定することにより、初期化磁界を用い
ないで、より信頼性良くオーバーライトを行うことがで
きる。
性層、第２磁性層及び第３磁性層とを積層することによ
り、初期化磁界を用いないでオーバーライトが可能にな
る光磁気記録媒体が提供される。 （２）請求項２の発明によれば、第１磁性層と第２磁性
層との間及び／又は第２磁性層と第３磁性層との間に中
間層を設けることにより、オーバーライト特性がより一
層向上する。 （３）請求項３の発明によれば、第１磁性層、第２磁性
層及び第３磁性層にそれぞれ特定組成のアモルファス磁
性膜を用いることにより、より良好なオーバーライト特
性を得ることができる。また、第１磁性層、第２磁性層
又は第３磁性層に軽希土類元素を添加することにより、
照射光の短波長化時のオーバーライト特性を向上させる
ことができる。 （４）請求項４の発明によれば、再生層を積層すること
により、再生Ｃ／Ｎ及びオーバーライト特性をより一層
向上させることができる。また、再生層に軽希土類元素
を添加することにより、照射光の短波長化時のオーバー
ライト特性を向上させることができる。 （５）請求項５の発明によれば、熱伝導層を設けること
により、再生Ｃ／Ｎ及びオーバーライト特性をより一層
向上させることができる。 （６）請求項６の発明によれば、上記のような媒体を用
い、Ｔc1付近迄温度を上げて消去を行い、Ｔc2付近迄温
度を上げて記録を行うことにより、初期化磁界を印加し
ないでオーバーライトが可能となる。 （７）請求項７の発明によれば、バイアス磁界Ｈbを所
定の範囲の値に限定することにより、初期化磁界を用い
ないで、より信頼性良くオーバーライトを行うことがで
きる。
【図１】本発明による光磁気記録媒体の一構成例を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】図１の媒体において第１磁性層と第２磁性層の
間に中間層を設けた構成例を示す断面図である。
間に中間層を設けた構成例を示す断面図である。
【図３】図１の媒体において第１磁性層の光入射側面に
隣接して再生層を設けた構成例を示す断面図である。
隣接して再生層を設けた構成例を示す断面図である。
【図４】図１の媒体において第２磁性層の光入射側とは
反対の側の面に隣接して熱伝導層を設けた構成例を示す
断面図である。
反対の側の面に隣接して熱伝導層を設けた構成例を示す
断面図である。
【図５】（ａ）は本発明による記録の方法、（ｂ）は消
去の方法の説明図である。
去の方法の説明図である。
１ 基板 ２、６ 保護層 ３ 第１磁性層 ４ 第２磁性層 ５ 第３磁性層 ７、８ 中間層 ９ 再生層 １０ 熱伝導層
Claims (7)
- 【請求項１】 垂直磁気異方性を示す第１磁性層、第２
磁性層及び第３磁性層を積層してなり、第１磁性層の飽
和磁化をＭs1、保磁力をＨc1、キュリー温度をＴc1、膜
厚をｔ1、第２磁性層の飽和磁化をＭs2、保磁力をＨ
c2、補償温度をＴcomp2、キュリー温度をＴc2、膜厚を
Ｔ2、第３磁性層の保磁力をＨc3、補償温度をＴcomp3、
キュリー温度をＴ3、室温をＴroom、第１磁性層及び第
２磁性層間の界面磁壁エネルギーをσw1、第２磁性層及
び第３磁性層間の界面磁壁エネルギーをσw2としたとき
に下記の条件を満足することを特徴とする光磁気記録媒
体。 Ｔroom＜Ｔcomp3≒Ｔc3＜Ｔc1＜Ｔcomp2＜Ｔc2 Ｈc1＞Ｈc2＞Ｈc3 Ｈc1＞σw1／２Ｍs1ｔ1 Ｈc2＜σw2／２Ｍs2ｔ2 - 【請求項２】 第１磁性層と第２磁性層との間及び／又
は第２磁性層と第３磁性との間に、両層間の交換結合力
を調整するための中間層を設けたことを特徴とする請求
項１に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 第１磁性層、第２磁性層及び第３磁性層
がそれぞれ下記一般式化１で表わされるアモルファス磁
性膜から成ることを特徴とする請求項１又は２に記載の
光磁気記録媒体。 【化１】 （但し、ＲＥ１はＴｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ及びＥｒのう
ちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ２はＣ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なくと
も１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ｘ≦
０．３５、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ≦０．５である） - 【請求項４】 第１磁性層の光入射側に隣接して第１磁
性層より保磁力が小さくキュリー温度が大きい垂直磁気
異方性を示す下記一般式化２で表わされるアモルファア
ス磁性膜から成る再生層を設けたことを特徴とする請求
項１〜３のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体。 【化２】 （但し、ＲＥ３はＴｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ及びＥｒのう
ちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ４はＣ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なくと
も１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ａ≦
０．３５、０≦ｂ≦０．４、０≦ｃ≦０．５である） - 【請求項５】 第２磁性層の光入射側とは反対側の面に
隣接して熱伝導層を設けたことを特徴とする請求項１〜
４のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか一項に記載の光
磁気記録媒体を用い、初期化磁界を印加せずに、Ｔc1付
近迄昇温させて消去を行い、Ｔc2付近迄昇温させて記録
を行うことを特徴とする光磁気記録方法。 - 【請求項７】 第２磁性層の初期化をＴc1付近まで昇温
する過程で、下記条件を満足する記録用バイアス磁界Ｈ
bを用いて行うことを特徴とする請求項６に記載の光磁
気記録方法。 Ｈc1±σw1／２Ｍs1ｔ1＞Ｈb＞Ｈc3＋σw2／２Ｍs3ｔ3 （式中、Ｍs3は第３磁性層の飽和磁化、ｔ3は第３磁性
層の膜厚である）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11004693A JPH06302030A (ja) | 1993-04-13 | 1993-04-13 | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11004693A JPH06302030A (ja) | 1993-04-13 | 1993-04-13 | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06302030A true JPH06302030A (ja) | 1994-10-28 |
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ID=14525741
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11004693A Pending JPH06302030A (ja) | 1993-04-13 | 1993-04-13 | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06302030A (ja) |
-
1993
- 1993-04-13 JP JP11004693A patent/JPH06302030A/ja active Pending
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