JPH07169693A - 横型減圧ｃｖｄ装置及びそのクリーニング方法 - Google Patents
横型減圧ｃｖｄ装置及びそのクリーニング方法Info
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- JPH07169693A JPH07169693A JP5316567A JP31656793A JPH07169693A JP H07169693 A JPH07169693 A JP H07169693A JP 5316567 A JP5316567 A JP 5316567A JP 31656793 A JP31656793 A JP 31656793A JP H07169693 A JPH07169693 A JP H07169693A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 反応チャンバを装置から取り外さずにクリー
ニングできる横型減圧ＣＶＤ装置及びそのクリーニング
方法を得ることを目的とする。 【構成】 石英管３の内壁に付着した堆積物は、フッ素
含有化合物ガス例えばＣｌＦ３ガスをＣｌＦ３ガス供給
源２０からキャリアガスと共に石英管３内に導入して除
去する。ＣｌＦ３ガス等の導入−排気は、バルブ１５
ａ、１５ｂ、１６ａ、１６ｂによりフリップフロップ方
式により石英管３の両方向から行う。 【効果】 反応チャンバ等から発生するパーティクルを
低減し、信頼性の高いＶＬＳＩを得ることができる。
ニングできる横型減圧ＣＶＤ装置及びそのクリーニング
方法を得ることを目的とする。 【構成】 石英管３の内壁に付着した堆積物は、フッ素
含有化合物ガス例えばＣｌＦ３ガスをＣｌＦ３ガス供給
源２０からキャリアガスと共に石英管３内に導入して除
去する。ＣｌＦ３ガス等の導入−排気は、バルブ１５
ａ、１５ｂ、１６ａ、１６ｂによりフリップフロップ方
式により石英管３の両方向から行う。 【効果】 反応チャンバ等から発生するパーティクルを
低減し、信頼性の高いＶＬＳＩを得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、横型減圧ＣＶＤ装置
及びそのクリーニング方法、特に、半導体素子の製造工
程で用いられる多結晶シリコン膜生成用の横型減圧ＣＶ
Ｄ装置及びそのクリーニング方法に関するものである。
及びそのクリーニング方法、特に、半導体素子の製造工
程で用いられる多結晶シリコン膜生成用の横型減圧ＣＶ
Ｄ装置及びそのクリーニング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来の横型減圧ＣＶＤ装置を示
す概略構成図である。図において、多結晶シリコン膜生
成が行われる半導体ウエハ例えばシリコンウェハ１は、
石英ボート２に複数枚搭載され、この石英ボート２は、
反応チャンバ例えば石英管３内に収容されている。石英
管３の両端には、真空フランジ４ａ、４ｂが設けられて
おり、石英管３の周囲には、反応温度を制御する加熱用
のヒーター５が設けられている。
す概略構成図である。図において、多結晶シリコン膜生
成が行われる半導体ウエハ例えばシリコンウェハ１は、
石英ボート２に複数枚搭載され、この石英ボート２は、
反応チャンバ例えば石英管３内に収容されている。石英
管３の両端には、真空フランジ４ａ、４ｂが設けられて
おり、石英管３の周囲には、反応温度を制御する加熱用
のヒーター５が設けられている。
【０００３】多結晶シリコン膜生成には例えばＳiＨ４
ガスが使用され、多結晶シリコン膜の比抵抗を調節する
ために、ドーピングするリンを供給するＰＨ３ガスが使
用される。また、キャリアガスとしては例えばＮ２ガス
が使用される。これらのガスは、それぞれＳiＨ４ガス
供給源６、ＰＨ３ガス供給源７及びＮ２ガス供給源８か
ら供給され、流量制御用のマスフローコントローラー
９、１０、１１並びにバルブ１２、１３、１４例えばエ
アーオペレーションバルブが接続されている。
ガスが使用され、多結晶シリコン膜の比抵抗を調節する
ために、ドーピングするリンを供給するＰＨ３ガスが使
用される。また、キャリアガスとしては例えばＮ２ガス
が使用される。これらのガスは、それぞれＳiＨ４ガス
供給源６、ＰＨ３ガス供給源７及びＮ２ガス供給源８か
ら供給され、流量制御用のマスフローコントローラー
９、１０、１１並びにバルブ１２、１３、１４例えばエ
アーオペレーションバルブが接続されている。
【０００４】上述の各ガスは、石英管３への導入方向を
フリップフロップ方式で切り換えるガス導入バルブ１５
ａ、１５ｂ例えばエアーオペレーションバルブによっ
て、石英管３両端部のいずれか一方の真空フランジ４ａ
又は４ｂを介して石英管３内に導入される。石英管３か
ら排気されるガスは、ガス導入バルブ１５ａ、１５ｂに
連動して開閉し、真空排気配管１６Ａに設けられたガス
排気バルブ１６ａ、１６ｂを介し、真空排気用のメイン
バルブ１７及びサブバルブ１８から真空ポンプ例えばド
ライポンプ１９により排気される。ここに、フリップフ
ロップ方式とは、まず、ガス導入バルブ１５ａを開けて
ガスを真空フランジ４ａ側から石英管３内に導入した場
合、ガス排気バルブ１６ｂを介して真空フランジ４ｂ側
から石英管３内を排気する。次に、所定時間経過後に、
ガス導入バルブ１５ａ及びガス排気バルブ１６ａを閉
じ、ガス導入バルブ１５ｂを開けてガスを真空フランジ
４ｂ側から石英管３内にガスを導入し、ガス排気バルブ
１６ａを介して真空フランジ４ａ側から石英管３内を排
気する方式をいう。
フリップフロップ方式で切り換えるガス導入バルブ１５
ａ、１５ｂ例えばエアーオペレーションバルブによっ
て、石英管３両端部のいずれか一方の真空フランジ４ａ
又は４ｂを介して石英管３内に導入される。石英管３か
ら排気されるガスは、ガス導入バルブ１５ａ、１５ｂに
連動して開閉し、真空排気配管１６Ａに設けられたガス
排気バルブ１６ａ、１６ｂを介し、真空排気用のメイン
バルブ１７及びサブバルブ１８から真空ポンプ例えばド
ライポンプ１９により排気される。ここに、フリップフ
ロップ方式とは、まず、ガス導入バルブ１５ａを開けて
ガスを真空フランジ４ａ側から石英管３内に導入した場
合、ガス排気バルブ１６ｂを介して真空フランジ４ｂ側
から石英管３内を排気する。次に、所定時間経過後に、
ガス導入バルブ１５ａ及びガス排気バルブ１６ａを閉
じ、ガス導入バルブ１５ｂを開けてガスを真空フランジ
４ｂ側から石英管３内にガスを導入し、ガス排気バルブ
１６ａを介して真空フランジ４ａ側から石英管３内を排
気する方式をいう。
【０００５】従来の横型減圧ＣＶＤ装置は上述したよう
に構成され、リンドープ多結晶シリコン膜生成はＳiＨ
４ガス、ＰＨ３ガス（例えばＰＨ３ガス１％に対してア
ルゴン９９％を加えて希釈したもの等を使用し、この場
合、アルゴンはＰＨ３ガス供給源７から供給され
る。）、Ｎ２ガスを用い、上述のフリップフロップ方式
と呼ばれるガス導入−排気方式により行われている。シ
リコンウェハ１にリンドープ多結晶シリコン膜を生成す
る場合、まず、大気圧状態において、複数枚のシリコン
ウエハ１を搭載した石英ボート２を石英管３内にセット
する。次に、真空排気用のサブバルブ１８を開け、ドラ
イポンプ１９により石英管３内を徐々に２０Ｔorrまで
真空引きを行う。これは、急激に真空引きを行うと石英
管３内にあるパーティクルを巻き上げてシリコンウェハ
１に付着し、シリコンウェハ１に形成されているパター
ンに欠陥が生じる場合があるためである。
に構成され、リンドープ多結晶シリコン膜生成はＳiＨ
４ガス、ＰＨ３ガス（例えばＰＨ３ガス１％に対してア
ルゴン９９％を加えて希釈したもの等を使用し、この場
合、アルゴンはＰＨ３ガス供給源７から供給され
る。）、Ｎ２ガスを用い、上述のフリップフロップ方式
と呼ばれるガス導入−排気方式により行われている。シ
リコンウェハ１にリンドープ多結晶シリコン膜を生成す
る場合、まず、大気圧状態において、複数枚のシリコン
ウエハ１を搭載した石英ボート２を石英管３内にセット
する。次に、真空排気用のサブバルブ１８を開け、ドラ
イポンプ１９により石英管３内を徐々に２０Ｔorrまで
真空引きを行う。これは、急激に真空引きを行うと石英
管３内にあるパーティクルを巻き上げてシリコンウェハ
１に付着し、シリコンウェハ１に形成されているパター
ンに欠陥が生じる場合があるためである。
【０００６】石英管３内が２０Ｔorrを過ぎたら、真空
排気用のメインバルブ１７を開け、さらに１０-3Ｔorr
まで真空引きを行う。石英管３内が１０-3Ｔorrになっ
た時点で、ＳiＨ４ガス、ＰＨ３ガス及びＮ２ガスをそ
れぞれＳiＨ４ガス供給源６、ＰＨ３ガス供給源７及び
Ｎ２ガス供給源８からガス導入配管１５Ａを介して石英
管３内に導入する。各ガスの流量は、バルブ１２、１
３、１４を開けマスフローコントローラー９、１０、１
１を調節することにより、ＳiＨ４ガスを８００cc／分
（標準状態における体積（ＳＣＣＭ）であり、以下単に
ccで示す）、ＰＨ３ガスを１５０cc／分、Ｎ２ガスを３
００cc／分とする。この場合、上述のようにフリップフ
ロップ方式により、ガス導入バルブ１５ａを開けガス導
入バルブ１５ｂは閉めてガスの導入を行い、ガス排気バ
ルブ１６ｂを開けガス排気バルブ１６ａは閉じて真空排
気を行うことによって、石英管３内を０.６Ｔorrに保っ
た状態で膜生成を行う。この時、石英管３は、ヒーター
５により約５９０℃に保っておく。
排気用のメインバルブ１７を開け、さらに１０-3Ｔorr
まで真空引きを行う。石英管３内が１０-3Ｔorrになっ
た時点で、ＳiＨ４ガス、ＰＨ３ガス及びＮ２ガスをそ
れぞれＳiＨ４ガス供給源６、ＰＨ３ガス供給源７及び
Ｎ２ガス供給源８からガス導入配管１５Ａを介して石英
管３内に導入する。各ガスの流量は、バルブ１２、１
３、１４を開けマスフローコントローラー９、１０、１
１を調節することにより、ＳiＨ４ガスを８００cc／分
（標準状態における体積（ＳＣＣＭ）であり、以下単に
ccで示す）、ＰＨ３ガスを１５０cc／分、Ｎ２ガスを３
００cc／分とする。この場合、上述のようにフリップフ
ロップ方式により、ガス導入バルブ１５ａを開けガス導
入バルブ１５ｂは閉めてガスの導入を行い、ガス排気バ
ルブ１６ｂを開けガス排気バルブ１６ａは閉じて真空排
気を行うことによって、石英管３内を０.６Ｔorrに保っ
た状態で膜生成を行う。この時、石英管３は、ヒーター
５により約５９０℃に保っておく。
【０００７】一定時間例えば１〜２時間シリコンウェハ
１に成膜を行った後、各ガスの導入を止める。次いで、
ガス導入バルブ１５ｂを開けガス導入バルブ１５ａは閉
めてガスの導入を行い、ガス排気バルブ１６ａを開けガ
ス排気バルブ１６ｂは閉じて真空排気を行い、上述と同
様に膜生成を行う。このようなフリップフロップ方式に
より膜生成を行うのは、石英管３の一方向からだけのガ
ス導入による膜生成では、石英ボート２に搭載されたシ
リコンウェハ１間で中央部と端部で膜厚の相違が生じた
り、同一シリコンウェハ１内での膜厚やドーピングされ
るＰの濃度が不均一になるので、これを防止するためで
ある。
１に成膜を行った後、各ガスの導入を止める。次いで、
ガス導入バルブ１５ｂを開けガス導入バルブ１５ａは閉
めてガスの導入を行い、ガス排気バルブ１６ａを開けガ
ス排気バルブ１６ｂは閉じて真空排気を行い、上述と同
様に膜生成を行う。このようなフリップフロップ方式に
より膜生成を行うのは、石英管３の一方向からだけのガ
ス導入による膜生成では、石英ボート２に搭載されたシ
リコンウェハ１間で中央部と端部で膜厚の相違が生じた
り、同一シリコンウェハ１内での膜厚やドーピングされ
るＰの濃度が不均一になるので、これを防止するためで
ある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述したような横型減
圧ＣＶＤ装置では、石英管３が高温に加熱されるため、
ＳiＨ４ガスが分解してシリコン酸化膜やシリコン等の
堆積物が石英管３の内壁に付着する。従来、シリコンウ
ェハ１へのリンドープ多結晶シリコン膜の生成をフリッ
プフロップ方式によりガスの導入−排気を行っていたた
め、石英管３の排気側に付着した堆積物が排気側からガ
ス導入側へ切換った時に、堆積物がパーティクルとなっ
て舞い上がり、シリコンウェハ１の表面に付着する場合
がある。このようにして、シリコンウェハ１の表面に付
着した堆積物のパーティクルは、ＶＬＳＩの信頼性を低
下させるなどの問題点があった。特に、ＶＬＳＩの高集
積化に伴いパーティクル管理を強化する必要があり、膜
生成時にシリコンウェハ１に付着するパーティクルの低
減化は必須の課題である。
圧ＣＶＤ装置では、石英管３が高温に加熱されるため、
ＳiＨ４ガスが分解してシリコン酸化膜やシリコン等の
堆積物が石英管３の内壁に付着する。従来、シリコンウ
ェハ１へのリンドープ多結晶シリコン膜の生成をフリッ
プフロップ方式によりガスの導入−排気を行っていたた
め、石英管３の排気側に付着した堆積物が排気側からガ
ス導入側へ切換った時に、堆積物がパーティクルとなっ
て舞い上がり、シリコンウェハ１の表面に付着する場合
がある。このようにして、シリコンウェハ１の表面に付
着した堆積物のパーティクルは、ＶＬＳＩの信頼性を低
下させるなどの問題点があった。特に、ＶＬＳＩの高集
積化に伴いパーティクル管理を強化する必要があり、膜
生成時にシリコンウェハ１に付着するパーティクルの低
減化は必須の課題である。
【０００９】また、石英管３に付着した堆積物は、石英
管３を配管から取り外し、フッ硝酸等により洗浄して除
去していたが、横型減圧ＣＶＤ装置を停止しなければな
らず、装置の稼働率が低下すると共に、清浄作業に手数
が掛かるという問題点があった。
管３を配管から取り外し、フッ硝酸等により洗浄して除
去していたが、横型減圧ＣＶＤ装置を停止しなければな
らず、装置の稼働率が低下すると共に、清浄作業に手数
が掛かるという問題点があった。
【００１０】この発明は、このような問題点を解決する
ためになされたもので、反応チャンバを装置から取り外
すことなく膜生成のバッチ毎にクリーニングが可能であ
り、適切なパーティクル管理が可能な横型減圧ＣＶＤ装
置及びそのクリーニング方法を得ることを目的とする。
ためになされたもので、反応チャンバを装置から取り外
すことなく膜生成のバッチ毎にクリーニングが可能であ
り、適切なパーティクル管理が可能な横型減圧ＣＶＤ装
置及びそのクリーニング方法を得ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項第１項
に係る発明は、複数枚の半導体ウエハを横置きに収容す
る反応チャンバと、上記反応チャンバに反応性ガスを供
給する反応性ガス供給源と、上記反応チャンバにキャリ
アガスを供給するキャリアガス供給源と、上記反応チャ
ンバにフッ素含有化合物ガスを供給するフッ素含有化合
物ガス供給源と、上記反応性ガス供給源、キャリアガス
供給源及びフッ素含有化合物ガス供給源と上記反応チャ
ンバの両端部とを接続する配管と、上記配管に設けられ
たガス導入バルブと、上記反応チャンバの両端部に接続
された真空排気配管と、上記真空排気配管に設けられ、
上記反応チャンバの両端部の一方から上記ガス導入バル
ブと連動してフリップフロップ方式で反応チャンバを排
気するガス排気バルブと、上記真空排気配管に接続され
た真空排気手段とを備えたものである。
に係る発明は、複数枚の半導体ウエハを横置きに収容す
る反応チャンバと、上記反応チャンバに反応性ガスを供
給する反応性ガス供給源と、上記反応チャンバにキャリ
アガスを供給するキャリアガス供給源と、上記反応チャ
ンバにフッ素含有化合物ガスを供給するフッ素含有化合
物ガス供給源と、上記反応性ガス供給源、キャリアガス
供給源及びフッ素含有化合物ガス供給源と上記反応チャ
ンバの両端部とを接続する配管と、上記配管に設けられ
たガス導入バルブと、上記反応チャンバの両端部に接続
された真空排気配管と、上記真空排気配管に設けられ、
上記反応チャンバの両端部の一方から上記ガス導入バル
ブと連動してフリップフロップ方式で反応チャンバを排
気するガス排気バルブと、上記真空排気配管に接続され
た真空排気手段とを備えたものである。
【００１２】この発明の請求項第２項に係る発明は、請
求項第１項の横型減圧ＣＶＤ装置にダストカウンターを
設けたものである。この発明の請求項第３項に係る発明
は、請求項第１項の横型減圧ＣＶＤ装置における反応チ
ャンバ内にモニターウエハを収容し、このモニターウエ
ハに向けてレーザ光を照射するレーザ光照射装置と、上
記モニターウエハを透過したレーザ光を検出するレーザ
光検出器とを設けたものである。
求項第１項の横型減圧ＣＶＤ装置にダストカウンターを
設けたものである。この発明の請求項第３項に係る発明
は、請求項第１項の横型減圧ＣＶＤ装置における反応チ
ャンバ内にモニターウエハを収容し、このモニターウエ
ハに向けてレーザ光を照射するレーザ光照射装置と、上
記モニターウエハを透過したレーザ光を検出するレーザ
光検出器とを設けたものである。
【００１３】この発明の請求項第４項に係る発明は、複
数枚の半導体ウエハを横置きに収容する反応チャンバを
所定温度に加熱しかつ所定の減圧状態に維持し、上記反
応チャンバ内にフッ素含有化合物ガス及びキャリアガス
をフリップフロップ方式で導入−排気することにより、
上記反応チャンバの内の堆積物を除去するものである。
数枚の半導体ウエハを横置きに収容する反応チャンバを
所定温度に加熱しかつ所定の減圧状態に維持し、上記反
応チャンバ内にフッ素含有化合物ガス及びキャリアガス
をフリップフロップ方式で導入−排気することにより、
上記反応チャンバの内の堆積物を除去するものである。
【００１４】
【作用】この発明の請求項第１項においては、フッ素含
有化合物ガス及びキャリアガスを反応チャンバに導入
し、フッ素含有化合物ガスが反応チャンバの内壁に付着
した堆積物と反応して堆積物を気体状にして除去し、堆
積物のパーティクルが半導体ウエハに付着するのを防止
する。
有化合物ガス及びキャリアガスを反応チャンバに導入
し、フッ素含有化合物ガスが反応チャンバの内壁に付着
した堆積物と反応して堆積物を気体状にして除去し、堆
積物のパーティクルが半導体ウエハに付着するのを防止
する。
【００１５】この発明の請求項第２項においては、ダス
トカウンターによって反応チャンバ内壁の堆積物を測定
し、クリーニング時における堆積物の除去状態を把握す
る。この発明の請求項第３項においては、レーザ光検出
器によりモニターウエハを透過したレーザ光の変化か
ら、反応チャンバの内壁に付着した堆積物の除去量を測
定する。
トカウンターによって反応チャンバ内壁の堆積物を測定
し、クリーニング時における堆積物の除去状態を把握す
る。この発明の請求項第３項においては、レーザ光検出
器によりモニターウエハを透過したレーザ光の変化か
ら、反応チャンバの内壁に付着した堆積物の除去量を測
定する。
【００１６】この発明の請求項第４項においては、フッ
素含有化合物ガス及びキャリアガスを反応チャンバに導
入し、フッ素含有化合物ガスが反応チャンバ内の堆積物
と反応して堆積物を気体状にして除去し、反応チャンバ
内を清浄にする。
素含有化合物ガス及びキャリアガスを反応チャンバに導
入し、フッ素含有化合物ガスが反応チャンバ内の堆積物
と反応して堆積物を気体状にして除去し、反応チャンバ
内を清浄にする。
【００１７】
実施例１．この発明の実施例を図に基づいて説明する。
図１は、この発明の実施例１による横型ＣＶＤ装置を示
す概略構成図であり、各図中、同一符号で示す部材は、
同一又は相当部分を示している。図１において、横型減
圧ＣＶＤ装置の反応チャンバは、石英管３及びその両端
に設けられた真空フランジ４ａ、４ｂにより構成され、
石英管３の内部には石英ボート２に搭載された複数枚の
シリコンウェハ１が収容されている。多結晶シリコン膜
を生成する際に使用する反応性ガスとしては、例えばＳ
iＨ４ガス及びＰＨ３ガスが使用される。
図１は、この発明の実施例１による横型ＣＶＤ装置を示
す概略構成図であり、各図中、同一符号で示す部材は、
同一又は相当部分を示している。図１において、横型減
圧ＣＶＤ装置の反応チャンバは、石英管３及びその両端
に設けられた真空フランジ４ａ、４ｂにより構成され、
石英管３の内部には石英ボート２に搭載された複数枚の
シリコンウェハ１が収容されている。多結晶シリコン膜
を生成する際に使用する反応性ガスとしては、例えばＳ
iＨ４ガス及びＰＨ３ガスが使用される。
【００１８】これらのガスはそれぞれＳiＨ４ガス供給
源６及びＰＨ３ガス供給源７から供給され、キャリアガ
ス例えばＮ２ガスはＮ２ガス供給源８から供給される。
さらに、石英管３の内壁に付着した反応性ガスの堆積物
をクリーニングして除去する場合に使用するフッ素含有
化合物ガス例えばＣｌＦ３ガスは、ＣｌＦ３ガス供給源
２０から供給される。ＣｌＦ３ガス供給源２０とガス導
入配管１５Ａとの間には、流量制御用のマスフローコン
トローラー２１及びバルブ２２例えばエアーオペレーシ
ョンバルブが設けられている。
源６及びＰＨ３ガス供給源７から供給され、キャリアガ
ス例えばＮ２ガスはＮ２ガス供給源８から供給される。
さらに、石英管３の内壁に付着した反応性ガスの堆積物
をクリーニングして除去する場合に使用するフッ素含有
化合物ガス例えばＣｌＦ３ガスは、ＣｌＦ３ガス供給源
２０から供給される。ＣｌＦ３ガス供給源２０とガス導
入配管１５Ａとの間には、流量制御用のマスフローコン
トローラー２１及びバルブ２２例えばエアーオペレーシ
ョンバルブが設けられている。
【００１９】石英管３の両端部に設けられた真空フラン
ジ４ａ、４ｂにはガス真空排気配管１６Ａが接続されて
おり、真空排気配管１６Ａにはガス導入バルブ１５ａ、
１５ｂと連動してフリップフロップ方式に開閉される真
空排気バルブ１６ａ、１６ｂが接続されており、さらに
真空排気用のメインバルブ１７及びサブバルブ１８を介
して、真空排気手段である真空ポンプ例えばドライポン
プ１９が接続されている。ドライポンプ１９の下流側に
は、ＣｌＦ３ガス等の有害ガスを回収する有害ガス回収
装置５０が設けられている。
ジ４ａ、４ｂにはガス真空排気配管１６Ａが接続されて
おり、真空排気配管１６Ａにはガス導入バルブ１５ａ、
１５ｂと連動してフリップフロップ方式に開閉される真
空排気バルブ１６ａ、１６ｂが接続されており、さらに
真空排気用のメインバルブ１７及びサブバルブ１８を介
して、真空排気手段である真空ポンプ例えばドライポン
プ１９が接続されている。ドライポンプ１９の下流側に
は、ＣｌＦ３ガス等の有害ガスを回収する有害ガス回収
装置５０が設けられている。
【００２０】上述したように構成された横型減圧ＣＶＤ
装置においては、リンドープ多結晶シリコン膜を生成す
る場合、まず、大気圧状態において、複数枚のシリコン
ウエハ１を搭載した石英ボート２を石英管３内にセット
する。次に、真空排気用のサブバルブ１８を開け、ドラ
イポンプ１９により石英管３内を徐々に２０Ｔorrまで
真空引きを行う。これは、急激に真空引きを行うと石英
管３内にあるパーティクルを巻き上げてシリコンウェハ
１に付着し、シリコンウェハ１に形成されているパター
ンに欠陥が生じる場合があるためである。
装置においては、リンドープ多結晶シリコン膜を生成す
る場合、まず、大気圧状態において、複数枚のシリコン
ウエハ１を搭載した石英ボート２を石英管３内にセット
する。次に、真空排気用のサブバルブ１８を開け、ドラ
イポンプ１９により石英管３内を徐々に２０Ｔorrまで
真空引きを行う。これは、急激に真空引きを行うと石英
管３内にあるパーティクルを巻き上げてシリコンウェハ
１に付着し、シリコンウェハ１に形成されているパター
ンに欠陥が生じる場合があるためである。
【００２１】石英管３内が２０Ｔorrを過ぎたら、真空
排気用のメインバルブ１７を開け、さらに１０-3Ｔorr
まで真空引きを行う。石英管３内が１０-3Ｔorrになっ
た時点で、ＳiＨ４ガス、ＰＨ３ガス及びＮ２ガスをそ
れぞれＳiＨ４ガス供給源６、ＰＨ３ガス供給源７及び
Ｎ２ガス供給源８からガス導入配管１５Ａを介して石英
管３内に導入される。各ガスの流量は、バルブ１２、１
３、１４を開けマスフローコントローラー９、１０、１
１を調節することによりＳiＨ４ガスを８００cc／分、
ＰＨ３ガスを１５０cc／分、Ｎ２ガスを３００cc／分と
する。この場合、ガス導入バルブ１５ａを開けガス導入
バルブ１５ｂは閉めてガスの導入を行い、ガス排気バル
ブ１６ｂを開けガス排気バルブ１６ａは閉じて真空排気
を行いながら、石英管３内を０.６Ｔorrに維持して膜生
成を行う。また、石英管３は、ヒーター５により約５９
０℃に保っておく。
排気用のメインバルブ１７を開け、さらに１０-3Ｔorr
まで真空引きを行う。石英管３内が１０-3Ｔorrになっ
た時点で、ＳiＨ４ガス、ＰＨ３ガス及びＮ２ガスをそ
れぞれＳiＨ４ガス供給源６、ＰＨ３ガス供給源７及び
Ｎ２ガス供給源８からガス導入配管１５Ａを介して石英
管３内に導入される。各ガスの流量は、バルブ１２、１
３、１４を開けマスフローコントローラー９、１０、１
１を調節することによりＳiＨ４ガスを８００cc／分、
ＰＨ３ガスを１５０cc／分、Ｎ２ガスを３００cc／分と
する。この場合、ガス導入バルブ１５ａを開けガス導入
バルブ１５ｂは閉めてガスの導入を行い、ガス排気バル
ブ１６ｂを開けガス排気バルブ１６ａは閉じて真空排気
を行いながら、石英管３内を０.６Ｔorrに維持して膜生
成を行う。また、石英管３は、ヒーター５により約５９
０℃に保っておく。
【００２２】一定時間例えば１〜２時間シリコンウェハ
１に成膜を行った後、ＳiＨ４ガス等のガスの導入を止
める。次いで、ガス導入バルブ１５ｂを開けガス導入バ
ルブ１５ａは閉めてガスの導入を行い、ガス排気バルブ
１６ａを開けガス排気バルブ１６ｂは閉じて真空排気を
行うフリップフロップ方式により、上述と同様に膜生成
を行う。
１に成膜を行った後、ＳiＨ４ガス等のガスの導入を止
める。次いで、ガス導入バルブ１５ｂを開けガス導入バ
ルブ１５ａは閉めてガスの導入を行い、ガス排気バルブ
１６ａを開けガス排気バルブ１６ｂは閉じて真空排気を
行うフリップフロップ方式により、上述と同様に膜生成
を行う。
【００２３】リンドープ多結晶シリコン膜を上述のよう
に生成すると、石英管３の両端部近傍の低温領域３ａや
真空フランジ４ａ、４ｂからガス排気バルブ１６ａ、１
６ｂにかけて、気相中で反応したＳｉもしくはＳｉＯ2
を主成分とした堆積物が付着する。この堆積物は、リン
ドープ多結晶シリコン膜をシリコンウエハ１上に生成す
るシーケンス中、あるいはシリコンウェハ１を石英管３
内に出し入れする際に剥がれてシリコンウェハ１の表面
にパーティクルとして付着するという悪影響を与える。
従って、ある程度堆積物が堆積したら、これを除去する
必要がある。
に生成すると、石英管３の両端部近傍の低温領域３ａや
真空フランジ４ａ、４ｂからガス排気バルブ１６ａ、１
６ｂにかけて、気相中で反応したＳｉもしくはＳｉＯ2
を主成分とした堆積物が付着する。この堆積物は、リン
ドープ多結晶シリコン膜をシリコンウエハ１上に生成す
るシーケンス中、あるいはシリコンウェハ１を石英管３
内に出し入れする際に剥がれてシリコンウェハ１の表面
にパーティクルとして付着するという悪影響を与える。
従って、ある程度堆積物が堆積したら、これを除去する
必要がある。
【００２４】次に、この堆積物のクリーニングを行う。
まず、石英管３内を大気圧状態に戻した後、膜生成が終
わったシリコンウェハ１を石英ボート２から取り出し、
石英ボートだけを再び石英管３内に戻す。次に、真空排
気用のサブバルブ１８を開け、ドライポンプ１９により
石英管３内を徐々に２０Ｔorrまで真空引きを行う。石
英管３内が２０Ｔorrを過ぎたら、真空排気用のメイン
バルブ１７を開け、さらに真空引きを行い、１０-3Ｔor
rまで真空引きを行う。次いで、ガス導入バルブ１５
ａ、バルブ１４、２２を開け、マスフローコントローラ
ー１１、２１により流量を調節してＣｌＦ３ガスを８０
０cc／分、Ｎ２ガスを３００cc／分の流量で石英管３内
に導入し、ドライポンプ１９により排気して１.０Ｔorr
の減圧状態に維持する。この減圧状態は、好適には０.
５〜２Ｔorrの圧力とする。このような減圧状態にする
ことにより、ＣｌＦ３ガスを石英ボート２の下部や隙間
等の細部に回り込ませることができ、十分なクリーニン
グが可能である。なお、この時、ガス導入バルブ１５ｂ
及びガス排気バルブ１６ａは閉じておき、真空排気は排
気バルブ１６ｂから行う。
まず、石英管３内を大気圧状態に戻した後、膜生成が終
わったシリコンウェハ１を石英ボート２から取り出し、
石英ボートだけを再び石英管３内に戻す。次に、真空排
気用のサブバルブ１８を開け、ドライポンプ１９により
石英管３内を徐々に２０Ｔorrまで真空引きを行う。石
英管３内が２０Ｔorrを過ぎたら、真空排気用のメイン
バルブ１７を開け、さらに真空引きを行い、１０-3Ｔor
rまで真空引きを行う。次いで、ガス導入バルブ１５
ａ、バルブ１４、２２を開け、マスフローコントローラ
ー１１、２１により流量を調節してＣｌＦ３ガスを８０
０cc／分、Ｎ２ガスを３００cc／分の流量で石英管３内
に導入し、ドライポンプ１９により排気して１.０Ｔorr
の減圧状態に維持する。この減圧状態は、好適には０.
５〜２Ｔorrの圧力とする。このような減圧状態にする
ことにより、ＣｌＦ３ガスを石英ボート２の下部や隙間
等の細部に回り込ませることができ、十分なクリーニン
グが可能である。なお、この時、ガス導入バルブ１５ｂ
及びガス排気バルブ１６ａは閉じておき、真空排気は排
気バルブ１６ｂから行う。
【００２５】ＣｌＦ３ガスは、好適には５００〜３００
０cc／分の範囲の流量で流し、Ｎ２ガスは好適には１０
０〜１０００cc／分の範囲の流量で流す。有効なクリー
ニングを行うためには５００cc／分以上の流量が必要で
あり、３０００cc／分以上ではクリーニングに用いられ
ないで排出されてしまうからである。また、エッチング
レートを高めるために、石英管３を５８０〜６２０℃程
度に加熱する。この場合のエッチングレートは、リンド
ープ多結晶シリコン膜で約４０００Å／分である。
０cc／分の範囲の流量で流し、Ｎ２ガスは好適には１０
０〜１０００cc／分の範囲の流量で流す。有効なクリー
ニングを行うためには５００cc／分以上の流量が必要で
あり、３０００cc／分以上ではクリーニングに用いられ
ないで排出されてしまうからである。また、エッチング
レートを高めるために、石英管３を５８０〜６２０℃程
度に加熱する。この場合のエッチングレートは、リンド
ープ多結晶シリコン膜で約４０００Å／分である。
【００２６】以上のようなクリーニングを例えば１０分
程度行った後、ガス導入バルブ１５ａ及びガス排気バル
ブ１６ｂを閉じてガス導入バルブ１５ｂ及びガス排気バ
ルブ１６ａを開けることにより、フリップフロップ方式
で上述と同じ条件により再び１０分程度クリーニングを
行う。なお、クリーニングは１０分程度行ったが、この
クリーニング時間は堆積物の量や種々のクリーニング条
件に応じて適宜延長、短縮でき、石英管３の両方向につ
いて同じ時間クリーニングを行う。フリップフロップ方
式でクリーニングを行うことによって、石英管３等を満
遍なくかつ迅速にクリーニングすることが可能である。
また、石英管３を横型減圧ＣＶＤ装置から取り外すこと
なくクリーニングできるので、装置の稼働率の低下を減
少できる。さらに、膜生成のバッチ毎にクリーニングを
行うことも可能となり、リンドープ多結晶シリコン膜生
成毎にクリーニングを実施すれば、膜生成時には堆積物
をほとんど除去できる。従って、適切なパーティクル管
理が実現でき、ＶＬＳＩの信頼性を向上させることがで
きる。
程度行った後、ガス導入バルブ１５ａ及びガス排気バル
ブ１６ｂを閉じてガス導入バルブ１５ｂ及びガス排気バ
ルブ１６ａを開けることにより、フリップフロップ方式
で上述と同じ条件により再び１０分程度クリーニングを
行う。なお、クリーニングは１０分程度行ったが、この
クリーニング時間は堆積物の量や種々のクリーニング条
件に応じて適宜延長、短縮でき、石英管３の両方向につ
いて同じ時間クリーニングを行う。フリップフロップ方
式でクリーニングを行うことによって、石英管３等を満
遍なくかつ迅速にクリーニングすることが可能である。
また、石英管３を横型減圧ＣＶＤ装置から取り外すこと
なくクリーニングできるので、装置の稼働率の低下を減
少できる。さらに、膜生成のバッチ毎にクリーニングを
行うことも可能となり、リンドープ多結晶シリコン膜生
成毎にクリーニングを実施すれば、膜生成時には堆積物
をほとんど除去できる。従って、適切なパーティクル管
理が実現でき、ＶＬＳＩの信頼性を向上させることがで
きる。
【００２７】以上のような条件で、６インチのシリコン
ウエハ１に成膜及びクリーニングを行い、シリコンウエ
ハ１上に付着した０.３μｍ以上のパーティクル数を測
定した。その結果、クリーニングを行わなかった場合に
は、パーティクル数は８０個であった。これに対して、
成膜後にクリーニングを行った場合、パーティクル数は
１０個であり、クリーニングを行うことによってパーテ
ィクル数を低減することができた。
ウエハ１に成膜及びクリーニングを行い、シリコンウエ
ハ１上に付着した０.３μｍ以上のパーティクル数を測
定した。その結果、クリーニングを行わなかった場合に
は、パーティクル数は８０個であった。これに対して、
成膜後にクリーニングを行った場合、パーティクル数は
１０個であり、クリーニングを行うことによってパーテ
ィクル数を低減することができた。
【００２８】実施例２．図２は、この発明の実施例２に
よる横型減圧ＣＶＤ装置を示す概略構成図である。図に
おいて、真空排気配管１６Ａには、石英管３内のパーテ
ィクルを検出するダストカウンター３０例えばリオン社
製商品名「ＫＳ−９０」が設けられている。このダスト
カウンター３０によって、真空排気配管１６Ａを流れる
ガス中のパーティクルの個数を計測しながらクリーニン
グを行うことができる。これによって、リアルタイムで
クリーニング状態を把握でき、正確なクリーニング終了
時を決定することができる。
よる横型減圧ＣＶＤ装置を示す概略構成図である。図に
おいて、真空排気配管１６Ａには、石英管３内のパーテ
ィクルを検出するダストカウンター３０例えばリオン社
製商品名「ＫＳ−９０」が設けられている。このダスト
カウンター３０によって、真空排気配管１６Ａを流れる
ガス中のパーティクルの個数を計測しながらクリーニン
グを行うことができる。これによって、リアルタイムで
クリーニング状態を把握でき、正確なクリーニング終了
時を決定することができる。
【００２９】実施例３．図３は、この発明の実施例３に
よる横型減圧ＣＶＤ装置を示す概略構成図である。図に
おいて、石英ボート２上には、成膜が行われたモニター
ウエハ３１が搭載されており、真空フランジ４ａにはレ
ーザー光照射装置３２が設けられいる。真空フランジ４
ｂにはレーザー光検出器３３が設けられている。ＣｌＦ
３ガスによるクリーニングを行う際、レーザー光照射装
置３２から照射されたレーザー光は、モニターウエハ３
１を透過してレーザー光検出器３３で検出される。ここ
で、レーザ光は、クリーニングされた半導体ウエハを透
過し、堆積物が付着した状態では遮断され半導体ウエハ
を透過しない特性を有するものを使用する。
よる横型減圧ＣＶＤ装置を示す概略構成図である。図に
おいて、石英ボート２上には、成膜が行われたモニター
ウエハ３１が搭載されており、真空フランジ４ａにはレ
ーザー光照射装置３２が設けられいる。真空フランジ４
ｂにはレーザー光検出器３３が設けられている。ＣｌＦ
３ガスによるクリーニングを行う際、レーザー光照射装
置３２から照射されたレーザー光は、モニターウエハ３
１を透過してレーザー光検出器３３で検出される。ここ
で、レーザ光は、クリーニングされた半導体ウエハを透
過し、堆積物が付着した状態では遮断され半導体ウエハ
を透過しない特性を有するものを使用する。
【００３０】レーザ光検出器３３で検出されたレーザー
光によってモニターウエハ３１上に付着した堆積物の除
去の状態を測定しながらクリーニングを行うことによっ
て、実施例２と同様にリアルタイムでクリーニング状態
を把握でき、正確なクリーニング終了時を決定すること
ができる。この場合、モニターウエハ３１上に付着した
堆積物の除去量は、石英管３の内壁に付着した堆積物の
除去量とは必ずしも一致しない。しかし、予め堆積物の
減少状態を較正しておくことで、モニターウエハ３１上
の堆積物の減り方に比例した石英管３内壁の堆積物の除
去量を予測することが可能である。従って、クリーニン
グの終了時を正確に求めることができ、所望のレベルの
パーティクル管理を行うことができる。
光によってモニターウエハ３１上に付着した堆積物の除
去の状態を測定しながらクリーニングを行うことによっ
て、実施例２と同様にリアルタイムでクリーニング状態
を把握でき、正確なクリーニング終了時を決定すること
ができる。この場合、モニターウエハ３１上に付着した
堆積物の除去量は、石英管３の内壁に付着した堆積物の
除去量とは必ずしも一致しない。しかし、予め堆積物の
減少状態を較正しておくことで、モニターウエハ３１上
の堆積物の減り方に比例した石英管３内壁の堆積物の除
去量を予測することが可能である。従って、クリーニン
グの終了時を正確に求めることができ、所望のレベルの
パーティクル管理を行うことができる。
【００３１】なお、上述した実施例では、シリコンウエ
ハにリンドープ多結晶シリコン膜を生成した場合につい
て説明したが、多結晶シリコン膜、窒化シリコン膜、Ｔ
ＥＯＳガスを用いた酸化膜等に対しても同様に適用する
ことができる。また、横型減圧ＣＶＤ装置だけでなく、
横型プラズマＣＶＤ装置に対しても同様にこの発明を適
用することができる。
ハにリンドープ多結晶シリコン膜を生成した場合につい
て説明したが、多結晶シリコン膜、窒化シリコン膜、Ｔ
ＥＯＳガスを用いた酸化膜等に対しても同様に適用する
ことができる。また、横型減圧ＣＶＤ装置だけでなく、
横型プラズマＣＶＤ装置に対しても同様にこの発明を適
用することができる。
【００３２】さらに、上述した実施例では、フッ素含有
化合物ガスとしてＣｌＦ３ガスを使用した場合について
説明したが、ＨＦガス、Ｆ２ガス、ＮＦ３ガス、ＣＦ３
ガス等フッ素ラジカルを生成する種々のフッ素含有化合
物ガスも同様に使用することができ、上述と同様な効果
を奏する。
化合物ガスとしてＣｌＦ３ガスを使用した場合について
説明したが、ＨＦガス、Ｆ２ガス、ＮＦ３ガス、ＣＦ３
ガス等フッ素ラジカルを生成する種々のフッ素含有化合
物ガスも同様に使用することができ、上述と同様な効果
を奏する。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したとおり、この発明の請求項
第１項は、複数枚の半導体ウエハを横置きに収容する反
応チャンバと、上記反応チャンバに反応性ガスを供給す
る反応性ガス供給源と、上記反応チャンバにキャリアガ
スを供給するキャリアガス供給源と、上記反応チャンバ
にフッ素含有化合物ガスを供給するフッ素含有化合物ガ
ス供給源と、上記反応性ガス供給源、キャリアガス供給
源及びフッ素含有化合物ガス供給源と上記反応チャンバ
の両端部とを接続する配管と、上記配管に設けられたガ
ス導入バルブと、上記反応チャンバの両端部に接続され
た真空排気配管と、上記真空排気配管に設けられ、上記
反応チャンバの両端部の一方から上記ガス導入バルブと
連動してフリップフロップ方式で反応チャンバを排気す
る排気バルブと、上記真空排気配管に接続された真空排
気手段とを備えたので、石英管３を横型減圧ＣＶＤ装置
から取り外すことなくクリーニングでき、装置の稼働率
の低下を減少できる。また、膜生成のバッチ毎にクリー
ニングを行うことも可能となり、これによって堆積物を
膜生成時にほとんど除去でき、適切なパーティクル管理
が実現でき、信頼性の高いＶＬＳＩが得られるという効
果を奏する。
第１項は、複数枚の半導体ウエハを横置きに収容する反
応チャンバと、上記反応チャンバに反応性ガスを供給す
る反応性ガス供給源と、上記反応チャンバにキャリアガ
スを供給するキャリアガス供給源と、上記反応チャンバ
にフッ素含有化合物ガスを供給するフッ素含有化合物ガ
ス供給源と、上記反応性ガス供給源、キャリアガス供給
源及びフッ素含有化合物ガス供給源と上記反応チャンバ
の両端部とを接続する配管と、上記配管に設けられたガ
ス導入バルブと、上記反応チャンバの両端部に接続され
た真空排気配管と、上記真空排気配管に設けられ、上記
反応チャンバの両端部の一方から上記ガス導入バルブと
連動してフリップフロップ方式で反応チャンバを排気す
る排気バルブと、上記真空排気配管に接続された真空排
気手段とを備えたので、石英管３を横型減圧ＣＶＤ装置
から取り外すことなくクリーニングでき、装置の稼働率
の低下を減少できる。また、膜生成のバッチ毎にクリー
ニングを行うことも可能となり、これによって堆積物を
膜生成時にほとんど除去でき、適切なパーティクル管理
が実現でき、信頼性の高いＶＬＳＩが得られるという効
果を奏する。
【００３４】この発明の請求項第２項は、請求項第１項
の横型減圧ＣＶＤ装置における反応チャンバにダストカ
ウンターを設けたので、リアルタイムでクリーニング状
態を把握でき、正確なクリーニング終了時を決定するこ
とができるという効果を奏する。
の横型減圧ＣＶＤ装置における反応チャンバにダストカ
ウンターを設けたので、リアルタイムでクリーニング状
態を把握でき、正確なクリーニング終了時を決定するこ
とができるという効果を奏する。
【００３５】この発明の請求項第３項は、請求項第１項
の横型減圧ＣＶＤ装置における反応チャンバ内にモニタ
ーウエハを収容し、このモニターウエハに向けてレーザ
光を照射するレーザ光照射装置と、上記モニターウエハ
を透過したレーザ光を検出するレーザ光検出器とを設け
たので、リアルタイムでクリーニング状態を把握でき、
正確なクリーニング終了時を決定することができ、所望
のレベルでパーティクル管理を行うことができるという
効果を奏する。
の横型減圧ＣＶＤ装置における反応チャンバ内にモニタ
ーウエハを収容し、このモニターウエハに向けてレーザ
光を照射するレーザ光照射装置と、上記モニターウエハ
を透過したレーザ光を検出するレーザ光検出器とを設け
たので、リアルタイムでクリーニング状態を把握でき、
正確なクリーニング終了時を決定することができ、所望
のレベルでパーティクル管理を行うことができるという
効果を奏する。
【００３６】この発明の請求項第４項は、複数枚の半導
体ウエハを横置きに収容する反応チャンバを所定温度に
加熱しかつ所定の減圧状態に維持し、上記反応チャンバ
内にフッ素含有化合物ガス及びキャリアガスをフリップ
フロップ方式で導入−排気することにより、上記反応チ
ャンバ内の反応性ガスの堆積物を除去するので、反応チ
ャンバを満遍なくかつ迅速にクリーニングすることがで
き、信頼性の高いＶＬＳＩが得られるという効果を奏す
る。
体ウエハを横置きに収容する反応チャンバを所定温度に
加熱しかつ所定の減圧状態に維持し、上記反応チャンバ
内にフッ素含有化合物ガス及びキャリアガスをフリップ
フロップ方式で導入−排気することにより、上記反応チ
ャンバ内の反応性ガスの堆積物を除去するので、反応チ
ャンバを満遍なくかつ迅速にクリーニングすることがで
き、信頼性の高いＶＬＳＩが得られるという効果を奏す
る。
【図１】この発明の実施例１による横型減圧ＣＶＤ装置
を示す概略構成図である。
を示す概略構成図である。
【図２】この発明の実施例２による横型減圧ＣＶＤ装置
を示す概略構成図である。
を示す概略構成図である。
【図３】この発明の実施例３による横型減圧ＣＶＤ装置
を示す概略構成図である。
を示す概略構成図である。
【図４】従来の横型減圧ＣＶＤ装置を示す概略構成図で
ある。
ある。
１ シリコンウエハ ２ 石英ボート ３ 石英管 ３ａ 低温領域 ４ａ、４ｂ 真空フランジ ５ ヒーター ６ ＳiＨ４ガス供給源 ７ ＰＨ３ガス供給源 ８ Ｎ２ガス供給源 ９、１０、１１、２１ マスフローコントローラー １２、１３、１４、２２ バルブ １５ａ、１５ｂ ガス導入バルブ １５Ａ ガス導入配管 １６ａ、１６ｂ ガス排気バルブ １６Ａ 真空排気配管 １７ メインバルブ １８ サブバルブ １９ ドライポンプ ２０ ＣｌＦ３ガス供給源 ３０ ダストカウンター ３１ モニターウエハ ３２ レーザ光照射装置 ３３ レーザ光検出器 ５０ 有害ガス回収装置
【手続補正書】
【提出日】平成７年３月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項第１項
に係る発明は、複数枚の半導体ウエハを横もしくは縦置
きに収容する反応チャンバと、上記反応チャンバに反応
性ガスを供給する反応性ガス供給源と、上記反応チャン
バにキャリアガスを供給するキャリアガス供給源と、上
記反応チャンバにフッ素含有化合物ガスを供給するフッ
素含有化合物ガス供給源と、上記反応性ガス供給源、キ
ャリアガス供給源及びフッ素含有化合物ガス供給源と上
記反応チャンバの両端部とを接続する配管と、上記配管
に設けられたガス導入バルブと、上記反応チャンバの両
端部に接続された真空排気配管と、上記真空排気配管に
設けられ、上記反応チャンバの両端部の一方から上記ガ
ス導入バルブと連動してフリップフロップ方式で反応チ
ャンバを排気するガス排気バルブと、上記真空排気配管
に接続された真空排気手段とを備えたものである。
に係る発明は、複数枚の半導体ウエハを横もしくは縦置
きに収容する反応チャンバと、上記反応チャンバに反応
性ガスを供給する反応性ガス供給源と、上記反応チャン
バにキャリアガスを供給するキャリアガス供給源と、上
記反応チャンバにフッ素含有化合物ガスを供給するフッ
素含有化合物ガス供給源と、上記反応性ガス供給源、キ
ャリアガス供給源及びフッ素含有化合物ガス供給源と上
記反応チャンバの両端部とを接続する配管と、上記配管
に設けられたガス導入バルブと、上記反応チャンバの両
端部に接続された真空排気配管と、上記真空排気配管に
設けられ、上記反応チャンバの両端部の一方から上記ガ
ス導入バルブと連動してフリップフロップ方式で反応チ
ャンバを排気するガス排気バルブと、上記真空排気配管
に接続された真空排気手段とを備えたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】この発明の請求項第４項に係る発明は、複
数枚の半導体ウエハを横もしくは縦置きに収容する反応
チャンバを所定温度に加熱しかつ所定の減圧状態に維持
し、上記反応チャンバ内にフッ素含有化合物ガス及びキ
ャリアガスをフリップフロップ方式で導入−排気するこ
とにより、上記反応チャンバの内の堆積物を除去するも
のである。
数枚の半導体ウエハを横もしくは縦置きに収容する反応
チャンバを所定温度に加熱しかつ所定の減圧状態に維持
し、上記反応チャンバ内にフッ素含有化合物ガス及びキ
ャリアガスをフリップフロップ方式で導入−排気するこ
とにより、上記反応チャンバの内の堆積物を除去するも
のである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３２】さらに、上述した実施例では、フッ素含有
化合物ガスとしてＣｌＦ３ガスを使用した場合について
説明したが、ＨＦガス、Ｆ２ガス、ＮＦ３ガス、ＣＦ 4
ガス等フッ素ラジカルを生成する種々のフッ素含有化合
物ガスも同様に使用することができ、上述と同様な効果
を奏する。
化合物ガスとしてＣｌＦ３ガスを使用した場合について
説明したが、ＨＦガス、Ｆ２ガス、ＮＦ３ガス、ＣＦ 4
ガス等フッ素ラジカルを生成する種々のフッ素含有化合
物ガスも同様に使用することができ、上述と同様な効果
を奏する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３３】
【発明の効果】以上説明したとおり、この発明の請求項
第１項は、複数枚の半導体ウエハを横もしくは縦置きに
収容する反応チャンバと、上記反応チャンバに反応性ガ
スを供給する反応性ガス供給源と、上記反応チャンバに
キャリアガスを供給するキャリアガス供給源と、上記反
応チャンバにフッ素含有化合物ガスを供給するフッ素含
有化合物ガス供給源と、上記反応性ガス供給源、キャリ
アガス供給源及びフッ素含有化合物ガス供給源と上記反
応チャンバの両端部とを接続する配管と、上記配管に設
けられ、上記反応性ガス、キャリアガス及びフッ素含有
化合物ガスを上記反応チャンバの両端部の一方からフリ
ップフロップ方式で反応チャンバに導入するガス導入バ
ルブと、上記反応チャンバの両端部に接続された真空排
気配管と、上記真空排気配管に設けられ、上記反応チャ
ンバの両端部の一方から上記ガス導入バルブと連動して
フリップフロップ方式で反応チャンバを排気する排気バ
ルブと、上記真空排気配管に接続された真空排気手段と
を備えたので、石英管３を横型減圧ＣＶＤ装置から取り
外すことなくクリーニングでき、装置の稼働率の低下を
減少できる。また、膜生成のバッチ毎にクリーニングを
行うことも可能となり、これによって堆積物を膜生成時
にほとんど除去でき、適切なパーティクル管理が実現で
き、信頼性の高いＶＬＳＩが得られるという効果を奏す
る。
第１項は、複数枚の半導体ウエハを横もしくは縦置きに
収容する反応チャンバと、上記反応チャンバに反応性ガ
スを供給する反応性ガス供給源と、上記反応チャンバに
キャリアガスを供給するキャリアガス供給源と、上記反
応チャンバにフッ素含有化合物ガスを供給するフッ素含
有化合物ガス供給源と、上記反応性ガス供給源、キャリ
アガス供給源及びフッ素含有化合物ガス供給源と上記反
応チャンバの両端部とを接続する配管と、上記配管に設
けられ、上記反応性ガス、キャリアガス及びフッ素含有
化合物ガスを上記反応チャンバの両端部の一方からフリ
ップフロップ方式で反応チャンバに導入するガス導入バ
ルブと、上記反応チャンバの両端部に接続された真空排
気配管と、上記真空排気配管に設けられ、上記反応チャ
ンバの両端部の一方から上記ガス導入バルブと連動して
フリップフロップ方式で反応チャンバを排気する排気バ
ルブと、上記真空排気配管に接続された真空排気手段と
を備えたので、石英管３を横型減圧ＣＶＤ装置から取り
外すことなくクリーニングでき、装置の稼働率の低下を
減少できる。また、膜生成のバッチ毎にクリーニングを
行うことも可能となり、これによって堆積物を膜生成時
にほとんど除去でき、適切なパーティクル管理が実現で
き、信頼性の高いＶＬＳＩが得られるという効果を奏す
る。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３６】この発明の請求項第４項は、複数枚の半導
体ウエハを横もしくは縦置きに収容する反応チャンバを
所定温度に加熱しかつ所定の減圧状態に維持し、上記反
応チャンバ内にフッ素含有化合物ガス及びキャリアガス
をフリップフロップ方式で導入−排気することにより、
上記反応チャンバ内の反応性ガスの堆積物を除去するの
で、反応チャンバを満遍なくかつ迅速にクリーニングす
ることができ、信頼性の高いＶＬＳＩが得られるという
効果を奏する。
体ウエハを横もしくは縦置きに収容する反応チャンバを
所定温度に加熱しかつ所定の減圧状態に維持し、上記反
応チャンバ内にフッ素含有化合物ガス及びキャリアガス
をフリップフロップ方式で導入−排気することにより、
上記反応チャンバ内の反応性ガスの堆積物を除去するの
で、反応チャンバを満遍なくかつ迅速にクリーニングす
ることができ、信頼性の高いＶＬＳＩが得られるという
効果を奏する。
Claims (4)
- 【請求項１】 複数枚の半導体ウエハを横置きに収容す
る反応チャンバと、 上記反応チャンバに反応性ガスを供給する反応性ガス供
給源と、 上記反応チャンバにキャリアガスを供給するキャリアガ
ス供給源と、 上記反応チャンバにフッ素含有化合物ガスを供給するフ
ッ素含有化合物ガス供給源と、 上記反応性ガス供給源、キャリアガス供給源及びフッ素
含有化合物ガス供給源と上記反応チャンバの両端部とを
接続する配管と、 上記配管に設けられたガス導入バルブと、 上記反応チャンバの両端部に接続された真空排気配管
と、 上記真空排気配管に設けられ、上記反応チャンバの両端
部の一方から上記ガス導入バルブと連動してフリップフ
ロップ方式で反応チャンバを排気するガス排気バルブ
と、 上記真空排気配管に接続された真空排気手段とを備えた
ことを特徴とする横型減圧ＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 反応チャンバにダストカウンターが設け
られていることを特徴とする請求項第１項記載の横型減
圧ＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 反応チャンバ内に収容されたモニターウ
エハと、このモニターウエハに向けてレーザ光を照射す
るレーザ光照射装置と、上記モニターウエハを透過した
レーザ光を検出するレーザ光検出器とを設けたことを特
徴とする請求項第１項記載の横型減圧ＣＶＤ装置。 - 【請求項４】 複数枚の半導体ウエハを横置きに収容す
る反応チャンバを所定温度に加熱しかつ所定の減圧状態
に維持し、 上記反応チャンバ内にフッ素含有化合物ガス及びキャリ
アガスをフリップフロップ方式で導入−排気することに
より、上記反応チャンバ内の反応性ガスの堆積物を除去
することを特徴とする横型減圧ＣＶＤ装置のクリーニン
グ方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5316567A JPH07169693A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 横型減圧ｃｖｄ装置及びそのクリーニング方法 |
| US08/356,502 US5517943A (en) | 1993-12-16 | 1994-12-15 | Vacuum CVD apparatus |
| US08/547,924 US5607515A (en) | 1993-12-16 | 1995-10-25 | Method of cleaning CVD apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5316567A JPH07169693A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 横型減圧ｃｖｄ装置及びそのクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07169693A true JPH07169693A (ja) | 1995-07-04 |
Family
ID=18078540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5316567A Pending JPH07169693A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 横型減圧ｃｖｄ装置及びそのクリーニング方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5517943A (ja) |
| JP (1) | JPH07169693A (ja) |
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| US5837094A (en) * | 1996-03-25 | 1998-11-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor manufacturing apparatus |
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- 1995-10-25 US US08/547,924 patent/US5607515A/en not_active Expired - Fee Related
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