JPH09153484A - 薄膜製造方法および装置 - Google Patents
薄膜製造方法および装置Info
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- JPH09153484A JPH09153484A JP33402095A JP33402095A JPH09153484A JP H09153484 A JPH09153484 A JP H09153484A JP 33402095 A JP33402095 A JP 33402095A JP 33402095 A JP33402095 A JP 33402095A JP H09153484 A JPH09153484 A JP H09153484A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＶＤ成膜中に下地膜からのアウトガス発生
を抑制して均質なＣＶＤ成膜を行うＣＶＤ膜の製造方法
を提供する。 【解決手段】 下地膜が形成されたウエハ８表面にＣＶ
Ｄ成膜を行う前に、前記下地膜中の含有ガス成分を、例
えば、高真空排気して、或いは加熱して、或いはプラズ
マ照射して除去する。
を抑制して均質なＣＶＤ成膜を行うＣＶＤ膜の製造方法
を提供する。 【解決手段】 下地膜が形成されたウエハ８表面にＣＶ
Ｄ成膜を行う前に、前記下地膜中の含有ガス成分を、例
えば、高真空排気して、或いは加熱して、或いはプラズ
マ照射して除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の薄膜製
造方法に関する。詳しくは、下地膜中の含有ガス成分を
除去することによって、例えばＣＶＤ膜の膜質を改善す
るとともに、ダストを削減するようにした薄膜の製造方
法および装置に係るものである。
造方法に関する。詳しくは、下地膜中の含有ガス成分を
除去することによって、例えばＣＶＤ膜の膜質を改善す
るとともに、ダストを削減するようにした薄膜の製造方
法および装置に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＣＶＤ膜の製造方法として、公開
技報９０−１９２９６号に見られるように、ウエハ表面
に付着した水分などの不純物を、ＣＶＤ成膜を行う前
に、加熱するとともに真空排気して除去するものが知ら
れる。
技報９０−１９２９６号に見られるように、ウエハ表面
に付着した水分などの不純物を、ＣＶＤ成膜を行う前
に、加熱するとともに真空排気して除去するものが知ら
れる。
【０００３】また、特開昭６１−１７６１２５号公報に
見られるように、ウエハ表面に形成された自然酸化膜
を、熱酸化膜を形成する前に、加熱するとともに真空排
気して除去するものも知られる。
見られるように、ウエハ表面に形成された自然酸化膜
を、熱酸化膜を形成する前に、加熱するとともに真空排
気して除去するものも知られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術においては、ウエハの表面の不純物や自然酸化膜
を除去できるが、下地膜中の含有ガス成分を除去するこ
とができない。したがって、ＣＶＤ成膜中に下地膜から
発生するガス（アウトガス）がＣＶＤプロセスで用いる
反応ガスと反応して、局部的に膜の生成速度が上がり、
均質な膜に制御することが困難になる。また、このアウ
トガスの反応により、異物が形成され、ダストが発生す
る。これを更に詳しく説明すると、下地膜は、一般にプ
ラズマナイトライド、プラズマＳｉＯ2酸化膜等から成
り、定期的にプラズマクリーニングをしながら成膜され
る。このクリーニングは、Ｃ2Ｆ6ガスと酸素ガスとの混
合ガス、あるいはＮＦ3ガスとＮ2Ｏガスとの混合ガス等
のクリーニングガス雰囲気中で高周波放電させて、ドラ
イエッチングしながら行われる。クリーニング後は、ク
リーニングガスをＮ2ガスでパージするが、完全にパー
ジされない場合、クリーニングガスがＣ，Ｆのイオンの
形で下地膜中に含有される。したがって、次工程のＣＶ
Ｄ成膜中、下地膜からフッ素系ガス、炭素系ガスが発生
し、特にフッ素系ガスのＦ2ガスがＦの電気陰性度の高
さの為にＣＶＤ反応ガスたるハイドライド（水素化物：
ＳｉＨ4，ＰＨ3，Ｂ2Ｈ6,ＡｓＨ3等）のＨと反応してＨ
Ｆを生成し、ハイドライドを活性化させる。特に吸着性
の高いＰＨ3等は下地膜に吸着し、これが局部的に発生
するアウトガスにより活性化されて局部的に膜の生成速
度が上がり、均質な膜に制御することが困難になる。
来技術においては、ウエハの表面の不純物や自然酸化膜
を除去できるが、下地膜中の含有ガス成分を除去するこ
とができない。したがって、ＣＶＤ成膜中に下地膜から
発生するガス（アウトガス）がＣＶＤプロセスで用いる
反応ガスと反応して、局部的に膜の生成速度が上がり、
均質な膜に制御することが困難になる。また、このアウ
トガスの反応により、異物が形成され、ダストが発生す
る。これを更に詳しく説明すると、下地膜は、一般にプ
ラズマナイトライド、プラズマＳｉＯ2酸化膜等から成
り、定期的にプラズマクリーニングをしながら成膜され
る。このクリーニングは、Ｃ2Ｆ6ガスと酸素ガスとの混
合ガス、あるいはＮＦ3ガスとＮ2Ｏガスとの混合ガス等
のクリーニングガス雰囲気中で高周波放電させて、ドラ
イエッチングしながら行われる。クリーニング後は、ク
リーニングガスをＮ2ガスでパージするが、完全にパー
ジされない場合、クリーニングガスがＣ，Ｆのイオンの
形で下地膜中に含有される。したがって、次工程のＣＶ
Ｄ成膜中、下地膜からフッ素系ガス、炭素系ガスが発生
し、特にフッ素系ガスのＦ2ガスがＦの電気陰性度の高
さの為にＣＶＤ反応ガスたるハイドライド（水素化物：
ＳｉＨ4，ＰＨ3，Ｂ2Ｈ6,ＡｓＨ3等）のＨと反応してＨ
Ｆを生成し、ハイドライドを活性化させる。特に吸着性
の高いＰＨ3等は下地膜に吸着し、これが局部的に発生
するアウトガスにより活性化されて局部的に膜の生成速
度が上がり、均質な膜に制御することが困難になる。
【０００５】本発明は上記従来技術の問題点に鑑みなさ
れたものであって、例えば、ＣＶＤ等による薄膜形成中
に下地膜からのガスの発生を抑制して均質な成膜を行う
薄膜の製造方法を提供することを目的とする。
れたものであって、例えば、ＣＶＤ等による薄膜形成中
に下地膜からのガスの発生を抑制して均質な成膜を行う
薄膜の製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明においては、下地膜が形成されたウエハ表面
に薄膜を形成する前に、前記下地膜中の含有ガス成分を
除去することを特徴とする薄膜製造方法を提供する。
め、本発明においては、下地膜が形成されたウエハ表面
に薄膜を形成する前に、前記下地膜中の含有ガス成分を
除去することを特徴とする薄膜製造方法を提供する。
【０００７】好ましい実施例においては、前記薄膜をＣ
ＶＤプロセスにより形成することを特徴としている。
ＶＤプロセスにより形成することを特徴としている。
【０００８】別の好ましい実施例においては、前記含有
ガス成分を高真空排気して除去することを特徴としてい
る。
ガス成分を高真空排気して除去することを特徴としてい
る。
【０００９】別の好ましい実施例においては、前記含有
ガス成分を加熱して除去することを特徴としている。
ガス成分を加熱して除去することを特徴としている。
【００１０】別の好ましい実施例においては、前記含有
ガス成分をプラズマ照射して除去することを特徴として
いる。
ガス成分をプラズマ照射して除去することを特徴として
いる。
【００１１】別の好ましい実施例においては、前記下地
膜から発生するガスを、薄膜を形成する前に、質量分析
器により分析し、下地膜中の含有ガス成分の量が所定レ
ベル以下のとき、この下地膜が形成されたウエハを反応
室に搬送することを特徴としている。
膜から発生するガスを、薄膜を形成する前に、質量分析
器により分析し、下地膜中の含有ガス成分の量が所定レ
ベル以下のとき、この下地膜が形成されたウエハを反応
室に搬送することを特徴としている。
【００１２】別の好ましい実施例においては、反応室の
クリーニング後に残留するガスを、下地膜を形成する前
に、質量分析器により分析し、その量が所定レベル以下
のとき、下地膜を形成することを特徴としている。
クリーニング後に残留するガスを、下地膜を形成する前
に、質量分析器により分析し、その量が所定レベル以下
のとき、下地膜を形成することを特徴としている。
【００１３】さらに、本発明においては、下地膜が形成
されたウエハ表面に薄膜を形成する薄膜製造装置におい
て、前記下地膜の含有ガス成分をアウトガスとして放出
させるための含有ガス成分除去手段を備えたことを特徴
とする薄膜製造装置を提供する。
されたウエハ表面に薄膜を形成する薄膜製造装置におい
て、前記下地膜の含有ガス成分をアウトガスとして放出
させるための含有ガス成分除去手段を備えたことを特徴
とする薄膜製造装置を提供する。
【００１４】好ましい実施例においては、前記含有ガス
成分除去手段は、真空排気ポンプおよび／または加熱ヒ
ーターおよび／またはプラズマ照射装置からなることを
特徴としている。
成分除去手段は、真空排気ポンプおよび／または加熱ヒ
ーターおよび／またはプラズマ照射装置からなることを
特徴としている。
【００１５】
【作用】例えばＣＶＤ成膜を行う前に、下地膜中の含有
ガス成分を、高真空排気等により除去する。これによ
り、ＣＶＤ成膜中に下地膜からガスが発生されなくなり
又は抑制され、均質な膜を生成することができ、またダ
ストを削減することができる。
ガス成分を、高真空排気等により除去する。これによ
り、ＣＶＤ成膜中に下地膜からガスが発生されなくなり
又は抑制され、均質な膜を生成することができ、またダ
ストを削減することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は本発明の製造方法を実施す
るための装置の第１実施例を示す構成図である。この装
置は、ＣＶＤ反応室３の前段にロードロック室１を備え
る構成のものである。ＣＶＤ反応室３とロードロック室
１の夫々には、バルブ５を介してドライポンプ５、高真
空ポンプ（オイル拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ、クラ
イオポンプ等）７、及び質量分析器１０が接続され、両
室３，１間の仕切壁にはサセプター１に載せられるウエ
ハ８を受け渡すためのゲートバルブ４が設けられる。
尚、ウエハ８は、この装置に入れられる前にプラズマナ
イトライド、プラズマＳｉＯ2 酸化膜等から成る下地膜
が形成されている。
るための装置の第１実施例を示す構成図である。この装
置は、ＣＶＤ反応室３の前段にロードロック室１を備え
る構成のものである。ＣＶＤ反応室３とロードロック室
１の夫々には、バルブ５を介してドライポンプ５、高真
空ポンプ（オイル拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ、クラ
イオポンプ等）７、及び質量分析器１０が接続され、両
室３，１間の仕切壁にはサセプター１に載せられるウエ
ハ８を受け渡すためのゲートバルブ４が設けられる。
尚、ウエハ８は、この装置に入れられる前にプラズマナ
イトライド、プラズマＳｉＯ2 酸化膜等から成る下地膜
が形成されている。
【００１７】上記装置によれば、先ず、下地膜が形成さ
れたウエハ８を、ロードロック室１に入れ、ロードロッ
ク室１をドライポンプ６で粗引きし、次いで高真空ポン
プ７で高真空にして、ウエハ８上の下地膜中からプラズ
マクリーニングにより混入したフッ素系ガス、炭素系ガ
スをアウトガスとして放出させる。次いで、この放出さ
れたロードロック室１内のアウトガスを質量分析器１０
により分析し、下地膜中の含有ガス成分の量が所定レベ
ル以下になり、準備が完了したのを確認する。その後、
ゲートバルブ４を開き、下地膜から含有ガス成分が除去
されたウエハ８をＣＶＤ反応室３に移した後ゲートバル
ブを閉じる。ＣＶＤ反応室３では、室内のフッ素系ガ
ス、炭素系ガスを再度質量分析器１０により分析し前述
と同様に所定レベル以下のときは直ちにＣＶＤ成膜処理
を開始する。少しでも所定レベル以上のときは、ロード
ロック室１で行ったと同様に真空排気して下地膜中の含
有ガス成分の量を所定レベル以下の状態にした後、ＣＶ
Ｄ成膜処理を開始する。
れたウエハ８を、ロードロック室１に入れ、ロードロッ
ク室１をドライポンプ６で粗引きし、次いで高真空ポン
プ７で高真空にして、ウエハ８上の下地膜中からプラズ
マクリーニングにより混入したフッ素系ガス、炭素系ガ
スをアウトガスとして放出させる。次いで、この放出さ
れたロードロック室１内のアウトガスを質量分析器１０
により分析し、下地膜中の含有ガス成分の量が所定レベ
ル以下になり、準備が完了したのを確認する。その後、
ゲートバルブ４を開き、下地膜から含有ガス成分が除去
されたウエハ８をＣＶＤ反応室３に移した後ゲートバル
ブを閉じる。ＣＶＤ反応室３では、室内のフッ素系ガ
ス、炭素系ガスを再度質量分析器１０により分析し前述
と同様に所定レベル以下のときは直ちにＣＶＤ成膜処理
を開始する。少しでも所定レベル以上のときは、ロード
ロック室１で行ったと同様に真空排気して下地膜中の含
有ガス成分の量を所定レベル以下の状態にした後、ＣＶ
Ｄ成膜処理を開始する。
【００１８】このように、予め下地膜からプラズマクリ
ーニング時の含有ガス成分を除去した後、ＣＶＤ成膜を
行うようにしたので、ＣＶＤ成膜中に、下地膜から所定
レベル以上のクリーニングガスたるフッ素系ガスや炭素
系ガスがアウトガスとして発生することがなく、したが
って、従来技術のように、そのガスがハイドライドから
成るＣＶＤ反応性ガスと反応し、それを活性化させ、局
部的に膜の生成速度が上昇することがない。これにより
均質なＣＶＤ膜が形成される。また、ＣＶＤ成膜中に、
アウトガスとＣＶＤ反応ガスとの反応作用がないため異
物が形成されず、従ってダストが発生することもない。
ーニング時の含有ガス成分を除去した後、ＣＶＤ成膜を
行うようにしたので、ＣＶＤ成膜中に、下地膜から所定
レベル以上のクリーニングガスたるフッ素系ガスや炭素
系ガスがアウトガスとして発生することがなく、したが
って、従来技術のように、そのガスがハイドライドから
成るＣＶＤ反応性ガスと反応し、それを活性化させ、局
部的に膜の生成速度が上昇することがない。これにより
均質なＣＶＤ膜が形成される。また、ＣＶＤ成膜中に、
アウトガスとＣＶＤ反応ガスとの反応作用がないため異
物が形成されず、従ってダストが発生することもない。
【００１９】図２は、本発明の製造方法を実施するため
の装置の第２実施例を示す構成図である。この装置は、
ＣＶＤ反応室３の前段にロードロック室１と反応予備室
２とを備える構成のものである。ロードロック室１に
は、バルブ５を介してドライポンプ６が接続され、反応
予備室２とＣＶＤ反応室３の夫々には、バルブ５を介し
てドライポンプ６、高真空ポンプ７、及び質量分析器１
０が接続され、さらに反応予備室２にはプラズマ発生用
の高周波電源１１が接続される。また、各室１，２，３
間の仕切壁にはウエハ８を受け渡すためのゲートバルブ
４が設けられる。上記装置によれば、先ず、下地膜が形
成されたウエハ８を、ドライポンプ６で予備排気された
ロードロック室１からゲートバルブ４を開いて反応予備
室２のサセプター９上に載せ、ゲートバルブ４を閉じ
る。次いで、反応予備室２に不活性ガスを導入し、高周
波電源１１を駆動させて、プラズマ放電を起こし、ウエ
ハ８の下地膜にプラズマ照射して、下地膜中から含有ガ
ス成分たるクリーニングガスをアウトガスとして放出さ
せる。次いで、不活性ガスの供給を止め、反応予備室２
内をドライポンプ６で粗引きした後、高真空ポンプ７で
高真空に排気し、質量分析器１０により予備室２内のガ
スの分析を行う。ウエハ８の下地膜に含まれるガス成分
の量が所定レベル以下であることが確認できれば、ＣＶ
Ｄ反応室３へのゲートバルブ４を開き、下地膜からクリ
ーニングガスが除去されたウエハ８をＣＶＤ反応室３の
サセプター上に移した後、ゲートバルブ４を閉じる。反
応室３での操作は、前記第１実施例と特に異なることは
ないので説明を省略するが、この実施例によっても均質
なＣＶＤ膜が形成されると共に、ダストが発生すること
もない。 図３は、本発明の製造方法を実施するための
装置の第３実施例を示す構成図である。この装置は、前
記第２実施例の装置の高周波電源１１に代えてヒーター
１２を備える構成のものである。したがって、反応予備
室２において、ヒーター１２による加熱でウエハ８の下
地膜から含有ガス成分たるクリーニングガスを放出させ
る点を除けば、前記第２実施例の操作と特に異なる点は
ないので説明は省略する。
の装置の第２実施例を示す構成図である。この装置は、
ＣＶＤ反応室３の前段にロードロック室１と反応予備室
２とを備える構成のものである。ロードロック室１に
は、バルブ５を介してドライポンプ６が接続され、反応
予備室２とＣＶＤ反応室３の夫々には、バルブ５を介し
てドライポンプ６、高真空ポンプ７、及び質量分析器１
０が接続され、さらに反応予備室２にはプラズマ発生用
の高周波電源１１が接続される。また、各室１，２，３
間の仕切壁にはウエハ８を受け渡すためのゲートバルブ
４が設けられる。上記装置によれば、先ず、下地膜が形
成されたウエハ８を、ドライポンプ６で予備排気された
ロードロック室１からゲートバルブ４を開いて反応予備
室２のサセプター９上に載せ、ゲートバルブ４を閉じ
る。次いで、反応予備室２に不活性ガスを導入し、高周
波電源１１を駆動させて、プラズマ放電を起こし、ウエ
ハ８の下地膜にプラズマ照射して、下地膜中から含有ガ
ス成分たるクリーニングガスをアウトガスとして放出さ
せる。次いで、不活性ガスの供給を止め、反応予備室２
内をドライポンプ６で粗引きした後、高真空ポンプ７で
高真空に排気し、質量分析器１０により予備室２内のガ
スの分析を行う。ウエハ８の下地膜に含まれるガス成分
の量が所定レベル以下であることが確認できれば、ＣＶ
Ｄ反応室３へのゲートバルブ４を開き、下地膜からクリ
ーニングガスが除去されたウエハ８をＣＶＤ反応室３の
サセプター上に移した後、ゲートバルブ４を閉じる。反
応室３での操作は、前記第１実施例と特に異なることは
ないので説明を省略するが、この実施例によっても均質
なＣＶＤ膜が形成されると共に、ダストが発生すること
もない。 図３は、本発明の製造方法を実施するための
装置の第３実施例を示す構成図である。この装置は、前
記第２実施例の装置の高周波電源１１に代えてヒーター
１２を備える構成のものである。したがって、反応予備
室２において、ヒーター１２による加熱でウエハ８の下
地膜から含有ガス成分たるクリーニングガスを放出させ
る点を除けば、前記第２実施例の操作と特に異なる点は
ないので説明は省略する。
【００２０】この実施例によっても、均質なＣＶＤ膜が
形成されると共に、ダストが発生することもない。
形成されると共に、ダストが発生することもない。
【００２１】図４は、本発明の製造方法を実施するため
の装置の第４実施例を示す構成図である。この装置は、
反応予備室２に前記第２実施例の高周波電源１１と前記
第３実施例のヒーター１２とを備える構成のものであ
る。
の装置の第４実施例を示す構成図である。この装置は、
反応予備室２に前記第２実施例の高周波電源１１と前記
第３実施例のヒーター１２とを備える構成のものであ
る。
【００２２】したがって、反応予備室２において、高周
波電源１１によるプラズマ照射とヒーター１２による加
熱とでウエハ８の下地膜から含有ガス成分たるクリーニ
ングガスを放出させる点を除けば、前記第２実施例の操
作と特に異なる点はないので説明は省略する。この実施
例によっても均質なＣＶＤ膜が形成されると共に、ダス
トが発生することもない。
波電源１１によるプラズマ照射とヒーター１２による加
熱とでウエハ８の下地膜から含有ガス成分たるクリーニ
ングガスを放出させる点を除けば、前記第２実施例の操
作と特に異なる点はないので説明は省略する。この実施
例によっても均質なＣＶＤ膜が形成されると共に、ダス
トが発生することもない。
【００２３】図５は、本発明の製造方法を実施するため
の装置の第５実施例を示す構成図である。この装置は、
バッチ方式のＣＶＤ装置で、ＣＶＤ反応室３内でウエハ
８の下地膜に含有するガス成分を除去する構成のもので
ある。すなわち、ＣＶＤ反応室３にバルブ５を介してド
ライポンプ６、高真空ポンプ７、質量分析器１０及び高
周波電源１１が接続され、ＣＶＤ反応室３内にはヒータ
ー１２が設けられる構成のものである。
の装置の第５実施例を示す構成図である。この装置は、
バッチ方式のＣＶＤ装置で、ＣＶＤ反応室３内でウエハ
８の下地膜に含有するガス成分を除去する構成のもので
ある。すなわち、ＣＶＤ反応室３にバルブ５を介してド
ライポンプ６、高真空ポンプ７、質量分析器１０及び高
周波電源１１が接続され、ＣＶＤ反応室３内にはヒータ
ー１２が設けられる構成のものである。
【００２４】上記装置によれば、先ず、ＣＶＤ反応室３
をドライポンプ６で粗引きし、高真空ポンプ７で高真空
排気すると共に、ウエハ８の下地膜をヒーター１２で加
熱して、下地膜から含有ガス成分たるクリーニングガス
を放出させ、ＣＶＤ反応室３外へ排出する。次いで、Ｃ
ＶＤ反応室３に不活性ガスを導入し、高周波電源１１を
駆動させて、プラズマ放電を起こし、ウエハ８の下地膜
にプラズマ照射して、下地膜中から含有ガス成分たるク
リーニングガスをさらに放出させる。次いで、不活性ガ
スの供給を止め、ＣＶＤ反応室３内を再度ドライポンプ
６で粗引きした後、高真空ポンプ７で高真空に排気し、
質量分析器１０により残留ガスの分析を行う。ウエハ８
の下地膜に含まれるガス成分の量が所定レベル以下であ
ることが確認できれば、ＣＶＤ成膜処理を開始する。こ
の実施例によっても均質なＣＶＤ膜が形成されると共
に、ダストが発生することもない。
をドライポンプ６で粗引きし、高真空ポンプ７で高真空
排気すると共に、ウエハ８の下地膜をヒーター１２で加
熱して、下地膜から含有ガス成分たるクリーニングガス
を放出させ、ＣＶＤ反応室３外へ排出する。次いで、Ｃ
ＶＤ反応室３に不活性ガスを導入し、高周波電源１１を
駆動させて、プラズマ放電を起こし、ウエハ８の下地膜
にプラズマ照射して、下地膜中から含有ガス成分たるク
リーニングガスをさらに放出させる。次いで、不活性ガ
スの供給を止め、ＣＶＤ反応室３内を再度ドライポンプ
６で粗引きした後、高真空ポンプ７で高真空に排気し、
質量分析器１０により残留ガスの分析を行う。ウエハ８
の下地膜に含まれるガス成分の量が所定レベル以下であ
ることが確認できれば、ＣＶＤ成膜処理を開始する。こ
の実施例によっても均質なＣＶＤ膜が形成されると共
に、ダストが発生することもない。
【００２５】尚、前記第１ないし第４実施例におけるＣ
ＶＤ反応室３を、第５実施例のようなバッチ方式の装置
にすることも可能である。
ＶＤ反応室３を、第５実施例のようなバッチ方式の装置
にすることも可能である。
【００２６】また、Ｐ−ＳｉＮあるいはＰ−ＳｉＯ等の
下地膜形成工程においては、定期的に前述のようにフッ
素系ガスを用いたクリーニングが行われ、各クリーニン
グ後にＮ2ガス等により反応室内がパージされる。この
パージ後に質量分析器を用いて反応室内に残留するフッ
素系クリーニングガスの量を計測し、この残留ガス量が
所定値以下であることを確認してから次の下地膜形成工
程を開始するようにしてもよい。このような方法を用い
れば、下地膜中に混入するガス成分自体を減少させるこ
とができる。
下地膜形成工程においては、定期的に前述のようにフッ
素系ガスを用いたクリーニングが行われ、各クリーニン
グ後にＮ2ガス等により反応室内がパージされる。この
パージ後に質量分析器を用いて反応室内に残留するフッ
素系クリーニングガスの量を計測し、この残留ガス量が
所定値以下であることを確認してから次の下地膜形成工
程を開始するようにしてもよい。このような方法を用い
れば、下地膜中に混入するガス成分自体を減少させるこ
とができる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、下地膜が形成されたウエハ表面に例えばＣＶＤ成膜
を行う前に、下地膜中の含有ガス成分を除去するように
したため、ＣＶＤ成膜中に下地膜から不純物アウトガス
が発生することがなく、従来技術のように不純物アウト
ガスとＣＶＤ反応性ガスとが反応して、局部的に膜の生
成速度が上昇したり、異物が形成されることがなくな
り、均質なＣＶＤ膜を得ることができると共に、ダスト
の発生を防止できる。
は、下地膜が形成されたウエハ表面に例えばＣＶＤ成膜
を行う前に、下地膜中の含有ガス成分を除去するように
したため、ＣＶＤ成膜中に下地膜から不純物アウトガス
が発生することがなく、従来技術のように不純物アウト
ガスとＣＶＤ反応性ガスとが反応して、局部的に膜の生
成速度が上昇したり、異物が形成されることがなくな
り、均質なＣＶＤ膜を得ることができると共に、ダスト
の発生を防止できる。
【００２８】なお、本発明は、ＣＶＤ装置を用いたＣＶ
Ｄプロセスによる薄膜形成方法に限定されず、真空蒸着
装置、スパッタ装置あるいは加熱炉等を用いた半導体ウ
エハ上への成膜プロセスあるいはイオンエッチングやプ
ラズマエッチング等のドライエッチングによる薄膜形成
プロセスに適用できる。
Ｄプロセスによる薄膜形成方法に限定されず、真空蒸着
装置、スパッタ装置あるいは加熱炉等を用いた半導体ウ
エハ上への成膜プロセスあるいはイオンエッチングやプ
ラズマエッチング等のドライエッチングによる薄膜形成
プロセスに適用できる。
【図１】 本発明に係るＣＶＤ膜の製造方法を実施する
ための装置の第１実施例を示す構成図である。
ための装置の第１実施例を示す構成図である。
【図２】 本発明に係るＣＶＤ膜の製造方法を実施する
ための装置の第２実施例を示す構成図である。
ための装置の第２実施例を示す構成図である。
【図３】 本発明に係るＣＶＤ膜の製造方法を実施する
ための装置の第３の実施例を示す構成図である。
ための装置の第３の実施例を示す構成図である。
【図４】 本発明に係るＣＶＤ膜の製造方法を実施する
ための装置の第４の実施例を示す構成図である。
ための装置の第４の実施例を示す構成図である。
【図５】 本発明に係るＣＶＤ膜の製造方法を実施する
ための装置の第５の実施例を示す構成図である。
ための装置の第５の実施例を示す構成図である。
１：ロードロック室、２：反応予備室、３：ＣＶＤ反応
室、４：ゲートバルブ、５：バルブ、６：ドライポン
プ、７：高真空ポンプ、８：ウエハ、９：サセプター、
１０：質量分析器、１１：高周波電源、１２：ヒータ
ー。
室、４：ゲートバルブ、５：バルブ、６：ドライポン
プ、７：高真空ポンプ、８：ウエハ、９：サセプター、
１０：質量分析器、１１：高周波電源、１２：ヒータ
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───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/316 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｎ
Claims (9)
- 【請求項１】 下地膜が形成されたウエハ表面に薄膜を
形成する前に、前記下地膜中の含有ガス成分を除去する
ことを特徴とする薄膜製造方法。 - 【請求項２】 前記薄膜をＣＶＤプロセスにより形成す
ることを特徴とする請求項１に記載の薄膜製造方法。 - 【請求項３】 前記含有ガス成分を高真空排気して除去
することを特徴とする請求項１に記載の薄膜製造方法。 - 【請求項４】 前記含有ガス成分を加熱して除去するこ
とを特徴とする請求項１に記載の薄膜製造方法。 - 【請求項５】 前記含有ガス成分をプラズマ照射して除
去することを特徴とする請求項１に記載の薄膜製造方
法。 - 【請求項６】 前記下地膜から発生するガスを、薄膜を
形成する前に、質量分析器により分析し、下地膜中の含
有ガス成分の量が所定レベル以下のとき、この下地膜が
形成されたウエハを反応室に搬送することを特徴とする
請求項１に記載の薄膜製造方法。 - 【請求項７】 反応室のクリーニング後に残留するガス
を、下地膜を形成する前に、質量分析器により分析し、
その量が所定レベル以下のとき、下地膜を形成すること
を特徴とする請求項１に記載の薄膜製造方法。 - 【請求項８】 下地膜が形成されたウエハ表面に薄膜を
形成する薄膜製造装置において、前記下地膜の含有ガス
成分をアウトガスとして放出させるための含有ガス成分
除去手段を備えたことを特徴とする薄膜製造装置。 - 【請求項９】 前記含有ガス成分除去手段は、真空排気
ポンプおよび／または加熱ヒーターおよび／またはプラ
ズマ照射装置からなることを特徴とする請求項８に記載
の薄膜製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33402095A JPH09153484A (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 薄膜製造方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33402095A JPH09153484A (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 薄膜製造方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09153484A true JPH09153484A (ja) | 1997-06-10 |
Family
ID=18272611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33402095A Pending JPH09153484A (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 薄膜製造方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09153484A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11260738A (ja) * | 1998-03-09 | 1999-09-24 | Ulvac Corp | 真空熱処理装置 |
| JP2001267266A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-09-28 | Axcelis Technologies Inc | プラズマイマージョンイオン注入処理の方法 |
| JP2001313289A (ja) * | 2000-01-28 | 2001-11-09 | Applied Materials Inc | 半導体ウエーハ処理システムの洗浄方法及び装置 |
| KR100434546B1 (ko) * | 2002-04-22 | 2004-06-05 | 삼성전자주식회사 | 진공 용기 |
| KR100459900B1 (ko) * | 2002-04-26 | 2004-12-03 | 삼성전자주식회사 | 원자층 적층 분석기 |
| US6849555B2 (en) | 2001-03-13 | 2005-02-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wafer processing apparatus and wafer processing method using the same |
| JP2007173275A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空処理システム及び基板予備加熱方法 |
-
1995
- 1995-11-29 JP JP33402095A patent/JPH09153484A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11260738A (ja) * | 1998-03-09 | 1999-09-24 | Ulvac Corp | 真空熱処理装置 |
| JP2001267266A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-09-28 | Axcelis Technologies Inc | プラズマイマージョンイオン注入処理の方法 |
| JP2001313289A (ja) * | 2000-01-28 | 2001-11-09 | Applied Materials Inc | 半導体ウエーハ処理システムの洗浄方法及び装置 |
| US6849555B2 (en) | 2001-03-13 | 2005-02-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wafer processing apparatus and wafer processing method using the same |
| KR100434546B1 (ko) * | 2002-04-22 | 2004-06-05 | 삼성전자주식회사 | 진공 용기 |
| KR100459900B1 (ko) * | 2002-04-26 | 2004-12-03 | 삼성전자주식회사 | 원자층 적층 분석기 |
| JP2007173275A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空処理システム及び基板予備加熱方法 |
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