JPH07169971A - ドライブ回路ｔｆｔの製造方法 - Google Patents
ドライブ回路ｔｆｔの製造方法Info
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- JPH07169971A JPH07169971A JP34210993A JP34210993A JPH07169971A JP H07169971 A JPH07169971 A JP H07169971A JP 34210993 A JP34210993 A JP 34210993A JP 34210993 A JP34210993 A JP 34210993A JP H07169971 A JPH07169971 A JP H07169971A
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- circuit tft
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 信号線ドライブ回路ＴＦＴを形成するための
ポリシリコン薄膜の結晶粒の大きさを均一化する。 【構成】 ガラス基板１上に形成されたアモルファスシ
リコン薄膜４のうち信号線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域
７を、レーザビーム形状をこの領域７に対して平行に延
びる帯状とされたエキシマレーザビーム（９）で照射す
る。すると、信号線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域７にお
けるアモルファスシリコン薄膜４を信号線ドライブ回路
ＴＦＴ形成領域７の長手方向に重複照射することなく結
晶化することができる。
ポリシリコン薄膜の結晶粒の大きさを均一化する。 【構成】 ガラス基板１上に形成されたアモルファスシ
リコン薄膜４のうち信号線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域
７を、レーザビーム形状をこの領域７に対して平行に延
びる帯状とされたエキシマレーザビーム（９）で照射す
る。すると、信号線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域７にお
けるアモルファスシリコン薄膜４を信号線ドライブ回路
ＴＦＴ形成領域７の長手方向に重複照射することなく結
晶化することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はドライブ回路ＴＦＴ
（薄膜トランジスタ）の製造方法に関する。
（薄膜トランジスタ）の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばアクティブマトリクス型の液晶表
示装置には、図１（Ｂ）を参照して説明すると、ガラス
基板１上のほぼ正方形状の画素スイッチング素子形成領
域６にアクティブ回路ＴＦＴを形成し、同ガラス基板１
上であって画素スイッチング素子形成領域６の直交する
所定の２辺の一方側（図１（Ｂ）において上側）および
他方側（図１（Ｂ）において左側）の短冊形状の信号線
ドライブ回路ＴＦＴ形成領域７および同じく短冊形状の
走査線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域８にそれぞれ信号線
ドライブ回路ＴＦＴおよび走査線ドライブ回路ＴＦＴを
形成したものがある。
示装置には、図１（Ｂ）を参照して説明すると、ガラス
基板１上のほぼ正方形状の画素スイッチング素子形成領
域６にアクティブ回路ＴＦＴを形成し、同ガラス基板１
上であって画素スイッチング素子形成領域６の直交する
所定の２辺の一方側（図１（Ｂ）において上側）および
他方側（図１（Ｂ）において左側）の短冊形状の信号線
ドライブ回路ＴＦＴ形成領域７および同じく短冊形状の
走査線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域８にそれぞれ信号線
ドライブ回路ＴＦＴおよび走査線ドライブ回路ＴＦＴを
形成したものがある。
【０００３】ところで、このような液晶表示装置におけ
る各回路のＴＦＴを製造する方法には、比較的大きなガ
ラス基板の上面全体にアモルファスシリコン薄膜を形成
し、このアモルファスシリコン薄膜にエキシマレーザビ
ームを照射するにより該アモルファスシリコン薄膜を結
晶化してポリシリコン薄膜とし、このポリシリコン薄膜
を素子分離して各回路のＴＦＴを形成する方法がある。
この場合、ガラス基板の大きさに対してエキシマレーザ
ビームのスポットサイズが最大でも１０ｍｍ×１０ｍｍ
程度とかなり小さいので、エキシマレーザビームをＸ方
向およびＹ方向にスキャンさせてアモルファスシリコン
薄膜全体を照射するようにしている。
る各回路のＴＦＴを製造する方法には、比較的大きなガ
ラス基板の上面全体にアモルファスシリコン薄膜を形成
し、このアモルファスシリコン薄膜にエキシマレーザビ
ームを照射するにより該アモルファスシリコン薄膜を結
晶化してポリシリコン薄膜とし、このポリシリコン薄膜
を素子分離して各回路のＴＦＴを形成する方法がある。
この場合、ガラス基板の大きさに対してエキシマレーザ
ビームのスポットサイズが最大でも１０ｍｍ×１０ｍｍ
程度とかなり小さいので、エキシマレーザビームをＸ方
向およびＹ方向にスキャンさせてアモルファスシリコン
薄膜全体を照射するようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このようなＴＦＴの製造方法では、ガラス基板上のアモ
ルファスシリコン薄膜全体を確実に照射するには、例え
ば図７において斜線（ハッチング）で示すように、互い
に隣接する４つのレーザビーム照射領域の境界部分を左
右方向および上下方向で重複して照射する必要があり、
このためポリシリコン薄膜の結晶粒の大きさにバラツキ
が生じ、ひいては特にキャリヤ移動度にバラツキが生じ
ることになる。しかるに、ＴＦＴにおいては、単結晶よ
りも移動度がかなり劣るため、キャリヤ移動度に多少で
もバラツキがあると、致命的な欠点となってしまうとい
う問題があった。この特性要求は、徳にデータをシフト
する信号線ドライブ回路ＴＦＴに求められる。この発明
の目的は、ドライブ回路ＴＦＴを形成するためのポリシ
リコン薄膜の結晶粒の大きさを均一化することのできる
ドライブ回路ＴＦＴの製造方法を提供するものである。
このようなＴＦＴの製造方法では、ガラス基板上のアモ
ルファスシリコン薄膜全体を確実に照射するには、例え
ば図７において斜線（ハッチング）で示すように、互い
に隣接する４つのレーザビーム照射領域の境界部分を左
右方向および上下方向で重複して照射する必要があり、
このためポリシリコン薄膜の結晶粒の大きさにバラツキ
が生じ、ひいては特にキャリヤ移動度にバラツキが生じ
ることになる。しかるに、ＴＦＴにおいては、単結晶よ
りも移動度がかなり劣るため、キャリヤ移動度に多少で
もバラツキがあると、致命的な欠点となってしまうとい
う問題があった。この特性要求は、徳にデータをシフト
する信号線ドライブ回路ＴＦＴに求められる。この発明
の目的は、ドライブ回路ＴＦＴを形成するためのポリシ
リコン薄膜の結晶粒の大きさを均一化することのできる
ドライブ回路ＴＦＴの製造方法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、基板上にド
ライブ回路ＴＦＴを形成する際、レーザビームの形状を
ドライブ回路ＴＦＴ形成領域の長手方向に対してこれよ
りも長い帯状とし、該レーザビームをドライブ回路ＴＦ
Ｔ形成領域の長手方向と直交する方向にスキャン照射す
ることにより、前記基板上に形成されたアモルファスシ
リコン薄膜を結晶化してポリシリコン薄膜とし、該ポリ
シリコン薄膜を活性層とする複数のＴＦＴからなるドラ
イブ回路ＴＦＴを形成するようにしたものである。
ライブ回路ＴＦＴを形成する際、レーザビームの形状を
ドライブ回路ＴＦＴ形成領域の長手方向に対してこれよ
りも長い帯状とし、該レーザビームをドライブ回路ＴＦ
Ｔ形成領域の長手方向と直交する方向にスキャン照射す
ることにより、前記基板上に形成されたアモルファスシ
リコン薄膜を結晶化してポリシリコン薄膜とし、該ポリ
シリコン薄膜を活性層とする複数のＴＦＴからなるドラ
イブ回路ＴＦＴを形成するようにしたものである。
【０００６】
【作用】この発明によれば、基板状に形成されたアモル
ファスシリコン薄膜のうちドライブ回路ＴＦＴ形成領域
を、レーザビーム形状をこの領域の長手方向に対してこ
れよりも長い帯状とされたレーザビームで照射すること
になるので、ドライブ回路ＴＦＴ形成領域におけるアモ
ルファスシリコン薄膜をドライブ回路ＴＦＴ形成領域の
長手方向に重複照射することなく結晶化することがで
き、したがってドライブ回路ＴＦＴを形成するためのポ
リシリコン薄膜の結晶粒の大きさを均一化することがで
きる。
ファスシリコン薄膜のうちドライブ回路ＴＦＴ形成領域
を、レーザビーム形状をこの領域の長手方向に対してこ
れよりも長い帯状とされたレーザビームで照射すること
になるので、ドライブ回路ＴＦＴ形成領域におけるアモ
ルファスシリコン薄膜をドライブ回路ＴＦＴ形成領域の
長手方向に重複照射することなく結晶化することがで
き、したがってドライブ回路ＴＦＴを形成するためのポ
リシリコン薄膜の結晶粒の大きさを均一化することがで
きる。
【０００７】
【実施例】図１〜図６はそれぞれこの発明の一実施例を
適用した液晶表示装置におけるＴＦＴの各製造工程を示
したものである。そこで、これらの図を順に参照しなが
ら、この実施例のＴＦＴの製造方法について説明する。
適用した液晶表示装置におけるＴＦＴの各製造工程を示
したものである。そこで、これらの図を順に参照しなが
ら、この実施例のＴＦＴの製造方法について説明する。
【０００８】まず、図１（Ａ）に示すように、ガラス基
板１の上面にアルミニウムからなる厚さが１０００Å程
度のゲート電極２をパターン形成した上、、ゲート電極
２およびガラス基板１の上面に酸化シリコンからなる厚
さが１５００Å程度のゲート絶縁膜３を成膜し、その上
面に厚さが５００Å程度のアモルファスシリコン薄膜４
を成膜する。次に、エキシマレーザビームを照射するこ
とにより、アモルファスシリコン薄膜４を結晶化してポ
リシリコン薄膜５とする。
板１の上面にアルミニウムからなる厚さが１０００Å程
度のゲート電極２をパターン形成した上、、ゲート電極
２およびガラス基板１の上面に酸化シリコンからなる厚
さが１５００Å程度のゲート絶縁膜３を成膜し、その上
面に厚さが５００Å程度のアモルファスシリコン薄膜４
を成膜する。次に、エキシマレーザビームを照射するこ
とにより、アモルファスシリコン薄膜４を結晶化してポ
リシリコン薄膜５とする。
【０００９】ここで、この場合のエキシマレーザビーム
の照射方法について図１（Ｂ）を参照しながら説明す
る。ガラス基板１上の全面にはアモルファスシリコン薄
膜４が形成されているが、符号６で示すほぼ正方形の領
域は画素スイッチング素子形成領域であり、この画素ス
イッチング素子形成領域６の上側の符号７で示す短冊形
状の領域は信号線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域であり、
画素スイッチング素子形成領域６の左側の符号８で示す
短冊形状の領域は走査線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域で
ある。信号線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域７に形成され
る信号線ドライブ回路ＴＦＴは、図示しないが、Ｃ−Ｍ
ＯＳ ＴＦＴからなるシフトレジスタ回路素子および抱
合せ型Ｃ−ＭＯＳ ＴＦＴからなるトランスファゲート
回路素子を有するもので、各回路素子は、以下に示す方
法によって、各画素列に対応して長手方向に一直線上に
配列されて形成される。換言すれば、シフトレジスタ回
路やトランスファゲート回路を構成する各回路素子であ
るＴＦＴは、それぞれの回路素子が、信号線ドライブ回
路ＴＦＴ形成領域７の幅方向に対しては、同一の位置に
配置される。この場合、信号線ドライブ回路のシフトレ
ジスタを構成するＴＦＴのチャネル幅は２０〜３０μｍ
程度、トランスファゲートを構成するＴＦＴのチャネル
幅は２００〜３００μｍ程度である。
の照射方法について図１（Ｂ）を参照しながら説明す
る。ガラス基板１上の全面にはアモルファスシリコン薄
膜４が形成されているが、符号６で示すほぼ正方形の領
域は画素スイッチング素子形成領域であり、この画素ス
イッチング素子形成領域６の上側の符号７で示す短冊形
状の領域は信号線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域であり、
画素スイッチング素子形成領域６の左側の符号８で示す
短冊形状の領域は走査線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域で
ある。信号線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域７に形成され
る信号線ドライブ回路ＴＦＴは、図示しないが、Ｃ−Ｍ
ＯＳ ＴＦＴからなるシフトレジスタ回路素子および抱
合せ型Ｃ−ＭＯＳ ＴＦＴからなるトランスファゲート
回路素子を有するもので、各回路素子は、以下に示す方
法によって、各画素列に対応して長手方向に一直線上に
配列されて形成される。換言すれば、シフトレジスタ回
路やトランスファゲート回路を構成する各回路素子であ
るＴＦＴは、それぞれの回路素子が、信号線ドライブ回
路ＴＦＴ形成領域７の幅方向に対しては、同一の位置に
配置される。この場合、信号線ドライブ回路のシフトレ
ジスタを構成するＴＦＴのチャネル幅は２０〜３０μｍ
程度、トランスファゲートを構成するＴＦＴのチャネル
幅は２００〜３００μｍ程度である。
【００１０】エキシマレーザビームの照射領域９は、図
示しない光学系によりレーザビーム形状を信号線ドライ
ブ回路ＴＦＴ形成領域７に対して平行に延びる帯状とさ
れていることにより、帯状となっている。この場合、レ
ーザビームの照射エネルギーは照射面積に対応するもの
であるから、例えば、エキシマレーザビームの照射領域
が１０ｍｍ×１０ｍｍの方形である場合と、１００ｍｍ
×１ｍｍあるいは２００ｍｍ×０．５ｍｍの帯状である
場合とは照射エネルギーは同一である。つまり、エキシ
マレーザビームのビーム幅を例えば０．５〜１．０ｍｍ
にして信号線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域７の最上端側
の長手方向全領域に照射し、次に、レーザビーム照射位
置を信号線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域７の幅方向に１
ライン分移動させてレーザビームを照射する。この際、
今回のレーザビーム照射領域が前回の照射領域と一部重
複するように移動量を調整する。以下、同様に、レーザ
ビームを信号線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域７の幅方向
にズラしながらスキャン照射する。このスキャン照射
は、走査線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域８および画素ス
イッチング素子形成領域６に対しても同様に行い、走査
線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域８および画素スイッチン
グ素子形成領域６の終端領域にて終了する。実施例の場
合、レーザビームの照射領域の長さは、ガラス基板１の
長さと同一かそれ以上とし、１回の照射領域の長さを、
走査線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域８および画素スイッ
チング素子形成領域６とを合わせた長さよりも充分に長
くしてある。
示しない光学系によりレーザビーム形状を信号線ドライ
ブ回路ＴＦＴ形成領域７に対して平行に延びる帯状とさ
れていることにより、帯状となっている。この場合、レ
ーザビームの照射エネルギーは照射面積に対応するもの
であるから、例えば、エキシマレーザビームの照射領域
が１０ｍｍ×１０ｍｍの方形である場合と、１００ｍｍ
×１ｍｍあるいは２００ｍｍ×０．５ｍｍの帯状である
場合とは照射エネルギーは同一である。つまり、エキシ
マレーザビームのビーム幅を例えば０．５〜１．０ｍｍ
にして信号線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域７の最上端側
の長手方向全領域に照射し、次に、レーザビーム照射位
置を信号線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域７の幅方向に１
ライン分移動させてレーザビームを照射する。この際、
今回のレーザビーム照射領域が前回の照射領域と一部重
複するように移動量を調整する。以下、同様に、レーザ
ビームを信号線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域７の幅方向
にズラしながらスキャン照射する。このスキャン照射
は、走査線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域８および画素ス
イッチング素子形成領域６に対しても同様に行い、走査
線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域８および画素スイッチン
グ素子形成領域６の終端領域にて終了する。実施例の場
合、レーザビームの照射領域の長さは、ガラス基板１の
長さと同一かそれ以上とし、１回の照射領域の長さを、
走査線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域８および画素スイッ
チング素子形成領域６とを合わせた長さよりも充分に長
くしてある。
【００１１】このようなレーザビームのスキャン照射を
行うと、信号線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域７において
は、その長手方向には所定幅（例えば、０．５〜１．０
ｍｍ）を１回だけの照射とするので、重複して照射され
る領域は存在しない。このため、この信号線ドライブ回
路ＴＦＴ形成領域７内に成膜されたアモルファスシリコ
ン薄膜４は信号線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域７の長手
方向全体に亘って一様なエネルギーが与えられて結晶化
する。したがって、信号線ドライブ回路ＴＦＴを形成す
るためのポリシリコン薄膜５の結晶粒の大きさを均一化
することができ、ひいてはキャリア移動度を均一化する
ことができる。この場合、信号線ドライブ回路ＴＦＴ形
成領域７の幅方向においては、所定間隔毎に重複照射領
域が存在するが、レーザービームの照射幅は、各ＴＦＴ
の大きなよりも充分に大きいので、重複照射領域をＴＦ
Ｔ形成位置から外すことが可能である。しかしながら、
レーザービームの重複照射領域を、必ずしもＴＦＴ形成
位置から外す必要はない。前述した如く、信号線ドライ
ブ回路ＴＦＴ形成領域７に形成される各ＴＦＴは、信号
線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域７の幅方向において所定
の位置に一直線上に配置されるから、仮に、重複照射領
域があったとしても、その領域は、各ＴＦＴにおける同
じ領域に対応することになり、このことは各ＴＦＴの素
子特性の均一化を損なうことにはならない。例えば、す
べてのＴＦＴのソース領域が重複照射領域となっても、
ＴＦＴの素子特性の均一性は維持される。なお、画素ス
イッチング素子形成領域６および走査線ドライブ回路Ｔ
ＦＴ形成領域８では、レーザビーム照射領域の境界部分
の上下方向に重複照射領域が生じるが、画素スイッチン
グ素子用ＴＦＴおよび走査線ドライブ回路ＴＦＴの場合
には、キャリヤ移動度に多少のバラツキが生じてもあま
り問題はない。
行うと、信号線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域７において
は、その長手方向には所定幅（例えば、０．５〜１．０
ｍｍ）を１回だけの照射とするので、重複して照射され
る領域は存在しない。このため、この信号線ドライブ回
路ＴＦＴ形成領域７内に成膜されたアモルファスシリコ
ン薄膜４は信号線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域７の長手
方向全体に亘って一様なエネルギーが与えられて結晶化
する。したがって、信号線ドライブ回路ＴＦＴを形成す
るためのポリシリコン薄膜５の結晶粒の大きさを均一化
することができ、ひいてはキャリア移動度を均一化する
ことができる。この場合、信号線ドライブ回路ＴＦＴ形
成領域７の幅方向においては、所定間隔毎に重複照射領
域が存在するが、レーザービームの照射幅は、各ＴＦＴ
の大きなよりも充分に大きいので、重複照射領域をＴＦ
Ｔ形成位置から外すことが可能である。しかしながら、
レーザービームの重複照射領域を、必ずしもＴＦＴ形成
位置から外す必要はない。前述した如く、信号線ドライ
ブ回路ＴＦＴ形成領域７に形成される各ＴＦＴは、信号
線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域７の幅方向において所定
の位置に一直線上に配置されるから、仮に、重複照射領
域があったとしても、その領域は、各ＴＦＴにおける同
じ領域に対応することになり、このことは各ＴＦＴの素
子特性の均一化を損なうことにはならない。例えば、す
べてのＴＦＴのソース領域が重複照射領域となっても、
ＴＦＴの素子特性の均一性は維持される。なお、画素ス
イッチング素子形成領域６および走査線ドライブ回路Ｔ
ＦＴ形成領域８では、レーザビーム照射領域の境界部分
の上下方向に重複照射領域が生じるが、画素スイッチン
グ素子用ＴＦＴおよび走査線ドライブ回路ＴＦＴの場合
には、キャリヤ移動度に多少のバラツキが生じてもあま
り問題はない。
【００１２】このようにしてアモルファスシリコン薄膜
４を結晶化したら、次に、図２に示すように、ポリシリ
コン薄膜５の上面に窒化シリコンからなる厚さが２００
０Å程度の不純物注入マスク形成用層１１を形成し、そ
の上面にポジ型のフォトレジスト層１２を形成する。次
に、ガラス基板１の下面（裏面）側からゲート電極２を
マスクとして露光する。次に、現像すると、図３に示す
ように、ゲート電極２に対応する部分の不純物注入マス
ク形成用層１１の上面にフォトレジストパターン１２ａ
が形成される。次に、フォトレジストパターン１２ａを
マスクとしてフッ化水素酸（ＢＨＦ）で不純物注入マス
ク形成用層１１をエッチングし、次いでフォトレジスト
パターン１２ａを剥離すると、図４に示すように、ゲー
ト電極２に対応する部分のポリシリコン薄膜５の上面に
不純物注入マスク１１ａが形成される。次に、不純物注
入マスク１１ａをマスクとしてリンイオンやボロンイオ
ン等の不純物を注入すると、不純物注入マスク１１ａ下
以外の領域におけるポリシリコン薄膜５に不純物注入領
域５ａが形成される。この後、不純物注入マスク１１ａ
を剥離する。
４を結晶化したら、次に、図２に示すように、ポリシリ
コン薄膜５の上面に窒化シリコンからなる厚さが２００
０Å程度の不純物注入マスク形成用層１１を形成し、そ
の上面にポジ型のフォトレジスト層１２を形成する。次
に、ガラス基板１の下面（裏面）側からゲート電極２を
マスクとして露光する。次に、現像すると、図３に示す
ように、ゲート電極２に対応する部分の不純物注入マス
ク形成用層１１の上面にフォトレジストパターン１２ａ
が形成される。次に、フォトレジストパターン１２ａを
マスクとしてフッ化水素酸（ＢＨＦ）で不純物注入マス
ク形成用層１１をエッチングし、次いでフォトレジスト
パターン１２ａを剥離すると、図４に示すように、ゲー
ト電極２に対応する部分のポリシリコン薄膜５の上面に
不純物注入マスク１１ａが形成される。次に、不純物注
入マスク１１ａをマスクとしてリンイオンやボロンイオ
ン等の不純物を注入すると、不純物注入マスク１１ａ下
以外の領域におけるポリシリコン薄膜５に不純物注入領
域５ａが形成される。この後、不純物注入マスク１１ａ
を剥離する。
【００１３】次に、図５に示すように、素子分離によ
り、不要な部分のポリシリコン薄膜５を除去する。図２
〜図５に示す工程は、信号線ドライブ回路ＴＦＴ形成領
域７内に形成されるシフトレジスタ回路素子やトランス
ファゲート回路素子であるＴＦＴが、各回路素子毎に、
信号線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域７の長手方向の一直
線上に位置して形成されるように行われる。次に、図６
に示すように、全上面にプラズマＣＶＤにより窒化シリ
コンからなる層間絶縁膜１３を堆積する。プラズマＣＶ
Ｄにより窒化シリコンからなる層間絶縁膜１３を堆積す
る場合、基板温度を２５０〜３５０℃程度で行うと、同
時にポリシリコン薄膜５の不純物注入領域５ａが活性化
され、またポリシリコン薄膜５が水素化されてそりダン
グリングボンドが減少する。なお、水素化は別工程で行
うこととし、層間絶縁膜１３を堆積する前に、熱アニー
ルすることにより活性化を行うようにしてもよい。
り、不要な部分のポリシリコン薄膜５を除去する。図２
〜図５に示す工程は、信号線ドライブ回路ＴＦＴ形成領
域７内に形成されるシフトレジスタ回路素子やトランス
ファゲート回路素子であるＴＦＴが、各回路素子毎に、
信号線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域７の長手方向の一直
線上に位置して形成されるように行われる。次に、図６
に示すように、全上面にプラズマＣＶＤにより窒化シリ
コンからなる層間絶縁膜１３を堆積する。プラズマＣＶ
Ｄにより窒化シリコンからなる層間絶縁膜１３を堆積す
る場合、基板温度を２５０〜３５０℃程度で行うと、同
時にポリシリコン薄膜５の不純物注入領域５ａが活性化
され、またポリシリコン薄膜５が水素化されてそりダン
グリングボンドが減少する。なお、水素化は別工程で行
うこととし、層間絶縁膜１３を堆積する前に、熱アニー
ルすることにより活性化を行うようにしてもよい。
【００１４】次に、不純物注入領域（ソース／ドレイン
領域）５ａに対応する部分の層間絶縁膜１３にコンタク
トホール１４を形成する。次に、コンタクトホール１４
を介して不純物注入領域５ａと接続されるアルミニウム
からなるソース・ドレイン電極１５を層間絶縁膜１３の
上面に形成する。かくして、ガラス基板１上のほぼ正方
形状の画素スイッチング素子形成領域６にアクティブ回
路ＴＦＴが形成され、同ガラス基板１上であって画素ス
イッチング素子形成領域６の直交する所定の２辺の一方
側（図１（Ｂ）において上側）および他方側（図１
（Ｂ）において左側）の信号線ドライブ回路ＴＦＴ形成
領域７および走査線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域８にそ
れぞれ信号線ドライブ回路ＴＦＴおよび走査線ドライブ
回路ＴＦＴが形成される。
領域）５ａに対応する部分の層間絶縁膜１３にコンタク
トホール１４を形成する。次に、コンタクトホール１４
を介して不純物注入領域５ａと接続されるアルミニウム
からなるソース・ドレイン電極１５を層間絶縁膜１３の
上面に形成する。かくして、ガラス基板１上のほぼ正方
形状の画素スイッチング素子形成領域６にアクティブ回
路ＴＦＴが形成され、同ガラス基板１上であって画素ス
イッチング素子形成領域６の直交する所定の２辺の一方
側（図１（Ｂ）において上側）および他方側（図１
（Ｂ）において左側）の信号線ドライブ回路ＴＦＴ形成
領域７および走査線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域８にそ
れぞれ信号線ドライブ回路ＴＦＴおよび走査線ドライブ
回路ＴＦＴが形成される。
【００１５】なお、上記実施例ではこの発明を液晶表示
装置のドライブ回路に適用した場合について説明した
が、これに限らず、例えばフォトセンサのような受光装
置のドライブ回路にも適用することができる。
装置のドライブ回路に適用した場合について説明した
が、これに限らず、例えばフォトセンサのような受光装
置のドライブ回路にも適用することができる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、基板上に形成されたアモルファスシリコン薄膜のう
ち信号線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域を、レーザビーム
形状をこの領域の長手方向に対してこれよりも長い帯状
とされたレーザビームで照射しているので、ドライブ回
路ＴＦＴ形成領域におけるアモルファスシリコン薄膜を
ドライブ回路ＴＦＴ形成領域の長手方向に重複照射する
ことなく結晶化することができ、したがって信号線ドラ
イブ回路ＴＦＴを形成するためのポリシリコン薄膜の結
晶粒の大きさを均一化することができ、ひいてはキャリ
ヤ移動度を均一化することができる。
ば、基板上に形成されたアモルファスシリコン薄膜のう
ち信号線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域を、レーザビーム
形状をこの領域の長手方向に対してこれよりも長い帯状
とされたレーザビームで照射しているので、ドライブ回
路ＴＦＴ形成領域におけるアモルファスシリコン薄膜を
ドライブ回路ＴＦＴ形成領域の長手方向に重複照射する
ことなく結晶化することができ、したがって信号線ドラ
イブ回路ＴＦＴを形成するためのポリシリコン薄膜の結
晶粒の大きさを均一化することができ、ひいてはキャリ
ヤ移動度を均一化することができる。
【図１】（Ａ）この発明の一実施例を適用したＴＦＴの
製造に際し、エキシマレーザの照射によりアモルファス
シリコン薄膜を結晶化してポリシリコン薄膜とした状態
の断面図、（Ｂ）はそのときエキシマレーザの照射方法
を説明するために示す平面図。
製造に際し、エキシマレーザの照射によりアモルファス
シリコン薄膜を結晶化してポリシリコン薄膜とした状態
の断面図、（Ｂ）はそのときエキシマレーザの照射方法
を説明するために示す平面図。
【図２】同ＴＦＴの製造に際し、ポリシリコン薄膜の上
面に不純物注入マスク形成用層およびフォトレジスト層
を形成した後、ガラス基板の下面側から露光した状態の
断面図。
面に不純物注入マスク形成用層およびフォトレジスト層
を形成した後、ガラス基板の下面側から露光した状態の
断面図。
【図３】同ＴＦＴの製造に際し、現像した状態の断面
図。
図。
【図４】同ＴＦＴの製造に際し、不純物を注入した状態
の断面図。
の断面図。
【図５】同ＴＦＴの製造に際し、素子分離した状態の断
面図。
面図。
【図６】同ＴＦＴの完成した状態の断面図。
【図７】従来のエキシマレーザのスキャン照射を説明す
るために示す平面図。
るために示す平面図。
１ ガラス基板 ４ アモルファスシリコン薄膜 ５ ポリシリコン薄膜 ６ アクティブ回路ＴＦＴ形成領域 ７ 信号線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域 ８ 走査線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域 ９ エキシマレーザビームの照射領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/268 Ｚ 27/12 Ｒ 21/336
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上にドライブ回路ＴＦＴを形成する
際、 レーザビームの形状をドライブ回路ＴＦＴ形成領域の長
手方向に対してこれよりも長い帯状とし、 該レーザビームをドライブ回路ＴＦＴ形成領域の長手方
向と直交する方向にスキャン照射することにより、前記
基板上に形成されたアモルファスシリコン薄膜を結晶化
してポリシリコン薄膜とし、 該ポリシリコン薄膜を活性層とする複数のＴＦＴからな
るドライブ回路ＴＦＴを形成する、 ことを特徴とするドライブ回路ＴＦＴの製造方法。 - 【請求項２】 基板上のほぼ正方形状の画素スイッチン
グ素子形成領域にアクティブ回路ＴＦＴを形成するとと
もに、前記基板上であって前記画素スイッチング素子形
成領域の直交する所定の２辺の一方側および他方側の短
冊形状の信号線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域および同じ
く短冊形状の走査線ドライブ回路ＴＦＴ形成領域にそれ
ぞれ信号線ドライブ回路ＴＦＴおよび走査線ドライブ回
路ＴＦＴを形成する際、 レーザビームの形状を前記信号線ドライブ回路ＴＦＴ形
成領域に対して平行に延びる帯状とし、 該レーザビームを前記信号線ドライブ回路ＴＦＴ形成領
域の長手方向と直交する方向にスキャン照射することに
より、前記基板上に形成されたアモルファスシリコン薄
膜を結晶化してポリシリコン薄膜とし、 該ポリシリコン薄膜によって前記アクティブ回路ＴＦ
Ｔ、前記信号線ドライブ回路ＴＦＴおよび前記走査線ド
ライブ回路ＴＦＴを形成する、 ことを特徴とするドライブ回路ＴＦＴの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34210993A JP2678343B2 (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | ドライブ回路ｔｆｔの製造方法 |
| US08/287,849 US5477073A (en) | 1993-08-20 | 1994-08-09 | Thin film semiconductor device including a driver and a matrix circuit |
| US08/441,395 US5821137A (en) | 1993-08-20 | 1995-05-15 | Thin film semiconductor device including a driver and a matrix circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34210993A JP2678343B2 (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | ドライブ回路ｔｆｔの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07169971A true JPH07169971A (ja) | 1995-07-04 |
| JP2678343B2 JP2678343B2 (ja) | 1997-11-17 |
Family
ID=18351223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34210993A Expired - Lifetime JP2678343B2 (ja) | 1993-08-20 | 1993-12-14 | ドライブ回路ｔｆｔの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2678343B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03286518A (ja) * | 1990-04-02 | 1991-12-17 | Seiko Epson Corp | 半導体薄膜の製造方法 |
| JPH05142577A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-11 | Casio Comput Co Ltd | マトリクス回路駆動装置 |
-
1993
- 1993-12-14 JP JP34210993A patent/JP2678343B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03286518A (ja) * | 1990-04-02 | 1991-12-17 | Seiko Epson Corp | 半導体薄膜の製造方法 |
| JPH05142577A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-11 | Casio Comput Co Ltd | マトリクス回路駆動装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2678343B2 (ja) | 1997-11-17 |
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