JPH07170071A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents
多層配線基板の製造方法Info
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- JPH07170071A JPH07170071A JP31615093A JP31615093A JPH07170071A JP H07170071 A JPH07170071 A JP H07170071A JP 31615093 A JP31615093 A JP 31615093A JP 31615093 A JP31615093 A JP 31615093A JP H07170071 A JPH07170071 A JP H07170071A
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】セラミック基板をベースとする多層配線基板を
２つに分割して製造し、その後に両ブロックを接着して
多層配線基板を得る際、ブロック接着時の作業性を良好
とする。 【構成】セラミック基板１をベースとする第１の多層配
線基板ブロック１００と、セラミック基板より一回り大
きい感光性ガラス板１１をベースとする第２の多層配線
基板ブロック２００とを平行して作る。感光性ガラス板
を外周を残して除去し、これを支持枠として第１の配線
基板ブロックと第２の配線基板ブロックを仮接着し、枠
の部分を切断除去後、本圧着する。 【効果】多層配線膜を感光性ガラスの枠で支持して接着
を行うので、接着時の作業性が良い。
２つに分割して製造し、その後に両ブロックを接着して
多層配線基板を得る際、ブロック接着時の作業性を良好
とする。 【構成】セラミック基板１をベースとする第１の多層配
線基板ブロック１００と、セラミック基板より一回り大
きい感光性ガラス板１１をベースとする第２の多層配線
基板ブロック２００とを平行して作る。感光性ガラス板
を外周を残して除去し、これを支持枠として第１の配線
基板ブロックと第２の配線基板ブロックを仮接着し、枠
の部分を切断除去後、本圧着する。 【効果】多層配線膜を感光性ガラスの枠で支持して接着
を行うので、接着時の作業性が良い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は多層配線基板の製造方法
に関し、特に超大型コンピュータ等に実装されるマルチ
・チップ・モジュールに使われる、セラミック基板をベ
ースとした多層基板の製造方法に関する。
に関し、特に超大型コンピュータ等に実装されるマルチ
・チップ・モジュールに使われる、セラミック基板をベ
ースとした多層基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の多層配線基板にあって
は、装置の処理能力の高速化を達成すべく配線の高速
化、高密度化に対する努力がなされている。高速化につ
いては、誘電率の低い有機樹脂を絶縁材に用いたり、銅
等の低抵抗の導電材を使用したりすることが行われてい
る。また、高密度化については配線パターンの微細化、
または配線層の高多層化が進められている。
は、装置の処理能力の高速化を達成すべく配線の高速
化、高密度化に対する努力がなされている。高速化につ
いては、誘電率の低い有機樹脂を絶縁材に用いたり、銅
等の低抵抗の導電材を使用したりすることが行われてい
る。また、高密度化については配線パターンの微細化、
または配線層の高多層化が進められている。
【０００３】しかしながら、導体抵抗の問題で配線パタ
ーンの微細化には限界があり、高多層化は、有機樹脂を
絶縁材に使用した場合、配線パターンと絶縁膜とを交互
に形成して多層化していく関係上、多層になる程製造日
数が多くなるという問題を有している。
ーンの微細化には限界があり、高多層化は、有機樹脂を
絶縁材に使用した場合、配線パターンと絶縁膜とを交互
に形成して多層化していく関係上、多層になる程製造日
数が多くなるという問題を有している。
【０００４】この問題を解決するために、特開昭６３−
５００９４号公報に開示の多層配線基板の製造方法があ
る。この方法では、図５に示されるように、多層回路基
板をセラミック積層配線基板１７を有する下層部用の第
１の配線基板ブロック１０と、金属板としてアルミニウ
ム板３０を有する上層部用の第２の配線基板ブロック４
０とに予め分割されている。
５００９４号公報に開示の多層配線基板の製造方法があ
る。この方法では、図５に示されるように、多層回路基
板をセラミック積層配線基板１７を有する下層部用の第
１の配線基板ブロック１０と、金属板としてアルミニウ
ム板３０を有する上層部用の第２の配線基板ブロック４
０とに予め分割されている。
【０００５】第１の配線基板ブロック１０においては、
セラミック基板１７上に第１の配線層１８が選択的に形
成され、これを覆う第１のポリイミド樹脂絶縁層１９が
形成され、その上に第２の配線２１が形成される。続い
て第２のポリイミド樹脂絶縁層２２がその上に形成さ
れ、さらに第３の配線層２３が形成される。さらに続い
て、第３のポリイミド樹脂絶縁層２４がその上に形成さ
れ、最後に金パッド２５と第４の配線層２６とが形成さ
れる。
セラミック基板１７上に第１の配線層１８が選択的に形
成され、これを覆う第１のポリイミド樹脂絶縁層１９が
形成され、その上に第２の配線２１が形成される。続い
て第２のポリイミド樹脂絶縁層２２がその上に形成さ
れ、さらに第３の配線層２３が形成される。さらに続い
て、第３のポリイミド樹脂絶縁層２４がその上に形成さ
れ、最後に金パッド２５と第４の配線層２６とが形成さ
れる。
【０００６】次に、アルミニウム板３０の表面に金パッ
ド３１が形成された後に第４のポリイミド樹脂絶縁層３
２が形成され、続いて第４の配線層３３、第５のポリイ
ミド樹脂絶縁層３４、第５の配線層３５、および第６の
ポリイミド樹脂絶縁層３６がこの順に形成される。そし
て、最後に金パッド３７がその上に形成される。
ド３１が形成された後に第４のポリイミド樹脂絶縁層３
２が形成され、続いて第４の配線層３３、第５のポリイ
ミド樹脂絶縁層３４、第５の配線層３５、および第６の
ポリイミド樹脂絶縁層３６がこの順に形成される。そし
て、最後に金パッド３７がその上に形成される。
【０００７】次にアルミニウム板３０が希塩酸で溶解除
去され第２の配線基板ブロック４０が得られる。次の工
程では、ブロック１０と４０との金パッド２５と３１と
が互いに当接されつつ金−エパキシ系接着剤を用いて接
着され、第１の配線層１８から表層の金パッド３７まで
の合計７層の配線層を有する多層回路基板が得られる。
去され第２の配線基板ブロック４０が得られる。次の工
程では、ブロック１０と４０との金パッド２５と３１と
が互いに当接されつつ金−エパキシ系接着剤を用いて接
着され、第１の配線層１８から表層の金パッド３７まで
の合計７層の配線層を有する多層回路基板が得られる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】この図５に示した製造
方法では、第２の配線基板ブロック４０の金属板（アル
ミニウム板）３０が希塩酸により溶解された後に、第１
の配線基板ブロック１０と接着が行われる。この金属板
３０が溶解除去された後の多層配線膜は数十〜数百μｍ
の厚さしかないために、第１の配線基板ブロック１０と
の接着作業が非常に困難になるという欠点がある。
方法では、第２の配線基板ブロック４０の金属板（アル
ミニウム板）３０が希塩酸により溶解された後に、第１
の配線基板ブロック１０と接着が行われる。この金属板
３０が溶解除去された後の多層配線膜は数十〜数百μｍ
の厚さしかないために、第１の配線基板ブロック１０と
の接着作業が非常に困難になるという欠点がある。
【０００９】そこで、この金属板３０を残したままの状
態で第１の配線基板ブロック１０と接着が行われる。こ
の接着はセラミック基板１７と金属板３０との熱膨張係
数が大きく異なるので、加熱処理して接着する際に大き
な応力が発生して、セラミック基板がその応力に耐えら
れずに破壊するという危険がある。
態で第１の配線基板ブロック１０と接着が行われる。こ
の接着はセラミック基板１７と金属板３０との熱膨張係
数が大きく異なるので、加熱処理して接着する際に大き
な応力が発生して、セラミック基板がその応力に耐えら
れずに破壊するという危険がある。
【００１０】金属板の代りにセラミック基板を用いれ
ば、熱膨張係数は等しくなって、上述した接着時の基板
破壊は生じないが、その後セラミック基板を溶解除去す
ることは極めて困難である。機械的に除去することも考
えられるが、多層配線部に影響を与えずに除去すること
は精度的に不可能である。
ば、熱膨張係数は等しくなって、上述した接着時の基板
破壊は生じないが、その後セラミック基板を溶解除去す
ることは極めて困難である。機械的に除去することも考
えられるが、多層配線部に影響を与えずに除去すること
は精度的に不可能である。
【００１１】本発明の目的は、配線基板を複数ブロック
に分割して、これらのブロックを接着して多層配線基板
を得る際に、ブロック同志の接着作業性を良好とした多
層配線基板の製造方法を提供することである。
に分割して、これらのブロックを接着して多層配線基板
を得る際に、ブロック同志の接着作業性を良好とした多
層配線基板の製造方法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、有機樹
脂を層間絶縁として、セラミック基板上に複数の配線層
を形成する多層配線基板の製造方法であって、前記セラ
ミック基板上に配線層を形成し、この配線層上に選択的
に導体接続のための接続部材を、その残余の部分に絶縁
性の接着剤層をそれぞれ形成する第１の工程と、前記セ
ラミック基板より一回り大きい感光性ガラス板上に配線
層を形成し、この配線層上に選択的に導体接続のための
接続部材を、その残余の部分に絶縁性の接着剤層をそれ
ぞれ形成する第２の工程と、前記感光性ガラス板を外周
を残して除去し、感光性ガラスの枠で指示された配線層
を形成する第３の工程と、前記セラミック基板上の接続
部材と前記感光性ガラスの枠で指示された配線層の接続
部材とを互いに当接せしめ仮接着する第４の工程と、前
記セラミック基板に沿って配線層を切断し、前記感光性
ガラスの枠を除去する第５の工程と、前記セラミック基
板上に仮接着された配線層を熱真空プレスにより加熱圧
着する第６の工程とを含むことを特徴とする多層配線基
板の製造方法が得られる。
脂を層間絶縁として、セラミック基板上に複数の配線層
を形成する多層配線基板の製造方法であって、前記セラ
ミック基板上に配線層を形成し、この配線層上に選択的
に導体接続のための接続部材を、その残余の部分に絶縁
性の接着剤層をそれぞれ形成する第１の工程と、前記セ
ラミック基板より一回り大きい感光性ガラス板上に配線
層を形成し、この配線層上に選択的に導体接続のための
接続部材を、その残余の部分に絶縁性の接着剤層をそれ
ぞれ形成する第２の工程と、前記感光性ガラス板を外周
を残して除去し、感光性ガラスの枠で指示された配線層
を形成する第３の工程と、前記セラミック基板上の接続
部材と前記感光性ガラスの枠で指示された配線層の接続
部材とを互いに当接せしめ仮接着する第４の工程と、前
記セラミック基板に沿って配線層を切断し、前記感光性
ガラスの枠を除去する第５の工程と、前記セラミック基
板上に仮接着された配線層を熱真空プレスにより加熱圧
着する第６の工程とを含むことを特徴とする多層配線基
板の製造方法が得られる。
【００１３】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。図１を参照すると、本発明の一実施
例では、まず第１の配線基板ブロック１００が形成され
る。セラミック基板１上に配線層２が金めっきで選択的
に形成され、これを覆う第１のポリイミド樹脂絶縁層３
が選択的に形成され、その上に第２の配線層４が金めっ
きで選択的に形成される。更にその上に、ブロック同士
を接着するためのポリイミド系接着剤層５が形成され、
第２の配線層４の所定の位置に導体接続のための半田バ
ンプ６が選択的に形成されて第１のブロック１００が得
れられる。
て詳細に説明する。図１を参照すると、本発明の一実施
例では、まず第１の配線基板ブロック１００が形成され
る。セラミック基板１上に配線層２が金めっきで選択的
に形成され、これを覆う第１のポリイミド樹脂絶縁層３
が選択的に形成され、その上に第２の配線層４が金めっ
きで選択的に形成される。更にその上に、ブロック同士
を接着するためのポリイミド系接着剤層５が形成され、
第２の配線層４の所定の位置に導体接続のための半田バ
ンプ６が選択的に形成されて第１のブロック１００が得
れられる。
【００１４】この製造作業と並行して、図２に示すよう
な第２の配線基板ブロック２００が形成される。セラミ
ック基板１より一回り大きい感光性ガラス板１１上に第
４の配線層１２が金めっきで選択的に形成され、これを
覆う第４の絶縁層となるポリイミド樹脂絶縁層１３が選
択的に形成される。さらにその上に第３の配線層となる
配線層１４が金めっきで選択的に形成される。
な第２の配線基板ブロック２００が形成される。セラミ
ック基板１より一回り大きい感光性ガラス板１１上に第
４の配線層１２が金めっきで選択的に形成され、これを
覆う第４の絶縁層となるポリイミド樹脂絶縁層１３が選
択的に形成される。さらにその上に第３の配線層となる
配線層１４が金めっきで選択的に形成される。
【００１５】その上にブロック同志を接着するためのポ
リイミド系接着剤層１５が形成される。そして第３の配
線層１４の所定位置に導体接続のための反田バンプ１６
が選択的に形成される。
リイミド系接着剤層１５が形成される。そして第３の配
線層１４の所定位置に導体接続のための反田バンプ１６
が選択的に形成される。
【００１６】次に感光性ガラス板１１が外周を残してセ
ラミック基板１の大きさ分だけ除去される。この除去方
法としては、感光性ガラスが紫外線に曝されると特性が
変化して酸に容易に溶解するようになる性質が利用され
る。すなわち、感光性ガラス板１１の外周がマスキング
され、セラミック基板１に該当するエリアに紫外線が照
射され、その後酸処理が行われることで、紫外線照射部
分と非照射部分との溶解度の差から感光性ガラス板１１
をその外周を残して溶解除去することが可能となり、第
２のブロック２００が得られる。
ラミック基板１の大きさ分だけ除去される。この除去方
法としては、感光性ガラスが紫外線に曝されると特性が
変化して酸に容易に溶解するようになる性質が利用され
る。すなわち、感光性ガラス板１１の外周がマスキング
され、セラミック基板１に該当するエリアに紫外線が照
射され、その後酸処理が行われることで、紫外線照射部
分と非照射部分との溶解度の差から感光性ガラス板１１
をその外周を残して溶解除去することが可能となり、第
２のブロック２００が得られる。
【００１７】こうして得られた２つのブロック１００お
よび２００同士を、図３に示すように互いの半田バンプ
６と半田バンプ１６とが当接しあうように位置決めされ
た後、仮接着される。この仮接着はセラミック基板１の
外周に工業用接着剤が塗布されて行なわれる。この接着
の際、第２の配線基板ブロック２００は多層配線膜が感
光性ガラスの枠で支持されている状態であるため、従来
のように、極めて薄い多層配線膜のみで位置決めから接
着までの作業を行う必要がなく、接着作業が容易に行え
る。
よび２００同士を、図３に示すように互いの半田バンプ
６と半田バンプ１６とが当接しあうように位置決めされ
た後、仮接着される。この仮接着はセラミック基板１の
外周に工業用接着剤が塗布されて行なわれる。この接着
の際、第２の配線基板ブロック２００は多層配線膜が感
光性ガラスの枠で支持されている状態であるため、従来
のように、極めて薄い多層配線膜のみで位置決めから接
着までの作業を行う必要がなく、接着作業が容易に行え
る。
【００１８】次に図４を参照すると、セラミック基板１
に沿って配線基板ブロック２００が切断され、さらに真
空熱プレス処理が行われて接着剤層５および１５同士が
貼り合わせられるとともに、半田バンプ６および１６が
半田付けされる。
に沿って配線基板ブロック２００が切断され、さらに真
空熱プレス処理が行われて接着剤層５および１５同士が
貼り合わせられるとともに、半田バンプ６および１６が
半田付けされる。
【００１９】以上は２つのブロックに分割して製造した
場合の例を示したが、３つ以上のブロックに分割して製
造してもよい。この場合、図１の第１のブロックの形成
と並行して図２のブロックが複数個形成される。そし
て、第１のブロックと第２のブロックとが仮接着されて
セラミック基板に沿って第２ブロックの切断後、第３ブ
ロックがさらに仮接着される。そして第３ブロックの切
断後、第４のブロックが仮接着される。以上の処理が繰
返され、全てのブロックの仮接着後、真空熱プレス処理
が行われることにより、多層配線基板が容易にかつ製造
日数が短くてすむことになる。
場合の例を示したが、３つ以上のブロックに分割して製
造してもよい。この場合、図１の第１のブロックの形成
と並行して図２のブロックが複数個形成される。そし
て、第１のブロックと第２のブロックとが仮接着されて
セラミック基板に沿って第２ブロックの切断後、第３ブ
ロックがさらに仮接着される。そして第３ブロックの切
断後、第４のブロックが仮接着される。以上の処理が繰
返され、全てのブロックの仮接着後、真空熱プレス処理
が行われることにより、多層配線基板が容易にかつ製造
日数が短くてすむことになる。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、セラミック基板上に形
成された多層配線膜と貼り合わせる配線基板ブロック
を、セラミック基板より一回り大きい感光性ガラスの枠
で支持された多層配線膜という形態とすることにより、
接着時の作業性が容易になるという効果がある。
成された多層配線膜と貼り合わせる配線基板ブロック
を、セラミック基板より一回り大きい感光性ガラスの枠
で支持された多層配線膜という形態とすることにより、
接着時の作業性が容易になるという効果がある。
【図１】本発明の実施例の一工程における第１の配線基
板ブロックを形成する方法を説明する図である。
板ブロックを形成する方法を説明する図である。
【図２】本発明の実施例の一工程における第２の配線基
板ブロックを形成する方法を説明する図である。
板ブロックを形成する方法を説明する図である。
【図３】本発明の実施例の一工程における第１、第２の
ブロックを仮接着する際の図である。
ブロックを仮接着する際の図である。
【図４】本発明の実施例により得られた多層配線基板の
断面構造を示す図である。
断面構造を示す図である。
【図５】従来の多層配線基板の構造を説明するための図
である。
である。
１ セラミック基板 ２ 第１の配線層 ３ 第１の絶縁層 ４ 第２の配線層 ５ 第２の絶縁層としての接着剤層 ６ 半田バンプ １１ 感光性ガラス板 １２ 第４の配線層 １３ 第４の絶縁層 １４ 第３の配線層 １５ 第３の絶縁層としての接着剤層 １６ 半田バンプ １００ 第１の配線基板ブロック ２００ 第２の配線基板ブロック
Claims (4)
- 【請求項１】 有機樹脂を層間絶縁として、セラミック
基板上に複数の配線層を形成する多層配線基板の製造方
法であって、 前記サラミック基板上に配線層を形成し、この配線層上
に選択的に導体接続のための接続部材を、その残余の部
分に絶縁性の接着剤層をそれぞれ形成する第１の工程
と、 前記セラミック基板より一回り大きい感光性ガラス板上
に配線層を形成し、この配線層上に選択的に導体接続の
ための接続部材を、その残余の部分に絶縁性の接着剤層
をそれぞれ形成する第の工程と、 前記感光性ガラス板を外周を残して除去し、感光性ガラ
スの枠で指示された配線層を形成する第３の工程と、前
記セラミック基板上の接続部材と前記感光性ガラスの枠
で支持された配線層の接続部材とを互いに当接せしめ仮
接着する第４の工程と、 前記セラミック基板に沿って配線層を切断し前記感光性
ガラスの枠を除去する第５の工程と、 前記セラミック基板上に仮接着された配線層を熱真空プ
レスにより加熱圧着する第６の工程とを含むことを特徴
とする多層配線基板の製造方法。 - 【請求項２】 前記第２の工程から第５の工程を繰返し
て、前記セラミック基板上に多層の配線層を形成するこ
とを特徴とする請求項１記載の多層配線基板の製造方
法。 - 【請求項３】 前記第３の工程において、前記感光性ガ
ラスの外周をマスキングして紫外線を照射し、しかる後
に前記感光性ガラスの紫外線照射部分を酸にて溶解除去
するようにしたことを特徴とする請求項１又は２記載の
多層配線基板製造方法。 - 【請求項４】 前記絶縁層及び接着剤層は共にポリイミ
ド系のものであることを特徴とする請求項１，２または
３記載の多層配線基板製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31615093A JP2630232B2 (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31615093A JP2630232B2 (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 多層配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07170071A true JPH07170071A (ja) | 1995-07-04 |
| JP2630232B2 JP2630232B2 (ja) | 1997-07-16 |
Family
ID=18073836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31615093A Expired - Lifetime JP2630232B2 (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 多層配線基板の製造方法 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004221618A (ja) * | 2004-04-21 | 2004-08-05 | Nec Corp | 半導体装置搭載基板とその製造方法、並びに半導体パッケージ |
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-
1993
- 1993-12-16 JP JP31615093A patent/JP2630232B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004221618A (ja) * | 2004-04-21 | 2004-08-05 | Nec Corp | 半導体装置搭載基板とその製造方法、並びに半導体パッケージ |
| US7816782B2 (en) | 2004-07-07 | 2010-10-19 | Nec Corporation | Wiring substrate for mounting semiconductors, method of manufacturing the same, and semiconductor package |
| US8198140B2 (en) | 2004-07-07 | 2012-06-12 | Nec Corporation | Wiring substrate for mounting semiconductors, method of manufacturing the same, and semiconductor package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2630232B2 (ja) | 1997-07-16 |
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