JPH07170137A - 低雑音増幅装置 - Google Patents
低雑音増幅装置Info
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- JPH07170137A JPH07170137A JP5314760A JP31476093A JPH07170137A JP H07170137 A JPH07170137 A JP H07170137A JP 5314760 A JP5314760 A JP 5314760A JP 31476093 A JP31476093 A JP 31476093A JP H07170137 A JPH07170137 A JP H07170137A
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 8
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 14
- 101100119059 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) ERG25 gene Proteins 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
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- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
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Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】低温時のマイクロ波帯低雑音増幅用ＦＥＴの不
要な利得上昇による不安定な動作を防止する。 【構成】ＰＮＰトランジスタ３の出力電流を決める電流
帰還用抵抗２１に負の温度係数を有する感温抵抗を使用
し、周囲温度の低下とともにエミッタ電流を減少させ
る。低雑音増幅回路５のマイクロ波帯低雑音増幅用ＦＥ
Ｔ６のドレイン端子は、バイアスフィード線路９と負の
温度係数を有する感温抵抗２２を介し、前記エミッタ端
子に接続されている。周囲温度の低下によりこの抵抗の
抵抗値は増加し、エミッタ電流の減少による電圧降下分
ＶRDを一定に保つ。
要な利得上昇による不安定な動作を防止する。 【構成】ＰＮＰトランジスタ３の出力電流を決める電流
帰還用抵抗２１に負の温度係数を有する感温抵抗を使用
し、周囲温度の低下とともにエミッタ電流を減少させ
る。低雑音増幅回路５のマイクロ波帯低雑音増幅用ＦＥ
Ｔ６のドレイン端子は、バイアスフィード線路９と負の
温度係数を有する感温抵抗２２を介し、前記エミッタ端
子に接続されている。周囲温度の低下によりこの抵抗の
抵抗値は増加し、エミッタ電流の減少による電圧降下分
ＶRDを一定に保つ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、衛生放送受信用低雑音
コンバータに関し、特にその中に用いられる低雑音増幅
装置に関する。
コンバータに関し、特にその中に用いられる低雑音増幅
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の衛生放送受信用低雑音増幅装置
は、図２に示すように増幅回路５，オートバイアス回路
２，正電源１及び負電源４から構成される。オートバイ
アス回路２においてはＰＮＰのトランジスタ３のエミッ
タとコレクタに抵抗１１、１２を介して正電源１と負電
源４とが接続され、正の出力電流を決定するためにエミ
ッタ端子には、抵抗１１が、ベース端子にはエミッタ電
圧である正の出力電圧を決定する抵抗１３、１４がコレ
クタ端子には、コレクタ抵抗１２が接続されている。増
幅回路５は低雑音増幅素子のＦＥＴ６と、これに接続さ
れたインピーダンス整合回路７および８と、ＦＥＴ６に
バイアスを供給するバイアスフィード線路９および１０
と、それに接続されＦＥＴ６の保護と高周波阻止用の抵
抗１７、１８と、バイパスコンデンサ１９、２０とで構
成され、この低雑音増幅回路５は複数段接続される場合
もある。
は、図２に示すように増幅回路５，オートバイアス回路
２，正電源１及び負電源４から構成される。オートバイ
アス回路２においてはＰＮＰのトランジスタ３のエミッ
タとコレクタに抵抗１１、１２を介して正電源１と負電
源４とが接続され、正の出力電流を決定するためにエミ
ッタ端子には、抵抗１１が、ベース端子にはエミッタ電
圧である正の出力電圧を決定する抵抗１３、１４がコレ
クタ端子には、コレクタ抵抗１２が接続されている。増
幅回路５は低雑音増幅素子のＦＥＴ６と、これに接続さ
れたインピーダンス整合回路７および８と、ＦＥＴ６に
バイアスを供給するバイアスフィード線路９および１０
と、それに接続されＦＥＴ６の保護と高周波阻止用の抵
抗１７、１８と、バイパスコンデンサ１９、２０とで構
成され、この低雑音増幅回路５は複数段接続される場合
もある。
【０００３】オートバイアス回路２は、エミッタ端子か
ら取り出す出力電圧、電流をそれぞれＶOE、ＩOEとする
と、抵抗１３、１４により分圧される電圧により希望の
出力電圧ＶOEを決定することができ、出力電流ＩOEは、
正電源１とＶOEの差から抵抗１１を選ぶことで決定でき
る。この時、コレクタ端子は、ＦＥＴ６のゲート端子
と、バイアスフィード線路９とバイパスコンデンサ１９
と抵抗１６とを介して接続されており、ゲート端子には
ほとんど電流は流れず、コレクタ抵抗１２には高抵抗値
の抵抗を使用するため、トランジスタ３のエミッタ電流
ＩＥはほぼ出力電流ＩOEとなり等しくなる。また、トラ
ンジスタ３の電流帰還バイアスにより、ＶOE、ＩOEは一
定値に保たれるので、一定値のＩOEを流すために必要な
電圧（ＦＥＴ６のゲート電圧）に達するまでトランジス
タ３のコレクタ・エミッタ間電圧ＶCEが変化し、ゲート
端子のバイアス電位が決定される。
ら取り出す出力電圧、電流をそれぞれＶOE、ＩOEとする
と、抵抗１３、１４により分圧される電圧により希望の
出力電圧ＶOEを決定することができ、出力電流ＩOEは、
正電源１とＶOEの差から抵抗１１を選ぶことで決定でき
る。この時、コレクタ端子は、ＦＥＴ６のゲート端子
と、バイアスフィード線路９とバイパスコンデンサ１９
と抵抗１６とを介して接続されており、ゲート端子には
ほとんど電流は流れず、コレクタ抵抗１２には高抵抗値
の抵抗を使用するため、トランジスタ３のエミッタ電流
ＩＥはほぼ出力電流ＩOEとなり等しくなる。また、トラ
ンジスタ３の電流帰還バイアスにより、ＶOE、ＩOEは一
定値に保たれるので、一定値のＩOEを流すために必要な
電圧（ＦＥＴ６のゲート電圧）に達するまでトランジス
タ３のコレクタ・エミッタ間電圧ＶCEが変化し、ゲート
端子のバイアス電位が決定される。
【０００４】低雑音増幅回路５のＦＥＴ６のドレイン端
子は、バイアスフィード線路１０とバイパスコンデンサ
２０と、抵抗１７を介してオートバイアス回路２のトラ
ンジスタ３のエミッタ端子に接続されることにより、バ
イアスが印加される。この時、バイアスフィード線路
９、１０は、使用信号帯域の１／４波長の流さに選んだ
ストリップラインで形成され、バイパスコンデンサ１
９、２０で一端を高周波的に接地することにより等価的
にショートスタブと見ることが出来る。つまり、ＦＥＴ
６のインピーダンス整合回路７、８からバイアス回路
９、１０を見たインピーダンスは、オープンとなり、高
周波的には何も接続されていないのと等価になる。よっ
て、バイアスフィード線路９、１０は、ＦＥＴ６の入出
力のインピーダンス整合を行うインピーダンス整合回路
７、８に影響を与えない。このオートバイアス回路によ
り、周囲の温度変化に関係なく一定の出力電圧、電流が
得られる。
子は、バイアスフィード線路１０とバイパスコンデンサ
２０と、抵抗１７を介してオートバイアス回路２のトラ
ンジスタ３のエミッタ端子に接続されることにより、バ
イアスが印加される。この時、バイアスフィード線路
９、１０は、使用信号帯域の１／４波長の流さに選んだ
ストリップラインで形成され、バイパスコンデンサ１
９、２０で一端を高周波的に接地することにより等価的
にショートスタブと見ることが出来る。つまり、ＦＥＴ
６のインピーダンス整合回路７、８からバイアス回路
９、１０を見たインピーダンスは、オープンとなり、高
周波的には何も接続されていないのと等価になる。よっ
て、バイアスフィード線路９、１０は、ＦＥＴ６の入出
力のインピーダンス整合を行うインピーダンス整合回路
７、８に影響を与えない。このオートバイアス回路によ
り、周囲の温度変化に関係なく一定の出力電圧、電流が
得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図２に示した増幅装置
において、ＦＥＴの周囲温度に対する特性は、ドレイン
電圧、電流を一定値のした時、周囲温度の低下と共に、
利得は増加し、雑音指数は低下する。この利得の増加
は、ＦＥＴの出力信号の一部が空間を伝搬し、入力に帰
還される量を増加させ、動作が不安定となり、発振を引
き起こす危険を増大させる問題があった。
において、ＦＥＴの周囲温度に対する特性は、ドレイン
電圧、電流を一定値のした時、周囲温度の低下と共に、
利得は増加し、雑音指数は低下する。この利得の増加
は、ＦＥＴの出力信号の一部が空間を伝搬し、入力に帰
還される量を増加させ、動作が不安定となり、発振を引
き起こす危険を増大させる問題があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の増幅装置は、少
なくとも１段以上のマイクロ波帯低雑音増幅用ＦＥＴ
と、抵抗、コンデンサを備えたバイアスフィード線路か
ら成る低雑音増幅回路と、エミッタ端子に電流帰還用抵
抗を介して正電源を、ベース端子にブリーダ抵抗を、ま
た、コレクタ端子には、高抵抗を介して負電源を接続す
ることにより電流帰還バイアスを施したＰＮＰトランジ
スタを用い、このエミッタ端子、コレクタ端子を低雑音
増幅回路のＦＥＴのドレイン端子、ゲート端子にそれぞ
れバイアスフィード線路とバイパスコンデンサ、抵抗を
介して接続したオートバイアス回路とを具備し、低雑音
増幅回路のドレイン端子に接続されるバイアスフィード
線路に備えられた抵抗に負の温度係数を有する感温抵抗
を用い、また前記オートバイアス回路を構成するＰＮＰ
トランジスタのエミッタ端子に接続する電流帰還用抵抗
に負の温度係数を有する感温抵抗を用いたことを特徴と
している。
なくとも１段以上のマイクロ波帯低雑音増幅用ＦＥＴ
と、抵抗、コンデンサを備えたバイアスフィード線路か
ら成る低雑音増幅回路と、エミッタ端子に電流帰還用抵
抗を介して正電源を、ベース端子にブリーダ抵抗を、ま
た、コレクタ端子には、高抵抗を介して負電源を接続す
ることにより電流帰還バイアスを施したＰＮＰトランジ
スタを用い、このエミッタ端子、コレクタ端子を低雑音
増幅回路のＦＥＴのドレイン端子、ゲート端子にそれぞ
れバイアスフィード線路とバイパスコンデンサ、抵抗を
介して接続したオートバイアス回路とを具備し、低雑音
増幅回路のドレイン端子に接続されるバイアスフィード
線路に備えられた抵抗に負の温度係数を有する感温抵抗
を用い、また前記オートバイアス回路を構成するＰＮＰ
トランジスタのエミッタ端子に接続する電流帰還用抵抗
に負の温度係数を有する感温抵抗を用いたことを特徴と
している。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は、本発明の一実施例を示す回路図である。図
で、オートバイアス回路２はＰＮＰのトランジスタ３の
エミッタとコレクタに感温抵抗２１と抵抗１２を介して
正電源１と負電源４とが接続される。エミッタ端子接続
される感恩抵抗２１は、正の出力電流を決定するととも
に、本発明において負の温度係数を有する。また従来と
同様に、ベース端子には、エミッタ電圧である正の出力
電圧を決定する抵抗１３、１４、コレクタ端子には、コ
レクタ抵抗１２を接続している。
る。図１は、本発明の一実施例を示す回路図である。図
で、オートバイアス回路２はＰＮＰのトランジスタ３の
エミッタとコレクタに感温抵抗２１と抵抗１２を介して
正電源１と負電源４とが接続される。エミッタ端子接続
される感恩抵抗２１は、正の出力電流を決定するととも
に、本発明において負の温度係数を有する。また従来と
同様に、ベース端子には、エミッタ電圧である正の出力
電圧を決定する抵抗１３、１４、コレクタ端子には、コ
レクタ抵抗１２を接続している。
【０００８】低雑音増幅回路５は低雑音増幅素子のＦＥ
Ｔ６に接続されたインピーダンス整合回路７および８、
ＦＥＴ６にバイアスを供給するバイアスフィード線路９
および１０と、それに接続され、ＦＥＴ６の保護と高周
波阻止用の抵抗１６、負の温度係数を有する感温抵抗２
２と、バイパスコンデンサ１９、２０とで構成され、本
発明においては感温抵抗２２に負の温度係数をもつもの
を用いている。
Ｔ６に接続されたインピーダンス整合回路７および８、
ＦＥＴ６にバイアスを供給するバイアスフィード線路９
および１０と、それに接続され、ＦＥＴ６の保護と高周
波阻止用の抵抗１６、負の温度係数を有する感温抵抗２
２と、バイパスコンデンサ１９、２０とで構成され、本
発明においては感温抵抗２２に負の温度係数をもつもの
を用いている。
【０００９】オートバイアス回路２において、エミッタ
端子から取り出す出力電圧、電流をそれぞれＶOE、ＩOE
とすると、抵抗１３、１４により分圧される電圧により
希望の出力電圧ＶOEを決定することができ、出力電流Ｉ
OEは、正電源１とＶOEの差から負の温度係数を有する感
温抵抗２１を選ぶことで決定できる。この時コレクタ端
子は、ＦＥＴ６のゲート端子と、バイパスフィード線路
９とバイパスコンデンサ１９と、抵抗１６を介して、接
続されており、ゲート端子にはほとんど電流は流れず、
コレクタ抵抗１２は高抵抗であるため、トランジスタ３
のエミッタ電流ＩＥはほぼ出力電流ＩOEとなり等しくな
る。また、トランジスタ３の電流帰還バイアスにより、
ＶOE、ＩOEは一定値に保たれるので、一定値のＩOEを流
すために必要な電圧（ＦＥＴ６のゲート電圧）に達する
までトランジスタ３のコレクタ・エミッタ間電圧ＶOEが
変化し、ゲート端子のバイアス電位が決定される。低雑
音増幅回路５のＦＥＴ６のドレイン端子は、バイアスフ
ィード線路１０とバイパスコンデンサ２０と、負の温度
係数を有する感温抵抗２２を介してオートバイアス回路
２のトランジスタ３のエミッタ端子に接続されることに
より、バイアスが印加される。この時、バイアスフィー
ド線路９、１０は、使用信号帯域の１／４波長の流さに
選んだストリップラインで形成され、バイパスコンデン
サ１９、２０で一端を高周波的に接地することにより等
価的にショートスタブと見ることが出来る。つまり、Ｆ
ＥＴ６のインピーダンス整合回路７、８からバイアスフ
ィード線路９、１０を見たインピーダンスは、オープン
となり、高周波的には何も接続されていないのと等価に
なり、バイアスフィード線路９、１０は、ＦＥＴ６の入
出力のインピーダンス整合を行うインピーダンス整合回
路７、８に影響を与えない。
端子から取り出す出力電圧、電流をそれぞれＶOE、ＩOE
とすると、抵抗１３、１４により分圧される電圧により
希望の出力電圧ＶOEを決定することができ、出力電流Ｉ
OEは、正電源１とＶOEの差から負の温度係数を有する感
温抵抗２１を選ぶことで決定できる。この時コレクタ端
子は、ＦＥＴ６のゲート端子と、バイパスフィード線路
９とバイパスコンデンサ１９と、抵抗１６を介して、接
続されており、ゲート端子にはほとんど電流は流れず、
コレクタ抵抗１２は高抵抗であるため、トランジスタ３
のエミッタ電流ＩＥはほぼ出力電流ＩOEとなり等しくな
る。また、トランジスタ３の電流帰還バイアスにより、
ＶOE、ＩOEは一定値に保たれるので、一定値のＩOEを流
すために必要な電圧（ＦＥＴ６のゲート電圧）に達する
までトランジスタ３のコレクタ・エミッタ間電圧ＶOEが
変化し、ゲート端子のバイアス電位が決定される。低雑
音増幅回路５のＦＥＴ６のドレイン端子は、バイアスフ
ィード線路１０とバイパスコンデンサ２０と、負の温度
係数を有する感温抵抗２２を介してオートバイアス回路
２のトランジスタ３のエミッタ端子に接続されることに
より、バイアスが印加される。この時、バイアスフィー
ド線路９、１０は、使用信号帯域の１／４波長の流さに
選んだストリップラインで形成され、バイパスコンデン
サ１９、２０で一端を高周波的に接地することにより等
価的にショートスタブと見ることが出来る。つまり、Ｆ
ＥＴ６のインピーダンス整合回路７、８からバイアスフ
ィード線路９、１０を見たインピーダンスは、オープン
となり、高周波的には何も接続されていないのと等価に
なり、バイアスフィード線路９、１０は、ＦＥＴ６の入
出力のインピーダンス整合を行うインピーダンス整合回
路７、８に影響を与えない。
【００１０】本発明ではオートバイアス回路２の抵抗２
１に負の温度係数を有する感温抵抗を使用することによ
り、周囲の温度の低下により抵抗値が大きくなり、オー
トバイアス回路２の出力電流ＩOEが少なくなる。逆に、
周囲温度の上昇では、抵抗２１の抵抗値は小さくなりＩ
OEが増加する。ＦＥＴのドレイン電流の変化に対する雑
音指数及び利得の変化は、ドレイン電流の減少に伴い利
得は低下し電流の増加に伴い上昇するが、雑音指数は一
定の電流変動範囲内ではほぼ変化しない。
１に負の温度係数を有する感温抵抗を使用することによ
り、周囲の温度の低下により抵抗値が大きくなり、オー
トバイアス回路２の出力電流ＩOEが少なくなる。逆に、
周囲温度の上昇では、抵抗２１の抵抗値は小さくなりＩ
OEが増加する。ＦＥＴのドレイン電流の変化に対する雑
音指数及び利得の変化は、ドレイン電流の減少に伴い利
得は低下し電流の増加に伴い上昇するが、雑音指数は一
定の電流変動範囲内ではほぼ変化しない。
【００１１】また、低雑音増幅回路５の抵抗２２は、オ
ートバイアス回路２の出力電流ＩOEと抵抗２２との積の
電圧降下ＶRDをＶOEから引いた電圧ＶD 、すなわちＦＥ
Ｔ６のドレインに供給されるドレイン電圧がある温度で
特定の電圧になるように選ばれる。通常、この電圧は常
温でＦＥＴがＨＪ ＨＥＴの場合２Ｖ、ＭＥＳ ＦＥＴ
の場合３Ｖに設定される。前記抵抗２１には負の温度係
数を有する感温抵抗が使用されているので、前述の通り
ＩOEが周囲温度により変化し、これにより、ＦＥＴ６の
ドレイン電圧ＶD も変化することになる。周囲温度が低
下するとＩOEが減少しＶRDも減少する。この結果ＶOEが
周囲温度に関係なく一定であるためＶDが、ＦＥＴ６が
安定に動作させる動作電圧範囲を越える危険がある。
ートバイアス回路２の出力電流ＩOEと抵抗２２との積の
電圧降下ＶRDをＶOEから引いた電圧ＶD 、すなわちＦＥ
Ｔ６のドレインに供給されるドレイン電圧がある温度で
特定の電圧になるように選ばれる。通常、この電圧は常
温でＦＥＴがＨＪ ＨＥＴの場合２Ｖ、ＭＥＳ ＦＥＴ
の場合３Ｖに設定される。前記抵抗２１には負の温度係
数を有する感温抵抗が使用されているので、前述の通り
ＩOEが周囲温度により変化し、これにより、ＦＥＴ６の
ドレイン電圧ＶD も変化することになる。周囲温度が低
下するとＩOEが減少しＶRDも減少する。この結果ＶOEが
周囲温度に関係なく一定であるためＶDが、ＦＥＴ６が
安定に動作させる動作電圧範囲を越える危険がある。
【００１２】本実施例では、さらに、抵抗２２に負の温
度係数を有する感温抵抗を使用することにより、周囲温
度の低下によりＩO が減少した場合においても感温抵抗
２２の抵抗値が増加しＶRDを一定に保つことが出来る。
逆に、周囲温度が上昇しても同様な仕組みによってＶRD
を一定にすることが出来る。この結果、周囲温度に関係
無くＦＥＴ６のドレイン電圧ＶD を一定に出来る。
度係数を有する感温抵抗を使用することにより、周囲温
度の低下によりＩO が減少した場合においても感温抵抗
２２の抵抗値が増加しＶRDを一定に保つことが出来る。
逆に、周囲温度が上昇しても同様な仕組みによってＶRD
を一定にすることが出来る。この結果、周囲温度に関係
無くＦＥＴ６のドレイン電圧ＶD を一定に出来る。
【００１３】以上、抵抗２１、２２に負の温度係数を有
する感温抵抗を使用することにより、周囲温度に関係無
くＦＥＴ６のドレイン電圧ＶD を一定に保ちつつ、ドレ
イン電流ＩD はＩOEとほぼ等しいため、周囲温度が低下
すると減少し、周囲温度が上昇すると増加する。このド
レイン電流ＩD の変化は、低温時のＦＥＴの不要な利得
上昇を防止する。
する感温抵抗を使用することにより、周囲温度に関係無
くＦＥＴ６のドレイン電圧ＶD を一定に保ちつつ、ドレ
イン電流ＩD はＩOEとほぼ等しいため、周囲温度が低下
すると減少し、周囲温度が上昇すると増加する。このド
レイン電流ＩD の変化は、低温時のＦＥＴの不要な利得
上昇を防止する。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、低雑音増
幅回路内のＦＥＴに対して、周囲温度の変化に関係無く
ドレイン電圧を一定にし、ドレイン電流については、低
温時に減少させるので、低温時におけるＦＥＴの不要な
利得増加を抑える効果があり、ＦＥＴの出力信号の一部
が空間を伝搬し入力に帰還される量を抑え、発振を抑え
る効果がある。これらにより、温度に関係無く安定に低
雑音増幅回路内のＦＥＴを安定に動作させることが出来
る。
幅回路内のＦＥＴに対して、周囲温度の変化に関係無く
ドレイン電圧を一定にし、ドレイン電流については、低
温時に減少させるので、低温時におけるＦＥＴの不要な
利得増加を抑える効果があり、ＦＥＴの出力信号の一部
が空間を伝搬し入力に帰還される量を抑え、発振を抑え
る効果がある。これらにより、温度に関係無く安定に低
雑音増幅回路内のＦＥＴを安定に動作させることが出来
る。
【図１】本発明の低雑音増幅装置の一実施例を示す図。
【図２】従来の低雑音増幅装置の例を示す図。
１ 正電源 ２ オートバイアス回路 ３ ＰＮＰトランジスタ ４ 負電源 ５ 低雑音増幅回路 ６ マイクロ波帯低雑音増幅用ＦＥＴ ７ 入力整合回路 ８ 出力整合回路 ９，１０ バイアスフィード線路 １１ 電流帰還用感温抵抗 １２ コレクタ抵抗 １３，１４ ブリーダ抵抗 １６，１７ 高周波阻止用抵抗（非感温） １９，２０ 高周波バイパスコンデンサ ２１ 電流帰還用抵抗（非感温） ２２ 高周波阻止用感温抵抗
Claims (2)
- 【請求項１】 マイクロ波帯増幅用ＦＥＴを含む増幅回
路と、前記増幅回路のＦＥＴのベース電圧とドレイン電
圧を供給するバイアス回路とを具備し、前記ＦＥＴのド
レインにドレイン電圧を供給する経路に負の温度係数を
有する感熱抵抗を用いたことを特徴とする低雑音増幅装
置。 - 【請求項２】 マイクロ波帯低雑音増幅用ＦＥＴと、抵
抗、コンデンサを備えたバイアスフィード線路から成る
低雑音増幅回路と、 エミッタ端子に電流帰還用抵抗を介して正電源を、ベー
ス端子にブリーダ抵抗を、また、コレクタ端子には、高
抵抗を介して負電源を接続することにより電流帰還バイ
アスを施したＰＮＰトランジスタを用い、このエミッタ
端子、コレクタ端子を前記低雑音増幅回路のＦＥＴのド
レイン端子、ゲート端子に前記バイアスフィード線路を
介してそれぞれ接続したオートバイアス回路と備え、 前記低雑音増幅回路のドレイン端子に接続されるバイア
スフィード線路に備えられた抵抗に負の温度係数を有す
る感温抵抗を用い、前記オートバイアス回路を構成する
ＰＮＰトランジスタのエミッタ端子に接続する電流帰還
用抵抗に負の温度係数を有する感音抵抗を用いたことを
特徴とする低雑音増幅装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5314760A JPH07170137A (ja) | 1993-12-15 | 1993-12-15 | 低雑音増幅装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5314760A JPH07170137A (ja) | 1993-12-15 | 1993-12-15 | 低雑音増幅装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07170137A true JPH07170137A (ja) | 1995-07-04 |
Family
ID=18057257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5314760A Pending JPH07170137A (ja) | 1993-12-15 | 1993-12-15 | 低雑音増幅装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07170137A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2022176187A1 (ja) * | 2021-02-22 | 2022-08-25 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5783910A (en) * | 1980-11-13 | 1982-05-26 | Fujitsu Ltd | Microwave amplifier |
| JPH05267957A (ja) * | 1992-03-19 | 1993-10-15 | Nec Corp | 衛星放送受信用低雑音コンバータ |
-
1993
- 1993-12-15 JP JP5314760A patent/JPH07170137A/ja active Pending
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| WO2022176187A1 (ja) * | 2021-02-22 | 2022-08-25 | 日本電信電話株式会社 | 分布型回路およびその制御方法 |
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