JPH0717018Y2 - 整流回路 - Google Patents
整流回路Info
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- JPH0717018Y2 JPH0717018Y2 JP2742287U JP2742287U JPH0717018Y2 JP H0717018 Y2 JPH0717018 Y2 JP H0717018Y2 JP 2742287 U JP2742287 U JP 2742287U JP 2742287 U JP2742287 U JP 2742287U JP H0717018 Y2 JPH0717018 Y2 JP H0717018Y2
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Description
【考案の詳細な説明】 ［考案の目的］ （産業上の利用分野） 本考案は、オーディオ信号等の整流を行う整流回路に係
り、特にそのバイアス電圧回路に関するものである。
り、特にそのバイアス電圧回路に関するものである。
（従来の技術） 第３図は、従来この種の整流回路の一例を示した回路図
である。OPは汎用増幅器でありトランジスタQ102のベー
ス、エミッタで帰還ループを構成している。無信号入力
時にはトランジスタQ102のコレクタに流れる電流は汎用
増幅回路OPの反転入力端子に流れるバイアス電流（数10
0nA）に等しく、トランジスタQ106に流れるオフセット
電流は小さな値になる。またトランジスタQ102のベース
エミッタ間電圧（VBEQ102）とトランジスタQ103の同電
圧（VBEQ103）とトランジスタQ100の同電圧（VBEQ100）
との間には VBEQ100＝VBEQ102＋VBEQ103 の関係が成り立つ。トランジスタQ100のコレクタ電流は
約20μＡ程度であるためVBEQ100は約0.7Vになる。また
トランジスタQ102のコレクタ電流は上記の通り約100nA
程度であるからVBEQ102は0.4〜0.5V程度となる。ここで
整流信号入力端子４に交流信号が流れた場合、正の電流
（整流信号入力端子４から抵抗R100の方向に流れる電
流）i1が流れた時は、汎用増幅器OPの反転入力端子に微
少電流が流れる。これにより汎用増幅器の出力端子から
流れ出る出力電流が減小する。このためトランジスタQ1
02のベース電流が減少するため、VBEQ102が下降し、ト
ランジスタQ102はカットオフ状態になる。一方、VBEQ10
2とVBEQ103は上式の関係があるため、VBEQ102の下降に
対しVBEQ103は逆に上昇するので、トランジスタQ103は
オン状態になる。このため前記入力電流i1はトランジス
タQ103を通りトランジスタQ104に流れる。トランジスタ
Q104とQ105はカレントミラー回路を構成しているためト
ランジスタQ106にi1が流れる。更にトランジスタQ106、
Q107もカレントミラー回路を構成しているため、i1がト
ランジスタQ107を介して整流端子５より流出する。
である。OPは汎用増幅器でありトランジスタQ102のベー
ス、エミッタで帰還ループを構成している。無信号入力
時にはトランジスタQ102のコレクタに流れる電流は汎用
増幅回路OPの反転入力端子に流れるバイアス電流（数10
0nA）に等しく、トランジスタQ106に流れるオフセット
電流は小さな値になる。またトランジスタQ102のベース
エミッタ間電圧（VBEQ102）とトランジスタQ103の同電
圧（VBEQ103）とトランジスタQ100の同電圧（VBEQ100）
との間には VBEQ100＝VBEQ102＋VBEQ103 の関係が成り立つ。トランジスタQ100のコレクタ電流は
約20μＡ程度であるためVBEQ100は約0.7Vになる。また
トランジスタQ102のコレクタ電流は上記の通り約100nA
程度であるからVBEQ102は0.4〜0.5V程度となる。ここで
整流信号入力端子４に交流信号が流れた場合、正の電流
（整流信号入力端子４から抵抗R100の方向に流れる電
流）i1が流れた時は、汎用増幅器OPの反転入力端子に微
少電流が流れる。これにより汎用増幅器の出力端子から
流れ出る出力電流が減小する。このためトランジスタQ1
02のベース電流が減少するため、VBEQ102が下降し、ト
ランジスタQ102はカットオフ状態になる。一方、VBEQ10
2とVBEQ103は上式の関係があるため、VBEQ102の下降に
対しVBEQ103は逆に上昇するので、トランジスタQ103は
オン状態になる。このため前記入力電流i1はトランジス
タQ103を通りトランジスタQ104に流れる。トランジスタ
Q104とQ105はカレントミラー回路を構成しているためト
ランジスタQ106にi1が流れる。更にトランジスタQ106、
Q107もカレントミラー回路を構成しているため、i1がト
ランジスタQ107を介して整流端子５より流出する。
一方負の電流（抵抗R100から整流信号入力端子４の方向
に流れる電流）i2が流れたときは汎用増幅器OPの反転入
力端子に流れているバイアス電流が減小し、これにより
汎用増幅器OPの出力端子から流れ出る出力電流が増大す
る。このためトランジスタQ102に流れるベース電流が増
加してベース電圧VBEQ102は増大するが、逆にトランジ
スタQ103のベース電圧VBEQ103は減小し、このトランジ
スタQ103はカットオフ状態になる。このため前記入力電
流i2はトランジスタQ102を通ってトランジスタQ106を流
れるため、トランジスタQ107を介してi2が整流出力端子
５より流出する。これにより整流出力端子５から整流信
号入力端子４に流れた交番電流の両波整流された電流が
取り出される。
に流れる電流）i2が流れたときは汎用増幅器OPの反転入
力端子に流れているバイアス電流が減小し、これにより
汎用増幅器OPの出力端子から流れ出る出力電流が増大す
る。このためトランジスタQ102に流れるベース電流が増
加してベース電圧VBEQ102は増大するが、逆にトランジ
スタQ103のベース電圧VBEQ103は減小し、このトランジ
スタQ103はカットオフ状態になる。このため前記入力電
流i2はトランジスタQ102を通ってトランジスタQ106を流
れるため、トランジスタQ107を介してi2が整流出力端子
５より流出する。これにより整流出力端子５から整流信
号入力端子４に流れた交番電流の両波整流された電流が
取り出される。
上記回路にてトランジスタQ102、Q103がオンし易くなる
ようにトランジスタQ100と定電流回路20より成るバイア
ス電圧回路６により上記両トランジスタのベース間にト
ランジスタQ100のベースエミッタ間電圧VBE（≒0.7V）
が加えられている。しかしこの場合、整流信号入力端子
４に微少電流が流れた時にトランジスタQ102、Q103は完
全にオン状態にならないので、整流出力端子５に流れる
電流が少なくなって入力交番電流に対する出力電流の偏
差が大きくなる。但し、上記定電流回路20はトランジス
タQ101と抵抗R101より成っている。またトランジスタQ1
02のエミッタとトランジスタQ103のエミッタが接続され
ているため、両トランジスタのベース間電圧は−4mV/℃
の温度特性を持つが、同トランジスタQ102、Q103に与え
られる上記バイアス電圧VBEは−2mV/℃の温度特性を持
っている。このため温度によりバイアスのかかり具合に
変化が生じ整流出力端子５より取り出される整流出力電
流に含まれる入力交番電流に対する偏差が大幅に変化す
る。
ようにトランジスタQ100と定電流回路20より成るバイア
ス電圧回路６により上記両トランジスタのベース間にト
ランジスタQ100のベースエミッタ間電圧VBE（≒0.7V）
が加えられている。しかしこの場合、整流信号入力端子
４に微少電流が流れた時にトランジスタQ102、Q103は完
全にオン状態にならないので、整流出力端子５に流れる
電流が少なくなって入力交番電流に対する出力電流の偏
差が大きくなる。但し、上記定電流回路20はトランジス
タQ101と抵抗R101より成っている。またトランジスタQ1
02のエミッタとトランジスタQ103のエミッタが接続され
ているため、両トランジスタのベース間電圧は−4mV/℃
の温度特性を持つが、同トランジスタQ102、Q103に与え
られる上記バイアス電圧VBEは−2mV/℃の温度特性を持
っている。このため温度によりバイアスのかかり具合に
変化が生じ整流出力端子５より取り出される整流出力電
流に含まれる入力交番電流に対する偏差が大幅に変化す
る。
第４図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は上記した温度による整
流出力電流偏差の変化例を温度パラメータとして示した
ものである。温度が一定の場合、入力交番電流が低下す
るのに伴い整流出力電流の偏差が大きくなっている。ま
た、温度が高くなると前記偏差が＋方向に変化し、温度
が低くなると一方向に変化している。
流出力電流偏差の変化例を温度パラメータとして示した
ものである。温度が一定の場合、入力交番電流が低下す
るのに伴い整流出力電流の偏差が大きくなっている。ま
た、温度が高くなると前記偏差が＋方向に変化し、温度
が低くなると一方向に変化している。
（考案が解決しようとする問題点） 上記従来の整流回路では、整流信号入力端子４への入力
交番電流が小さくなると、トランジスタQ102、Q103は完
全にオン状態にならないため、整流出力端子５より出力
される整流出力電流が小さくなり、入力交番電流に対す
る出力電流の偏差が大きくなる欠点があった。また、上
記従来の整流回路では、トランジスタQ102、Q103のベー
ス間電圧は−4mV/℃の温度特性であるのに対し両トラン
ジスタのベース間に与えられるバイアス電圧VBEは−2mV
/℃の温度特性である。このため、整流信号入力端子４
より入力される入力交番電流に対して整流出力端子５よ
り出力される整流出力電流の偏差が温度によって大幅に
変化する欠点があった。そこで本考案は上記の欠点を除
去するもので、入力交番電流及び温度の変化に対して、
前記入力交番電流に対する整流出力電流の偏差をほとん
どなくすことができる整流回路を提供することを目的と
している。
交番電流が小さくなると、トランジスタQ102、Q103は完
全にオン状態にならないため、整流出力端子５より出力
される整流出力電流が小さくなり、入力交番電流に対す
る出力電流の偏差が大きくなる欠点があった。また、上
記従来の整流回路では、トランジスタQ102、Q103のベー
ス間電圧は−4mV/℃の温度特性であるのに対し両トラン
ジスタのベース間に与えられるバイアス電圧VBEは−2mV
/℃の温度特性である。このため、整流信号入力端子４
より入力される入力交番電流に対して整流出力端子５よ
り出力される整流出力電流の偏差が温度によって大幅に
変化する欠点があった。そこで本考案は上記の欠点を除
去するもので、入力交番電流及び温度の変化に対して、
前記入力交番電流に対する整流出力電流の偏差をほとん
どなくすことができる整流回路を提供することを目的と
している。
［考案の構成］ （問題点を解決するための手段） 本考案は、エミッタ共通に接続された第１、第２のトラ
ンジスタと、前記第１のトランジスタのコレクタ側に接
続された第１のカレントミラー回路と、前記第２のトラ
ンジスタのコレクタ側に接続された第２のカレントミラ
ー回路と、正方向電流が流入した時前記第１のトランジ
スタをオンとして前記正方向電流と同一値の電流を前記
第１のトランジスタに流し、負方向電流が流入した時前
記第２のトランジスタをオンとして前記負方向電流と同
一値の電流を前記第２のトランジスタに流す入力回路
と、前記第１、第２のトランジスタのベース間にバイア
ス電圧を与えるバイアス回路とを有し、前記第１のトラ
ンジスタを流れる電流を前記第１のカレントミラー回路
及び前記第２のカレントミラー回路を介して、第２のト
ランジスタを流れる電流を前記第２のカレントミラー回
路を介してそれぞれ同方向の電流として取り出す整流回
路において、前記バイアス回路より与えられるバイアス
電圧の温度特性を前記第１、第２のトランジスタのベー
ス間電圧の温度特性と同一の−4mV/℃とする温度特性整
合回路を設けた構成となっている。
ンジスタと、前記第１のトランジスタのコレクタ側に接
続された第１のカレントミラー回路と、前記第２のトラ
ンジスタのコレクタ側に接続された第２のカレントミラ
ー回路と、正方向電流が流入した時前記第１のトランジ
スタをオンとして前記正方向電流と同一値の電流を前記
第１のトランジスタに流し、負方向電流が流入した時前
記第２のトランジスタをオンとして前記負方向電流と同
一値の電流を前記第２のトランジスタに流す入力回路
と、前記第１、第２のトランジスタのベース間にバイア
ス電圧を与えるバイアス回路とを有し、前記第１のトラ
ンジスタを流れる電流を前記第１のカレントミラー回路
及び前記第２のカレントミラー回路を介して、第２のト
ランジスタを流れる電流を前記第２のカレントミラー回
路を介してそれぞれ同方向の電流として取り出す整流回
路において、前記バイアス回路より与えられるバイアス
電圧の温度特性を前記第１、第２のトランジスタのベー
ス間電圧の温度特性と同一の−4mV/℃とする温度特性整
合回路を設けた構成となっている。
（作用） 本考案の整流回路において、前記温度特性整合回路は第
１のトランジスタと第２のトランジスタのベース間電圧
の温度特性と、前記バイアス回路より、これら第１、第
２のトランジスタのベース間に与えられるバイアス電圧
の温度特性を一致させる。これにより第１、第２のトラ
ンジスタのベース間に与えられるバイアス電圧のかかり
具合が温度により変化することがなくなって、前記正、
負方向入力電流と、第２カレントミラー回路から取り出
される出力電流との温度による偏差が減少する。
１のトランジスタと第２のトランジスタのベース間電圧
の温度特性と、前記バイアス回路より、これら第１、第
２のトランジスタのベース間に与えられるバイアス電圧
の温度特性を一致させる。これにより第１、第２のトラ
ンジスタのベース間に与えられるバイアス電圧のかかり
具合が温度により変化することがなくなって、前記正、
負方向入力電流と、第２カレントミラー回路から取り出
される出力電流との温度による偏差が減少する。
（実施例） 以下本考案の一実施例を図面を参照して説明する。第１
図は本考案の整流回路の一実施例を示した回路図であ
る。１は上位電圧源入力端子、２は下位電圧源入力端
子、４は整流信号入力端子、５は整流出力端子、６はバ
イアス電圧回路で、Q1〜Q4,Q9及びカレントミラー回路
9,10で構成されている。７はNPNトランジスタQ102、PNP
トランジスタQ103で構成されたトランジスタ回路、８は
トランジスタQ104,Q105より成るカレントミラー回路、
９はトランジスタQ5,Q6より成るカレントミラー回路、1
0はトランジスタQ7,Q8より成るカレントミラー回路、11
はトランジスタQ106,Q107より成るカレントミラー回
路、I1（Ｔ）は抵抗の温度特性（＋2000ppm/℃）と逆の
温度特性（−2000ppm/℃）を持つ定電流回路、I2は定電
流回路、OPは汎用増幅器である。
図は本考案の整流回路の一実施例を示した回路図であ
る。１は上位電圧源入力端子、２は下位電圧源入力端
子、４は整流信号入力端子、５は整流出力端子、６はバ
イアス電圧回路で、Q1〜Q4,Q9及びカレントミラー回路
9,10で構成されている。７はNPNトランジスタQ102、PNP
トランジスタQ103で構成されたトランジスタ回路、８は
トランジスタQ104,Q105より成るカレントミラー回路、
９はトランジスタQ5,Q6より成るカレントミラー回路、1
0はトランジスタQ7,Q8より成るカレントミラー回路、11
はトランジスタQ106,Q107より成るカレントミラー回
路、I1（Ｔ）は抵抗の温度特性（＋2000ppm/℃）と逆の
温度特性（−2000ppm/℃）を持つ定電流回路、I2は定電
流回路、OPは汎用増幅器である。
次に本実施例の動作について説明を行う。定電流回路I1
（Ｔ）に流れる電流i1、抵抗R2に流れる電流をi2とす
る。カレントミラー回路９によりトランジスタQ1とトラ
ンジスタQ2に流れるコレクタ電流は等しく、その値は
（i1−i2）/2になる。また抵抗R1に流れる電流は（i1＋
i2）/2（＝［（i1−i2）/2］＋i2になる。一方、エミッ
タが接地されているトランジスタQ7のコレクタはベース
に接続されているのでコレクタの電圧はVBEになる。ま
たこのコレクタにベースが接続されているトランジスタ
Q3のエミッタの電圧は2VBEになり、このエミッタにベー
スが接続されているトランジスタQ1のエミッタの電圧は
VBEになるので、このエミッタにベースが接続されてい
るトランジスタQ2のエミッタの電圧は2VBEになる。この
ため、トランジスタQ2のエミッタに接続されている抵抗
R1の他端の電圧は、この抵抗R1に流れる電流が（i1＋i
2）/2であるから、 ［2VBE−｛（i1＋i2）/2｝×R1］…（１）になる。この
ため、トランジスタQ7のコレクタと、この抵抗R1とトラ
ンジスタQ1のコレクタの接続点との間の電圧は（１）式
よりVBEを減算して ［VBE−｛（i1＋i2）/2｝×R1］…（２）になる。
（Ｔ）に流れる電流i1、抵抗R2に流れる電流をi2とす
る。カレントミラー回路９によりトランジスタQ1とトラ
ンジスタQ2に流れるコレクタ電流は等しく、その値は
（i1−i2）/2になる。また抵抗R1に流れる電流は（i1＋
i2）/2（＝［（i1−i2）/2］＋i2になる。一方、エミッ
タが接地されているトランジスタQ7のコレクタはベース
に接続されているのでコレクタの電圧はVBEになる。ま
たこのコレクタにベースが接続されているトランジスタ
Q3のエミッタの電圧は2VBEになり、このエミッタにベー
スが接続されているトランジスタQ1のエミッタの電圧は
VBEになるので、このエミッタにベースが接続されてい
るトランジスタQ2のエミッタの電圧は2VBEになる。この
ため、トランジスタQ2のエミッタに接続されている抵抗
R1の他端の電圧は、この抵抗R1に流れる電流が（i1＋i
2）/2であるから、 ［2VBE−｛（i1＋i2）/2｝×R1］…（１）になる。この
ため、トランジスタQ7のコレクタと、この抵抗R1とトラ
ンジスタQ1のコレクタの接続点との間の電圧は（１）式
よりVBEを減算して ［VBE−｛（i1＋i2）/2｝×R1］…（２）になる。
一方この抵抗R1とトランジスタQ1のコレクタの接続点
と、トランジスタQ7のコレクタの間には抵抗R2が接続さ
れており、この抵抗R2にはi2なる電流が流れている。こ
のため以下の関係が成り立つ。
と、トランジスタQ7のコレクタの間には抵抗R2が接続さ
れており、この抵抗R2にはi2なる電流が流れている。こ
のため以下の関係が成り立つ。
i2R2＝VBE−｛（i1＋i2）/2｝×R1…（３）これを整理
すると i2＝｛2/（R1＋2R2）｝×｛VBE−（R1 i1）/2｝…
（４） になる。一方カレントミラー回路10により抵抗R2に流れ
る電流は抵抗R6にも流れる。これにより抵抗R6に生ずる
電位差ΔVR6は ΔVR6＝i2R6＝2R6/（R1＋2R2）×（VBE−R1 i1/2）…
（５） になる。ここで電流i1は定電流回路I1（Ｔ）が抵抗の温
度特性と逆の温度特性を持っているため、R1 i1の項は
温度に関係なく一定になる。また2R6/（R1＋2R2）を１
となる様に各抵抗値を選べば抵抗R6に生ずる電位差ΔVR
6は ΔVR6＝VBE−A:（Ａは定数）…（６） と表わされ、VBEと同じ−2mV/℃の温度特性を持つこと
ができる。また、トランジスタQ9のエミッタは抵抗R6に
接続されているため、抵抗R6の他端とトランジスタQ9の
ベース間の電圧をバイアス電圧VBとして取り出すと、こ
の電圧VBは VB＝VBE＋ΔVR6＝VBE＋｛2R6/（R1＋2R2）｝×｛VBE−
（R1 i1/2）｝…（７）になる。
すると i2＝｛2/（R1＋2R2）｝×｛VBE−（R1 i1）/2｝…
（４） になる。一方カレントミラー回路10により抵抗R2に流れ
る電流は抵抗R6にも流れる。これにより抵抗R6に生ずる
電位差ΔVR6は ΔVR6＝i2R6＝2R6/（R1＋2R2）×（VBE−R1 i1/2）…
（５） になる。ここで電流i1は定電流回路I1（Ｔ）が抵抗の温
度特性と逆の温度特性を持っているため、R1 i1の項は
温度に関係なく一定になる。また2R6/（R1＋2R2）を１
となる様に各抵抗値を選べば抵抗R6に生ずる電位差ΔVR
6は ΔVR6＝VBE−A:（Ａは定数）…（６） と表わされ、VBEと同じ−2mV/℃の温度特性を持つこと
ができる。また、トランジスタQ9のエミッタは抵抗R6に
接続されているため、抵抗R6の他端とトランジスタQ9の
ベース間の電圧をバイアス電圧VBとして取り出すと、こ
の電圧VBは VB＝VBE＋ΔVR6＝VBE＋｛2R6/（R1＋2R2）｝×｛VBE−
（R1 i1/2）｝…（７）になる。
第２図は第１図に示した回路の入力交番電流に対する出
力整流電流の偏差を示したものである。図の（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）に示す如く温度が高温から低温に上昇し
てもその偏差はほとんど一定であると共に、入力交番電
流が小さい領域にても従来に比較して前記偏差は少なく
なっている。
力整流電流の偏差を示したものである。図の（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）に示す如く温度が高温から低温に上昇し
てもその偏差はほとんど一定であると共に、入力交番電
流が小さい領域にても従来に比較して前記偏差は少なく
なっている。
本実施例によれば（７）式において、第１項は−2mV/℃
の温度特性を持ち、第２項も前述したように−2mV/℃の
温度特性を持つ。これによりバイアス電圧VBは−4mV/℃
の温度特性を持つことができる。また抵抗R1と定電流回
路I1（Ｔ）に流れる電流i1とを適当に選ぶことにより、
トランジスタQ102,Q103に対して最適なバイアス電圧VB
を得ることができ、整流信号入力端子４の入力電流が小
さくとも整流出力端子５より出力される整流出力電流の
偏差を小さくすることができる。更にこの整流回路は整
流信号に対して独立して動作しているため、整流信号に
より整流回路各部の電圧が変動することがないため、従
来より低電圧で動作することができる。
の温度特性を持ち、第２項も前述したように−2mV/℃の
温度特性を持つ。これによりバイアス電圧VBは−4mV/℃
の温度特性を持つことができる。また抵抗R1と定電流回
路I1（Ｔ）に流れる電流i1とを適当に選ぶことにより、
トランジスタQ102,Q103に対して最適なバイアス電圧VB
を得ることができ、整流信号入力端子４の入力電流が小
さくとも整流出力端子５より出力される整流出力電流の
偏差を小さくすることができる。更にこの整流回路は整
流信号に対して独立して動作しているため、整流信号に
より整流回路各部の電圧が変動することがないため、従
来より低電圧で動作することができる。
［考案の効果］ 以上記述した如く本考案の整流回路によれば、入力交番
電流及び温度の変化に対して、前記入力交番電流に対す
る整流出力電流の偏差をほとんどなくし得る効果があ
る。
電流及び温度の変化に対して、前記入力交番電流に対す
る整流出力電流の偏差をほとんどなくし得る効果があ
る。
第１図は本考案の整流回路の一実施例を示した回路図、
第２図は本考案の整流回路の出力偏差特性を示した特性
図、第３図は従来の整流回路の一例を示した回路図、第
４図は従来の整流回路の出力偏差特性を示した特性図で
ある。 ４……整流信号入力端子、５……整流出力端子 ６……バイアス電圧回路、７……トランジスタ回路 8,9,10,11……カレントミラー回路 I1（Ｔ）,I2……定電流回路 OP……汎用増幅器 Q1〜Q9,Q102〜Q107……トランジスタ R1〜R6,R100……抵抗
第２図は本考案の整流回路の出力偏差特性を示した特性
図、第３図は従来の整流回路の一例を示した回路図、第
４図は従来の整流回路の出力偏差特性を示した特性図で
ある。 ４……整流信号入力端子、５……整流出力端子 ６……バイアス電圧回路、７……トランジスタ回路 8,9,10,11……カレントミラー回路 I1（Ｔ）,I2……定電流回路 OP……汎用増幅器 Q1〜Q9,Q102〜Q107……トランジスタ R1〜R6,R100……抵抗
Claims (1)
- 【請求項１】エミッタが共通に接続された第１、第２の
トランジスタと、前記第１のトランジスタのコレクタ側
に接続された第１のカレントミラー回路と、前記第２の
トランジスタのコレクタ側に接続された第２のカレント
ミラー回路と、正方向電流が流入した時前記第１のトラ
ンジスタをオンとして前記正方向電流と同一値の電流を
前記第１のトランジスタに流し、負方向電流が流入した
時前記第２のトランジスタをオンとして前記負方向電流
と同一値の電流を前記第２のトランジスタに流す入力回
路と、前記第１、第２のトランジスタのベース間にバイ
アス電圧を与えるバイアス回路とを有し、前記第１のト
ランジスタを流れる電流を前記第１のカレントミラー回
路及び前記第２のカレントミラー回路を介して、第２の
トランジスタを流れる電流を前記第２のカレントミラー
回路を介してそれぞれ同方向の電流として取り出す整流
回路において、前記バイアス回路より与えられるバイア
ス電圧の温度特性を前記第１、第２のトランジスタのベ
ース間電圧の温度特性と同一の−4mV/℃とする温度特性
整合回路を設けたことを特徴とする整流回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2742287U JPH0717018Y2 (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | 整流回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2742287U JPH0717018Y2 (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | 整流回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63135282U JPS63135282U (ja) | 1988-09-05 |
| JPH0717018Y2 true JPH0717018Y2 (ja) | 1995-04-19 |
Family
ID=30829437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2742287U Expired - Lifetime JPH0717018Y2 (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | 整流回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0717018Y2 (ja) |
-
1987
- 1987-02-27 JP JP2742287U patent/JPH0717018Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63135282U (ja) | 1988-09-05 |
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