JPH0241924Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0241924Y2 JPH0241924Y2 JP1983030264U JP3026483U JPH0241924Y2 JP H0241924 Y2 JPH0241924 Y2 JP H0241924Y2 JP 1983030264 U JP1983030264 U JP 1983030264U JP 3026483 U JP3026483 U JP 3026483U JP H0241924 Y2 JPH0241924 Y2 JP H0241924Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- output
- base
- temperature
- diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は、入力信号に所定の温度変化特性を付
与することの出来る増幅回路に関するもので、特
に温度変化特性を有するAGC回路の前段に用い
て好適な増幅回路に関する。
与することの出来る増幅回路に関するもので、特
に温度変化特性を有するAGC回路の前段に用い
て好適な増幅回路に関する。
(ロ) 従来技術
従来、第１図に示す如き増幅回路が公知であ
る。この増幅回路は、入力端子１に印加された信
号を、エミツタが共通接続された第１及び第２ト
ランジスタ２及び３で増幅し、前記第２トランジ
スタ３のコレクタから出力トランジスタ４を介し
て出力端子５に増幅された信号を取り出すもので
あるが、出力信号の温度補償を行う為のダイオー
ド６が配置されている。
る。この増幅回路は、入力端子１に印加された信
号を、エミツタが共通接続された第１及び第２ト
ランジスタ２及び３で増幅し、前記第２トランジ
スタ３のコレクタから出力トランジスタ４を介し
て出力端子５に増幅された信号を取り出すもので
あるが、出力信号の温度補償を行う為のダイオー
ド６が配置されている。
一般に、トランジスタやダイオードのベース．
エミツタ間（ダイオードの場合はアノード．カソ
ード間）電圧VBEは、温度の上昇に伴つて減少す
るという温度変化特性を有する。また、その際の
温度変化率dVBE／dTは、第４図に示す如く、動
作電流に応じて定まる。しかして、第１図におい
て、温度が上昇すると、出力トランジスタ４のベ
ース・エミツタ間電圧VBEは小となり、ベース電
圧を一定とすれば、エミツタ電圧が上昇する。一
方、温度が上昇すると、ダイオード６のアノード
カソード間電圧VDも小となり、前記出力トラン
ジスタ４のベース電圧を引き下げる。その結果、
前記出力トランジスタ４の動作電流と前記ダイオ
ード６の動作電流とを等しくしておけば、互いの
温度変化は相殺され、出力端子５には温度によつ
て変化しない出力信号（電圧）が得られる。
エミツタ間（ダイオードの場合はアノード．カソ
ード間）電圧VBEは、温度の上昇に伴つて減少す
るという温度変化特性を有する。また、その際の
温度変化率dVBE／dTは、第４図に示す如く、動
作電流に応じて定まる。しかして、第１図におい
て、温度が上昇すると、出力トランジスタ４のベ
ース・エミツタ間電圧VBEは小となり、ベース電
圧を一定とすれば、エミツタ電圧が上昇する。一
方、温度が上昇すると、ダイオード６のアノード
カソード間電圧VDも小となり、前記出力トラン
ジスタ４のベース電圧を引き下げる。その結果、
前記出力トランジスタ４の動作電流と前記ダイオ
ード６の動作電流とを等しくしておけば、互いの
温度変化は相殺され、出力端子５には温度によつ
て変化しない出力信号（電圧）が得られる。
ところで、第１図の増幅回路は、出力端子５に
得られる出力信号が温度によつて変化しないの
で、様々な用途に使用出来るという利点を有する
が、逆に、第２図に示す如きAGC回路の前段増
幅回路として第１図の増幅回路を使用すると、
AGC回路自体が温度変化特性を有する為に、全
体として温度に対して変動仕易い回路が作られて
しまう。第２図のAGC回路は、被AGC回路７を
駆動する為の差動接続された一対のトランジスタ
８及び９の一方のトランジスタ８のベースにダイ
オード１０が接続されている為に、前記一方のト
ランジスタ８のベース電圧は温度によつて変化す
る。それに対し、前記一対のトランジスタ８及び
９の他方のトランジスタ９のベースには、AGC
信号が印加される入力端子１１が接続されてお
り、該入力端子１１には、第１図の出力端子５が
接続され、温度により変化しない前記第１図の増
幅回路の出力信号が印加されるので、結果として
回路全体が温度変化特性をもつてしまう。
得られる出力信号が温度によつて変化しないの
で、様々な用途に使用出来るという利点を有する
が、逆に、第２図に示す如きAGC回路の前段増
幅回路として第１図の増幅回路を使用すると、
AGC回路自体が温度変化特性を有する為に、全
体として温度に対して変動仕易い回路が作られて
しまう。第２図のAGC回路は、被AGC回路７を
駆動する為の差動接続された一対のトランジスタ
８及び９の一方のトランジスタ８のベースにダイ
オード１０が接続されている為に、前記一方のト
ランジスタ８のベース電圧は温度によつて変化す
る。それに対し、前記一対のトランジスタ８及び
９の他方のトランジスタ９のベースには、AGC
信号が印加される入力端子１１が接続されてお
り、該入力端子１１には、第１図の出力端子５が
接続され、温度により変化しない前記第１図の増
幅回路の出力信号が印加されるので、結果として
回路全体が温度変化特性をもつてしまう。
だからといつて、第１図の増幅回路からダイオ
ード６を除去し、出力端子５に温度によつて変化
する出力信号を発生させると、温度上昇時に、一
対のトランジスタ８及び９の一方のトランジスタ
８のベース電圧が低下し、他方のトランジスタ９
のベース電圧が上昇して、温度に益々依存するも
のとなつてしまう。
ード６を除去し、出力端子５に温度によつて変化
する出力信号を発生させると、温度上昇時に、一
対のトランジスタ８及び９の一方のトランジスタ
８のベース電圧が低下し、他方のトランジスタ９
のベース電圧が上昇して、温度に益々依存するも
のとなつてしまう。
(ハ) 考案の目的
本考案は、上述の点に鑑み成されたもので、出
力トランジスタの有する温度変化特性と逆方向に
変化する温度特性を有する増幅回路を提供せんと
するものである。
力トランジスタの有する温度変化特性と逆方向に
変化する温度特性を有する増幅回路を提供せんと
するものである。
(ニ) 実施例
第３図は、本考案に係る増幅回路の一実施例を
示す回路図で、１２及び１３はエミツタが共通接
続された第１及び第２トランジスタ、１４は該第
１トランジスタ１２のベースに抵抗１５を介して
接続された入力端子、１６はダイオード接続され
た第３トランジスタ１７と第４トランジスタ１８
とから成る電流反転回路、１９はベースが前記第
２トランジスタ１３のコレクタに接続された出力
トランジスタ、２０は該出力トランジスタ１９の
ベースと、前記第２トランジスタ１３のベースと
の間に接続されたダイオード、及び２１は前記出
力トランジスタ１９のエミツタに接続された出力
端子である。
示す回路図で、１２及び１３はエミツタが共通接
続された第１及び第２トランジスタ、１４は該第
１トランジスタ１２のベースに抵抗１５を介して
接続された入力端子、１６はダイオード接続され
た第３トランジスタ１７と第４トランジスタ１８
とから成る電流反転回路、１９はベースが前記第
２トランジスタ１３のコレクタに接続された出力
トランジスタ、２０は該出力トランジスタ１９の
ベースと、前記第２トランジスタ１３のベースと
の間に接続されたダイオード、及び２１は前記出
力トランジスタ１９のエミツタに接続された出力
端子である。
入出端子１４に印加される入力信号は、第１及
び第２トランジスタ１２及び１３で差動増幅さ
れ、前記第２トランジスタ１３のコレクタから出
力トランジスタ１９を介して出力端子２１に導出
される。その場合、ダイオード２０には、第２ト
ランジスタ１３のベース電流が流れるだけである
から、前記ダイオード２０の温度変化率は非常に
大なるものとなる。一方、出力トランジスタ１９
には、十分大なる動作電流が流れるので、その温
度変化率は小であり、前記ダイオード２０の温度
変化は、出力トランジスタ１９のベース電圧を下
げる方向に、かつ前記出力トランジスタ１９の温
度変化は、前記出力トランジスタ１９のエミツタ
電圧を上げる方向に働くので、結果として、前記
出力トランジスタ１９のエミツタ電圧、すなわち
出力端子２１に得られる信号は、温度の上昇に伴
い低くなる温度特性を有する。
び第２トランジスタ１２及び１３で差動増幅さ
れ、前記第２トランジスタ１３のコレクタから出
力トランジスタ１９を介して出力端子２１に導出
される。その場合、ダイオード２０には、第２ト
ランジスタ１３のベース電流が流れるだけである
から、前記ダイオード２０の温度変化率は非常に
大なるものとなる。一方、出力トランジスタ１９
には、十分大なる動作電流が流れるので、その温
度変化率は小であり、前記ダイオード２０の温度
変化は、出力トランジスタ１９のベース電圧を下
げる方向に、かつ前記出力トランジスタ１９の温
度変化は、前記出力トランジスタ１９のエミツタ
電圧を上げる方向に働くので、結果として、前記
出力トランジスタ１９のエミツタ電圧、すなわち
出力端子２１に得られる信号は、温度の上昇に伴
い低くなる温度特性を有する。
いま、無信号状態と仮定し、第１及び第２トラ
ンジスタ１２及び１３の電流源となる抵抗２２に
流れる電流をIOとすれば、前記第１及び第２トラ
ンジスタ１２及び１３のコレクタ電流は等しく
IO／２となり、ダイオード２０に流れる第２トラン ジスタ１３のベース電流は、IO／2βとなる。ただ し、βは前記第２トランジスタ１３の電流増幅率
である。一方、出力トランジスタ１９のコレクタ
電流IIは、前記抵抗２２の値をRO、出力トランジ
スタ１９のエミツタに接続された抵抗２３の値を
RIとすれば、II≒ROIO＋VBE／RIとなる。従つて、例 えば、β＝100、IO＝200μA、RO＝2KΩ、RI＝
1KΩ、VBE＝0.6Vに設定すれば、ダイオード２０
に流れる電流は、1μAとなり、出力トランジスタ
１９に流れる電流は、1000μAとなる。第４図か
ら明らかな如く、1μAの電流が流れるダイオード
２０の温度変化率は、−2.6ｍＶ／℃となり、
1000μAの電流が流れる出力トランジスタ１９の
温度変化率は、−1.6ｍＶ／℃となる。それ故、出
力端子２１に得られる出力信号の温度変化率は、
１ｍＶ／℃となる。
ンジスタ１２及び１３の電流源となる抵抗２２に
流れる電流をIOとすれば、前記第１及び第２トラ
ンジスタ１２及び１３のコレクタ電流は等しく
IO／２となり、ダイオード２０に流れる第２トラン ジスタ１３のベース電流は、IO／2βとなる。ただ し、βは前記第２トランジスタ１３の電流増幅率
である。一方、出力トランジスタ１９のコレクタ
電流IIは、前記抵抗２２の値をRO、出力トランジ
スタ１９のエミツタに接続された抵抗２３の値を
RIとすれば、II≒ROIO＋VBE／RIとなる。従つて、例 えば、β＝100、IO＝200μA、RO＝2KΩ、RI＝
1KΩ、VBE＝0.6Vに設定すれば、ダイオード２０
に流れる電流は、1μAとなり、出力トランジスタ
１９に流れる電流は、1000μAとなる。第４図か
ら明らかな如く、1μAの電流が流れるダイオード
２０の温度変化率は、−2.6ｍＶ／℃となり、
1000μAの電流が流れる出力トランジスタ１９の
温度変化率は、−1.6ｍＶ／℃となる。それ故、出
力端子２１に得られる出力信号の温度変化率は、
１ｍＶ／℃となる。
この様な出力信号が得られる第１図の増幅回路
を、第２図のAGC回路の前段増幅回路として使
用した場合、一対のトランジスタ８及び９の一方
のトランジスタ８のベースバイアス回路に流れる
電流を1000μAとすれば、前記一方のトランジス
タ８のベース電圧の温度変化率が−1.6ｍＶ／℃
となり、他方のトランジスタ９のベース電圧の温
度変化率が１ｍＶ／℃となるので、温度上昇時に
前記一対のトランジスタ８及び９のベース電圧が
共に低下し、温度変化によるアンバランスが生じ
難くなる。その結果、全体として温度に対して安
定な回路を構成出来る。
を、第２図のAGC回路の前段増幅回路として使
用した場合、一対のトランジスタ８及び９の一方
のトランジスタ８のベースバイアス回路に流れる
電流を1000μAとすれば、前記一方のトランジス
タ８のベース電圧の温度変化率が−1.6ｍＶ／℃
となり、他方のトランジスタ９のベース電圧の温
度変化率が１ｍＶ／℃となるので、温度上昇時に
前記一対のトランジスタ８及び９のベース電圧が
共に低下し、温度変化によるアンバランスが生じ
難くなる。その結果、全体として温度に対して安
定な回路を構成出来る。
尚、第３図の出力端子２１に得られる電圧の温
度変化率は、出力トランジスタ１９のベースと第
２トランジスタ１３のベースとの間に接続される
ダイオードの個数を増せば大となり、出力トラン
ジスタ１９に流れる電流を小とすれば小となる。
度変化率は、出力トランジスタ１９のベースと第
２トランジスタ１３のベースとの間に接続される
ダイオードの個数を増せば大となり、出力トラン
ジスタ１９に流れる電流を小とすれば小となる。
(ヘ) 考案の効果
以上述べた如く、本考案に依れば、差動増幅部
と出力トランジスタとから成る増幅回路の温度変
化特性を、簡単な回路構成により逆転させること
が出来、入力信号に所望の温度変化特性を付与す
ることが出来るという利点を有する。
と出力トランジスタとから成る増幅回路の温度変
化特性を、簡単な回路構成により逆転させること
が出来、入力信号に所望の温度変化特性を付与す
ることが出来るという利点を有する。
第１図は、従来の増幅回路を示す回路図、第２
図は本考案に係る増幅回路の利用回路の一例を示
す回路図、第３図は本考案の一実施例を示す回路
図、及び第４図は本考案の説明に供する為の特性
図である。 主な図番の説明、１２……第１トランジスタ、
１３……第２トランジスタ、１９……出力トラン
ジスタ、２０……ダイオード。
図は本考案に係る増幅回路の利用回路の一例を示
す回路図、第３図は本考案の一実施例を示す回路
図、及び第４図は本考案の説明に供する為の特性
図である。 主な図番の説明、１２……第１トランジスタ、
１３……第２トランジスタ、１９……出力トラン
ジスタ、２０……ダイオード。
Claims (1)
- エミツタが共通接続され差動的に動作する第１
及び第２トランジスタと、該第１トランジスタの
ベースに接続された入力端子と、前記第２トラン
ジスタのコレクタにベースが接続された出力トラ
ンジスタと、該出力トランジスタのベースと前記
第２トランジスタのベースとの間に接続されたダ
イオードと、前記出力トランジスタのエミツタに
接続された出力端子とを備え、前記入力端子に印
加される信号に、前記出力トランジスタ及びダイ
オードの温度変化特性に応じて所定の温度変化特
性を付与し、前記出力端子に温度に応じて変化す
る出力信号を発生する様にしたことを特徴とする
増幅回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983030264U JPS59137615U (ja) | 1983-03-01 | 1983-03-01 | 増幅回路 |
| KR2019840001392U KR890007393Y1 (ko) | 1983-03-01 | 1984-02-21 | 증폭회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983030264U JPS59137615U (ja) | 1983-03-01 | 1983-03-01 | 増幅回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59137615U JPS59137615U (ja) | 1984-09-13 |
| JPH0241924Y2 true JPH0241924Y2 (ja) | 1990-11-08 |
Family
ID=30161125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1983030264U Granted JPS59137615U (ja) | 1983-03-01 | 1983-03-01 | 増幅回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59137615U (ja) |
| KR (1) | KR890007393Y1 (ja) |
-
1983
- 1983-03-01 JP JP1983030264U patent/JPS59137615U/ja active Granted
-
1984
- 1984-02-21 KR KR2019840001392U patent/KR890007393Y1/ko not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR840006476U (ko) | 1984-12-03 |
| KR890007393Y1 (ko) | 1989-10-25 |
| JPS59137615U (ja) | 1984-09-13 |
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