JPH07180007A - 電解コンデンサー中低圧陽極用アルミニウム箔の製造方法 - Google Patents
電解コンデンサー中低圧陽極用アルミニウム箔の製造方法Info
- Publication number
- JPH07180007A JPH07180007A JP32799493A JP32799493A JPH07180007A JP H07180007 A JPH07180007 A JP H07180007A JP 32799493 A JP32799493 A JP 32799493A JP 32799493 A JP32799493 A JP 32799493A JP H07180007 A JPH07180007 A JP H07180007A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rolling
- aluminum foil
- aluminum
- foil
- electrolytic capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 84
- 239000011888 foil Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 21
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 75
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 29
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims abstract description 43
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 13
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 claims description 12
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 abstract description 35
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 9
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 14
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical group OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004254 Ammonium phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000148 ammonium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019289 ammonium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N diammonium hydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].[NH4+].OP([O-])([O-])=O MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000003303 reheating Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Metal Rolling (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 出発原料として純度:99.98% 以上のアルミニ
ウムを使用する事を前提とし、電解エッチング時に粗大
孔を生じ難く、電解エッチング性に優れ、その結果静電
容量の向上が図れる電解コンデンサー中低圧陽極用アル
ミニウム箔を得ることができるアルミニウム箔の製造方
法を提供。 【構成】 アルミニウム純度が 99.98％以上であり、且
つFe：0.001 〜0.005wt%，Si：0.001 〜0.005wt%，Zn：
0.0015wt% 以下，Cu：0.001 〜0.005wt%を含有し、残部
が不可避的不純物からなるアルミニウムを、 550〜500
℃で７〜15時間連続的に加熱して均質化処理し、引き続
き熱間粗圧延し、続いて仕上げ圧延終了温度：200 〜30
0 ℃にして仕上げ圧延した後、箔圧延することを特徴と
する電解コンデンサー中低圧陽極用アルミニウム箔の製
造方法。
ウムを使用する事を前提とし、電解エッチング時に粗大
孔を生じ難く、電解エッチング性に優れ、その結果静電
容量の向上が図れる電解コンデンサー中低圧陽極用アル
ミニウム箔を得ることができるアルミニウム箔の製造方
法を提供。 【構成】 アルミニウム純度が 99.98％以上であり、且
つFe：0.001 〜0.005wt%，Si：0.001 〜0.005wt%，Zn：
0.0015wt% 以下，Cu：0.001 〜0.005wt%を含有し、残部
が不可避的不純物からなるアルミニウムを、 550〜500
℃で７〜15時間連続的に加熱して均質化処理し、引き続
き熱間粗圧延し、続いて仕上げ圧延終了温度：200 〜30
0 ℃にして仕上げ圧延した後、箔圧延することを特徴と
する電解コンデンサー中低圧陽極用アルミニウム箔の製
造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電解コンデンサー中低
圧陽極用アルミニウム箔の製造方法に関し、詳細には、
電解エッチングによる実効面積の拡大化処理が施されて
使用される電解コンデンサー中低圧陽極用アルミニウム
箔の製造方法に関する。
圧陽極用アルミニウム箔の製造方法に関し、詳細には、
電解エッチングによる実効面積の拡大化処理が施されて
使用される電解コンデンサー中低圧陽極用アルミニウム
箔の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電解コンデンサを小型化・高容量化する
目的で、電解コンデンサー中低圧陽極用アルミニウム箔
は、電解エッチングにより粗面化し実効面積（以降、表
面積という）を拡大してから使用される。ここで、表面
積の拡大は、単位面積当たりの静電容量の向上を図り、
その結果、電解コンデンサを小型化・高容量化しようと
するものであり、従って、表面積の高拡大化が望まれ
る。
目的で、電解コンデンサー中低圧陽極用アルミニウム箔
は、電解エッチングにより粗面化し実効面積（以降、表
面積という）を拡大してから使用される。ここで、表面
積の拡大は、単位面積当たりの静電容量の向上を図り、
その結果、電解コンデンサを小型化・高容量化しようと
するものであり、従って、表面積の高拡大化が望まれ
る。
【０００３】従来、かかる電解コンデンサー中低圧陽極
用アルミニウム箔の製造に際し、出発原料のアルミニウ
ム地金としては 99.99％以上の純度のものを使用しなけ
ればならないというのが常識であった。これは、必ずし
も理論的に明瞭な裏付けによるものではなく、むしろ現
実に、低純度アルミニウム地金を原料として得られるア
ルミニウム箔は、これを電解エッチングにより粗面化
（表面積の拡大化）を図り、コンデンサー箔として利用
せんとしても、この粗面化の際にアルミニウム中の不純
物が悪影響を及ぼし、表面積の拡大化が図れず、性能面
（静電容量面）で不充分なものしか得られないという理
由によるものである。このように不純物が悪影響を及ぼ
すのは、その後の研究により、不純物を構成元素とする
粗大な析出物がアルミニウム箔表面に存在し、電解エッ
チングの際に粗大孔を生じさせることにあるということ
がわかってきた。
用アルミニウム箔の製造に際し、出発原料のアルミニウ
ム地金としては 99.99％以上の純度のものを使用しなけ
ればならないというのが常識であった。これは、必ずし
も理論的に明瞭な裏付けによるものではなく、むしろ現
実に、低純度アルミニウム地金を原料として得られるア
ルミニウム箔は、これを電解エッチングにより粗面化
（表面積の拡大化）を図り、コンデンサー箔として利用
せんとしても、この粗面化の際にアルミニウム中の不純
物が悪影響を及ぼし、表面積の拡大化が図れず、性能面
（静電容量面）で不充分なものしか得られないという理
由によるものである。このように不純物が悪影響を及ぼ
すのは、その後の研究により、不純物を構成元素とする
粗大な析出物がアルミニウム箔表面に存在し、電解エッ
チングの際に粗大孔を生じさせることにあるということ
がわかってきた。
【０００４】このような事情により、性能面で安定した
コンデンサー箔を得るべく、主としてアルミニウム地金
の一層の高純度化や、アルミニウム箔に施す電解エッチ
ング処理技術の改良が従来より行われてきた。しかし、
アルミニウム地金の高純度化は、アルミニウム箔の高価
額化を招き、経済性の面から好ましくなく、従って、か
かる高純度のものではなく、ある程度不純物を含有する
アルミニウム地金を使用しても、アルミニウム箔の電解
エッチングの際に不都合なく充分に表面積の拡大化が図
れ、引いては静電容量の向上が図れる技術の開発が望ま
れる。
コンデンサー箔を得るべく、主としてアルミニウム地金
の一層の高純度化や、アルミニウム箔に施す電解エッチ
ング処理技術の改良が従来より行われてきた。しかし、
アルミニウム地金の高純度化は、アルミニウム箔の高価
額化を招き、経済性の面から好ましくなく、従って、か
かる高純度のものではなく、ある程度不純物を含有する
アルミニウム地金を使用しても、アルミニウム箔の電解
エッチングの際に不都合なく充分に表面積の拡大化が図
れ、引いては静電容量の向上が図れる技術の開発が望ま
れる。
【０００５】そこで、かかる技術を開発すべく種々の検
討がなされ、その結果、次のようなアルミニウム箔の製
造方法が開発され提案（記載）されている。
討がなされ、その結果、次のようなアルミニウム箔の製
造方法が開発され提案（記載）されている。
【０００６】即ち、特開平4-247855号公報には、Fe:0.0
3%以下，Si:0.03%以下，Cu:0.01%以下，Al:99.93〜99.9
8%を含有するアルミニウム鋳塊を、590 ℃以上で３時間
以上加熱して均質化処理した後、所定厚みまで熱間粗圧
延し、しかる後、１パスでの圧下率：40％以下、全パス
での総圧下率：85％以上、仕上げ圧延終了温度:250〜30
0 ℃になるようにして熱間仕上げ圧延し、アルミニウム
板を巻き上げ、その後、アルミニウム板を巻き戻しなが
ら冷間圧延をするアルミニウム箔の製造方法が記載され
ている。
3%以下，Si:0.03%以下，Cu:0.01%以下，Al:99.93〜99.9
8%を含有するアルミニウム鋳塊を、590 ℃以上で３時間
以上加熱して均質化処理した後、所定厚みまで熱間粗圧
延し、しかる後、１パスでの圧下率：40％以下、全パス
での総圧下率：85％以上、仕上げ圧延終了温度:250〜30
0 ℃になるようにして熱間仕上げ圧延し、アルミニウム
板を巻き上げ、その後、アルミニウム板を巻き戻しなが
ら冷間圧延をするアルミニウム箔の製造方法が記載され
ている。
【０００７】特開平1-38865 号公報には、純度99.94%以
上で、Fe:300ppm 以下，Si:300ppm以下，Cu:100ppm 以
下のアルミニウムDC鋳塊を用い、これを600 ℃以上で３
時間以上保持する均質化処理をした後、直ちにほぼ均質
化処理温度で熱間圧延を開始し、550 ℃から450 ℃に下
がる温度領域の通過を５分以内で終了させると共に熱間
圧延終了温度:310℃以下になるようにして熱間圧延し、
その後、冷間圧延及び箔圧延を行うアルミニウム箔の製
造方法が記載されている。
上で、Fe:300ppm 以下，Si:300ppm以下，Cu:100ppm 以
下のアルミニウムDC鋳塊を用い、これを600 ℃以上で３
時間以上保持する均質化処理をした後、直ちにほぼ均質
化処理温度で熱間圧延を開始し、550 ℃から450 ℃に下
がる温度領域の通過を５分以内で終了させると共に熱間
圧延終了温度:310℃以下になるようにして熱間圧延し、
その後、冷間圧延及び箔圧延を行うアルミニウム箔の製
造方法が記載されている。
【０００８】尚、電解コンデンサー電極用アルミニウム
箔としては、陽極用アルミニウム箔の他に、陰極用アル
ミニウム箔がある。この陰極用アルミニウム箔において
は、従来、電解エッチングの際に、概して溶解性が不均
一であり、過度に溶解して部分的な強度低下を生じた
り、その逆に溶解されにくい部分が存在して表面の充分
な拡大化が図れないという欠点があった。前記公報記載
の方法は、この欠点の解消も一部目的として含んでい
る。
箔としては、陽極用アルミニウム箔の他に、陰極用アル
ミニウム箔がある。この陰極用アルミニウム箔において
は、従来、電解エッチングの際に、概して溶解性が不均
一であり、過度に溶解して部分的な強度低下を生じた
り、その逆に溶解されにくい部分が存在して表面の充分
な拡大化が図れないという欠点があった。前記公報記載
の方法は、この欠点の解消も一部目的として含んでい
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前記特開平4-247855号
公報及び特開平1-38865 号公報に記載の方法（以降、従
来技術という）は、純度:99.99％以上の如き高純度のも
のではなく、ある程度不純物を含有するアルミニウム地
金（純度:99.93〜99.98%、純度:99.94% 以上）を使用す
ることを前提とするものであり、前記公報によれば、電
解エッチング性、陽極酸化性が向上する（これら特性に
優れたアルミニウム箔が得られる）と説明されている。
この電解エッチング性の向上は、アルミニウム地金（鋳
塊）の組成均質化処理条件等の製造条件を特定すること
により、電解エッチングの際に粗大孔をできるだけ生じ
難くしようとしたものである。
公報及び特開平1-38865 号公報に記載の方法（以降、従
来技術という）は、純度:99.99％以上の如き高純度のも
のではなく、ある程度不純物を含有するアルミニウム地
金（純度:99.93〜99.98%、純度:99.94% 以上）を使用す
ることを前提とするものであり、前記公報によれば、電
解エッチング性、陽極酸化性が向上する（これら特性に
優れたアルミニウム箔が得られる）と説明されている。
この電解エッチング性の向上は、アルミニウム地金（鋳
塊）の組成均質化処理条件等の製造条件を特定すること
により、電解エッチングの際に粗大孔をできるだけ生じ
難くしようとしたものである。
【００１０】ところが、この従来技術（前記公報に記載
の方法）においては、アルミニウム鋳塊の均質化処理を
590 ℃以上の温度で行うようにしているので、均質化処
理時に析出物の Al6Fe（電気化学的に安定）が Al3Fe
（電気化学的に不安定）に変化してしまい、それに起因
して、得られるアルミニウム箔は電解エッチング性が未
だ不充分であり、電解エッチングの際に粗大孔を生じる
可能性があり、そのため静電容量の向上が図り難く、静
電容量が充分ではないという問題点がある。
の方法）においては、アルミニウム鋳塊の均質化処理を
590 ℃以上の温度で行うようにしているので、均質化処
理時に析出物の Al6Fe（電気化学的に安定）が Al3Fe
（電気化学的に不安定）に変化してしまい、それに起因
して、得られるアルミニウム箔は電解エッチング性が未
だ不充分であり、電解エッチングの際に粗大孔を生じる
可能性があり、そのため静電容量の向上が図り難く、静
電容量が充分ではないという問題点がある。
【００１１】本発明はこの様な事情に着目してなされた
ものであって、その目的は、出発原料のアルミニウム地
金として、ある程度不純物を含有するアルミニウム地金
（純度:99.98% 以上）を使用することを前提とし、前記
従来技術（前記公報に記載の方法）に比し、電解エッチ
ングの際に粗大孔を生じ難く、電解エッチング性に優
れ、その結果静電容量の向上が図れる電解コンデンサー
中低圧陽極用アルミニウム箔を得ることができる電解コ
ンデンサー中低圧陽極用アルミニウム箔の製造方法を提
供しようとするものである。
ものであって、その目的は、出発原料のアルミニウム地
金として、ある程度不純物を含有するアルミニウム地金
（純度:99.98% 以上）を使用することを前提とし、前記
従来技術（前記公報に記載の方法）に比し、電解エッチ
ングの際に粗大孔を生じ難く、電解エッチング性に優
れ、その結果静電容量の向上が図れる電解コンデンサー
中低圧陽極用アルミニウム箔を得ることができる電解コ
ンデンサー中低圧陽極用アルミニウム箔の製造方法を提
供しようとするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明に係る電解コンデンサー中低圧陽極用アル
ミニウム箔の製造方法は次のような構成としている。即
ち、請求項１記載の製造方法は、アルミニウム純度が 9
9.98％以上であり、且つFe：0.001 〜0.005wt%，Si：0.
001 〜0.005wt%，Zn：0.0015wt% 以下，Cu：0.001 〜0.
005wt%を含有し、残部が不可避的不純物からなるアルミ
ニウムを、 550〜500 ℃で７〜15時間連続的に加熱して
均質化処理し、引き続き熱間粗圧延し、続いて仕上げ圧
延終了温度：200 〜300 ℃にして仕上げ圧延した後、箔
圧延することを特徴とする電解コンデンサー中低圧陽極
用アルミニウム箔の製造方法である。
めに、本発明に係る電解コンデンサー中低圧陽極用アル
ミニウム箔の製造方法は次のような構成としている。即
ち、請求項１記載の製造方法は、アルミニウム純度が 9
9.98％以上であり、且つFe：0.001 〜0.005wt%，Si：0.
001 〜0.005wt%，Zn：0.0015wt% 以下，Cu：0.001 〜0.
005wt%を含有し、残部が不可避的不純物からなるアルミ
ニウムを、 550〜500 ℃で７〜15時間連続的に加熱して
均質化処理し、引き続き熱間粗圧延し、続いて仕上げ圧
延終了温度：200 〜300 ℃にして仕上げ圧延した後、箔
圧延することを特徴とする電解コンデンサー中低圧陽極
用アルミニウム箔の製造方法である。
【００１３】請求項２記載の製造方法は、前記熱間粗圧
延の終了温度を 380〜450 ℃にすると共に、仕上げ圧延
の開始温度を 370〜310 ℃にする請求項１記載の電解コ
ンデンサー中低圧陽極用アルミニウム箔の製造方法であ
る。
延の終了温度を 380〜450 ℃にすると共に、仕上げ圧延
の開始温度を 370〜310 ℃にする請求項１記載の電解コ
ンデンサー中低圧陽極用アルミニウム箔の製造方法であ
る。
【００１４】
【作用】本発明に係る電解コンデンサー中低圧陽極用ア
ルミニウム箔の製造方法は、前記の如く、出発原料のア
ルミニウムの組成を特定すると共に、製造工程を特定す
ることにより、電解エッチング性に優れたアルミニウム
箔が得られるようにしたものである。特には、製造工程
の中の均質化処理を 550〜500 ℃で７〜15時間連続的に
加熱して行い、引き続き熱間粗圧延及び仕上げ圧延した
後、更に箔圧延することにより、得られるアルミニウム
箔の電解エッチング性を向上するようにしている。
ルミニウム箔の製造方法は、前記の如く、出発原料のア
ルミニウムの組成を特定すると共に、製造工程を特定す
ることにより、電解エッチング性に優れたアルミニウム
箔が得られるようにしたものである。特には、製造工程
の中の均質化処理を 550〜500 ℃で７〜15時間連続的に
加熱して行い、引き続き熱間粗圧延及び仕上げ圧延した
後、更に箔圧延することにより、得られるアルミニウム
箔の電解エッチング性を向上するようにしている。
【００１５】即ち、出発原料のアルミニウムは溶解鋳造
して作られるが、この鋳造の冷却過程で析出物として A
l6Fe及び Al3Feが混合析出する。これら Al6Fe及び Al3
Feが混合状態にあるときは、電解エッチング性に優れて
いるが、前記従来技術の如く均質化処理を590 ℃以上の
温度で行うと、電気化学的に安定な Al6Feの殆どが不安
定な Al3Feに変化し、電気化学的に不安定な Al3Fe量が
多くなり、得られるアルミニウム箔は電解エッチングの
際に粗大孔を生じる可能性が大きい。
して作られるが、この鋳造の冷却過程で析出物として A
l6Fe及び Al3Feが混合析出する。これら Al6Fe及び Al3
Feが混合状態にあるときは、電解エッチング性に優れて
いるが、前記従来技術の如く均質化処理を590 ℃以上の
温度で行うと、電気化学的に安定な Al6Feの殆どが不安
定な Al3Feに変化し、電気化学的に不安定な Al3Fe量が
多くなり、得られるアルミニウム箔は電解エッチングの
際に粗大孔を生じる可能性が大きい。
【００１６】本発明では均質化処理を 550〜500 ℃で７
〜15時間連続的に加熱して行うようにしており、この温
度では Al6Feの Al3Feへの変化は起こらず、 Al3Feは変
化しないので、均質化処理後も鋳造後の析出物（ Al6Fe
及び Al3Fe）混合状態が維持される。そして、この均質
化処理（加熱）に引き続き熱間粗圧延及び仕上げ圧延す
るようにしており、その結果、得られるアルミニウム箔
においても上記析出物（ Al6Fe及び Al3Fe）混合状態と
同様の状態にある。故に、本発明により得られるアルミ
ニウム箔は、析出物 Al6Fe及び Al3Feが混合状態にある
ことに起因して電解エッチング性に優れ、電解エッチン
グの際に粗大孔を生じない。
〜15時間連続的に加熱して行うようにしており、この温
度では Al6Feの Al3Feへの変化は起こらず、 Al3Feは変
化しないので、均質化処理後も鋳造後の析出物（ Al6Fe
及び Al3Fe）混合状態が維持される。そして、この均質
化処理（加熱）に引き続き熱間粗圧延及び仕上げ圧延す
るようにしており、その結果、得られるアルミニウム箔
においても上記析出物（ Al6Fe及び Al3Fe）混合状態と
同様の状態にある。故に、本発明により得られるアルミ
ニウム箔は、析出物 Al6Fe及び Al3Feが混合状態にある
ことに起因して電解エッチング性に優れ、電解エッチン
グの際に粗大孔を生じない。
【００１７】このとき、本発明において、出発原料のア
ルミニウム地金として前記の如き組成のものを使用して
おり、これはある程度不純物を含有するアルミニウム
（純度:99.98% 以上）である。従って、本発明に係る電
解コンデンサー中低圧陽極用アルミニウム箔の製造方法
によれば、ある程度不純物を含有するアルミニウム地金
（純度:99.98% 以上）を使用することを前提とし、前記
従来技術（前記公報に記載の方法）に比し、電解エッチ
ングの際に粗大孔を生じ難く、電解エッチング性に優
れ、その結果静電容量の向上が図れる電解コンデンサー
中低圧陽極用アルミニウム箔を得ることができる。
ルミニウム地金として前記の如き組成のものを使用して
おり、これはある程度不純物を含有するアルミニウム
（純度:99.98% 以上）である。従って、本発明に係る電
解コンデンサー中低圧陽極用アルミニウム箔の製造方法
によれば、ある程度不純物を含有するアルミニウム地金
（純度:99.98% 以上）を使用することを前提とし、前記
従来技術（前記公報に記載の方法）に比し、電解エッチ
ングの際に粗大孔を生じ難く、電解エッチング性に優
れ、その結果静電容量の向上が図れる電解コンデンサー
中低圧陽極用アルミニウム箔を得ることができる。
【００１８】ここで、本発明における数値限定理由を以
下説明する。アルミニウム箔の組成に関し、アルミニウ
ム純度を99.98wt%以上としているのは、99.98wt%未満に
すると不純物の量が多くなり、静電容量が低下して不充
分となるからである。
下説明する。アルミニウム箔の組成に関し、アルミニウ
ム純度を99.98wt%以上としているのは、99.98wt%未満に
すると不純物の量が多くなり、静電容量が低下して不充
分となるからである。
【００１９】Feは晶出物或いは析出物としての金属間化
合物（Al3Fe 、Al6Fe 等）を生成させ、電解エッチング
性向上のために不可欠な元素であり、適正な数及び大き
さの晶出物或いは析出物を生成させるためにFe：0.001
〜0.005wt%とする必要がある。0.001wt%未満では晶出物
或いは析出物の数が不足して均一な適性エッチング面が
得られず、静電容量が低下して不充分となり、0.005wt%
超では晶出物が大きくなり過ぎて粗大なエッチングピッ
トが発生し易くなり、静電容量が低下して不充分とな
る。
合物（Al3Fe 、Al6Fe 等）を生成させ、電解エッチング
性向上のために不可欠な元素であり、適正な数及び大き
さの晶出物或いは析出物を生成させるためにFe：0.001
〜0.005wt%とする必要がある。0.001wt%未満では晶出物
或いは析出物の数が不足して均一な適性エッチング面が
得られず、静電容量が低下して不充分となり、0.005wt%
超では晶出物が大きくなり過ぎて粗大なエッチングピッ
トが発生し易くなり、静電容量が低下して不充分とな
る。
【００２０】Siは上記Feと同様の理由により不可欠な元
素であり、Si：0.001 〜0.005wt%とする必要がある。
素であり、Si：0.001 〜0.005wt%とする必要がある。
【００２１】Znは電解エッチング性を向上させる効果が
あり、その添加量を0.0015wt% 以下としたのは、0.0015
wt% 超では適正なエッチング条件の設定が困難となり、
均一な適性エッチング面が得られず、静電容量が低下し
て不充分となるからである。
あり、その添加量を0.0015wt% 以下としたのは、0.0015
wt% 超では適正なエッチング条件の設定が困難となり、
均一な適性エッチング面が得られず、静電容量が低下し
て不充分となるからである。
【００２２】Cuは電解エッチング時の溶解性に寄与する
元素であるが、0.001wt%未満では電解エッチング性が不
充分となり、0.005wt%超では電解エッチング時にアルミ
ニウム箔表面にCuが析出し、その結果、静電容量が低下
して不充分となるので、Cu：0.001 〜0.005wt%とする。
元素であるが、0.001wt%未満では電解エッチング性が不
充分となり、0.005wt%超では電解エッチング時にアルミ
ニウム箔表面にCuが析出し、その結果、静電容量が低下
して不充分となるので、Cu：0.001 〜0.005wt%とする。
【００２３】尚、不可避的不純物としては、例えばMn、
Mg、Cr、Ti、Ni、Ｂ、Ｖ等があるが、Mn、Mg、Cr、Tiの
場合には0.001wt%程度までなら含有されてもよい。
Mg、Cr、Ti、Ni、Ｂ、Ｖ等があるが、Mn、Mg、Cr、Tiの
場合には0.001wt%程度までなら含有されてもよい。
【００２４】次に、均質化処理に際し、加熱温度を 550
〜500 ℃としているのは、 550℃超にすると均質化処理
時に Al6Fe（電気化学的に安定）が Al3Fe（電気化学的
に不安定）に変化してしまい、それに起因して、得られ
るアルミニウム箔は電解エッチング性が低下し、均一な
適度のエッチング面が得られなくなり、静電容量が低下
して不充分となり、一方500 ℃未満では析出物の量が増
大し、均一な適度のエッチング面が得られなくなり、静
電容量が低下して不充分となるからである。
〜500 ℃としているのは、 550℃超にすると均質化処理
時に Al6Fe（電気化学的に安定）が Al3Fe（電気化学的
に不安定）に変化してしまい、それに起因して、得られ
るアルミニウム箔は電解エッチング性が低下し、均一な
適度のエッチング面が得られなくなり、静電容量が低下
して不充分となり、一方500 ℃未満では析出物の量が増
大し、均一な適度のエッチング面が得られなくなり、静
電容量が低下して不充分となるからである。
【００２５】加熱時間を７〜15時間としているのは、７
時間未満では均質化処理の効果が充分でなく、均一な適
度のエッチング面が得られなくなり、静電容量が低下し
て不充分となり、15時間超では粗大な析出物が生じるた
め、均一な適度のエッチング面が得られなくなり、静電
容量が低下して不充分となるからである。
時間未満では均質化処理の効果が充分でなく、均一な適
度のエッチング面が得られなくなり、静電容量が低下し
て不充分となり、15時間超では粗大な析出物が生じるた
め、均一な適度のエッチング面が得られなくなり、静電
容量が低下して不充分となるからである。
【００２６】上記加熱を連続的に行うようにしているの
は、途中で冷却して再加熱するようにすると、又、加熱
を２回以上に分けて行うと、冷却過程で電解エッチング
性を低下させる析出物が析出し、均一な適度のエッチン
グ面が得られなくなり、静電容量が低下して不充分とな
るからである。
は、途中で冷却して再加熱するようにすると、又、加熱
を２回以上に分けて行うと、冷却過程で電解エッチング
性を低下させる析出物が析出し、均一な適度のエッチン
グ面が得られなくなり、静電容量が低下して不充分とな
るからである。
【００２７】仕上げ圧延の際の仕上げ圧延終了温度を20
0 〜300 ℃にしているのは、300 ℃超にすると粗大な析
出物の量が増大するため、均一な適度のエッチング面が
得られなくなり、静電容量が低下して不充分となり、20
0 ℃未満にするとAl6Fe の析出が不充分となり、均一な
適度のエッチング面が得られなくなり、静電容量が低下
して不充分となるからである。
0 〜300 ℃にしているのは、300 ℃超にすると粗大な析
出物の量が増大するため、均一な適度のエッチング面が
得られなくなり、静電容量が低下して不充分となり、20
0 ℃未満にするとAl6Fe の析出が不充分となり、均一な
適度のエッチング面が得られなくなり、静電容量が低下
して不充分となるからである。
【００２８】尚、均質化処理し、引き続き熱間粗圧延
し、続いて仕上げ圧延するようにしているが、これは均
質化処理、熱間粗圧延、仕上げ圧延を連続的に行うこと
を意味するものであり、換言すれば、均質化処理後に一
旦室温まで冷却してから熱間粗圧延を行ったり、熱間粗
圧延後に一旦室温まで冷却してから仕上げ圧延を行った
りしないことを意味するものである。このようにする理
由は、一旦室温まで冷却したりすると、その冷却時にAl
3Fe 等の析出物が析出し、それら析出物が以降の工程で
消失することなく残留し、均一な適度のエッチング面が
得られなくなり、静電容量が低下して不充分となるから
である。かかる均質化処理、熱間粗圧延、仕上げ圧延を
連続的に行うには、均質化処理（加熱）後、直ちに或い
は比較的速やかに熱間粗圧延を開始し、熱間粗圧延後、
直ちに或いは比較的速やかに仕上げ圧延を行うようにす
ればよい。
し、続いて仕上げ圧延するようにしているが、これは均
質化処理、熱間粗圧延、仕上げ圧延を連続的に行うこと
を意味するものであり、換言すれば、均質化処理後に一
旦室温まで冷却してから熱間粗圧延を行ったり、熱間粗
圧延後に一旦室温まで冷却してから仕上げ圧延を行った
りしないことを意味するものである。このようにする理
由は、一旦室温まで冷却したりすると、その冷却時にAl
3Fe 等の析出物が析出し、それら析出物が以降の工程で
消失することなく残留し、均一な適度のエッチング面が
得られなくなり、静電容量が低下して不充分となるから
である。かかる均質化処理、熱間粗圧延、仕上げ圧延を
連続的に行うには、均質化処理（加熱）後、直ちに或い
は比較的速やかに熱間粗圧延を開始し、熱間粗圧延後、
直ちに或いは比較的速やかに仕上げ圧延を行うようにす
ればよい。
【００２９】前記熱間粗圧延の終了温度を 380〜450 ℃
にすると共に、仕上げ圧延の開始温度を 370〜310 ℃に
することが望ましい。熱間粗圧延の終了温度を450 ℃超
にすると析出物の量が増大するため、均一な適度のエッ
チング面が得られ難くなり、静電容量が低下する傾向に
あり、 380℃未満にすると、 Al6Feの析出が不充分とな
り、均一な適度のエッチング面が得られなくなり、静電
容量が低下する傾向にありる。一方、仕上げ圧延の開始
温度を 370℃超にすると析出物の量が増大するため、均
一な適度のエッチング面が得られ難くなり、静電容量が
低下する傾向にあり、310 ℃未満にすると、 Al6Feの析
出が不充分となり、均一な適度のエッチング面が得られ
なくなり、静電容量が低下する傾向にあるからである。
にすると共に、仕上げ圧延の開始温度を 370〜310 ℃に
することが望ましい。熱間粗圧延の終了温度を450 ℃超
にすると析出物の量が増大するため、均一な適度のエッ
チング面が得られ難くなり、静電容量が低下する傾向に
あり、 380℃未満にすると、 Al6Feの析出が不充分とな
り、均一な適度のエッチング面が得られなくなり、静電
容量が低下する傾向にありる。一方、仕上げ圧延の開始
温度を 370℃超にすると析出物の量が増大するため、均
一な適度のエッチング面が得られ難くなり、静電容量が
低下する傾向にあり、310 ℃未満にすると、 Al6Feの析
出が不充分となり、均一な適度のエッチング面が得られ
なくなり、静電容量が低下する傾向にあるからである。
【００３０】
（実施例１）表１に示す化学成分（組成）を有するアル
ミニウム地金について、表２に示す製造条件により均質
化処理し、引き続き熱間圧延、冷間圧延を行い90μm の
アルミニウム箔とした。調質はＨ19である。ここで、製
造条件は全て本発明に係る製造条件の範囲内にあり、化
学成分については本発明に係る化学成分範囲内（No.1〜
4)のものと、範囲外（No.5〜12) のものとがある。
ミニウム地金について、表２に示す製造条件により均質
化処理し、引き続き熱間圧延、冷間圧延を行い90μm の
アルミニウム箔とした。調質はＨ19である。ここで、製
造条件は全て本発明に係る製造条件の範囲内にあり、化
学成分については本発明に係る化学成分範囲内（No.1〜
4)のものと、範囲外（No.5〜12) のものとがある。
【００３１】このようにして得られたアルミニウム箔を
電解エッチングし、次いで化成処理した後、静電容量の
測定を行った。ここで、電解エッチングは、純水１リッ
トル中10％塩酸＋0.1 ％硫酸＋2.2 ％塩化アルミを含む
電解液（40±１℃）を用い、電流密度：0.45A/dm2 、交
流：50Hz、１分間エッチングという電解エッチング条件
で行った。化成処理は、純水１リットル中リン酸：0.25
ml、リン酸アンモニウム：1.4gを含む化成処理液（70±
2.5 ℃）を用い、化成時間：８分、化成電圧：20Ｖとい
う化成処理条件で行った。静電容量の測定は、純水１リ
ットル中ホウ酸：50g 、クエン酸ア：50g 、アンモニ
ア：50mlを含む電解液（30±５℃）を用い、周波数：12
0Hz という条件で万能ブリッジによる方法により行っ
た。
電解エッチングし、次いで化成処理した後、静電容量の
測定を行った。ここで、電解エッチングは、純水１リッ
トル中10％塩酸＋0.1 ％硫酸＋2.2 ％塩化アルミを含む
電解液（40±１℃）を用い、電流密度：0.45A/dm2 、交
流：50Hz、１分間エッチングという電解エッチング条件
で行った。化成処理は、純水１リットル中リン酸：0.25
ml、リン酸アンモニウム：1.4gを含む化成処理液（70±
2.5 ℃）を用い、化成時間：８分、化成電圧：20Ｖとい
う化成処理条件で行った。静電容量の測定は、純水１リ
ットル中ホウ酸：50g 、クエン酸ア：50g 、アンモニ
ア：50mlを含む電解液（30±５℃）を用い、周波数：12
0Hz という条件で万能ブリッジによる方法により行っ
た。
【００３２】上記静電容量の測定結果を表２に示す。本
発明に係る化学成分範囲外（No.5〜12）のものより得ら
れたアルミニウム箔（比較例）については静電容量が低
い。これに対し、本発明に係る化学成分範囲内（No.1〜
4)のものより、本発明に係る方法により得られたアルミ
ニウム箔については静電容量が高く、優れている。
発明に係る化学成分範囲外（No.5〜12）のものより得ら
れたアルミニウム箔（比較例）については静電容量が低
い。これに対し、本発明に係る化学成分範囲内（No.1〜
4)のものより、本発明に係る方法により得られたアルミ
ニウム箔については静電容量が高く、優れている。
【００３３】（実施例２）表３に示す化学成分（組成）
を有するアルミニウム地金について、表４に示す製造条
件により均質化処理し、引き続き熱間圧延、冷間圧延を
行い90μm のアルミニウム箔とした。調質はＨ19であ
る。ここで、化学成分については全て本発明に係る化学
成分範囲内にあり、製造条件については本発明に係る製
造条件内(No.13〜16）のものと、範囲外(No.17〜27）の
ものとがある。
を有するアルミニウム地金について、表４に示す製造条
件により均質化処理し、引き続き熱間圧延、冷間圧延を
行い90μm のアルミニウム箔とした。調質はＨ19であ
る。ここで、化学成分については全て本発明に係る化学
成分範囲内にあり、製造条件については本発明に係る製
造条件内(No.13〜16）のものと、範囲外(No.17〜27）の
ものとがある。
【００３４】このようにして得られたアルミニウム箔を
電解エッチングし、次いで化成処理した後、静電容量の
測定を行った。ここで、電解エッチング、化成処理、静
電容量の測定は、前記実施例１の場合と同様の方法によ
り行った。
電解エッチングし、次いで化成処理した後、静電容量の
測定を行った。ここで、電解エッチング、化成処理、静
電容量の測定は、前記実施例１の場合と同様の方法によ
り行った。
【００３５】上記静電容量の測定結果を表４に示す。本
発明に係る製造条件範囲外(No.17〜27）の方法により得
られたアルミニウム箔（比較例）については、静電容量
が低い。これに対し、本発明に係る製造条件範囲内(No.
13〜16）の方法により得られたアルミニウム箔について
は静電容量が高く、優れている。
発明に係る製造条件範囲外(No.17〜27）の方法により得
られたアルミニウム箔（比較例）については、静電容量
が低い。これに対し、本発明に係る製造条件範囲内(No.
13〜16）の方法により得られたアルミニウム箔について
は静電容量が高く、優れている。
【００３６】
【表１】
【００３７】
【表２】
【００３８】
【表３】
【００３９】
【表４】
【００４０】
【発明の効果】本発明に係る電解コンデンサー中低圧陽
極用アルミニウム箔の製造方法は、出発原料のアルミニ
ウム地金として、ある程度不純物を含有するアルミニウ
ム地金（純度:99.98% 以上）を使用することを前提とし
た上で、従来技術に比し、電解エッチングの際に粗大孔
を生じ難く、電解エッチング性に優れ、その結果静電容
量の向上が図れる電解コンデンサー中低圧陽極用アルミ
ニウム箔を得ることができるようになるという効果を奏
する。
極用アルミニウム箔の製造方法は、出発原料のアルミニ
ウム地金として、ある程度不純物を含有するアルミニウ
ム地金（純度:99.98% 以上）を使用することを前提とし
た上で、従来技術に比し、電解エッチングの際に粗大孔
を生じ難く、電解エッチング性に優れ、その結果静電容
量の向上が図れる電解コンデンサー中低圧陽極用アルミ
ニウム箔を得ることができるようになるという効果を奏
する。
Claims (2)
- 【請求項１】 アルミニウム純度が 99.98％以上であ
り、且つFe：0.001 〜0.005wt%，Si：0.001 〜0.005wt
%，Zn：0.0015wt% 以下，Cu：0.001 〜0.005wt%を含有
し、残部が不可避的不純物からなるアルミニウムを、 5
50〜500 ℃で７〜15時間連続的に加熱して均質化処理
し、引き続き熱間粗圧延し、続いて仕上げ圧延終了温
度：200 〜300 ℃にして仕上げ圧延した後、箔圧延する
ことを特徴とする電解コンデンサー中低圧陽極用アルミ
ニウム箔の製造方法。 - 【請求項２】 前記熱間粗圧延の終了温度を 380〜450
℃にすると共に、仕上げ圧延の開始温度を 370〜310 ℃
にする請求項１記載の電解コンデンサー中低圧陽極用ア
ルミニウム箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32799493A JPH07180007A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 電解コンデンサー中低圧陽極用アルミニウム箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32799493A JPH07180007A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 電解コンデンサー中低圧陽極用アルミニウム箔の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07180007A true JPH07180007A (ja) | 1995-07-18 |
Family
ID=18205322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32799493A Pending JPH07180007A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 電解コンデンサー中低圧陽極用アルミニウム箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07180007A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001073054A (ja) * | 1999-09-06 | 2001-03-21 | Nippon Foil Mfg Co Ltd | 電解コンデンサ陽極低圧用アルミニウム圧延箔及びその製造方法 |
| JP2004250775A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-09-09 | Showa Denko Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材およびその製造方法並びに電解コンデンサ |
| CN119972798A (zh) * | 2025-02-13 | 2025-05-13 | 江苏和煊电子科技有限公司 | 一种铝电解电容器低压阳极箔热轧制备工艺 |
-
1993
- 1993-12-24 JP JP32799493A patent/JPH07180007A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001073054A (ja) * | 1999-09-06 | 2001-03-21 | Nippon Foil Mfg Co Ltd | 電解コンデンサ陽極低圧用アルミニウム圧延箔及びその製造方法 |
| JP2004250775A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-09-09 | Showa Denko Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材およびその製造方法並びに電解コンデンサ |
| CN119972798A (zh) * | 2025-02-13 | 2025-05-13 | 江苏和煊电子科技有限公司 | 一种铝电解电容器低压阳极箔热轧制备工艺 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2004250772A (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材及びその製造方法、ならびに電解コンデンサ | |
| JP2945298B2 (ja) | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔地の製造方法 | |
| JPH07180007A (ja) | 電解コンデンサー中低圧陽極用アルミニウム箔の製造方法 | |
| JP2803762B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法 | |
| JPH1136054A (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法 | |
| JP2602357B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔 | |
| JP3203665B2 (ja) | 電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔の製造方法 | |
| JP2826590B2 (ja) | 電解コンデンサ陽極用アルミニウム合金箔の製造方法 | |
| JPH11199992A (ja) | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム軟質箔の製造方法 | |
| JP4753327B2 (ja) | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金硬質箔 | |
| JP3203666B2 (ja) | 電解コンデンサ陽極用アルミニウム合金箔の製造方法 | |
| JP2774078B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム合金箔地の製造方法 | |
| JP2001172754A (ja) | 電解コンデンサ用高純度アルミニウム箔の製造方法 | |
| JPH07180008A (ja) | 電解コンデンサー陰極用アルミニウム軟質箔の製造方法 | |
| JPH0790519A (ja) | 電解コンデンサー陰極用アルミニウム箔の製造方法 | |
| JP3244131B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔及びその製造方法 | |
| JP2000199026A (ja) | 電解コンデンサ電極用硬質アルミニウム箔及びその製造方法 | |
| JPH0489118A (ja) | 電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔の製造方法 | |
| JP3370244B2 (ja) | 機械的強度の高い電解コンデンサ用アルミニウム合金箔 | |
| JPH08100233A (ja) | 電解コンデンサ中低圧陽極用アルミニウム軟質箔及びその製造方法 | |
| JPH05311360A (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔の製造方法 | |
| JP3203678B2 (ja) | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔の製造方法 | |
| JP2009120963A (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法 | |
| JP2000226627A (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔及びその製造方法 | |
| JP3355529B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム合金箔の製造方法 |