JPH079065B2 - 硫化亜鉛薄膜の形成方法 - Google Patents
硫化亜鉛薄膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH079065B2 JPH079065B2 JP60286072A JP28607285A JPH079065B2 JP H079065 B2 JPH079065 B2 JP H079065B2 JP 60286072 A JP60286072 A JP 60286072A JP 28607285 A JP28607285 A JP 28607285A JP H079065 B2 JPH079065 B2 JP H079065B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- zinc sulfide
- zinc
- forming
- sulfide thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1229—Composition of the substrate
- C23C18/1245—Inorganic substrates other than metallic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
- C23C18/1279—Process of deposition of the inorganic material performed under reactive atmosphere, e.g. oxidising or reducing atmospheres
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はエレクトロニクスデバイスに使用される硫化亜
鉛薄膜及びその形成方法に関するものである。
鉛薄膜及びその形成方法に関するものである。
従来の技術 従来より硫化亜鉛薄膜はエレクトロニクス分野、特にマ
ンガンをドープすることにより、エレクトロルミネッセ
ンスパネル等に広く使用されている。
ンガンをドープすることにより、エレクトロルミネッセ
ンスパネル等に広く使用されている。
これらの硫化亜鉛薄膜の形成方法としてはスパッタリン
グ法、蒸着法等によって基板上に形成されていた。
グ法、蒸着法等によって基板上に形成されていた。
発明が解決しようとする問題点 上記、硫化亜鉛薄膜の形成方法は真空容器中で行われる
ために生産性が悪く、連続操業が困難であるか、あるい
は非常に高額の生産設備を必要とする。また、真空容器
の大きさで製品の大きさを規定され、大面積の製造が困
難である等の問題点を有している。
ために生産性が悪く、連続操業が困難であるか、あるい
は非常に高額の生産設備を必要とする。また、真空容器
の大きさで製品の大きさを規定され、大面積の製造が困
難である等の問題点を有している。
本発明は真空容器を使用せずに、硫化亜鉛薄膜を形成す
ることを目的とするものである。
ることを目的とするものである。
問題点を解決するための手段 本発明が上記問題点を解決するための手段は、亜鉛−硫
黄結合を少なくとも一つ内部に有する有機亜鉛化合物に
ドープ剤としてマンガン−硫黄との結合を少なくとも一
つ内部に有する有機マンガン化合物と混合したものを基
板上に形成し、酸化雰囲気中で熱分解により形成するこ
とと、或いは、熱分解後不活性雰囲気中で焼成により形
成することである。
黄結合を少なくとも一つ内部に有する有機亜鉛化合物に
ドープ剤としてマンガン−硫黄との結合を少なくとも一
つ内部に有する有機マンガン化合物と混合したものを基
板上に形成し、酸化雰囲気中で熱分解により形成するこ
とと、或いは、熱分解後不活性雰囲気中で焼成により形
成することである。
本発明に使用できる亜鉛−硫黄結合を少なくとも一つ内
部に有する有機亜鉛化合物としては、各種亜鉛メルカプ
チド、各種チオカルボン酸、またはジチオカルボン酸の
亜鉛塩等を挙げることができる。
部に有する有機亜鉛化合物としては、各種亜鉛メルカプ
チド、各種チオカルボン酸、またはジチオカルボン酸の
亜鉛塩等を挙げることができる。
ドープ剤としてマンガン−硫黄との結合を少なくとも一
つ内部に有する有機マンガン化合物としてはマンガンの
メルカプチド、チオカルボン酸塩、ジチオカルボン酸塩
等を挙げることができる。
つ内部に有する有機マンガン化合物としてはマンガンの
メルカプチド、チオカルボン酸塩、ジチオカルボン酸塩
等を挙げることができる。
基板としては、熱分解温度に耐えるものであれば、任意
に選ぶことができる。通常熱分解温度は320〜450℃程度
であるため、安価なソーダ石灰ガラス等を十分使用でき
る。
に選ぶことができる。通常熱分解温度は320〜450℃程度
であるため、安価なソーダ石灰ガラス等を十分使用でき
る。
熱分解は大気中や、酸素雰囲気中等の酸化雰囲気中で行
うことにより、有機分である炭素や水素を完全に分解す
ることができる。また、より焼結度を増すためには、高
温に上げる場合は酸化雰囲気中では硫化亜鉛薄膜が酸化
され、酸化物が含まれた薄膜になるため、熱分解後不活
性雰囲気中で焼成することが有効である。
うことにより、有機分である炭素や水素を完全に分解す
ることができる。また、より焼結度を増すためには、高
温に上げる場合は酸化雰囲気中では硫化亜鉛薄膜が酸化
され、酸化物が含まれた薄膜になるため、熱分解後不活
性雰囲気中で焼成することが有効である。
作用 上記本発明の手段を用いることにより、従来の方法の問
題となっている真空容器を使用せずに、亜鉛薄膜を形成
できるため、薄膜の製造に関して、生産性の向上が計ら
れ、かつ大面積の製造を容易に行うことができる等の作
用がある。
題となっている真空容器を使用せずに、亜鉛薄膜を形成
できるため、薄膜の製造に関して、生産性の向上が計ら
れ、かつ大面積の製造を容易に行うことができる等の作
用がある。
実 施 例 以下実施例により説明する。
（実施例１） 亜鉛ラウリルメルカプチド、マンガンオクチルメルカプ
チドをテトラリンに混合、溶解し、アルミナ基板上にス
ピナーにて塗布し、150℃で乾燥し溶媒を揮散させた
後、大気中で450℃、１時間熱分解する。この結果、膜
厚500〜5000Åのほぼ無色の亀裂のない均一な硬化亜鉛
の薄膜が得られた。この薄膜を原子分析にかけた結果、
硫化亜鉛が生成していることが確認された。また、膜内
に炭素、水素の残留は認められなかった。
チドをテトラリンに混合、溶解し、アルミナ基板上にス
ピナーにて塗布し、150℃で乾燥し溶媒を揮散させた
後、大気中で450℃、１時間熱分解する。この結果、膜
厚500〜5000Åのほぼ無色の亀裂のない均一な硬化亜鉛
の薄膜が得られた。この薄膜を原子分析にかけた結果、
硫化亜鉛が生成していることが確認された。また、膜内
に炭素、水素の残留は認められなかった。
（実施例２） 亜鉛ラウリルメルカプチド、マンガンオクチルメルカプ
チドをテトラリンに混合、溶解し、アルミナ基板上にス
ピナーにて塗布し、150℃で乾燥し溶媒を揮散させた
後、大気中で450℃、30分熱分解する。その後窒素気流
中で700℃１時間焼成する。この結果、膜厚500〜5000Å
のほぼ無色の亀裂のない均一な硫化亜鉛の薄膜が得られ
た。この薄膜を元素分析にかけた結果、硫化亜鉛が生成
していることが確認された。また、膜内に炭素、水素の
残留は認められなかった。また、走査型電子顕微鏡で観
察した結果、酸化雰囲気中で熱分解しただけの膜に比べ
結晶の成長が顕著であった。
チドをテトラリンに混合、溶解し、アルミナ基板上にス
ピナーにて塗布し、150℃で乾燥し溶媒を揮散させた
後、大気中で450℃、30分熱分解する。その後窒素気流
中で700℃１時間焼成する。この結果、膜厚500〜5000Å
のほぼ無色の亀裂のない均一な硫化亜鉛の薄膜が得られ
た。この薄膜を元素分析にかけた結果、硫化亜鉛が生成
していることが確認された。また、膜内に炭素、水素の
残留は認められなかった。また、走査型電子顕微鏡で観
察した結果、酸化雰囲気中で熱分解しただけの膜に比べ
結晶の成長が顕著であった。
（実施例３） チオ安息香酸亜鉛、チオ安息香酸マンガンをテトラリン
に混合、溶解し、アルミナ基板上にスピナーにて塗布
し、150℃で乾燥し溶媒を揮散させた後、大気中で450
℃、１時間熱分解する。この結果、膜厚500〜5000Åの
ほぼ無色の亀裂のない均一な硫化亜鉛の薄膜が得られ
た。この薄膜を元素分析にかけた結果、硫化亜鉛が生成
していることが確認された。また、膜内に炭素、水素の
残留は認められなかった。
に混合、溶解し、アルミナ基板上にスピナーにて塗布
し、150℃で乾燥し溶媒を揮散させた後、大気中で450
℃、１時間熱分解する。この結果、膜厚500〜5000Åの
ほぼ無色の亀裂のない均一な硫化亜鉛の薄膜が得られ
た。この薄膜を元素分析にかけた結果、硫化亜鉛が生成
していることが確認された。また、膜内に炭素、水素の
残留は認められなかった。
（実施例４） チオ安息香酸亜鉛、チオ安息香酸マンガンをテトラリン
に混合、溶解し、アルミナ基板上にスピナーにて塗布
し、150℃で乾燥し溶媒を揮散させた後、大気中で450
℃、30分熱分解する。その後窒素気流中で700℃１時間
焼成する。この結果、膜厚500〜5000Åのほぼ無色の亀
裂のない均一な硫化亜鉛の薄膜が得られた。この薄膜を
元素分析にかけた結果、硫化亜鉛が生成していることが
確認された。また、膜内に炭素、水素の残留は認められ
なかった。また、走査型電子顕微鏡で観察した結果、酸
化雰囲気中で熱分解しただけの膜に比べ結晶の成長が顕
著であった。
に混合、溶解し、アルミナ基板上にスピナーにて塗布
し、150℃で乾燥し溶媒を揮散させた後、大気中で450
℃、30分熱分解する。その後窒素気流中で700℃１時間
焼成する。この結果、膜厚500〜5000Åのほぼ無色の亀
裂のない均一な硫化亜鉛の薄膜が得られた。この薄膜を
元素分析にかけた結果、硫化亜鉛が生成していることが
確認された。また、膜内に炭素、水素の残留は認められ
なかった。また、走査型電子顕微鏡で観察した結果、酸
化雰囲気中で熱分解しただけの膜に比べ結晶の成長が顕
著であった。
発明の効果 以上のように本発明の硫化亜鉛薄膜及びその形成方法
は、亜鉛−硫黄結合を少なくとも一つ内部に有する有機
亜鉛化合物にドープ剤として硫黄との結合を少なくとも
一つ内部に有する有機金属化合物と混合したものを用
い、その混合物を基板上に形成し、酸化雰囲気中で熱分
解により形成することと、熱分解後不活性雰囲気中で焼
成により形成することにより、スパッタリング法、蒸着
法に比較して、生産性の向上が計られ、非常に高額の設
備を必要とせず、大面積の製造を容易に行うことがで
き、その実用的効果は大なるものがある。
は、亜鉛−硫黄結合を少なくとも一つ内部に有する有機
亜鉛化合物にドープ剤として硫黄との結合を少なくとも
一つ内部に有する有機金属化合物と混合したものを用
い、その混合物を基板上に形成し、酸化雰囲気中で熱分
解により形成することと、熱分解後不活性雰囲気中で焼
成により形成することにより、スパッタリング法、蒸着
法に比較して、生産性の向上が計られ、非常に高額の設
備を必要とせず、大面積の製造を容易に行うことがで
き、その実用的効果は大なるものがある。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭55−140705（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−116378（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−243280（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−146276（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】亜鉛−硫黄結合を少なくとも一つ内部に有
する有機亜鉛化合物にドープ剤としてマンガン−硫黄と
の結合を少なくとも一つ内部に有する有機マンガン化合
物と混合したものを基板上に形成し、酸化雰囲気中で熱
分解により形成することを特徴とする硫化亜鉛薄膜の形
成方法。 - 【請求項２】亜鉛−硫黄結合を少なくとも一つ内部に有
する有機亜鉛化合物にドープ剤としてマンガン−硫黄と
の結合を少なくとも一つ内部に有する有機マンガン化合
物と混合したものを基板上に形成し、酸化雰囲気中で熱
分解した後、不活性雰囲気中での焼成により形成するこ
とを特徴とする硫化亜鉛薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60286072A JPH079065B2 (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 硫化亜鉛薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60286072A JPH079065B2 (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 硫化亜鉛薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62146275A JPS62146275A (ja) | 1987-06-30 |
| JPH079065B2 true JPH079065B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=17699586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60286072A Expired - Fee Related JPH079065B2 (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 硫化亜鉛薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079065B2 (ja) |
-
1985
- 1985-12-19 JP JP60286072A patent/JPH079065B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62146275A (ja) | 1987-06-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9309595B2 (en) | Method for the production of metal oxide-containing layers | |
| US8546594B2 (en) | Indium oxoalkoxides for producing coatings containing indium oxide | |
| US9650396B2 (en) | Indium oxoalkoxides for producing coatings containing indium oxide | |
| KR20130126613A (ko) | 인듐 산화물-함유 층의 제조 방법 | |
| US9293326B2 (en) | Method for producing indium oxide-containing layers | |
| US20060057766A1 (en) | Method for preparation of semiconductive films | |
| US5271956A (en) | Method of forming ternary metal fluoride films by the decomposition of metallo-organic compounds in the presence of a fluorinating agent | |
| JPH079065B2 (ja) | 硫化亜鉛薄膜の形成方法 | |
| JPH0699809B2 (ja) | 硫化物薄膜の形成方法 | |
| Donahue et al. | Sol-gel preparation of zinc sulfide using organic dithiols | |
| US4885188A (en) | Process for forming thin film of metal sulfides | |
| JPS62146274A (ja) | 硫化カルシウム薄膜及びその形成方法 | |
| JPS62146272A (ja) | 硫化ストロンチウム薄膜及びその形成方法 | |
| JPS62146273A (ja) | セレン化亜鉛薄膜及びその形成方法 | |
| JPS62146271A (ja) | 硫化カドミウム薄膜の形成方法 | |
| GB2428689A (en) | Process for preparing transparent conducting metal oxides | |
| JPH0632303B2 (ja) | エレクトロルミネッセンスパネルの形成方法 | |
| DE69812012T2 (de) | Eine ein zweiwertiges Metall und ein Metall der Gruppe 13 enthaltende flüchtige Organometallverbindung, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung zur Herstellung einer Heterometalloxidschicht | |
| US4812333A (en) | Sulfide thin film formed from stabilized metallo-organic solution | |
| JPS61166978A (ja) | 金属硫化物薄膜の形成方法 | |
| JPS62243285A (ja) | エレクトロルミネツセンスパネル及びその形成方法 | |
| JPS5930723A (ja) | 透明錫酸化膜の製造法 | |
| EP0574807A1 (en) | Chemical vapor deposition of metal oxide films | |
| JPS62243286A (ja) | エレクトロルミネツセンスパネル及びその形成方法 | |
| JPS61166983A (ja) | 硫化物薄膜の形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |