JPH07183287A - エッチャント - Google Patents
エッチャントInfo
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- JPH07183287A JPH07183287A JP34729693A JP34729693A JPH07183287A JP H07183287 A JPH07183287 A JP H07183287A JP 34729693 A JP34729693 A JP 34729693A JP 34729693 A JP34729693 A JP 34729693A JP H07183287 A JPH07183287 A JP H07183287A
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- etching
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ａｌ混晶比率ｘに影響されることなくＧａ
1 −X ＡｌX ＡｓのウエーハまたはＧａＡｓのウエーハ
の結晶欠陥の有無を評価することができるエッチャント
を供給する。 【構成】 Ｇａ1 −X ＡｌX ＡｓまたはＧａＡｓのウエ
ーハをエッチングするためのエッチャントであって、過
酸化水素酸、硫酸、弗化水素、硝酸および純水の混合液
であることを特徴とする。例えば、過酸化水素酸、硫
酸、弗化水素および硝酸の各々の濃度が略３０％、略９
６％、略４９％および略９９％であり、過酸化水素酸、
硫酸、弗化水素、硝酸および純水の容積比が略４：略
１：略２：略８：略４である。
1 −X ＡｌX ＡｓのウエーハまたはＧａＡｓのウエーハ
の結晶欠陥の有無を評価することができるエッチャント
を供給する。 【構成】 Ｇａ1 −X ＡｌX ＡｓまたはＧａＡｓのウエ
ーハをエッチングするためのエッチャントであって、過
酸化水素酸、硫酸、弗化水素、硝酸および純水の混合液
であることを特徴とする。例えば、過酸化水素酸、硫
酸、弗化水素および硝酸の各々の濃度が略３０％、略９
６％、略４９％および略９９％であり、過酸化水素酸、
硫酸、弗化水素、硝酸および純水の容積比が略４：略
１：略２：略８：略４である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体のウエー
ハをエッチングするためのエッチャントに係り、特にＧ
ａ1 −X ＡｌX ＡｓまたはＧａＡｓのウエーハをエッチ
ングするためのエッチャントに関する。
ハをエッチングするためのエッチャントに係り、特にＧ
ａ1 −X ＡｌX ＡｓまたはＧａＡｓのウエーハをエッチ
ングするためのエッチャントに関する。
【０００２】
【従来の技術】化合物半導体であるＧａ1 −X ＡｌX Ａ
ｓのウエーハは、半導体レーザ、ＬＥＤ、高速ＦＥＴ
（ＨＥＭＴ）や太陽電池等のデバイスに用いられてい
る。ウエーハ中の結晶欠陥の存在はデバイスの動作を阻
害するので、抑制する必要がある。
ｓのウエーハは、半導体レーザ、ＬＥＤ、高速ＦＥＴ
（ＨＥＭＴ）や太陽電池等のデバイスに用いられてい
る。ウエーハ中の結晶欠陥の存在はデバイスの動作を阻
害するので、抑制する必要がある。
【０００３】ウエーハ中の結晶欠陥の有無を簡便に評価
する場合、エッチャントを用いてエッチングすることが
行われている。
する場合、エッチャントを用いてエッチングすることが
行われている。
【０００４】従来、ＧａＡｓの（１００）ウエーハに対
しては、３６０ー４００℃の溶融ＫＯＨがエッチャント
として用いられている。
しては、３６０ー４００℃の溶融ＫＯＨがエッチャント
として用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＧａＡｓウエーハの
（１００）面と交錯する転移等の格子欠陥の評価には３
６０ー４００℃の溶融したＫＯＨがエッチャントとして
用いることができるが、３６０ー４００℃の溶融したＫ
ＯＨは、薄膜の（１００）面、（５１１）面、（１１
０）面、（１１１）面に対しては信頼性がないという問
題点があった。
（１００）面と交錯する転移等の格子欠陥の評価には３
６０ー４００℃の溶融したＫＯＨがエッチャントとして
用いることができるが、３６０ー４００℃の溶融したＫ
ＯＨは、薄膜の（１００）面、（５１１）面、（１１
０）面、（１１１）面に対しては信頼性がないという問
題点があった。
【０００６】Ｇａ1 −X ＡｌX Ａｓ（０．２≦X ＜１）
のウエーハに対しては現在有効に適応できるエッチャン
トが無いという問題点があり、また、溶融したＫＯＨが
Ａｌの混晶比率が低い（X ＜０．２）場合に（１００）
面に対して使用されることがあるが、Ａｌの混晶比率が
高い（X ≧０．２）場合には信頼性がないという問題点
があった。
のウエーハに対しては現在有効に適応できるエッチャン
トが無いという問題点があり、また、溶融したＫＯＨが
Ａｌの混晶比率が低い（X ＜０．２）場合に（１００）
面に対して使用されることがあるが、Ａｌの混晶比率が
高い（X ≧０．２）場合には信頼性がないという問題点
があった。
【０００７】また、ＫＯＨは高温で溶かす必要があるの
で、作業に危険を伴うという問題点があった。
で、作業に危険を伴うという問題点があった。
【０００８】なお、ＧａＡｓウエーハの（１００）面の
エッチングには、ＡＢエッチング液（２ｍｌＨ２Ｏ，１
ｍｌＨＦ，８ｍｇＡｇＮＯ３，１ｇＣｒＯ３）というエ
ッチャントが公知であるが、このエッチャントを用いた
場合には転移が線状リッジパターンとしてエッチングさ
れ、計数可能なエッチピットを得られないという問題点
があった。
エッチングには、ＡＢエッチング液（２ｍｌＨ２Ｏ，１
ｍｌＨＦ，８ｍｇＡｇＮＯ３，１ｇＣｒＯ３）というエ
ッチャントが公知であるが、このエッチャントを用いた
場合には転移が線状リッジパターンとしてエッチングさ
れ、計数可能なエッチピットを得られないという問題点
があった。
【０００９】そこで本発明の目的は、上記従来技術の有
する問題を解消し、Ｇａ1 −X ＡｌX ＡｓまたはＧａＡ
ｓのウエーハにおける薄膜の（１００）面の他に、（５
１１）面、（１１０）面、（１１１）面の結晶欠陥の評
価にも有効なエッチャントを提供することである。
する問題を解消し、Ｇａ1 −X ＡｌX ＡｓまたはＧａＡ
ｓのウエーハにおける薄膜の（１００）面の他に、（５
１１）面、（１１０）面、（１１１）面の結晶欠陥の評
価にも有効なエッチャントを提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のエッチャントは、Ｇａ1 −X ＡｌX Ａｓま
たはＧａＡｓのウエーハをエッチングするためのエッチ
ャントであって、過酸化水素酸、硫酸、弗化水素、硝酸
および純水の混合液であることを特徴とする。
に、本発明のエッチャントは、Ｇａ1 −X ＡｌX Ａｓま
たはＧａＡｓのウエーハをエッチングするためのエッチ
ャントであって、過酸化水素酸、硫酸、弗化水素、硝酸
および純水の混合液であることを特徴とする。
【００１１】また、前記混合液は、過酸化水素酸、硫
酸、弗化水素、硝酸および純水のモル濃度の比が略６：
略４８：略４９：略３９６：略２００で混合されている
ことが好適である。
酸、弗化水素、硝酸および純水のモル濃度の比が略６：
略４８：略４９：略３９６：略２００で混合されている
ことが好適である。
【００１２】また、過酸化水素酸、硫酸、弗化水素およ
び硝酸の各々の濃度が略３０％、略９６％、略４９％お
よび略９９％であり、過酸化水素酸、硫酸、弗化水素、
硝酸および純水の容積比が略４：略１：略２：略８：略
４であることが好適である。
び硝酸の各々の濃度が略３０％、略９６％、略４９％お
よび略９９％であり、過酸化水素酸、硫酸、弗化水素、
硝酸および純水の容積比が略４：略１：略２：略８：略
４であることが好適である。
【００１３】
【実施例】以下に本発明のエッチャントの実施例を図面
を参照して説明する。濃度が各々略３０％、略９６％、
略４９％および略９９％である過酸化水素酸、硫酸、弗
化水素および硝酸と、純水とをまず用意する。次に、過
酸化水素酸、硫酸、弗化水素、硝酸および純水の容積比
が略４：略１：略２：略８：略４になるようにして、耐
酸性容器中でこれらを混合する。このようにして作成さ
れた混合液として、本実施例のエッチャントが得られ
る。
を参照して説明する。濃度が各々略３０％、略９６％、
略４９％および略９９％である過酸化水素酸、硫酸、弗
化水素および硝酸と、純水とをまず用意する。次に、過
酸化水素酸、硫酸、弗化水素、硝酸および純水の容積比
が略４：略１：略２：略８：略４になるようにして、耐
酸性容器中でこれらを混合する。このようにして作成さ
れた混合液として、本実施例のエッチャントが得られ
る。
【００１４】次に、本実施例のエッチャントを用いてＧ
ａＡｓまたはＧａ1 −X ＡｌX Ａｓのウエーハをエッチ
ングした結果について説明する。耐酸性容器に本実施例
のエッチャントを３００−４００ｃｃとり、ＧａＡｓま
たはＧａ1 −X ＡｌX Ａｓのウエーハの鏡面である被エ
ッチング面を上側にして浸し、このエッチャントを撹拌
しながら２乃至５分間、常温下でエッチングした。
ａＡｓまたはＧａ1 −X ＡｌX Ａｓのウエーハをエッチ
ングした結果について説明する。耐酸性容器に本実施例
のエッチャントを３００−４００ｃｃとり、ＧａＡｓま
たはＧａ1 −X ＡｌX Ａｓのウエーハの鏡面である被エ
ッチング面を上側にして浸し、このエッチャントを撹拌
しながら２乃至５分間、常温下でエッチングした。
【００１５】また、以下に述べるウエーハ断面の転移の
伝播の観察には、ウエーハを劈開した（１１０）の被エ
ッチング面を上側にして支持台に載置してエッチャント
に浸し、同様に撹拌しながらエッチングを行った。
伝播の観察には、ウエーハを劈開した（１１０）の被エ
ッチング面を上側にして支持台に載置してエッチャント
に浸し、同様に撹拌しながらエッチングを行った。
【００１６】酢酸や水を多くすると反応が減り、多くす
ると反応が増すので、ウエーハの種類、ドーパントの種
類、欠陥の種類等に応じて、酢酸や水の量を加減してエ
ッチングを行う。
ると反応が増すので、ウエーハの種類、ドーパントの種
類、欠陥の種類等に応じて、酢酸や水の量を加減してエ
ッチングを行う。
【００１７】図１に、ＧａＡｓまたはＧａ1 −X ＡｌX
Ａｓのウエーハをエッチングする場合のエッチングレイ
トを、本実施例によるエッチャントを用いた場合（１）
と、従来の溶融ＫＯＨ（３７０℃）を用いた場合（２）
とについて示す。図１からわかるように、本実施例によ
るエッチャントを用いた場合（１）は、従来の溶融ＫＯ
Ｈ（３７０℃）を用いた場合（２）に比べて、エッチン
グレイトが小さい。したがって、本実施例によるエッチ
ャントを用いることにより、エッチングされる厚さを高
精度に制御でき、また極めて薄い膜厚のエッチングを行
うことができる。
Ａｓのウエーハをエッチングする場合のエッチングレイ
トを、本実施例によるエッチャントを用いた場合（１）
と、従来の溶融ＫＯＨ（３７０℃）を用いた場合（２）
とについて示す。図１からわかるように、本実施例によ
るエッチャントを用いた場合（１）は、従来の溶融ＫＯ
Ｈ（３７０℃）を用いた場合（２）に比べて、エッチン
グレイトが小さい。したがって、本実施例によるエッチ
ャントを用いることにより、エッチングされる厚さを高
精度に制御でき、また極めて薄い膜厚のエッチングを行
うことができる。
【００１８】図２は、Ｇａ1 −X ＡｌX Ａｓウエーハに
おけるＡｌ混晶比率ｘが０．１の場合について、本実施
例のエッチャントを用いてエッチングした場合（１）
と、従来の溶融ＫＯＨ（３７０℃）を用いた場合（２）
とで、エッチピットを１：１の対応の有無を示す写真で
ある。番号１乃至番号５によってエッチピットが示され
ている。図２からわかるように、Ａｌ混晶比率ｘが０．
１の場合については、従来の溶融ＫＯＨ（３７０℃）を
用いた場合（２）でも、本実施例のエッチャントを用い
てエッチングした場合（１）と同様に、明瞭にエッチピ
ットが識別される。
おけるＡｌ混晶比率ｘが０．１の場合について、本実施
例のエッチャントを用いてエッチングした場合（１）
と、従来の溶融ＫＯＨ（３７０℃）を用いた場合（２）
とで、エッチピットを１：１の対応の有無を示す写真で
ある。番号１乃至番号５によってエッチピットが示され
ている。図２からわかるように、Ａｌ混晶比率ｘが０．
１の場合については、従来の溶融ＫＯＨ（３７０℃）を
用いた場合（２）でも、本実施例のエッチャントを用い
てエッチングした場合（１）と同様に、明瞭にエッチピ
ットが識別される。
【００１９】一方、図３は、Ａｌ混晶比率ｘが０．２の
場合について、本実施例のエッチャントを用いてエッチ
ングした場合（１）と、従来の溶融ＫＯＨ（３７０℃）
を用いた場合（２）とで、エッチピットを１：１の対応
の有無を示す写真である。
場合について、本実施例のエッチャントを用いてエッチ
ングした場合（１）と、従来の溶融ＫＯＨ（３７０℃）
を用いた場合（２）とで、エッチピットを１：１の対応
の有無を示す写真である。
【００２０】図３（２）からわかるように、Ａｌ混晶比
率ｘが０．２の場合については、従来の溶融ＫＯＨ（３
７０℃）を用いた場合（２）には、ウエーハの面が荒れ
ていることが認められる。さらに、Ａｌ混晶比率ｘが
０．２より大きい場合では、従来の溶融ＫＯＨ（３７０
℃）を用いた場合（２）には、エッチピットの観察が不
可能になった。
率ｘが０．２の場合については、従来の溶融ＫＯＨ（３
７０℃）を用いた場合（２）には、ウエーハの面が荒れ
ていることが認められる。さらに、Ａｌ混晶比率ｘが
０．２より大きい場合では、従来の溶融ＫＯＨ（３７０
℃）を用いた場合（２）には、エッチピットの観察が不
可能になった。
【００２１】これに対して、本実施例のエッチャントを
用いた場合には、図３（１）からわかるように、Ａｌ混
晶比率ｘが０．１の場合と同様に、エッチピットを明瞭
に識別することができる。Ａｌ混晶比率ｘが０．２より
大きい場合でも、本実施例のエッチャントを用いた場合
には、同様エッチピットを明瞭に識別することができ
た。
用いた場合には、図３（１）からわかるように、Ａｌ混
晶比率ｘが０．１の場合と同様に、エッチピットを明瞭
に識別することができる。Ａｌ混晶比率ｘが０．２より
大きい場合でも、本実施例のエッチャントを用いた場合
には、同様エッチピットを明瞭に識別することができ
た。
【００２２】以上のように、本実施例のエッチャントを
用いることにより、従来の溶融ＫＯＨ（３７０℃）を用
いた場合にエッチピットの明瞭な識別が不可能であるＡ
ｌ混晶比率ｘが０．２以上の場合についも、エッチピッ
トを明瞭に識別することができ、識別できる度合いはＡ
ｌ混晶比率ｘの値に影響されない。
用いることにより、従来の溶融ＫＯＨ（３７０℃）を用
いた場合にエッチピットの明瞭な識別が不可能であるＡ
ｌ混晶比率ｘが０．２以上の場合についも、エッチピッ
トを明瞭に識別することができ、識別できる度合いはＡ
ｌ混晶比率ｘの値に影響されない。
【００２３】次に、図４を参照して、ウエーハ断面の転
移の伝播の観察した結果について説明する。上述したよ
うに、劈開した（１１０）の被エッチング面を上側にし
て支持台に載置してエッチャントに浸し、撹拌しながら
エッチングを行った。図４に示すように、ウエーハは、
ＧａＡｓ基板４の上にＰ−ＧａＡｓ層３が層設され、Ｐ
−ＧａＡｓ層３の上にＮ−ＧａＡｓ層２が層設され、Ｎ
−ＧａＡｓ層２の上に、Ａｌ混晶比率ｘが０．２のＧａ
1 −X ＡｌX Ａｓ層１が層設されて構成されている。
移の伝播の観察した結果について説明する。上述したよ
うに、劈開した（１１０）の被エッチング面を上側にし
て支持台に載置してエッチャントに浸し、撹拌しながら
エッチングを行った。図４に示すように、ウエーハは、
ＧａＡｓ基板４の上にＰ−ＧａＡｓ層３が層設され、Ｐ
−ＧａＡｓ層３の上にＮ−ＧａＡｓ層２が層設され、Ｎ
−ＧａＡｓ層２の上に、Ａｌ混晶比率ｘが０．２のＧａ
1 −X ＡｌX Ａｓ層１が層設されて構成されている。
【００２４】図４に示すエピウエーハの断面（１１０）
を、本実施例のエッチャントを用いてエッチングした場
合（１）と、従来の溶融ＫＯＨ（３７０℃）を用いてエ
ッチングした場合（２）とで、ウエーハにおけるＧａＡ
ｓ基板４、Ｐ−ＧａＡｓ層３、Ｎ−ＧａＡｓ層２、Ｇａ
1 −X ＡｌX Ａｓ層１の間の転移を比較観察した。この
結果、従来の溶融ＫＯＨを用いた場合には全く転移を観
察できなかった。これに対して、本実施例によるエッチ
ャントを用いた場合には、図４においてｄによって示さ
れるように、Ｎ−ＧａＡｓ層２とＧａ1 −X ＡｌX Ａｓ
層１との間に転移の存在が観察された。また、図示しな
いが、本実施例のエッチャントを用いることにより他の
層の間にも転移が生じた場合を観察することができた。
また、（５１１）面、（１１１）面に対しても、同様に
結晶欠陥の有無を評価できることが確認された。
を、本実施例のエッチャントを用いてエッチングした場
合（１）と、従来の溶融ＫＯＨ（３７０℃）を用いてエ
ッチングした場合（２）とで、ウエーハにおけるＧａＡ
ｓ基板４、Ｐ−ＧａＡｓ層３、Ｎ−ＧａＡｓ層２、Ｇａ
1 −X ＡｌX Ａｓ層１の間の転移を比較観察した。この
結果、従来の溶融ＫＯＨを用いた場合には全く転移を観
察できなかった。これに対して、本実施例によるエッチ
ャントを用いた場合には、図４においてｄによって示さ
れるように、Ｎ−ＧａＡｓ層２とＧａ1 −X ＡｌX Ａｓ
層１との間に転移の存在が観察された。また、図示しな
いが、本実施例のエッチャントを用いることにより他の
層の間にも転移が生じた場合を観察することができた。
また、（５１１）面、（１１１）面に対しても、同様に
結晶欠陥の有無を評価できることが確認された。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のエッチャ
ントによれば、Ａｌ混晶比率ｘに影響されることなくＧ
ａ1 −X ＡｌX ＡｓのウエーハまたはＧａＡｓのウエー
ハの結晶欠陥の有無を評価することができる。
ントによれば、Ａｌ混晶比率ｘに影響されることなくＧ
ａ1 −X ＡｌX ＡｓのウエーハまたはＧａＡｓのウエー
ハの結晶欠陥の有無を評価することができる。
【図１】ＧａＡｓまたはＧａ1 −X ＡｌX Ａｓのウエー
ハをエッチングする場合のエッチングレイトを、本発明
によるエッチャントを用いた場合（１）と、従来の溶融
ＫＯＨ（３７０℃）を用いた場合（２）とについて示す
図。
ハをエッチングする場合のエッチングレイトを、本発明
によるエッチャントを用いた場合（１）と、従来の溶融
ＫＯＨ（３７０℃）を用いた場合（２）とについて示す
図。
【図２】Ｇａ1 −X ＡｌX ＡｓウエーハにおけるＡｌ混
晶比率ｘが０．１の場合について、本発明によるエッチ
ャントを用いてエッチングした場合（１）と、従来の溶
融ＫＯＨ（３７０℃）を用いた場合（２）とで、エッチ
ピットを１：１の対応の有無を示す写真。番号１乃至番
号５によってエッチピットを示す。
晶比率ｘが０．１の場合について、本発明によるエッチ
ャントを用いてエッチングした場合（１）と、従来の溶
融ＫＯＨ（３７０℃）を用いた場合（２）とで、エッチ
ピットを１：１の対応の有無を示す写真。番号１乃至番
号５によってエッチピットを示す。
【図３】Ａｌ混晶比率ｘが０．２の場合について、本発
明によるエッチャントを用いてエッチングした場合
（１）と、従来の溶融ＫＯＨ（３７０℃）を用いた場合
（２）とで、エッチピットを１：１の対応の有無を示す
写真。
明によるエッチャントを用いてエッチングした場合
（１）と、従来の溶融ＫＯＨ（３７０℃）を用いた場合
（２）とで、エッチピットを１：１の対応の有無を示す
写真。
【図４】エピウエーハの断面（１１０）を、本発明によ
るエッチャントを用いてエッチングした場合（１）と、
従来の溶融ＫＯＨ（３７０℃）を用いてエッチングした
場合（２）とで、層間の転移を比較観察した写真。
るエッチャントを用いてエッチングした場合（１）と、
従来の溶融ＫＯＨ（３７０℃）を用いてエッチングした
場合（２）とで、層間の転移を比較観察した写真。
１ Ｇａ1 −X ＡｌX Ａｓ層 ２ Ｎ−ＧａＡｓ層 ３ Ｐ−ＧａＡｓ層 ４ ＧａＡｓ基板
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年６月２２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】ＧａＡｓまたはＧａ１−ＸＡｌＸＡｓのウエー
ハをエッチングする場合のエッチングレイトを、本発明
によるエッチャントを用いた場合（１）と、従来の溶融
ＫＯＨ（３７０℃）を用いた場合（２）とについて示す
図。
ハをエッチングする場合のエッチングレイトを、本発明
によるエッチャントを用いた場合（１）と、従来の溶融
ＫＯＨ（３７０℃）を用いた場合（２）とについて示す
図。
【図２】Ｇａ１−ＸＡｌＸＡｓウエーハにおけるＡｌ混
晶比率ｘが０．１の場合について、本発明によるエッチ
ャントを用いてエッチングした場合（１）と、従来の溶
融ＫＯＨ（３７０℃）を用いた場合（２）とで、エッチ
ピットを１：１の対応の有無を示す顕微鏡写真。番号１
乃至番号５によってエッチピットを示す。
晶比率ｘが０．１の場合について、本発明によるエッチ
ャントを用いてエッチングした場合（１）と、従来の溶
融ＫＯＨ（３７０℃）を用いた場合（２）とで、エッチ
ピットを１：１の対応の有無を示す顕微鏡写真。番号１
乃至番号５によってエッチピットを示す。
【図３】Ａｌ混晶比率ｘが０．２の場合について、本発
明によるエッチャントを用いてエッチングした場合
（１）と、従来の溶融ＫＯＨ（３７０℃）を用いた場合
（２）とで、エッチピットを１：１の対応の有無を示す
顕微鏡写真。
明によるエッチャントを用いてエッチングした場合
（１）と、従来の溶融ＫＯＨ（３７０℃）を用いた場合
（２）とで、エッチピットを１：１の対応の有無を示す
顕微鏡写真。
【図４】エピウエーハの断面（１１０）を、本発明によ
るエッチャントを用いてエッチングした場合（１）と、
従来の溶融ＫＯＨ（３７０℃）を用いてエッチングした
場合（２）とで、層間の転移を比較観察した顕微鏡写
真。
るエッチャントを用いてエッチングした場合（１）と、
従来の溶融ＫＯＨ（３７０℃）を用いてエッチングした
場合（２）とで、層間の転移を比較観察した顕微鏡写
真。
Claims (3)
- 【請求項１】Ｇａ1 −X ＡｌX ＡｓまたはＧａＡｓのウ
エーハをエッチングするためのエッチャントであって、
過酸化水素酸、硫酸、弗化水素、硝酸および純水の混合
液であることを特徴とするエッチャント。 - 【請求項２】前記混合液は、過酸化水素酸、硫酸、弗化
水素、硝酸および純水のモル濃度の比が略６：略４８：
略４９：略３９６：略２００で混合されていることを特
徴とする請求項１に記載のエッチャント。 - 【請求項３】過酸化水素酸、硫酸、弗化水素および硝酸
の各々の濃度が略３０％、略９６％、略４９％および略
９９％であり、過酸化水素酸、硫酸、弗化水素、硝酸お
よび純水の容積比が略４：略１：略２：略８：略４であ
ることを特徴とする請求項１に記載のエッチャント。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34729693A JPH07183287A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | エッチャント |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34729693A JPH07183287A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | エッチャント |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07183287A true JPH07183287A (ja) | 1995-07-21 |
Family
ID=18389255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34729693A Withdrawn JPH07183287A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | エッチャント |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07183287A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8461057B2 (en) | 1999-12-22 | 2013-06-11 | Basf Aktiengesellschaft | Process for the rough-etching of silicon solar cells |
-
1993
- 1993-12-24 JP JP34729693A patent/JPH07183287A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8461057B2 (en) | 1999-12-22 | 2013-06-11 | Basf Aktiengesellschaft | Process for the rough-etching of silicon solar cells |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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