JPH07183577A - 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法Info
- Publication number
- JPH07183577A JPH07183577A JP7013031A JP1303195A JPH07183577A JP H07183577 A JPH07183577 A JP H07183577A JP 7013031 A JP7013031 A JP 7013031A JP 1303195 A JP1303195 A JP 1303195A JP H07183577 A JPH07183577 A JP H07183577A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gallium nitride
- compound semiconductor
- layer
- emitting device
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、マグネシウムを添加した窒化ガリ
ウム系化合物半導体層を有する純青色発光素子の作製方
法を提供することを目的とする。 【構成】 水素雰囲気で大気圧に保たれた反応管内にサ
ファイヤ等の絶縁体基板を設け、反応管の一方より有機
ガリウム化合物、有機III族元素化合物及びアンモニア
をガス状で導入し、基板上にて気相成長法によりＧa1-X
ＡX Ｎ（但しＡはＢ又はＩｎの何れかの元素であり１＞
ｘ≧０）の単結晶層からなるｎ型窒化ガリウム系化合物
半導体層を形成後、原料ガスに有機マグネシウム化合物
をガス状で反応管内に導入し、絶縁層及び発光層として
マグネシウム（Ｍｇ）を添加したｉ型の窒化ガリウム系
化合物半導体Ｇa1-XＡX Ｎ（但しＡはＢ又はＩｎの何れ
かの元素であり１＞ｘ≧０）層を作製することを特徴と
する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法。
ウム系化合物半導体層を有する純青色発光素子の作製方
法を提供することを目的とする。 【構成】 水素雰囲気で大気圧に保たれた反応管内にサ
ファイヤ等の絶縁体基板を設け、反応管の一方より有機
ガリウム化合物、有機III族元素化合物及びアンモニア
をガス状で導入し、基板上にて気相成長法によりＧa1-X
ＡX Ｎ（但しＡはＢ又はＩｎの何れかの元素であり１＞
ｘ≧０）の単結晶層からなるｎ型窒化ガリウム系化合物
半導体層を形成後、原料ガスに有機マグネシウム化合物
をガス状で反応管内に導入し、絶縁層及び発光層として
マグネシウム（Ｍｇ）を添加したｉ型の窒化ガリウム系
化合物半導体Ｇa1-XＡX Ｎ（但しＡはＢ又はＩｎの何れ
かの元素であり１＞ｘ≧０）層を作製することを特徴と
する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マグネシウムを添加し
た窒化ガリウム系化合物半導体層を有する純青色発光素
子の作製方法に関するものである。
た窒化ガリウム系化合物半導体層を有する純青色発光素
子の作製方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、有機金属化合物気相成長法（以
下、ＭＯＶＰＥ法と記す）を用いて、窒化ガリウム系化
合物半導体（Ｇa1-XＡｌX Ｎ但し１＞ｘ≧０）をサファ
イア基板上に気相成長させた構造の青色発光素子が研究
されている。
下、ＭＯＶＰＥ法と記す）を用いて、窒化ガリウム系化
合物半導体（Ｇa1-XＡｌX Ｎ但し１＞ｘ≧０）をサファ
イア基板上に気相成長させた構造の青色発光素子が研究
されている。
【０００３】これらの材料により青色発光素子を作製す
る場合には、従来絶縁層を形成するため、及び青色発光
中心の形成を狙いとして亜鉛が添加される。亜鉛添加窒
化ガリウム系化合物半導体ＧａＮに於ける発光素子の発
光ピーク波長は425 ｎｍ付近の紫色、及び490 ｎｍ付近
の青緑色領域であった。
る場合には、従来絶縁層を形成するため、及び青色発光
中心の形成を狙いとして亜鉛が添加される。亜鉛添加窒
化ガリウム系化合物半導体ＧａＮに於ける発光素子の発
光ピーク波長は425 ｎｍ付近の紫色、及び490 ｎｍ付近
の青緑色領域であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】窒化ガリウム系化合物
半導体を用いて青色発光素子を作製する場合、添加する
不純物に必要となる役割は二つある。一つには絶縁層の
形成が可能であること、もう一つは添加した不純物自体
或はそれが関係して青色発光中心を形成することであ
る。窒化ガリウム系化合物半導体に於て一般的に用いら
れる亜鉛の場合、絶縁層の形成は可能であるが、それが
関係して形成される発光中心に問題があった。即ち、形
成される発光中心は前述のごとく紫色及び青緑色領域に
発光ピークがあった。明所視で目視により青色と観測さ
れる光の波長は450 ｎｍから480 ｎｍの範囲内であり、
亜鉛添加窒化ガリウム系化合物半導体ＧａＮによる発光
素子では色純度の問題があった。
半導体を用いて青色発光素子を作製する場合、添加する
不純物に必要となる役割は二つある。一つには絶縁層の
形成が可能であること、もう一つは添加した不純物自体
或はそれが関係して青色発光中心を形成することであ
る。窒化ガリウム系化合物半導体に於て一般的に用いら
れる亜鉛の場合、絶縁層の形成は可能であるが、それが
関係して形成される発光中心に問題があった。即ち、形
成される発光中心は前述のごとく紫色及び青緑色領域に
発光ピークがあった。明所視で目視により青色と観測さ
れる光の波長は450 ｎｍから480 ｎｍの範囲内であり、
亜鉛添加窒化ガリウム系化合物半導体ＧａＮによる発光
素子では色純度の問題があった。
【０００５】そこで純青色発光中心が形成され、かつ絶
縁層の形成が可能な不純物を各種探索した結果、Ｍｇが
その二つの役割を果たすことを見いだした。
縁層の形成が可能な不純物を各種探索した結果、Ｍｇが
その二つの役割を果たすことを見いだした。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は水素雰囲気で大
気圧に保たれた反応管内にサファイヤ等の絶縁体基板を
設け、反応管の一方より有機ガリウム化合物、有機III
族元素化合物及びアンモニアをガス状で導入し、基板上
にて気相成長法によりＧa1-XＡX Ｎ（但しＡはＢ又はＩ
ｎの何れかの元素であり１＞ｘ≧０）の単結晶層からな
るｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層を形成後、原料ガ
スに有機マグネシウム化合物をガス状で反応管内に導入
し、絶縁層及び発光層としてマグネシウム（Ｍｇ）を添
加したｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体Ｇa1-XＡX Ｎ
（但しＡはＢ又はＩｎの何れかの元素であり１＞ｘ≧
０）層を作製することを特徴とする窒化ガリウム系化合
物半導体発光素子の作製方法にある。
気圧に保たれた反応管内にサファイヤ等の絶縁体基板を
設け、反応管の一方より有機ガリウム化合物、有機III
族元素化合物及びアンモニアをガス状で導入し、基板上
にて気相成長法によりＧa1-XＡX Ｎ（但しＡはＢ又はＩ
ｎの何れかの元素であり１＞ｘ≧０）の単結晶層からな
るｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層を形成後、原料ガ
スに有機マグネシウム化合物をガス状で反応管内に導入
し、絶縁層及び発光層としてマグネシウム（Ｍｇ）を添
加したｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体Ｇa1-XＡX Ｎ
（但しＡはＢ又はＩｎの何れかの元素であり１＞ｘ≧
０）層を作製することを特徴とする窒化ガリウム系化合
物半導体発光素子の作製方法にある。
【０００７】
【作用】本発明の好ましい実施例では前記マグネシウム
（Ｍｇ）添加窒化ガリウム系化合物半導体Ｇa1-XＡX Ｎ
（但しＡはＢ又はＩｎの何れかの元素であり１＞ｘ＞
０）層に於て、添加するマグネシウム（Ｍｇ）のIII族
元素に対する濃度は絶縁層形成のため1018cm-3以上であ
ることが好ましい。また必要以上に高濃度に添加された
場合、他の発光中心が形成され、純青色発光の効率が低
下するため２×1020cm-3以内であることが好ましい。ま
た作製した発光素子に於て、最も大きい光強度を示す発
光波長が430 ｎｍから480 ｎｍの範囲であることが特徴
である。
（Ｍｇ）添加窒化ガリウム系化合物半導体Ｇa1-XＡX Ｎ
（但しＡはＢ又はＩｎの何れかの元素であり１＞ｘ＞
０）層に於て、添加するマグネシウム（Ｍｇ）のIII族
元素に対する濃度は絶縁層形成のため1018cm-3以上であ
ることが好ましい。また必要以上に高濃度に添加された
場合、他の発光中心が形成され、純青色発光の効率が低
下するため２×1020cm-3以内であることが好ましい。ま
た作製した発光素子に於て、最も大きい光強度を示す発
光波長が430 ｎｍから480 ｎｍの範囲であることが特徴
である。
【０００８】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明による純青
色発光素子の作製法の実施例を説明する。しかし、図示
し且つ以下に説明する実施例は、本発明の方法を例示す
るものに過ぎず、本発明を限定するものではない。
色発光素子の作製法の実施例を説明する。しかし、図示
し且つ以下に説明する実施例は、本発明の方法を例示す
るものに過ぎず、本発明を限定するものではない。
【０００９】図１は純青色発光素子を作製するために使
用する窒化ガリウム系化合物半導体のエピタキシアル結
晶成長装置の概略図である。図１において、１は反応
管、２は基板加熱用サセプタ、３はその上に載置した基
板を示し、４は原料ガス供給管、５は反応管に連設した
試料予備室、６はターボ真空ポンプ、７，８はロータリ
ー真空ポンプを示す。９は原料ガスと水素との供給装置
であって、10は水素供給口、11はアンモニアガス（ＮＨ
3 ）供給口、12Ａ，12Ｂ，12Ｃ，12Ｄ，12Ｅ，12Ｆ，12
Ｇは水素流量計、13はビスシクロペンタジエニルマグネ
シウム（ＣＰ2 Ｍｇ）又はビスメチルシクロペンタジエ
ニルマグネシウム（ＭＣＰ2 Ｍｇ）の貯留槽、14はトリ
メチルアルミニウム（ＴＭＡ）の貯留槽、15はトリメチ
ルガリウム（ＴＭＧ）の貯留槽、16〜31は流量制御弁、
32〜34は切換混合弁を示す。
用する窒化ガリウム系化合物半導体のエピタキシアル結
晶成長装置の概略図である。図１において、１は反応
管、２は基板加熱用サセプタ、３はその上に載置した基
板を示し、４は原料ガス供給管、５は反応管に連設した
試料予備室、６はターボ真空ポンプ、７，８はロータリ
ー真空ポンプを示す。９は原料ガスと水素との供給装置
であって、10は水素供給口、11はアンモニアガス（ＮＨ
3 ）供給口、12Ａ，12Ｂ，12Ｃ，12Ｄ，12Ｅ，12Ｆ，12
Ｇは水素流量計、13はビスシクロペンタジエニルマグネ
シウム（ＣＰ2 Ｍｇ）又はビスメチルシクロペンタジエ
ニルマグネシウム（ＭＣＰ2 Ｍｇ）の貯留槽、14はトリ
メチルアルミニウム（ＴＭＡ）の貯留槽、15はトリメチ
ルガリウム（ＴＭＧ）の貯留槽、16〜31は流量制御弁、
32〜34は切換混合弁を示す。
【００１０】サファイア等の絶縁体基板上に窒化ガリウ
ム系化合物半導体を気相でエピタキシアル成長させて単
結晶を形成するには、上記の反応管１は予め真空に吸引
し、水分、酸素その他の不純物を除き大気圧の水素雰囲
気として、反応管１をヒーター35により加熱して結晶成
長温度に保つようにし、反応管１内に設けた基板加熱用
サセプタ２上に例えばサファイア等の結晶成長用絶縁体
基板３を設置し、高周波誘導加熱等により外部より反応
管１を加熱し、結晶成長温度に基板加熱用サセプタ２を
保持しつつ、結晶成長効率及び不純物添加効率をあげる
ために設置された原料導入管４により原料ガスを導入
し、導入ガスを基板上で気相でエピタキシアル成長法で
必要な結晶成長層厚さになるまで結晶成長を行う。発光
ダイオードを作製するにはサファイア等の基板３の上に
故意に不純物を添加していないｎ型の該窒化ガリウム系
化合物半導体Ｇa1-XＡX Ｎ（但しＡはＢ又はＩｎの何れ
かの元素である１＞ｘ≧０）の単結晶を形成の後、Ｍｇ
成分をビスシクロペンタジエニルマグネシウム（ＣＰ2
Ｍｇ）又はビスメチルシクロペンタジエニルマグネシウ
ム（ＭＣＰ2 Ｍｇ）等の有機マグネシウム化合物をガス
態で原料ガスに混合し、Ｍｇ成分を添加した窒化ガリウ
ム系化合物半導体Ｇa1-XＡX Ｎ（但しＡはＢ又はＩｎの
何れかの元素であり１＞ｘ≧０）層を作製する。固体中
のＭｇ添加量の制御は、ＭｇとＧa の流量比を切換混合
弁32〜34により行い、図２に示すようにＭｇ原料ガス供
給量の加減により制御する。
ム系化合物半導体を気相でエピタキシアル成長させて単
結晶を形成するには、上記の反応管１は予め真空に吸引
し、水分、酸素その他の不純物を除き大気圧の水素雰囲
気として、反応管１をヒーター35により加熱して結晶成
長温度に保つようにし、反応管１内に設けた基板加熱用
サセプタ２上に例えばサファイア等の結晶成長用絶縁体
基板３を設置し、高周波誘導加熱等により外部より反応
管１を加熱し、結晶成長温度に基板加熱用サセプタ２を
保持しつつ、結晶成長効率及び不純物添加効率をあげる
ために設置された原料導入管４により原料ガスを導入
し、導入ガスを基板上で気相でエピタキシアル成長法で
必要な結晶成長層厚さになるまで結晶成長を行う。発光
ダイオードを作製するにはサファイア等の基板３の上に
故意に不純物を添加していないｎ型の該窒化ガリウム系
化合物半導体Ｇa1-XＡX Ｎ（但しＡはＢ又はＩｎの何れ
かの元素である１＞ｘ≧０）の単結晶を形成の後、Ｍｇ
成分をビスシクロペンタジエニルマグネシウム（ＣＰ2
Ｍｇ）又はビスメチルシクロペンタジエニルマグネシウ
ム（ＭＣＰ2 Ｍｇ）等の有機マグネシウム化合物をガス
態で原料ガスに混合し、Ｍｇ成分を添加した窒化ガリウ
ム系化合物半導体Ｇa1-XＡX Ｎ（但しＡはＢ又はＩｎの
何れかの元素であり１＞ｘ≧０）層を作製する。固体中
のＭｇ添加量の制御は、ＭｇとＧa の流量比を切換混合
弁32〜34により行い、図２に示すようにＭｇ原料ガス供
給量の加減により制御する。
【００１１】図３にＭｇを適量添加した場合（ａ：４×
1019cm-3）、及び適量以上添加した場合（ｂ：３×1020
cm-3）の窒化ガリウムのフォトルミネッセンス（ＰＬ）
スぺクトルを示す。Ｍｇを適量添加した場合には純青色
発光が明瞭に観測されるが、ある濃度を越えると純青色
発光強度は小さくなり、長波長緑色発光が主体となる。
Ｍｇ添加量に関する詳細な実験の結果、発光色の変化す
るＭｇ添加量が２×1020cm-3程度であることを見いだし
た。またこれらの試料を用いて発光ダイオードを作製
し、フォトルミネッセンスと同様、エレクトロルミネッ
センスに於いても同様の結果を示すことが確かめられ
た。
1019cm-3）、及び適量以上添加した場合（ｂ：３×1020
cm-3）の窒化ガリウムのフォトルミネッセンス（ＰＬ）
スぺクトルを示す。Ｍｇを適量添加した場合には純青色
発光が明瞭に観測されるが、ある濃度を越えると純青色
発光強度は小さくなり、長波長緑色発光が主体となる。
Ｍｇ添加量に関する詳細な実験の結果、発光色の変化す
るＭｇ添加量が２×1020cm-3程度であることを見いだし
た。またこれらの試料を用いて発光ダイオードを作製
し、フォトルミネッセンスと同様、エレクトロルミネッ
センスに於いても同様の結果を示すことが確かめられ
た。
【００１２】この結果は、窒化ガリウムの例を示したが
Ａｌを含む窒化ガリウム系化合物半導体Ｇa1-XＡX Ｎ
（但しＡはＢ又はＩｎの何れかの元素で１＞ｘ≧０）に
於いても同様の結果を示すことが確かめられた。
Ａｌを含む窒化ガリウム系化合物半導体Ｇa1-XＡX Ｎ
（但しＡはＢ又はＩｎの何れかの元素で１＞ｘ≧０）に
於いても同様の結果を示すことが確かめられた。
【００１３】以上の結果より、添加するＭｇの量は２×
1020cm-3以下であることが好ましい。また添加するＭｇ
量が1018cm-3より少なくなると発光ダイオードに於ける
絶縁層の形成が困難となるため、それ以上添加する必要
がある。窒化ガリウム系化合物半導体の気相エピタキシ
アル成長に際して、Ｇa 成分に対するＭｇ成分の混合割
合は0.1 〜10 atm％であり、Ｇa の原料ガスとして使用
するトリメチルガリウム（ＴＭＧ）の蒸気圧は30 mm Ｈ
g ／−15℃である。
1020cm-3以下であることが好ましい。また添加するＭｇ
量が1018cm-3より少なくなると発光ダイオードに於ける
絶縁層の形成が困難となるため、それ以上添加する必要
がある。窒化ガリウム系化合物半導体の気相エピタキシ
アル成長に際して、Ｇa 成分に対するＭｇ成分の混合割
合は0.1 〜10 atm％であり、Ｇa の原料ガスとして使用
するトリメチルガリウム（ＴＭＧ）の蒸気圧は30 mm Ｈ
g ／−15℃である。
【００１４】
【発明の効果】以上の説明のように、本発明による発光
素子の作製方法によれば結晶成長用基板上にｎ型該窒化
ガリウム系化合物半導体Ｇa1-XＡX Ｎ（但しＡはＢ又は
Ｉｎの何れかの元素であり１＞ｘ≧０）単結晶からなる
ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層を形成後、絶縁層及
び発光層としてマグネシウム（Ｍｇ）を添加した窒化ガ
リウム系化合物半導体（Ｇa1-XＡX Ｎ，但しＡはＢ又は
Ｉｎの何れかの元素であり１＞ｘ≧０）層を形成するこ
とにより、純青色発光ダイオードを作製することが可能
である。従来知られている青色発光ダイオードとよばれ
ているものは発光波長が紫色または青緑色領域にかたよ
っているもの、或はより長波長の発光が無視できず色純
度に問題のあるものが殆どであった。図３（ａ）のよう
に450 ｎｍ付近に発光ピーク波長を持ち、かつより長波
長の発光が殆ど観測されない発光スぺクトルを示すダイ
オードは現在まで報告された例はなかった。
素子の作製方法によれば結晶成長用基板上にｎ型該窒化
ガリウム系化合物半導体Ｇa1-XＡX Ｎ（但しＡはＢ又は
Ｉｎの何れかの元素であり１＞ｘ≧０）単結晶からなる
ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層を形成後、絶縁層及
び発光層としてマグネシウム（Ｍｇ）を添加した窒化ガ
リウム系化合物半導体（Ｇa1-XＡX Ｎ，但しＡはＢ又は
Ｉｎの何れかの元素であり１＞ｘ≧０）層を形成するこ
とにより、純青色発光ダイオードを作製することが可能
である。従来知られている青色発光ダイオードとよばれ
ているものは発光波長が紫色または青緑色領域にかたよ
っているもの、或はより長波長の発光が無視できず色純
度に問題のあるものが殆どであった。図３（ａ）のよう
に450 ｎｍ付近に発光ピーク波長を持ち、かつより長波
長の発光が殆ど観測されない発光スぺクトルを示すダイ
オードは現在まで報告された例はなかった。
【００１５】本発明による発光素子の作製方法を用いれ
ば、特別な色フィルターを使用することなく純青色発光
ダイオードの作製が可能となるため、フィルターによる
損失がなく従来のものと比較して効率の高い青色発光ダ
イオードの実現が可能である。本発明により現在まで実
用化の遅れている青色発光ダイオードの実用化が可能と
なる工業上大なる利益がある。
ば、特別な色フィルターを使用することなく純青色発光
ダイオードの作製が可能となるため、フィルターによる
損失がなく従来のものと比較して効率の高い青色発光ダ
イオードの実現が可能である。本発明により現在まで実
用化の遅れている青色発光ダイオードの実用化が可能と
なる工業上大なる利益がある。
【図１】図１は本発明を実現するための結晶成長装置の
概略構成図である。
概略構成図である。
【図２】図２はＭｇ原料ガス供給量と窒化ガリウムに添
加されたＭｇ量の関係を示す特性図である。
加されたＭｇ量の関係を示す特性図である。
【図３】図３は本発明の発光素子において、発光波長と
発光強度フォトルミネッセンスＰＬとの特性図であり、
図３（ａ）は曲線はＭｇを４×1019cm-3添加した試料の
室温でのフォトルミネッセンススぺクトル特性図であ
る。図３（ｂ）は曲線はＭｇを３×1020cm-3添加した試
料の室温でのフォトルミネッセンススぺクトル特性図で
ある。
発光強度フォトルミネッセンスＰＬとの特性図であり、
図３（ａ）は曲線はＭｇを４×1019cm-3添加した試料の
室温でのフォトルミネッセンススぺクトル特性図であ
る。図３（ｂ）は曲線はＭｇを３×1020cm-3添加した試
料の室温でのフォトルミネッセンススぺクトル特性図で
ある。
１ 結晶成長用反応管 ２ 基板加熱用サセプタ ３ 基板 ４ 原料導入管 ５ 試料予備室 ６ ターボ真空ポンプ ７，８ ロータリー真空ポンプ ９ 原料ガスと水素との供給装置 １０ 水素供給口 １１ アンモニアガス（ＮＨ3 ）供給口 １２Ａ〜１２Ｇ 水素流量計 １３ ＣＰ2 Ｍｇ 又はＭＣＰ2 Ｍｇ 等の有機Ｍｇ化
合物の貯留槽 １４ トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）の貯留槽 １５ トリメチルガリウム（ＴＭＧ）の貯留槽 １６〜３１ 流量制御弁 ３２〜３４ 切換混合弁 ３５〜３６ 排出口 ３７〜４０ 流量制御弁
合物の貯留槽 １４ トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）の貯留槽 １５ トリメチルガリウム（ＴＭＧ）の貯留槽 １６〜３１ 流量制御弁 ３２〜３４ 切換混合弁 ３５〜３６ 排出口 ３７〜４０ 流量制御弁
Claims (3)
- 【請求項１】 水素雰囲気で大気圧に保たれた反応管内
にサファイヤ等の絶縁体基板を設け、反応管の一方より
有機ガリウム化合物、有機III族元素化合物及びアンモ
ニアをガス状で導入し、基板上にて気相成長法によりＧ
a1-XＡX Ｎ（但しＡはＢ又はＩｎの何れかの元素であり
１＞ｘ≧０）の単結晶層からなるｎ型窒化ガリウム系化
合物半導体層を形成後、原料ガスに有機マグネシウム化
合物をガス状で反応管内に導入し、絶縁層及び発光層と
してマグネシウム（Ｍｇ）を添加したｉ型の窒化ガリウ
ム系化合物半導体Ｇa1-XＡX Ｎ（但しＡはＢ又はＩｎの
何れかの元素であり１＞ｘ≧０）層を作製することを特
徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方
法。 - 【請求項２】 前記マグネシウム（Ｍｇ）添加窒化ガリ
ウム系化合物半導体Ｇa1-XＡX Ｎ（但しＡはＢ又はＩｎ
の何れか元素であり１＞ｘ≧０）層に於て、添加するマ
グネシウム（Ｍｇ）のIII 族元素に対する濃度が1018cm
-3から２×10 20cm-3の範囲内である請求項１記載の窒化
ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法。 - 【請求項３】 作製した発光素子に於て、最も大きい光
強度を示す発光波長が430 ｎｍから480 ｎｍの範囲内で
あることを特徴とする請求項１記載の窒化ガリウム系化
合物半導体発光素子の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1303195A JP2767392B2 (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1303195A JP2767392B2 (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1076652A Division JPH069257B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07183577A true JPH07183577A (ja) | 1995-07-21 |
| JP2767392B2 JP2767392B2 (ja) | 1998-06-18 |
Family
ID=11821767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1303195A Expired - Lifetime JP2767392B2 (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2767392B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2745584A1 (fr) * | 1996-02-29 | 1997-09-05 | Futaba Denshi Kogyo Kk | Luminophore et son procede de fabrication |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH069257A (ja) * | 1991-12-27 | 1994-01-18 | Yamaha Corp | 人工大理石およびその製法 |
-
1995
- 1995-01-30 JP JP1303195A patent/JP2767392B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH069257A (ja) * | 1991-12-27 | 1994-01-18 | Yamaha Corp | 人工大理石およびその製法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2745584A1 (fr) * | 1996-02-29 | 1997-09-05 | Futaba Denshi Kogyo Kk | Luminophore et son procede de fabrication |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2767392B2 (ja) | 1998-06-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5929466A (en) | Semiconductor device and method of fabricating the same | |
| RU2315135C2 (ru) | Метод выращивания неполярных эпитаксиальных гетероструктур на основе нитридов элементов iii группы | |
| CN100532638C (zh) | 生长非极性面GaN薄膜材料的方法及其用途 | |
| EP0735598A2 (en) | Compound semiconductor light emitting device and method of preparing the same | |
| US5909040A (en) | Semiconductor device including quaternary buffer layer with pinholes | |
| CA2942999C (en) | Non-polar blue led epitaxial wafer based on lao substrate and preparation method thereof | |
| JPH07302929A (ja) | ３−５族化合物半導体と発光素子 | |
| JPH069257B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法 | |
| JP3100644B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP2773597B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
| JPH09251957A (ja) | ３−５族化合物半導体の製造方法 | |
| JPH069258B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法 | |
| US20060128122A1 (en) | Mbe growth of a semiconductor layer structure | |
| JPH09295890A (ja) | 半導体製造装置および半導体製造方法 | |
| JPH0940490A (ja) | 窒化ガリウム結晶の製造方法 | |
| JP2001156003A (ja) | Ｐ型窒化ガリウム系半導体の製造方法及びｐ型窒化ガリウム系半導体を用いた発光素子 | |
| JPH08293473A (ja) | エピタキシャルウェハおよび化合物半導体発光素子ならびにそれらの製造方法 | |
| JPH0997921A (ja) | ３−５族化合物半導体の製造方法 | |
| JPH09107124A (ja) | ３−５族化合物半導体の製造方法 | |
| JP2767392B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法 | |
| JP2916613B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法 | |
| US20040261693A1 (en) | Epitaxial structure and process of GaN based compound semiconductor | |
| JPH09148626A (ja) | ３−５族化合物半導体の製造方法 | |
| JPH07283436A (ja) | ３−５族化合物半導体と発光素子 | |
| JP3316406B2 (ja) | 窒化インジウムガリウム半導体の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |