JPH0718497A - 耐熱性ニッケル−タングステン系合金めっき皮膜及びその形成方法 - Google Patents
耐熱性ニッケル−タングステン系合金めっき皮膜及びその形成方法Info
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- JPH0718497A JPH0718497A JP18740293A JP18740293A JPH0718497A JP H0718497 A JPH0718497 A JP H0718497A JP 18740293 A JP18740293 A JP 18740293A JP 18740293 A JP18740293 A JP 18740293A JP H0718497 A JPH0718497 A JP H0718497A
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 めっき皮膜が高温領域にさらされても低温時
におけると同様な組織状態を保持する耐熱性ニッケル−
タングステン系合金めっき皮膜の提供及びその形成法の
提供。 【構成】 ニッケル−タングステン系合金めっき皮膜に
おいて，同めっき皮膜中にチタン金属微細粒子が，好ま
しくは１０〜４０％が均一に分散されてなるものであ
る。その形成方法は，ニッケルイオン及びタングステン
イオンを主成分として含み，かつチタン金属微細粒子を
懸濁・混有しためっき浴を使用して電気めっきを行う。
におけると同様な組織状態を保持する耐熱性ニッケル−
タングステン系合金めっき皮膜の提供及びその形成法の
提供。 【構成】 ニッケル−タングステン系合金めっき皮膜に
おいて，同めっき皮膜中にチタン金属微細粒子が，好ま
しくは１０〜４０％が均一に分散されてなるものであ
る。その形成方法は，ニッケルイオン及びタングステン
イオンを主成分として含み，かつチタン金属微細粒子を
懸濁・混有しためっき浴を使用して電気めっきを行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は耐熱性めっき皮膜及びそ
の形成法に関し，特に耐熱性ニッケル−タングステン系
合金めっき皮膜及びその形成法に関する。
の形成法に関し，特に耐熱性ニッケル−タングステン系
合金めっき皮膜及びその形成法に関する。
【０００２】
【従来の技術】今日の環境問題の高まりの中で有害なク
ロム酸を多量使用する工業用クロムめっきの代替えが求
められており，ニッケル−タングステン系合金めっきが
その代替えとして，最近有望視されている。ニッケル−
タングステン系合金めっきは常温において優れた耐食性
を有するとともに，ある程度の高温領域例えば２００〜
６００℃において耐摩耗性・離型性等が良好であるとさ
れている。
ロム酸を多量使用する工業用クロムめっきの代替えが求
められており，ニッケル−タングステン系合金めっきが
その代替えとして，最近有望視されている。ニッケル−
タングステン系合金めっきは常温において優れた耐食性
を有するとともに，ある程度の高温領域例えば２００〜
６００℃において耐摩耗性・離型性等が良好であるとさ
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述のごとく，ニッケ
ル−タングステン系合金めっき皮膜は溶融ガラスとの離
型性が良好なためガラス成形鋳型（使用温度約６００
℃）等へ適用されているが，高温領域（約１０００℃）
にさらされた場合においては図１に示すようにそれまで
合金を形成していたニッケルとタングステンが，図２に
示すように偏析し，組織が不均一化する。これは離型性
・耐摩耗性等の機械的性質の低下につながる。ところ
で，図１及び図２は前記ニッケル−タングステン系合金
めっき皮膜の電子線マイクロアナライザーによる金属組
織の断面図であり，電子線マイクロアナライザーを使用
して，ニッケル−タングステン系合金めっき皮膜の断面
のニッケルとタングステンの分布を観察したものであっ
て，図中の白点はニッケルあるいはタングステンがその
領域に存在することを示している。なお，図１は高温領
域（約１０００℃）にさらす前のニッケル−タングステ
ン系合金めっき皮膜で，ニッケル（図１（１））の存在
を示す白点とタングステン（図２（２））の存在を示す
白点がめっき皮膜中で均一に存在し，めっき皮膜中でニ
ッケルとタングステンが合金を形成し，組織が均一であ
ることを示している。次に，図２は高温領域（約１００
０℃）にさらした後のニッケル−タングステン系合金め
っき皮膜でニッケル（図２（１））が存在する領域にお
いて島状あるいは層状に白点が存在しない個所すなわち
ニッケルが存在しない個所が存在するのがわかる。ま
た，タングステン（図２（２））の分布を示す白点は高
温にさらす前のめっき皮膜（図１（２））で観察された
ように均一に存在するのではなく，島状あるいは層状に
存在し，その存在個所は図２(1) でニッケルが島状ある
いは層状に存在しない個所に分布していることを示して
いる。このことはニッケル−タングステン系合金めっき
皮膜が高温領域にさらされることにより，タングステン
が偏析し，組織が不均一化することを示している。
ル−タングステン系合金めっき皮膜は溶融ガラスとの離
型性が良好なためガラス成形鋳型（使用温度約６００
℃）等へ適用されているが，高温領域（約１０００℃）
にさらされた場合においては図１に示すようにそれまで
合金を形成していたニッケルとタングステンが，図２に
示すように偏析し，組織が不均一化する。これは離型性
・耐摩耗性等の機械的性質の低下につながる。ところ
で，図１及び図２は前記ニッケル−タングステン系合金
めっき皮膜の電子線マイクロアナライザーによる金属組
織の断面図であり，電子線マイクロアナライザーを使用
して，ニッケル−タングステン系合金めっき皮膜の断面
のニッケルとタングステンの分布を観察したものであっ
て，図中の白点はニッケルあるいはタングステンがその
領域に存在することを示している。なお，図１は高温領
域（約１０００℃）にさらす前のニッケル−タングステ
ン系合金めっき皮膜で，ニッケル（図１（１））の存在
を示す白点とタングステン（図２（２））の存在を示す
白点がめっき皮膜中で均一に存在し，めっき皮膜中でニ
ッケルとタングステンが合金を形成し，組織が均一であ
ることを示している。次に，図２は高温領域（約１００
０℃）にさらした後のニッケル−タングステン系合金め
っき皮膜でニッケル（図２（１））が存在する領域にお
いて島状あるいは層状に白点が存在しない個所すなわち
ニッケルが存在しない個所が存在するのがわかる。ま
た，タングステン（図２（２））の分布を示す白点は高
温にさらす前のめっき皮膜（図１（２））で観察された
ように均一に存在するのではなく，島状あるいは層状に
存在し，その存在個所は図２(1) でニッケルが島状ある
いは層状に存在しない個所に分布していることを示して
いる。このことはニッケル−タングステン系合金めっき
皮膜が高温領域にさらされることにより，タングステン
が偏析し，組織が不均一化することを示している。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記のような問
題点を解決するためになされたもので，めっき皮膜が高
温領域にさらされても，同皮膜中のタングステンが偏析
せず，組織が不均一化しないようにしたもので，高温領
域にさらされても低温時におけると同様な組織状態を保
持する耐熱性ニッケル−タングステン系合金めっき皮膜
及びその形成法を提供するものである。すなわち，本発
明は（１）ニッケル−タングステン系合金めっき皮膜に
おいて，同めっき皮膜中にチタン金属微細粒子が均一に
分散されてなることを特徴とする耐熱性ニッケル−タン
グステン系合金めっき皮膜，（２）ニッケル−タングス
テン系合金めっき皮膜中のタングステン含有量が２０〜
４０％であり，かつ同めっき皮膜中に１０〜４０％のチ
タン金属微細粒子が均一に分散されてなることを特徴と
する前記第１項記載の耐熱性ニッケル−タングステン系
合金めっき皮膜，（３）ニッケルイオン及びタングステ
ンイオンを主成分として含み，かつチタン金属微細粒子
を懸濁・混有しためっき浴を使用して電気めっきを行う
ことにより，被めっき体上に耐熱性を有するニッケル−
タングステン系合金めっき皮膜を形成することを特徴と
する耐熱性ニッケル−タングステン系合金めっき皮膜の
形成方法，（４）めっき浴が，ニッケルイオンを２．２
〜６６ｇ／１０００ｍｌ，タングステンイオンを５．６
〜５６ｇ／１０００ｍｌをそれぞれ含み，かつチタン金
属微細粒子を１〜１００ｇ／１０００ｍｌ懸濁・混有し
たものであることを特徴とする第３項記載の耐熱性ニッ
ケル−タングステン系合金めっき皮膜の形成法，及び
（５）電気めっき用の電源として，間欠的に電流を流す
パルス電源を使用することを特徴とする第３項又は第４
項に記載の耐熱性ニッケル−タングステン系合金めっき
皮膜の形成方法である。
題点を解決するためになされたもので，めっき皮膜が高
温領域にさらされても，同皮膜中のタングステンが偏析
せず，組織が不均一化しないようにしたもので，高温領
域にさらされても低温時におけると同様な組織状態を保
持する耐熱性ニッケル−タングステン系合金めっき皮膜
及びその形成法を提供するものである。すなわち，本発
明は（１）ニッケル−タングステン系合金めっき皮膜に
おいて，同めっき皮膜中にチタン金属微細粒子が均一に
分散されてなることを特徴とする耐熱性ニッケル−タン
グステン系合金めっき皮膜，（２）ニッケル−タングス
テン系合金めっき皮膜中のタングステン含有量が２０〜
４０％であり，かつ同めっき皮膜中に１０〜４０％のチ
タン金属微細粒子が均一に分散されてなることを特徴と
する前記第１項記載の耐熱性ニッケル−タングステン系
合金めっき皮膜，（３）ニッケルイオン及びタングステ
ンイオンを主成分として含み，かつチタン金属微細粒子
を懸濁・混有しためっき浴を使用して電気めっきを行う
ことにより，被めっき体上に耐熱性を有するニッケル−
タングステン系合金めっき皮膜を形成することを特徴と
する耐熱性ニッケル−タングステン系合金めっき皮膜の
形成方法，（４）めっき浴が，ニッケルイオンを２．２
〜６６ｇ／１０００ｍｌ，タングステンイオンを５．６
〜５６ｇ／１０００ｍｌをそれぞれ含み，かつチタン金
属微細粒子を１〜１００ｇ／１０００ｍｌ懸濁・混有し
たものであることを特徴とする第３項記載の耐熱性ニッ
ケル−タングステン系合金めっき皮膜の形成法，及び
（５）電気めっき用の電源として，間欠的に電流を流す
パルス電源を使用することを特徴とする第３項又は第４
項に記載の耐熱性ニッケル−タングステン系合金めっき
皮膜の形成方法である。
【０００５】本発明においては，めっき浴中にできるだ
け粒径の小さいチタン金属微細粒子を懸濁・混有せしめ
ることが好ましく，平均粒径が１２０μｍ以下のチタン
金属微細粒子，好ましくは平均粒径が２０〜５μｍのチ
タン金属微細粒子を懸濁・混有させる。めっき皮膜中の
チタン金属微細粒子の分散量は５０％以下，特に１０〜
４０％が好ましく，５０％以上の分散量では共析が非常
に困難であり，１０％以下では低温と同様な組織状態の
耐熱性ニッケル−タングステン系合金めっき皮膜を形成
することが困難になる。また，ニッケル−タングステン
系合金めっき皮膜中のタングステン含有量は２０〜４０
％が好ましい。さらに，めっきを行う際の電源は常法に
よる直流電源を使用することができるが，パルス電源を
用いることが好ましい。パルス電源としては，例えばパ
ルス電流密度（電流がオンの時に流れる電流密度）２〜
５０Ａ／ｄｍ２，パルスオン時間（電流が流れる時間）
０．１〜１００ミリ秒，パルスオフ時間（電流が遮断さ
れている時間）０．１〜１００ミリ秒のパルス条件のも
のを使用することができ，これでめっきすることにより
直流電源に比べて柔軟性のあるめっき皮膜を得ることが
可能となる。
け粒径の小さいチタン金属微細粒子を懸濁・混有せしめ
ることが好ましく，平均粒径が１２０μｍ以下のチタン
金属微細粒子，好ましくは平均粒径が２０〜５μｍのチ
タン金属微細粒子を懸濁・混有させる。めっき皮膜中の
チタン金属微細粒子の分散量は５０％以下，特に１０〜
４０％が好ましく，５０％以上の分散量では共析が非常
に困難であり，１０％以下では低温と同様な組織状態の
耐熱性ニッケル−タングステン系合金めっき皮膜を形成
することが困難になる。また，ニッケル−タングステン
系合金めっき皮膜中のタングステン含有量は２０〜４０
％が好ましい。さらに，めっきを行う際の電源は常法に
よる直流電源を使用することができるが，パルス電源を
用いることが好ましい。パルス電源としては，例えばパ
ルス電流密度（電流がオンの時に流れる電流密度）２〜
５０Ａ／ｄｍ２，パルスオン時間（電流が流れる時間）
０．１〜１００ミリ秒，パルスオフ時間（電流が遮断さ
れている時間）０．１〜１００ミリ秒のパルス条件のも
のを使用することができ，これでめっきすることにより
直流電源に比べて柔軟性のあるめっき皮膜を得ることが
可能となる。
【０００６】［手段の詳細な説明］ニッケル−タングス
テン系合金めっき皮膜において，高温領域におけるタン
グステンの偏析を防止し，低温と同様な組織状態の耐熱
性ニッケル−タングステン系合金めっき皮膜を得るため
に各種実験を行い，その中で本発明者はめっき皮膜中に
耐熱材料として使用されている，クロム，モリブデン，
コバルト，ニオブおよびチタンの各金属粒子をそれぞれ
めっき浴中に懸濁・混有させて電気めっきを行うことに
より，前記各種金属微細粒子を皮膜中に分散させて検討
を行った。その結果，チタン金属微細粒子を分散・混有
させたものだけが高温におけるタングステンの偏析防止
の効果があることを見い出した。そこで，本発明ではニ
ッケルイオンとタングステンイオンを主成分とするめっ
き浴中にチタン金属微細粒子を懸濁・混有しためっき浴
を使用して電気めっきを行うことにより，めっき皮膜中
にチタンを金属微細粒子として混有せしめる手法を研究
し開発した。なお，チタンを金属微細粒子として懸濁・
混有させる理由は，ニッケル−タングステン−チタンを
電気めっきにより同時に析出させることができないため
である。
テン系合金めっき皮膜において，高温領域におけるタン
グステンの偏析を防止し，低温と同様な組織状態の耐熱
性ニッケル−タングステン系合金めっき皮膜を得るため
に各種実験を行い，その中で本発明者はめっき皮膜中に
耐熱材料として使用されている，クロム，モリブデン，
コバルト，ニオブおよびチタンの各金属粒子をそれぞれ
めっき浴中に懸濁・混有させて電気めっきを行うことに
より，前記各種金属微細粒子を皮膜中に分散させて検討
を行った。その結果，チタン金属微細粒子を分散・混有
させたものだけが高温におけるタングステンの偏析防止
の効果があることを見い出した。そこで，本発明ではニ
ッケルイオンとタングステンイオンを主成分とするめっ
き浴中にチタン金属微細粒子を懸濁・混有しためっき浴
を使用して電気めっきを行うことにより，めっき皮膜中
にチタンを金属微細粒子として混有せしめる手法を研究
し開発した。なお，チタンを金属微細粒子として懸濁・
混有させる理由は，ニッケル−タングステン−チタンを
電気めっきにより同時に析出させることができないため
である。
【０００７】
【実施例】本発明を実施例によって具体的に説明する。
本実施例において使用した被めっき体は鉄製のものであ
り，チタン金属微細粒子を含むニッケル−タングステン
系合金めっき浴は硫酸ニッケル１０〜３００ｇ／１００
０ｍｌ，タングステン酸ナトリウム１０〜１００ｇ／１
０００ｍｌ，クエン酸２０〜３００ｇ／１０００ｍｌ，
アンモニア水でｐＨを５〜９に調整したものを基本浴と
して，粒径が約１０μｍのチタン金属微細粒子を１〜５
００ｇ／１０００ｍｌ懸濁・混有したものである。この
めっき浴の浴温は６０〜８０℃であり，使用した電流密
度は１〜１０Ａ／ｄｍ２であった。また，パルス電源は
パルス電流密度が１〜１００Ａ／ｄｍ２，パルスオン時
間１〜１００ミリ秒，パルスオフ時間１〜１００ミリ秒
の条件であった。これらの条件下でめっき作業を行った
結果，高温領域にさらされてもタングステンが偏析せ
ず，均一な組織が保持できる耐熱性ニッケル−タングス
テン系合金めっき皮膜を形成することが可能となった。
なお，膜厚２０〜１００μｍのめっき皮膜を得るのに要
しためっき時間は，３０〜５００分であった。 実施例１： ［めっき浴］ 硫酸ニッケル ７０ｇ／１０００ｍｌ タングステン酸ナトリウム ７０ｇ／１０００ｍｌ クエン酸 １００ｇ／１０００ｍｌ チタン金属微細粒子 １ｇ／１０００ｍｌ （粒径約１０μｍ） ｐＨ ６ 上記の各成分含有のめっき浴を使用して，撹拌しながら
浴温約７０℃で電流密度２．５Ａ／ｄｍ２の条件で１５
０分間めっき作業を行った。得られためっき皮膜は図３
に示したようなチタン金属微細粒子が均一に分散したも
のであり，その皮膜を１０００℃で１時間の高温に加熱
した場合は図４に示すごとく，ニッケル−タングステン
の組織は均一なものであった。なお，図３は得られため
っき皮膜の断面の電子顕微鏡写真であり，ニッケル−タ
ングステン合金めっき皮膜中にチタン金属微細粒子（黒
い粒の部分）が均一に分散していることを示している。
本実施例において使用した被めっき体は鉄製のものであ
り，チタン金属微細粒子を含むニッケル−タングステン
系合金めっき浴は硫酸ニッケル１０〜３００ｇ／１００
０ｍｌ，タングステン酸ナトリウム１０〜１００ｇ／１
０００ｍｌ，クエン酸２０〜３００ｇ／１０００ｍｌ，
アンモニア水でｐＨを５〜９に調整したものを基本浴と
して，粒径が約１０μｍのチタン金属微細粒子を１〜５
００ｇ／１０００ｍｌ懸濁・混有したものである。この
めっき浴の浴温は６０〜８０℃であり，使用した電流密
度は１〜１０Ａ／ｄｍ２であった。また，パルス電源は
パルス電流密度が１〜１００Ａ／ｄｍ２，パルスオン時
間１〜１００ミリ秒，パルスオフ時間１〜１００ミリ秒
の条件であった。これらの条件下でめっき作業を行った
結果，高温領域にさらされてもタングステンが偏析せ
ず，均一な組織が保持できる耐熱性ニッケル−タングス
テン系合金めっき皮膜を形成することが可能となった。
なお，膜厚２０〜１００μｍのめっき皮膜を得るのに要
しためっき時間は，３０〜５００分であった。 実施例１： ［めっき浴］ 硫酸ニッケル ７０ｇ／１０００ｍｌ タングステン酸ナトリウム ７０ｇ／１０００ｍｌ クエン酸 １００ｇ／１０００ｍｌ チタン金属微細粒子 １ｇ／１０００ｍｌ （粒径約１０μｍ） ｐＨ ６ 上記の各成分含有のめっき浴を使用して，撹拌しながら
浴温約７０℃で電流密度２．５Ａ／ｄｍ２の条件で１５
０分間めっき作業を行った。得られためっき皮膜は図３
に示したようなチタン金属微細粒子が均一に分散したも
のであり，その皮膜を１０００℃で１時間の高温に加熱
した場合は図４に示すごとく，ニッケル−タングステン
の組織は均一なものであった。なお，図３は得られため
っき皮膜の断面の電子顕微鏡写真であり，ニッケル−タ
ングステン合金めっき皮膜中にチタン金属微細粒子（黒
い粒の部分）が均一に分散していることを示している。
【０００８】また，図４は本実施例で得られためっき皮
膜を１０００℃で１時間の高温に加熱したものの電子線
マイクロアナライザーによる金属組織の断面図である。
電子線マイクロアナライザーを使用して１０００℃で
１時間の高温に加熱されためっき皮膜の断面のニッケル
（図４（１））とタングステン（図４（２））とチタン
金属微細粒子（図４（３））の分布を観察したものであ
り，図中の白点はニッケル，タングステン及びチタン金
属微細粒子がその領域に存在することを示している。ニ
ッケルの存在を示す白点はめっき皮膜中にほぼ均一に存
在し，図２に示すようにチタン金属微細粒子を混有しな
いめっき皮膜を１０００℃の高温に加熱した際に観察さ
れたタングステンの偏析が生じことなく，タングステン
と合金を形成してるのがわかる。なお，表面層の近傍で
層状にニッケルが存在しない箇所があるが，このニッケ
ルが存在しない箇所にはチタンが多く存在することが，
チタンの存在を示す白点の存在箇所よりわかる。チタン
の存在を示す白点は表面層の近くでニッケルが存在しな
い箇所に層状に存在するとともに，めっき皮膜中に均一
に分散している。タングステンの存在を示す白点はチタ
ンが存在する箇所にはあまり存在せず，１０００℃の高
温に加熱されてもタングステンとはあまり合金を形成し
ないことがわかる。
膜を１０００℃で１時間の高温に加熱したものの電子線
マイクロアナライザーによる金属組織の断面図である。
電子線マイクロアナライザーを使用して１０００℃で
１時間の高温に加熱されためっき皮膜の断面のニッケル
（図４（１））とタングステン（図４（２））とチタン
金属微細粒子（図４（３））の分布を観察したものであ
り，図中の白点はニッケル，タングステン及びチタン金
属微細粒子がその領域に存在することを示している。ニ
ッケルの存在を示す白点はめっき皮膜中にほぼ均一に存
在し，図２に示すようにチタン金属微細粒子を混有しな
いめっき皮膜を１０００℃の高温に加熱した際に観察さ
れたタングステンの偏析が生じことなく，タングステン
と合金を形成してるのがわかる。なお，表面層の近傍で
層状にニッケルが存在しない箇所があるが，このニッケ
ルが存在しない箇所にはチタンが多く存在することが，
チタンの存在を示す白点の存在箇所よりわかる。チタン
の存在を示す白点は表面層の近くでニッケルが存在しな
い箇所に層状に存在するとともに，めっき皮膜中に均一
に分散している。タングステンの存在を示す白点はチタ
ンが存在する箇所にはあまり存在せず，１０００℃の高
温に加熱されてもタングステンとはあまり合金を形成し
ないことがわかる。
【０００９】実施例２： ［めっき浴］ 硫酸ニッケル ７０ｇ／１０００ｍｌ タングステン酸ナトリウム ７０ｇ／１０００ｍｌ クエン酸 １００ｇ／１０００ｍｌ チタン金属微細粒子 ２００ｇ／１０００ｍｌ （粒径約１０μｍ） ｐＨ ６ 上記の各成分含有のめっき浴を使用して，撹拌しながら
浴温約７０℃で以下のパルス条件によりめっき作業を行
った。 ［パルス条件］ パルス電流密度 ５Ａ／ｄｍ２ パルスオン時間 １０ミリ秒 パルスオフ時間 １０ミリ秒 上記のめっき浴及びパルス条件で１５０分間めっき作業
を行った。得られためっき皮膜は図３に示したようなチ
タン金属微細粒子が均一に分散したものであり，１００
０℃で１時間の高温に加熱されたものにおいて図４に示
すごとく，ニッケル−タングステンの組織が均一なめっ
き皮膜が得られた。以上各実施例におけるチタン金属微
細粒子を混有したニッケル−タングステン系合金めっき
皮膜に１０００℃で１時間の熱処理を行ってもタングス
テンが偏析せず，図４に示すごとく，ニッケル−タング
ステンの組織が均一なめっき皮膜を形成することができ
る。
浴温約７０℃で以下のパルス条件によりめっき作業を行
った。 ［パルス条件］ パルス電流密度 ５Ａ／ｄｍ２ パルスオン時間 １０ミリ秒 パルスオフ時間 １０ミリ秒 上記のめっき浴及びパルス条件で１５０分間めっき作業
を行った。得られためっき皮膜は図３に示したようなチ
タン金属微細粒子が均一に分散したものであり，１００
０℃で１時間の高温に加熱されたものにおいて図４に示
すごとく，ニッケル−タングステンの組織が均一なめっ
き皮膜が得られた。以上各実施例におけるチタン金属微
細粒子を混有したニッケル−タングステン系合金めっき
皮膜に１０００℃で１時間の熱処理を行ってもタングス
テンが偏析せず，図４に示すごとく，ニッケル−タング
ステンの組織が均一なめっき皮膜を形成することができ
る。
【００１０】
【発明の効果】以上に説明したとおり，本発明のチタン
金属微細粒子を混有したニッケル−タングステン系合金
めっき皮膜は高温に加熱された場合においても組織の不
均一化が生じなく，ニッケル−タングステン系合金めっ
き皮膜の本来の特性を高温においても維持できる。さら
に，その形成方法はめっき浴中にチタン金属微細粒子を
懸濁・混有させた状態で電気めっきだけでよく，容易に
耐熱性ニッケル−タングステン系合金めっき皮膜を形成
することができる。
金属微細粒子を混有したニッケル−タングステン系合金
めっき皮膜は高温に加熱された場合においても組織の不
均一化が生じなく，ニッケル−タングステン系合金めっ
き皮膜の本来の特性を高温においても維持できる。さら
に，その形成方法はめっき浴中にチタン金属微細粒子を
懸濁・混有させた状態で電気めっきだけでよく，容易に
耐熱性ニッケル−タングステン系合金めっき皮膜を形成
することができる。
【図１】従来のニッケル−タングステン系合金めっき皮
膜の電子線マイクロアナライザーによる金属組織の断面
図である。
膜の電子線マイクロアナライザーによる金属組織の断面
図である。
【図２】従来のニッケル−タングステン系合金めっき皮
膜を高温領域にさらした後の電子線マイクロアナライザ
ーによる金属組織の断面図である。
膜を高温領域にさらした後の電子線マイクロアナライザ
ーによる金属組織の断面図である。
【図３】本発明実施例で得られためっき皮膜の金属組織
断面の電子顕微鏡写真である。
断面の電子顕微鏡写真である。
【図４】本発明実施例で得られためっき皮膜を１０００
℃で１時間の高温に加熱したものの電子線マイクロアナ
ライザーによる金属組織の断面図である。
℃で１時間の高温に加熱したものの電子線マイクロアナ
ライザーによる金属組織の断面図である。
Claims (5)
- 【請求項１】 ニッケル−タングステン系合金めっき皮
膜において，同めっき皮膜中にチタン金属微細粒子が均
一に分散されてなることを特徴とする耐熱性ニッケル−
タングステン系合金めっき皮膜。 - 【請求項２】 ニッケル−タングステン系合金めっき皮
膜中のタングステン含有量が２０〜４０％であり，かつ
同めっき皮膜中に１０〜４０％のチタン金属微細粒子が
均一に分散されてなることを特徴とする請求項１記載の
耐熱性ニッケル−タングステン系合金めっき皮膜。 - 【請求項３】 ニッケルイオン及びタングステンイオン
を主成分として含み，かつチタン金属微細粒子を懸濁・
混有しためっき浴を使用して電気めっきを行うことによ
り，被めっき体上に耐熱性を有するニッケル−タングス
テン系合金めっき皮膜を形成することを特徴とする耐熱
性ニッケル−タングステン系合金めっき皮膜の形成方
法。 - 【請求項４】 めっき浴が，ニッケルイオンを２．２〜
６６ｇ／１０００ｍｌ，タングステンイオンを５．６〜
５６ｇ／１０００ｍｌをそれぞれ含み，かつチタン金属
微細粒子を１〜１００ｇ／１０００ｍｌ懸濁・混有した
ものであることを特徴とする請求項３記載の耐熱性ニッ
ケル−タングステン系合金めっき皮膜の形成法。 - 【請求項５】 電気めっき用の電源として，間欠的に電
流を流すパルス電源を使用することを特徴とする請求項
３又は４に記載の耐熱性ニッケル−タングステン系合金
めっき皮膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5187402A JP2611626B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 耐熱性ニッケル−タングステン合金めっき皮膜及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5187402A JP2611626B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 耐熱性ニッケル−タングステン合金めっき皮膜及びその形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0718497A true JPH0718497A (ja) | 1995-01-20 |
| JP2611626B2 JP2611626B2 (ja) | 1997-05-21 |
Family
ID=16205407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5187402A Expired - Fee Related JP2611626B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 耐熱性ニッケル−タングステン合金めっき皮膜及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2611626B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012124711A1 (ja) * | 2011-03-15 | 2012-09-20 | 株式会社Ｌｅａｐ | 成形金型用Ｎｉ－Ｗ電鋳液、成形金型の製造方法、成形金型および成形品の製造方法 |
| US8438722B2 (en) | 2007-01-15 | 2013-05-14 | Hirata Corporation | Apparatus and method for detecting component attachment |
| JP2013185185A (ja) * | 2012-03-07 | 2013-09-19 | Shinshu Univ | Ｎｉ−Ｗ合金／ＣＮＴ複合めっき方法およびＮｉ−Ｗ合金／ＣＮＴ複合めっき液 |
| CN110079840A (zh) * | 2019-04-26 | 2019-08-02 | 山东金宝电子股份有限公司 | 一种提高铜箔高温防氧化性能的表面处理混合添加剂 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60135593A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-18 | Shimizu Shoji Kk | Ｎｉ―Ｗ合金連続めつき方法およびその装置 |
| JPH02259099A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-19 | Suzuki Motor Co Ltd | メッキ皮膜 |
| JPH03260091A (ja) * | 1990-03-09 | 1991-11-20 | Riken Corp | 内燃機関 |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP5187402A patent/JP2611626B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60135593A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-18 | Shimizu Shoji Kk | Ｎｉ―Ｗ合金連続めつき方法およびその装置 |
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| US8438722B2 (en) | 2007-01-15 | 2013-05-14 | Hirata Corporation | Apparatus and method for detecting component attachment |
| WO2012124711A1 (ja) * | 2011-03-15 | 2012-09-20 | 株式会社Ｌｅａｐ | 成形金型用Ｎｉ－Ｗ電鋳液、成形金型の製造方法、成形金型および成形品の製造方法 |
| JP2012193395A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Kanagawa Prefecture | 成形金型用Ｎｉ−Ｗ電鋳液、成形金型の製造方法、成形金型および成形品の製造方法 |
| JP2013185185A (ja) * | 2012-03-07 | 2013-09-19 | Shinshu Univ | Ｎｉ−Ｗ合金／ＣＮＴ複合めっき方法およびＮｉ−Ｗ合金／ＣＮＴ複合めっき液 |
| CN110079840A (zh) * | 2019-04-26 | 2019-08-02 | 山东金宝电子股份有限公司 | 一种提高铜箔高温防氧化性能的表面处理混合添加剂 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2611626B2 (ja) | 1997-05-21 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |