JPH0718663B2 - 炉内の清浄化方法 - Google Patents
炉内の清浄化方法Info
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- JPH0718663B2 JPH0718663B2 JP23334388A JP23334388A JPH0718663B2 JP H0718663 B2 JPH0718663 B2 JP H0718663B2 JP 23334388 A JP23334388 A JP 23334388A JP 23334388 A JP23334388 A JP 23334388A JP H0718663 B2 JPH0718663 B2 JP H0718663B2
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- furnace
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- firing
- glass composition
- purification plate
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Links
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Landscapes
- Furnace Details (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はマッフル炉、雰囲気炉等の焼成炉の内部でプリ
ントした基板等の焼成を行うに先立ち、炉内の雰囲気を
清浄化するために行われる炉内の清浄化方法に関するも
のである。
ントした基板等の焼成を行うに先立ち、炉内の雰囲気を
清浄化するために行われる炉内の清浄化方法に関するも
のである。
（従来の技術） セラミックグリーンシート上に電子回路をプリントした
プリントした基板やハイブリッドIC基板等を焼成するた
めには、従来から各種の焼成炉が使用されているが、近
年の高集積化が進んだプリント基板等を焼成する際には
炉内雰囲気中に存在するわずかな異物が製品表面に付着
しても不良品となるおそれがある。このような炉内の異
物としては、メッシュベルトや炉内の金属部分から発生
する金属粉（酸化スケール）が主なものであり、炉の立
ち上がり時に最も多く発生する。このため焼成炉を異物
発生のおそれの少ないマッフル炉としたり、メッシュベ
ルトをリターン部において超音波洗浄する工夫がなされ
ているが、清浄度の保持が困難であり、また高温下にお
ける清浄度の評価ができないこともあって十分な成果が
得られていない。更にまた最近では異物発生のおそれの
ないセラミックベルトを使用した炉も開発されている
が、極めて高価な炉となるために未だ普及していないの
が実情である。
プリントした基板やハイブリッドIC基板等を焼成するた
めには、従来から各種の焼成炉が使用されているが、近
年の高集積化が進んだプリント基板等を焼成する際には
炉内雰囲気中に存在するわずかな異物が製品表面に付着
しても不良品となるおそれがある。このような炉内の異
物としては、メッシュベルトや炉内の金属部分から発生
する金属粉（酸化スケール）が主なものであり、炉の立
ち上がり時に最も多く発生する。このため焼成炉を異物
発生のおそれの少ないマッフル炉としたり、メッシュベ
ルトをリターン部において超音波洗浄する工夫がなされ
ているが、清浄度の保持が困難であり、また高温下にお
ける清浄度の評価ができないこともあって十分な成果が
得られていない。更にまた最近では異物発生のおそれの
ないセラミックベルトを使用した炉も開発されている
が、極めて高価な炉となるために未だ普及していないの
が実情である。
（発明が解決しようとする課題） 本発明は上記したような従来の問題点を解決して、炉内
の異物が焼成されるプリント基板やハイブリットIC基板
等に付着することを比較的低コストの手段によって防止
することができる炉内の清浄化方法を目的とて完成され
ものである。
の異物が焼成されるプリント基板やハイブリットIC基板
等に付着することを比較的低コストの手段によって防止
することができる炉内の清浄化方法を目的とて完成され
ものである。
（課題を解決するための手段） 本発明は、焼成炉の内部でセラミックグリーンシート上
に電子回路をプリントした基板の焼成を行うに先立ち、
焼成温度よりも100〜200℃低い屈伏点を持つガラス組成
物をセラミック基板上に25〜100μｍの厚さにコーティ
ングした浄化プレートを炉内に流し、炉内の異物を浄化
プレートの軟化した表面に付着させて除去することを特
徴とするものである。
に電子回路をプリントした基板の焼成を行うに先立ち、
焼成温度よりも100〜200℃低い屈伏点を持つガラス組成
物をセラミック基板上に25〜100μｍの厚さにコーティ
ングした浄化プレートを炉内に流し、炉内の異物を浄化
プレートの軟化した表面に付着させて除去することを特
徴とするものである。
本発明においては、アルミナ等のセラミック基板上にガ
ラス組成物をコーティングした浄化プレートが用いられ
る。ガラス組成物としては実際の焼成温度において適度
な粘性を保つことができるように、焼成温度よりも100
〜200℃低い屈伏点を持つ組成が選択される。ここで屈
伏点とは、ガラスの粘度が温度とともに低くなり、荷重
により粘性流動を起こして見掛け上、膨張がとまって逆
に収縮しているように見えるのであるが、この収縮の始
まる温度のことをいう。そして、前記ガラス組成物の好
ましい組成範囲は、SiO2 45〜60％（重量％、以下同
じ）、Al2O3 5〜12％、CaO 5〜15％、BaO 0〜30％、K2O
0〜４％、B2O3 0〜10％、MgO 0〜10％、NnO 0〜５％、
SrO 0.5〜５％である。ここでK2O、B2O3は粘性を下げる
効果を有する成分であり、ZnOは耐化学性の向上を寄与
する成分である。またMgO、SrOは表面張力を下げて平滑
な溶融表面を得るための成分である。このようなガラス
組成物はK2O、B2O3、SrO等の含有率を調整することによ
って焼成温度よりも100〜200℃低い屈伏点を持つように
調整され、焼成温度まで加熱されると表面が溶融し、異
物を付着させるに適した粘度を持つようになる。ガラス
組成物の屈伏点が焼成温度よりも200℃以上低いと焼成
温度に加熱された場合の粘性が不足し、セラミック基板
から流れ落ちて炉内やメッシュベルト等を汚すおそれが
ある。またガラス組成物の屈伏点と焼成温度との差が10
℃未満であると、焼成温度まで加熱された場合の粘性が
大きく、異物が十分に付着させることができなくなる。
このほか、ガラス組成物とセラミック基板との熱膨脹係
数をほぼ等しくしておくことが必要である。両者の熱膨
脹係数の差が大きいと炉内を流したときにガラスにクラ
ックが入って破片が飛散し、却って炉内の異物となるお
それがある。
ラス組成物をコーティングした浄化プレートが用いられ
る。ガラス組成物としては実際の焼成温度において適度
な粘性を保つことができるように、焼成温度よりも100
〜200℃低い屈伏点を持つ組成が選択される。ここで屈
伏点とは、ガラスの粘度が温度とともに低くなり、荷重
により粘性流動を起こして見掛け上、膨張がとまって逆
に収縮しているように見えるのであるが、この収縮の始
まる温度のことをいう。そして、前記ガラス組成物の好
ましい組成範囲は、SiO2 45〜60％（重量％、以下同
じ）、Al2O3 5〜12％、CaO 5〜15％、BaO 0〜30％、K2O
0〜４％、B2O3 0〜10％、MgO 0〜10％、NnO 0〜５％、
SrO 0.5〜５％である。ここでK2O、B2O3は粘性を下げる
効果を有する成分であり、ZnOは耐化学性の向上を寄与
する成分である。またMgO、SrOは表面張力を下げて平滑
な溶融表面を得るための成分である。このようなガラス
組成物はK2O、B2O3、SrO等の含有率を調整することによ
って焼成温度よりも100〜200℃低い屈伏点を持つように
調整され、焼成温度まで加熱されると表面が溶融し、異
物を付着させるに適した粘度を持つようになる。ガラス
組成物の屈伏点が焼成温度よりも200℃以上低いと焼成
温度に加熱された場合の粘性が不足し、セラミック基板
から流れ落ちて炉内やメッシュベルト等を汚すおそれが
ある。またガラス組成物の屈伏点と焼成温度との差が10
℃未満であると、焼成温度まで加熱された場合の粘性が
大きく、異物が十分に付着させることができなくなる。
このほか、ガラス組成物とセラミック基板との熱膨脹係
数をほぼ等しくしておくことが必要である。両者の熱膨
脹係数の差が大きいと炉内を流したときにガラスにクラ
ックが入って破片が飛散し、却って炉内の異物となるお
それがある。
このようなガラス組成物はセラミック基板上に25〜100
μｍの厚さにコーティングされる。この厚みが25μｍよ
り薄いとガラスの表面張力及びセラミック基板との反応
により失透するおそれがあり、異物の付着や清浄度の評
価等が不可能となる。逆に100μｍよりも厚い場合には
製造コストが高くなるうえ、異物を付着させる効果は変
化しないので不経済となる。
μｍの厚さにコーティングされる。この厚みが25μｍよ
り薄いとガラスの表面張力及びセラミック基板との反応
により失透するおそれがあり、異物の付着や清浄度の評
価等が不可能となる。逆に100μｍよりも厚い場合には
製造コストが高くなるうえ、異物を付着させる効果は変
化しないので不経済となる。
本発明においては、以上に説明したガラス組成物がコー
ティングされた浄化プレートを、プリントした基板やハ
イブリッドIC基板等の焼成に先立ち炉内に流す。このと
き炉内は実際の焼成温度にまで昇温しておくものとす
る。このように浄化プレートを炉内に流せば、浄化プレ
ートの表面のガラス組成物は軟化溶融し、炉内の雰囲気
中の異物をその表面に付着させる。従って一定量の浄化
プレートを流せば炉内の異物はかなり除去されることと
なる。またこれとともに、高温の炉内にどの程度の異物
が浮遊しているかを正しく評価することも可能となり、
特に高温時にのみ発生する異物の評価や除去が可能とな
る。次に本発明の好ましい実施例を示す。
ティングされた浄化プレートを、プリントした基板やハ
イブリッドIC基板等の焼成に先立ち炉内に流す。このと
き炉内は実際の焼成温度にまで昇温しておくものとす
る。このように浄化プレートを炉内に流せば、浄化プレ
ートの表面のガラス組成物は軟化溶融し、炉内の雰囲気
中の異物をその表面に付着させる。従って一定量の浄化
プレートを流せば炉内の異物はかなり除去されることと
なる。またこれとともに、高温の炉内にどの程度の異物
が浮遊しているかを正しく評価することも可能となり、
特に高温時にのみ発生する異物の評価や除去が可能とな
る。次に本発明の好ましい実施例を示す。
（実施例） 80mm×250mm×1.0mmｔのアルミナ質のセラミック基板
（Al2O3 96％以上含有）の表面に、SiO2 50％、Al2O3 6
％、CaO 9％、BaO 20％、K2O 2％、B2O3 6％、MgO 5
％、ZnO 1％、SrO 1％のガラス組成物（転移点675℃、
屈伏点740℃、軟化点815℃）を60μｍの厚みにコーティ
ングした浄化プレートを多数枚製作しておき、850℃×3
0分の焼成条件に設定された炉内に連結して10枚を流し
た。
（Al2O3 96％以上含有）の表面に、SiO2 50％、Al2O3 6
％、CaO 9％、BaO 20％、K2O 2％、B2O3 6％、MgO 5
％、ZnO 1％、SrO 1％のガラス組成物（転移点675℃、
屈伏点740℃、軟化点815℃）を60μｍの厚みにコーティ
ングした浄化プレートを多数枚製作しておき、850℃×3
0分の焼成条件に設定された炉内に連結して10枚を流し
た。
その結果、10枚のすべての浄化プレートの表面に異物の
付着が認められ、異物の個数は合計で19個、異物のサイ
ズは10μm2個、30μm1個、50μm3個、70μm4個、90μm6
個、110μm3個であった。またこれらの浄化プレートに
続けてプリント基板を流して焼成を行ったところ、異物
付着による不良率が従来は約30％であったのに対し、７
％程度と1/4以下にまで低下した。
付着が認められ、異物の個数は合計で19個、異物のサイ
ズは10μm2個、30μm1個、50μm3個、70μm4個、90μm6
個、110μm3個であった。またこれらの浄化プレートに
続けてプリント基板を流して焼成を行ったところ、異物
付着による不良率が従来は約30％であったのに対し、７
％程度と1/4以下にまで低下した。
（発明の効果） 本発明は以上に説明したように、炉内の異物を除去する
に適したものであり、また高温時における異物発生状況
を評価するためにも有効な方法である。しかも本発明に
よればセラミック基板の表面にガラス組成物をコーティ
ングした浄化プレートを流すのみでよいので経済的であ
り、また浄化プレートは何度も繰返して使用できる利点
がある。更に本発明によれば、炉内に浄化プレートを流
すことによって被焼成品であるプリント基板やハイブリ
ット基板等のダミーとしての役割を演じさせ、炉内の温
度の安定化を図ることができる利点もある。よって本発
明は従来の問題点を一掃した炉内の清浄化方法として、
産業の発展に寄与するところ極めて大である。
に適したものであり、また高温時における異物発生状況
を評価するためにも有効な方法である。しかも本発明に
よればセラミック基板の表面にガラス組成物をコーティ
ングした浄化プレートを流すのみでよいので経済的であ
り、また浄化プレートは何度も繰返して使用できる利点
がある。更に本発明によれば、炉内に浄化プレートを流
すことによって被焼成品であるプリント基板やハイブリ
ット基板等のダミーとしての役割を演じさせ、炉内の温
度の安定化を図ることができる利点もある。よって本発
明は従来の問題点を一掃した炉内の清浄化方法として、
産業の発展に寄与するところ極めて大である。
Claims (1)
- 【請求項１】焼成炉の内部でセラミックグリーンシート
上に電子回路をプリントした基板の焼成を行うに先立
ち、焼成温度よりも100〜200℃低い屈伏点を持つガラス
組成物をセラミック基板上に25〜100μｍの厚さにコー
ティングした浄化プレートを炉内に流し、炉内の異物を
浄化プレートの軟化した表面に付着させて除去すること
を特徴とする炉内の清浄化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23334388A JPH0718663B2 (ja) | 1988-09-17 | 1988-09-17 | 炉内の清浄化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23334388A JPH0718663B2 (ja) | 1988-09-17 | 1988-09-17 | 炉内の清浄化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0282089A JPH0282089A (ja) | 1990-03-22 |
| JPH0718663B2 true JPH0718663B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=16953661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23334388A Expired - Lifetime JPH0718663B2 (ja) | 1988-09-17 | 1988-09-17 | 炉内の清浄化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0718663B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4718978B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2011-07-06 | クロイ電機株式会社 | 放熱板及び放熱用回路基板 |
| CN114635021A (zh) * | 2022-03-11 | 2022-06-17 | 中国航发北京航空材料研究院 | 一种净化高温合金叶片真空热处理炉的方法 |
-
1988
- 1988-09-17 JP JP23334388A patent/JPH0718663B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0282089A (ja) | 1990-03-22 |
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