JPH07187769A - Ｉｔｏ焼結体、ターゲット、蒸着用ペレット、それらを用いて形成した膜および表示素子 - Google Patents
Ｉｔｏ焼結体、ターゲット、蒸着用ペレット、それらを用いて形成した膜および表示素子Info
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- JPH07187769A JPH07187769A JP5334036A JP33403693A JPH07187769A JP H07187769 A JPH07187769 A JP H07187769A JP 5334036 A JP5334036 A JP 5334036A JP 33403693 A JP33403693 A JP 33403693A JP H07187769 A JPH07187769 A JP H07187769A
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- sintered body
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Abstract
(57)【要約】
【構成】インジウム、錫および酸素を主成分としてな
り、炭素、窒素、ホウ素から選ばれた元素を少なくとも
一種添加したことを特徴とするＩＴＯ膜。 【効果】微細加工性を有するＩＴＯ膜を用いることによ
り、液晶ディスプレイの大型化ならびに高精細化に対応
した表示素子を提供することができる。
り、炭素、窒素、ホウ素から選ばれた元素を少なくとも
一種添加したことを特徴とするＩＴＯ膜。 【効果】微細加工性を有するＩＴＯ膜を用いることによ
り、液晶ディスプレイの大型化ならびに高精細化に対応
した表示素子を提供することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はインジウム、錫および酸
素を主成分としてなり、炭素、窒素、ホウ素から選ばれ
た元素を少なくとも一種添加したことを特徴とするＩＴ
Ｏ焼結体、このＩＴＯ焼結体を用いたＩＴＯターゲッ
ト、蒸着用ペレット、それらを用いて形成したＩＴＯ
膜、さらにそのＩＴＯ膜を用いて形成した表示素子に関
する。
素を主成分としてなり、炭素、窒素、ホウ素から選ばれ
た元素を少なくとも一種添加したことを特徴とするＩＴ
Ｏ焼結体、このＩＴＯ焼結体を用いたＩＴＯターゲッ
ト、蒸着用ペレット、それらを用いて形成したＩＴＯ
膜、さらにそのＩＴＯ膜を用いて形成した表示素子に関
する。
【０００２】
【従来の技術】良好な導電性と可視光透過性をもつイン
ジウム（Ｉｎ）−錫（Ｓｎ）酸化物（以下ＩＴＯとい
う）膜は、液晶ディスプレイの透明電極膜など各種透明
電極膜として広く用いられている。そして、このＩＴＯ
膜のガラス基板などの被成膜体上への成膜方法として
は、ＩＴＯ焼結体をターゲットとして酸素雰囲気中で反
応性スパッタリング法により成膜する方法が広く採用さ
れている。
ジウム（Ｉｎ）−錫（Ｓｎ）酸化物（以下ＩＴＯとい
う）膜は、液晶ディスプレイの透明電極膜など各種透明
電極膜として広く用いられている。そして、このＩＴＯ
膜のガラス基板などの被成膜体上への成膜方法として
は、ＩＴＯ焼結体をターゲットとして酸素雰囲気中で反
応性スパッタリング法により成膜する方法が広く採用さ
れている。
【０００３】近年、液晶ディスプレイの画素の高密度
化、電極配線の微細化に伴い、ＩＴＯ膜には、従来以上
に微細加工性が良好であることが強く求められている。
ＩＴＯ膜の微細加工は、一般的には塩酸、硝酸等の酸溶
液等を用いたウエットエッチング法により行う。
化、電極配線の微細化に伴い、ＩＴＯ膜には、従来以上
に微細加工性が良好であることが強く求められている。
ＩＴＯ膜の微細加工は、一般的には塩酸、硝酸等の酸溶
液等を用いたウエットエッチング法により行う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、通常の
ウエットエッチング法の場合、エッチング液と膜との反
応の進み方が膜の結晶粒界面において律速であるため、
膜の結晶粒の大きさが微細加工性を左右する上、結晶粒
のばらつきや、液濃度・液成分比の溶解反応中の経時変
化等の要因によるエッチング速度の低下が、加工形状の
制御性に悪影響を及ぼすという欠点がある。一方、今
後、ますます液晶ディスプレイは大型化・高精細化が進
み、これまで以上に高精度な微細加工性が要求されるた
め、従来法では対応が困難になってきている。また、高
精度加工に適した方法としてドライエッチング法が検討
されているが、装置が高価な上、ダメージが入りやすい
という欠点がある。本発明は、従来のウエットエッチン
グ法による工程を変更することなく、高精度な微細加工
を高効率に行うことを目的とする。
ウエットエッチング法の場合、エッチング液と膜との反
応の進み方が膜の結晶粒界面において律速であるため、
膜の結晶粒の大きさが微細加工性を左右する上、結晶粒
のばらつきや、液濃度・液成分比の溶解反応中の経時変
化等の要因によるエッチング速度の低下が、加工形状の
制御性に悪影響を及ぼすという欠点がある。一方、今
後、ますます液晶ディスプレイは大型化・高精細化が進
み、これまで以上に高精度な微細加工性が要求されるた
め、従来法では対応が困難になってきている。また、高
精度加工に適した方法としてドライエッチング法が検討
されているが、装置が高価な上、ダメージが入りやすい
という欠点がある。本発明は、従来のウエットエッチン
グ法による工程を変更することなく、高精度な微細加工
を高効率に行うことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段および作用】本発明のＩＴ
Ｏ焼結体は、インジウム、錫および酸素を主成分として
なり、炭素、窒素、ホウ素から選ばれた元素を少なくと
も一種、添加したことを特徴とするものである。また、
さらに本発明の別の発明であるＩＴＯターゲットは、イ
ンジウム、錫および酸素を主成分としてなり、炭素、窒
素、ホウ素から選ばれた元素を少なくとも一種、添加し
たことを特徴とするものである。また、本発明のＩＴＯ
膜は、上記ＩＴＯターゲットを用いて形成されたことを
特徴とするものである。さらに本発明のＩＴＯ表示素子
は、上記ＩＴＯ膜を用いて形成されたことを特徴とする
ものである。
Ｏ焼結体は、インジウム、錫および酸素を主成分として
なり、炭素、窒素、ホウ素から選ばれた元素を少なくと
も一種、添加したことを特徴とするものである。また、
さらに本発明の別の発明であるＩＴＯターゲットは、イ
ンジウム、錫および酸素を主成分としてなり、炭素、窒
素、ホウ素から選ばれた元素を少なくとも一種、添加し
たことを特徴とするものである。また、本発明のＩＴＯ
膜は、上記ＩＴＯターゲットを用いて形成されたことを
特徴とするものである。さらに本発明のＩＴＯ表示素子
は、上記ＩＴＯ膜を用いて形成されたことを特徴とする
ものである。
【０００６】本発明において、本願発明者らはＩＴＯ膜
のエッチング性に関して鋭意研究した結果、蒸着用焼結
体またはＩＴＯターゲットに、炭素、窒素、ホウ素から
選ばれた元素を少なくとも一種、添加するとＩＴＯ膜の
ウエットエッチング法による微細加工性が向上すること
を初めて見い出した。これはターゲットに炭素、窒素、
ホウ素から選ばれた元素を少なくとも一種、添加させる
ことにより、スパッタ膜の結晶粒界に各添加元素が均一
に分散してエッチング性を高め、同時に結晶粒の粗大化
を抑制してエッチング精度を向上させる役割を果たすた
めであると考えられる。
のエッチング性に関して鋭意研究した結果、蒸着用焼結
体またはＩＴＯターゲットに、炭素、窒素、ホウ素から
選ばれた元素を少なくとも一種、添加するとＩＴＯ膜の
ウエットエッチング法による微細加工性が向上すること
を初めて見い出した。これはターゲットに炭素、窒素、
ホウ素から選ばれた元素を少なくとも一種、添加させる
ことにより、スパッタ膜の結晶粒界に各添加元素が均一
に分散してエッチング性を高め、同時に結晶粒の粗大化
を抑制してエッチング精度を向上させる役割を果たすた
めであると考えられる。
【０００７】本発明において、タ−ゲットの成分は、炭
素含有量が0.005%〜3%、窒素含有量が0.1%〜5%、ホウ素
含有量が0.001%〜10% の範囲とすることが好ましい。炭
素が0.005%未満、窒素が0.1%未満、ホウ素が0.001%未満
であると添加効果が不十分であり、また炭素が3%、窒素
が5%、ホウ素が10% をそれぞれ超えると、過剰な添加元
素の存在によりキャリア電子の移動が結晶粒界において
阻害され、その結果、膜の電気抵抗率が悪化するためで
ある。
素含有量が0.005%〜3%、窒素含有量が0.1%〜5%、ホウ素
含有量が0.001%〜10% の範囲とすることが好ましい。炭
素が0.005%未満、窒素が0.1%未満、ホウ素が0.001%未満
であると添加効果が不十分であり、また炭素が3%、窒素
が5%、ホウ素が10% をそれぞれ超えると、過剰な添加元
素の存在によりキャリア電子の移動が結晶粒界において
阻害され、その結果、膜の電気抵抗率が悪化するためで
ある。
【０００８】また、本発明のタ−ゲットに含まれる成分
としては、膜の結晶粒の粗大化を抑制するために、Ｌ
ｉ，Ｍｇ，Ｓ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｚｒ，Ｐｄ，Ｓ
ｂ，Ｔｅのようなインジウムや錫と金属間化合物を生成
する元素を添加してもよい。さらにその他の元素でも、
結晶粒の粗大化を抑制する効果があり、若しくは結晶粒
界に析出してエッチンッグ性を向上させる効果のある元
素であれば添加してもよい。
としては、膜の結晶粒の粗大化を抑制するために、Ｌ
ｉ，Ｍｇ，Ｓ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｚｒ，Ｐｄ，Ｓ
ｂ，Ｔｅのようなインジウムや錫と金属間化合物を生成
する元素を添加してもよい。さらにその他の元素でも、
結晶粒の粗大化を抑制する効果があり、若しくは結晶粒
界に析出してエッチンッグ性を向上させる効果のある元
素であれば添加してもよい。
【０００９】本発明のＩＴＯ焼結体の製造方法は特に限
定されるものではないが、例えば公知の方法であるホッ
トプレス焼結法を用いる場合は、インジウム酸化物と錫
酸化物、および炭素、ホウ素から選ばれた元素の少なく
とも一種の元素粉末を混合し、得られた混合粉末を850
〜980 ℃の温度、 200〜300kg/cm2 の圧力で加圧焼結を
行えばよい。温度が850 ℃以下であると焼結が不十分で
あり、980 ℃以上であるとインジウム酸化物の分解・溶
解がおこるため好ましくない。また、圧力は高いほど結
晶間隔が狭まるため良好な成膜結果となるが、使用する
黒鉛等のモールド型の耐久性を考慮すると200 〜300kg/
cm2 が最適である。あるいは、上記の混合粉末をコール
ドプレス等により成型し、この成型体を還元性ガス以外
の雰囲気中等で1200〜1450℃の温度に加熱して焼結させ
る方法等がある。また、窒素を焼結体中に含有させるた
めには、上記の方法の焼結雰囲気を窒素含有雰囲気で行
う。いずれの方法においても、請求項１記載の焼結体が
得られればよい。そして、得られたＩＴＯ焼結体を意図
するターゲット形状に機械加工を施し、銅等のバッキン
グプレ−トへボンディングする。本発明のＩＴＯ焼結体
は、ターゲットとしても使用できるが、さらにＩＴＯ蒸
着用タブレットなどへ適用しても、優れたＩＴＯ膜が得
られる。
定されるものではないが、例えば公知の方法であるホッ
トプレス焼結法を用いる場合は、インジウム酸化物と錫
酸化物、および炭素、ホウ素から選ばれた元素の少なく
とも一種の元素粉末を混合し、得られた混合粉末を850
〜980 ℃の温度、 200〜300kg/cm2 の圧力で加圧焼結を
行えばよい。温度が850 ℃以下であると焼結が不十分で
あり、980 ℃以上であるとインジウム酸化物の分解・溶
解がおこるため好ましくない。また、圧力は高いほど結
晶間隔が狭まるため良好な成膜結果となるが、使用する
黒鉛等のモールド型の耐久性を考慮すると200 〜300kg/
cm2 が最適である。あるいは、上記の混合粉末をコール
ドプレス等により成型し、この成型体を還元性ガス以外
の雰囲気中等で1200〜1450℃の温度に加熱して焼結させ
る方法等がある。また、窒素を焼結体中に含有させるた
めには、上記の方法の焼結雰囲気を窒素含有雰囲気で行
う。いずれの方法においても、請求項１記載の焼結体が
得られればよい。そして、得られたＩＴＯ焼結体を意図
するターゲット形状に機械加工を施し、銅等のバッキン
グプレ−トへボンディングする。本発明のＩＴＯ焼結体
は、ターゲットとしても使用できるが、さらにＩＴＯ蒸
着用タブレットなどへ適用しても、優れたＩＴＯ膜が得
られる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明を実施例によって詳細に説明す
る。 実施例１ 重量％でインジウム酸化物（平均粉末粒径1.0 μｍ）9
0.0% と錫酸化物（平均粉末粒径0.8 μｍ）9.5%とさら
に全重量の0.5%の炭素粉末（平均粉末粒径0.1 μｍ）を
ボールミルにより混合し、得られた混合粉末を、アルゴ
ン雰囲気中（雰囲気圧力 8×105 Pa）、900 ℃の温度、
250kg/cm2 の圧力で加圧焼結して、ＩＴＯ焼結体を得
た。この焼結体を研削加工し、ターゲットを得た。得ら
れたＩＴＯターゲットを用い、アルゴン−酸素雰囲気
中、スパッタ圧力 0.8Paにて、250 ℃に加熱した400 ×
400 ×1(mm) のガラス基板上にスパッタリング成膜し、
ＩＴＯ膜を得た。この膜を、組成比ＨＣｌ：ＮＨＯ3 ：
Ｈ2 Ｏ＝20:1:10 に混合し、液温30℃にしたエッチング
液に一定時間浸漬し、各エッチング時間に対する膜べり
量をエッチング深さとして触針式段差計TALYSTEPで測定
した。また、Ｘ線回折による結晶粒径の測定を行った。 実施例２ 重量％でインジウム酸化物（平均粉末粒径 1.0μｍ）9
0.0% と錫酸化物（平均粉末粒径0.8 μｍ）9.0%とさら
に全重量の1.0%の炭素粉末（平均粉末粒径0.1 μｍ）を
ボールミルにより混合し、得られた混合粉末を使用し
て、実施例１と同様な製造方法によりＩＴＯタ−ゲット
を得た。そして、このＩＴＯタ−ゲットを用いて実施例
１と同様な方法で成膜し、得られたＩＴＯ膜を実施例１
と同様にエッチングした。 実施例３ 重量％でインジウム酸化物（平均粉末粒径1.0 μｍ）90
％と錫酸化物（平均粉末粒径0.8 μｍ）10％をボールミ
ルにより混合し、得られた混合粉末を、窒素雰囲気中
（雰囲気圧力 6×105 Pa）、900 ℃の温度、300kg/cm2
の圧力で加圧焼結し、ＩＴＯ焼結体を得た。そして、こ
の焼結体を研削加工し、ターゲットを得た。得られたＩ
ＴＯターゲットを用いて実施例１と同様な方法で成膜
し、得られたＩＴＯ膜を実施例１と同様にエッチングし
た。 実施例４ 炉内の窒素雰囲気圧力を 9×105 Paとした場合につい
て、雰囲気圧力以外は実施例３と同様な製造方法でＩＴ
Ｏタ−ゲットを作製した。得られたＩＴＯターゲットを
用いて実施例１と同様な方法で成膜し、得られたＩＴＯ
膜を実施例１と同様にエッチングした。 比較例１ 重量％でインジウム酸化物90％（平均粉末粒径1.0 μ
ｍ）と錫酸化物（平均粉末粒径0.8 μｍ）10% を回転式
ボールミル法により混合し、混合粉末を得た。得られた
混合粉末を使用して、実施例１と同様な製造方法により
ＩＴＯタ−ゲットを得た。そして、このＩＴＯタ−ゲッ
トを用いて実施例１と同様な方法で成膜し、得られたＩ
ＴＯ膜を実施例１と同様にエッチングした。 比較例２ 重量％でインジウム酸化物90％（平均粉末粒径1.0 μ
ｍ）と錫酸化物（平均粉末粒径0.8 μｍ）10% を回転式
ボールミル法により混合し、得られた混合粉末を真空中
で仮焼して、残留不純物を除去した。この粉末を使用
し、実施例１と同様な製造方法によりＩＴＯタ−ゲット
を得た。そして、このＩＴＯタ−ゲットを用いて実施例
１と同様な方法で成膜し、得られたＩＴＯ膜を実施例１
と同様にエッチングした。 比較例３ 炉内の雰囲気を窒素とし、雰囲気圧力を 2×105 Paとし
た場合について、雰囲気以外は実施例３と同様な製造方
法でＩＴＯタ−ゲットを作製した。そしてこのＩＴＯタ
−ゲットを用いて実施例１と同様な方法で成膜し、得ら
れたＩＴＯ膜を実施例１と同様にエッチングした。これ
らの結果を表１に示す。
る。 実施例１ 重量％でインジウム酸化物（平均粉末粒径1.0 μｍ）9
0.0% と錫酸化物（平均粉末粒径0.8 μｍ）9.5%とさら
に全重量の0.5%の炭素粉末（平均粉末粒径0.1 μｍ）を
ボールミルにより混合し、得られた混合粉末を、アルゴ
ン雰囲気中（雰囲気圧力 8×105 Pa）、900 ℃の温度、
250kg/cm2 の圧力で加圧焼結して、ＩＴＯ焼結体を得
た。この焼結体を研削加工し、ターゲットを得た。得ら
れたＩＴＯターゲットを用い、アルゴン−酸素雰囲気
中、スパッタ圧力 0.8Paにて、250 ℃に加熱した400 ×
400 ×1(mm) のガラス基板上にスパッタリング成膜し、
ＩＴＯ膜を得た。この膜を、組成比ＨＣｌ：ＮＨＯ3 ：
Ｈ2 Ｏ＝20:1:10 に混合し、液温30℃にしたエッチング
液に一定時間浸漬し、各エッチング時間に対する膜べり
量をエッチング深さとして触針式段差計TALYSTEPで測定
した。また、Ｘ線回折による結晶粒径の測定を行った。 実施例２ 重量％でインジウム酸化物（平均粉末粒径 1.0μｍ）9
0.0% と錫酸化物（平均粉末粒径0.8 μｍ）9.0%とさら
に全重量の1.0%の炭素粉末（平均粉末粒径0.1 μｍ）を
ボールミルにより混合し、得られた混合粉末を使用し
て、実施例１と同様な製造方法によりＩＴＯタ−ゲット
を得た。そして、このＩＴＯタ−ゲットを用いて実施例
１と同様な方法で成膜し、得られたＩＴＯ膜を実施例１
と同様にエッチングした。 実施例３ 重量％でインジウム酸化物（平均粉末粒径1.0 μｍ）90
％と錫酸化物（平均粉末粒径0.8 μｍ）10％をボールミ
ルにより混合し、得られた混合粉末を、窒素雰囲気中
（雰囲気圧力 6×105 Pa）、900 ℃の温度、300kg/cm2
の圧力で加圧焼結し、ＩＴＯ焼結体を得た。そして、こ
の焼結体を研削加工し、ターゲットを得た。得られたＩ
ＴＯターゲットを用いて実施例１と同様な方法で成膜
し、得られたＩＴＯ膜を実施例１と同様にエッチングし
た。 実施例４ 炉内の窒素雰囲気圧力を 9×105 Paとした場合につい
て、雰囲気圧力以外は実施例３と同様な製造方法でＩＴ
Ｏタ−ゲットを作製した。得られたＩＴＯターゲットを
用いて実施例１と同様な方法で成膜し、得られたＩＴＯ
膜を実施例１と同様にエッチングした。 比較例１ 重量％でインジウム酸化物90％（平均粉末粒径1.0 μ
ｍ）と錫酸化物（平均粉末粒径0.8 μｍ）10% を回転式
ボールミル法により混合し、混合粉末を得た。得られた
混合粉末を使用して、実施例１と同様な製造方法により
ＩＴＯタ−ゲットを得た。そして、このＩＴＯタ−ゲッ
トを用いて実施例１と同様な方法で成膜し、得られたＩ
ＴＯ膜を実施例１と同様にエッチングした。 比較例２ 重量％でインジウム酸化物90％（平均粉末粒径1.0 μ
ｍ）と錫酸化物（平均粉末粒径0.8 μｍ）10% を回転式
ボールミル法により混合し、得られた混合粉末を真空中
で仮焼して、残留不純物を除去した。この粉末を使用
し、実施例１と同様な製造方法によりＩＴＯタ−ゲット
を得た。そして、このＩＴＯタ−ゲットを用いて実施例
１と同様な方法で成膜し、得られたＩＴＯ膜を実施例１
と同様にエッチングした。 比較例３ 炉内の雰囲気を窒素とし、雰囲気圧力を 2×105 Paとし
た場合について、雰囲気以外は実施例３と同様な製造方
法でＩＴＯタ−ゲットを作製した。そしてこのＩＴＯタ
−ゲットを用いて実施例１と同様な方法で成膜し、得ら
れたＩＴＯ膜を実施例１と同様にエッチングした。これ
らの結果を表１に示す。
【００１１】
【表１】
【００１２】実施例で示した膜は従来の膜に比べて２〜
３倍のエッチング速度を示し、エッチング中のエッチン
グ速度の経時変化も生じなかった。また、結晶粒径も従
来の膜に比べて１／３以下と微細な組織を示し、エッチ
ングの加工精度の向上が見られ、今後の液晶ディスプレ
イの高性能化や歩留まり向上に大きく寄与することが確
認された。
３倍のエッチング速度を示し、エッチング中のエッチン
グ速度の経時変化も生じなかった。また、結晶粒径も従
来の膜に比べて１／３以下と微細な組織を示し、エッチ
ングの加工精度の向上が見られ、今後の液晶ディスプレ
イの高性能化や歩留まり向上に大きく寄与することが確
認された。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＩＴＯ焼
結体、ターゲット、蒸着用ペレット、およびそれらを用
いて形成されたＩＴＯ膜によれば、微細加工が可能とな
り、液晶ディスプレイの大型化ならびに高精細化に対応
した表示素子を提供することができるため極めて有用で
ある。
結体、ターゲット、蒸着用ペレット、およびそれらを用
いて形成されたＩＴＯ膜によれば、微細加工が可能とな
り、液晶ディスプレイの大型化ならびに高精細化に対応
した表示素子を提供することができるため極めて有用で
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｃ 14/08 Ｄ 9271−4Ｋ 14/24 Ａ 9271−4Ｋ 14/34 Ａ 8414−4Ｋ (72)発明者 菊池 誠 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内
Claims (8)
- 【請求項１】インジウム、錫および酸素を主成分として
なり、炭素、窒素、ホウ素から選ばれた元素を少なくと
も一種添加したことを特徴とするＩＴＯ焼結体。 - 【請求項２】請求項１記載の焼結体の炭素含有量が0.00
5%〜3%、窒素含有量が0.1%〜5%、ホウ素含有量が0.001%
〜10% であることを特徴とするＩＴＯ焼結体。 - 【請求項３】請求項１および２記載の焼結体を用いたこ
とを特徴とするＩＴＯターゲット。 - 【請求項４】請求項１および２記載の焼結体を用いたこ
とを特徴とする蒸着用ペレット。 - 【請求項５】請求項３記載のＩＴＯターゲットを用いて
形成されたことを特徴とするＩＴＯ膜。 - 【請求項６】請求項４記載のＩＴＯ蒸着用ペレットを用
いて形成されたことを特徴とするＩＴＯ膜。 - 【請求項７】請求項５記載のＩＴＯ膜を用いて形成され
たことを特徴とする表示素子。 - 【請求項８】請求項６記載のＩＴＯ膜を用いて形成され
たことを特徴とする表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5334036A JPH07187769A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Ｉｔｏ焼結体、ターゲット、蒸着用ペレット、それらを用いて形成した膜および表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5334036A JPH07187769A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Ｉｔｏ焼結体、ターゲット、蒸着用ペレット、それらを用いて形成した膜および表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07187769A true JPH07187769A (ja) | 1995-07-25 |
Family
ID=18272791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5334036A Pending JPH07187769A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Ｉｔｏ焼結体、ターゲット、蒸着用ペレット、それらを用いて形成した膜および表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07187769A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009293097A (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Sony Corp | スパッタリング複合ターゲット、これを用いた透明導電膜の製造方法及び透明導電膜付基材 |
| US8419400B2 (en) | 2005-02-01 | 2013-04-16 | Tosoh Corporation | Sintered body, sputtering target and molding die, and process for producing sintered body employing the same |
| US20150031153A1 (en) * | 2013-07-29 | 2015-01-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Sputtering target, method of fabricating the same, and method of fabricating an organic light emitting display apparatus |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP5334036A patent/JPH07187769A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8419400B2 (en) | 2005-02-01 | 2013-04-16 | Tosoh Corporation | Sintered body, sputtering target and molding die, and process for producing sintered body employing the same |
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