JPH0718959B2 - 放射線画像変換パネルの製造方法 - Google Patents
放射線画像変換パネルの製造方法Info
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- JPH0718959B2 JPH0718959B2 JP62175382A JP17538287A JPH0718959B2 JP H0718959 B2 JPH0718959 B2 JP H0718959B2 JP 62175382 A JP62175382 A JP 62175382A JP 17538287 A JP17538287 A JP 17538287A JP H0718959 B2 JPH0718959 B2 JP H0718959B2
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- stimulable phosphor
- panel
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- activator
- radiation image
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- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルの
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられているが、近年ハロゲン化銀感光材料および蛍光
スクリーンを用いた放射線写真に代り、蛍光体から直接
画像を取り出す方法が工夫されている。
いられているが、近年ハロゲン化銀感光材料および蛍光
スクリーンを用いた放射線写真に代り、蛍光体から直接
画像を取り出す方法が工夫されている。
この方法は、例えば被写体を透過した放射線を蛍光体に
吸収せしめ、しかる後、この蛍光体を例えば光または熱
エネルギーで励起することによりこの蛍光体が上記吸収
により蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射
せしめ、この蛍光を検出して画像化する方法である。具
体的には、米国特許3,859,527号及び特開昭55−12144号
に輝尽性蛍光体を用い、可視光線または赤外線を輝尽励
起光とした放射線画像変換方法が示されている。この方
法は、支持体上に輝尽性蛍光体層（以下「蛍光層」と略
称することもある。）を形成した放射線画像変換パネル
（以下「パネル」と略称することもある。）を使用する
もので、このパネルの蛍光層に被写体を透過した放射線
を当てて被写体各部の放射線透過度に対応する放射線エ
ネルギーを蓄積させて潜像を形成し、しかる後にこの蛍
光層を輝尽励起光で走査することによって各部の蓄積さ
れた放射線エネルギーを放射させてこれを光に変換し、
この光の強弱に基く信号により画像を得るものである。
この最終的な画像はハードコピーとして再生してもよい
し、CRT上に再生しても良い。
吸収せしめ、しかる後、この蛍光体を例えば光または熱
エネルギーで励起することによりこの蛍光体が上記吸収
により蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射
せしめ、この蛍光を検出して画像化する方法である。具
体的には、米国特許3,859,527号及び特開昭55−12144号
に輝尽性蛍光体を用い、可視光線または赤外線を輝尽励
起光とした放射線画像変換方法が示されている。この方
法は、支持体上に輝尽性蛍光体層（以下「蛍光層」と略
称することもある。）を形成した放射線画像変換パネル
（以下「パネル」と略称することもある。）を使用する
もので、このパネルの蛍光層に被写体を透過した放射線
を当てて被写体各部の放射線透過度に対応する放射線エ
ネルギーを蓄積させて潜像を形成し、しかる後にこの蛍
光層を輝尽励起光で走査することによって各部の蓄積さ
れた放射線エネルギーを放射させてこれを光に変換し、
この光の強弱に基く信号により画像を得るものである。
この最終的な画像はハードコピーとして再生してもよい
し、CRT上に再生しても良い。
この放射線画像変換方法に用いられる蛍光層を有するパ
ネルは、放射線吸収率および光変換率（両者を含めて以
下「放射線感度」という）が高いことは言うに及ばず画
像の粒状性が良く、しかも高鮮鋭性であることが要求さ
れる。
ネルは、放射線吸収率および光変換率（両者を含めて以
下「放射線感度」という）が高いことは言うに及ばず画
像の粒状性が良く、しかも高鮮鋭性であることが要求さ
れる。
ところが、一般に蛍光層を有するパネルは粒径１〜30μ
ｍ程度の粒状の輝尽性蛍光体と有機結着剤とを含む分散
液を支持体上に塗布、乾燥して作成されるので、輝尽性
蛍光体の充填密度が低い（充填率50％）。そのため、放
射線感度を充分高くするには蛍光層の層厚を厚くする必
要がある。
ｍ程度の粒状の輝尽性蛍光体と有機結着剤とを含む分散
液を支持体上に塗布、乾燥して作成されるので、輝尽性
蛍光体の充填密度が低い（充填率50％）。そのため、放
射線感度を充分高くするには蛍光層の層厚を厚くする必
要がある。
これに対し前記放射線画像変換方法における画像の鮮鋭
性は、パネルの蛍光層の層厚が薄いほど高い傾向にあ
り、鮮鋭性の向上のためには、蛍光層の薄層化が必要で
ある。
性は、パネルの蛍光層の層厚が薄いほど高い傾向にあ
り、鮮鋭性の向上のためには、蛍光層の薄層化が必要で
ある。
また、前記放射線画像変換方法における画像の粒状性
は、放射線量子数の場所的ゆらぎ（量子モトル）あるい
はパネルの蛍光層の構造的乱れ（構造モトル）等によっ
て決定されるので、蛍光層の層厚が薄くなると、蛍光層
に吸収される放射線量子数が減少して量子モトルが増加
したり、構造的乱れが顕在化して構造モトルが増加した
りして画質の低下を生ずる。よって画像の粒状性を向上
させるためには蛍光層の層厚は厚い必要がある。
は、放射線量子数の場所的ゆらぎ（量子モトル）あるい
はパネルの蛍光層の構造的乱れ（構造モトル）等によっ
て決定されるので、蛍光層の層厚が薄くなると、蛍光層
に吸収される放射線量子数が減少して量子モトルが増加
したり、構造的乱れが顕在化して構造モトルが増加した
りして画質の低下を生ずる。よって画像の粒状性を向上
させるためには蛍光層の層厚は厚い必要がある。
即ち、前述のように、従来のパネルは放射線に対する感
度および画像の粒状性と、画像の鮮鋭性とが蛍光層の層
厚に対しまったく逆の蛍光を示すので、前記パネルは放
射鮮に対する感度と粒状性と鮮鋭性間のある程度の相互
犠牲によって作成されてきた。
度および画像の粒状性と、画像の鮮鋭性とが蛍光層の層
厚に対しまったく逆の蛍光を示すので、前記パネルは放
射鮮に対する感度と粒状性と鮮鋭性間のある程度の相互
犠牲によって作成されてきた。
ところで従来の放射線写真法における画像の鮮鋭性が蛍
光スクリーン中の蛍光体の瞬間発光（放射線照射時の発
光）の広がりによって決定されるのは周知の通りである
が、これに対し前述の輝尽性蛍光体を利用した放射線画
像変換方法における画像の鮮鋭性は、パネル中の輝尽性
蛍光体の輝尽発光の広がりによって決定されるのではな
く、輝尽励起光の該パネル内での広がりに依存して決ま
る。
光スクリーン中の蛍光体の瞬間発光（放射線照射時の発
光）の広がりによって決定されるのは周知の通りである
が、これに対し前述の輝尽性蛍光体を利用した放射線画
像変換方法における画像の鮮鋭性は、パネル中の輝尽性
蛍光体の輝尽発光の広がりによって決定されるのではな
く、輝尽励起光の該パネル内での広がりに依存して決ま
る。
従ってある時間（ti）に照射された輝尽励起光による輝
尽発光が、その時間（ti）に輝尽励起光が真に照射され
ていた該パネル状の画素（xi,yi）からの発光のみであ
れば、その発光がいかなる広がりを持つものであろうと
得られる画像の鮮鋭性には影響がない。
尽発光が、その時間（ti）に輝尽励起光が真に照射され
ていた該パネル状の画素（xi,yi）からの発光のみであ
れば、その発光がいかなる広がりを持つものであろうと
得られる画像の鮮鋭性には影響がない。
このような観点から、放射線画像の鮮鋭性を改善する方
法がいくつか考案されて来た。例えば特開昭55−146447
号に記載のパネルの蛍光層中に白色粉体を混入する方
法、特開昭55−163500号記載のパネルを輝尽性蛍光体の
輝尽励起波長領域における平均反射率が前記輝尽性蛍光
体の輝尽発光波長領域における平均反射率よりも小さく
なるように着色する方法等である。しかし、これらの方
法は鮮鋭性を改良すると必然的に感度が著しく低下して
しまい、好ましい方法とは言えない。
法がいくつか考案されて来た。例えば特開昭55−146447
号に記載のパネルの蛍光層中に白色粉体を混入する方
法、特開昭55−163500号記載のパネルを輝尽性蛍光体の
輝尽励起波長領域における平均反射率が前記輝尽性蛍光
体の輝尽発光波長領域における平均反射率よりも小さく
なるように着色する方法等である。しかし、これらの方
法は鮮鋭性を改良すると必然的に感度が著しく低下して
しまい、好ましい方法とは言えない。
前述のような欠点および特性間の相反性に鑑みて、特開
昭61−73100号には真空蒸着等の気相堆積法により蛍光
層から結着剤を取除いたパネルおよびその製造方法が提
案されている。これによれば、前記パネルの蛍光層が結
着剤を含有しないので蛍光層の充填率が著しく向上する
と共に蛍光層中での輝尽励起光および輝尽発光の指向性
が向上し、パネルの放射線に対する感度と画像の粒状性
が改善されると同時に画像の鮮鋭性も改善される。
昭61−73100号には真空蒸着等の気相堆積法により蛍光
層から結着剤を取除いたパネルおよびその製造方法が提
案されている。これによれば、前記パネルの蛍光層が結
着剤を含有しないので蛍光層の充填率が著しく向上する
と共に蛍光層中での輝尽励起光および輝尽発光の指向性
が向上し、パネルの放射線に対する感度と画像の粒状性
が改善されると同時に画像の鮮鋭性も改善される。
前記の結着剤を含有しないパネルはスパッタ法、CVD
法、蒸着法等種々の気相堆積方法で製造可能であるが、
製造コスト等を考慮すると蒸着法が最も好ましい方法と
言える。
法、蒸着法等種々の気相堆積方法で製造可能であるが、
製造コスト等を考慮すると蒸着法が最も好ましい方法と
言える。
さて、このような気相堆積法で製造された輝尽性蛍光体
層は、感度、鮮鋭性等の諸特性を改善する目的で後処理
として熱処理（アニール）を施されることがある。とこ
ろが、後処理において、一般的に行われている第６図に
示されるような装置を用いて熱処理（アニール）を施し
た場合、放射線画像変換パネルの放射線に対する感度が
低下することがあるという重大な欠点があることが判っ
た。
層は、感度、鮮鋭性等の諸特性を改善する目的で後処理
として熱処理（アニール）を施されることがある。とこ
ろが、後処理において、一般的に行われている第６図に
示されるような装置を用いて熱処理（アニール）を施し
た場合、放射線画像変換パネルの放射線に対する感度が
低下することがあるという重大な欠点があることが判っ
た。
そして、放射線画像変換パネルの放射線に対する感度が
低下する原因については、なかなか判らなかった。
低下する原因については、なかなか判らなかった。
しかし、鋭意、この原因について調査した結果、以下の
実験事実が判明した。すなわち、一般的に行われている
第６図に示されるような装置を用いる熱処理（アニー
ル）を施した場合、ある熱処理（アニール）温度に対す
る蛍光層中の輝尽性蛍光体を構成する複数の物質の蒸気
圧が異なるため、蒸気圧の高い物質ほど優先的に蒸発す
る。このため、支持体上に形成された熱処理（アニー
ル）後の蛍光層中の輝尽性蛍光体組成は、熱処理（アニ
ール）前の蛍光層中の組成と一致せず、付活剤の濃度
（含有率）が所定の濃度（含有率）から変動するため
に、放射線画像変換パネルの放射線に対する感度が低下
することがあることが判明した。
実験事実が判明した。すなわち、一般的に行われている
第６図に示されるような装置を用いる熱処理（アニー
ル）を施した場合、ある熱処理（アニール）温度に対す
る蛍光層中の輝尽性蛍光体を構成する複数の物質の蒸気
圧が異なるため、蒸気圧の高い物質ほど優先的に蒸発す
る。このため、支持体上に形成された熱処理（アニー
ル）後の蛍光層中の輝尽性蛍光体組成は、熱処理（アニ
ール）前の蛍光層中の組成と一致せず、付活剤の濃度
（含有率）が所定の濃度（含有率）から変動するため
に、放射線画像変換パネルの放射線に対する感度が低下
することがあることが判明した。
なお、このような現像は、輝尽性蛍光体層を有する放射
線画像変換パネル特有の問題である。
線画像変換パネル特有の問題である。
例えばTlを付活剤とするRbBr:Tl輝尽性蛍光体に関する
本発明者らの研究によると、該蛍光体の発光強度は第５
図に示すようにTl含有量が10-2〜100mol％の範囲では瞬
間発光強度は一定でありTl含有量が一定幅に吸っている
限り一般的蛍光体としてその組成比に関し深く注意する
必要はない。しかし、放射線画像変換パネルの輝尽発光
強度は３×10-2mol％付近にピークを有し、その前後で
大きく低下する。
本発明者らの研究によると、該蛍光体の発光強度は第５
図に示すようにTl含有量が10-2〜100mol％の範囲では瞬
間発光強度は一定でありTl含有量が一定幅に吸っている
限り一般的蛍光体としてその組成比に関し深く注意する
必要はない。しかし、放射線画像変換パネルの輝尽発光
強度は３×10-2mol％付近にピークを有し、その前後で
大きく低下する。
従って、輝尽発光を利用する放射線画像変換パネルの製
造において、高感度の放射線画像変換パネルを得るに
は、熱処理における付活剤濃度の制御が特に重要である
ことが判った。
造において、高感度の放射線画像変換パネルを得るに
は、熱処理における付活剤濃度の制御が特に重要である
ことが判った。
また、その際に、輝尽性蛍光体層と直に接して付活輝尽
性蛍光体の付活剤成分を設置して、熱処理して、輝尽性
蛍光体層の付活剤成分が直に接している部分やその近傍
では付活剤濃度が高くなり、そうでない部分は付活剤濃
度が低くなって、輝尽性蛍光体層の感度分布のムラが発
生することがないように、付活輝尽性蛍光体の付活剤成
分を輝尽性蛍光体層から離れた位置に設置する工夫をし
た。
性蛍光体の付活剤成分を設置して、熱処理して、輝尽性
蛍光体層の付活剤成分が直に接している部分やその近傍
では付活剤濃度が高くなり、そうでない部分は付活剤濃
度が低くなって、輝尽性蛍光体層の感度分布のムラが発
生することがないように、付活輝尽性蛍光体の付活剤成
分を輝尽性蛍光体層から離れた位置に設置する工夫をし
た。
本発明の目的は、熱処理時の付活輝尽性蛍光体の付活剤
の濃度（含有率）の変動による放射線画像変換パネルの
感度の低下を防止することである。また、輝尽性蛍光体
層の感度分布のムラの発生を防止しながら、放射線画像
変換パネルを高感度にすることである。
の濃度（含有率）の変動による放射線画像変換パネルの
感度の低下を防止することである。また、輝尽性蛍光体
層の感度分布のムラの発生を防止しながら、放射線画像
変換パネルを高感度にすることである。
本発明の目的は、付活輝尽性蛍光体を含む輝尽性蛍光体
層を形成し、形成した後、熱処理する、付活輝尽性蛍光
体を含む輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネル
の製造方法において、付活輝尽性蛍光体を含む輝尽性蛍
光体層を熱処理するに際して、前記輝尽性蛍光体層と同
一系内の前記輝尽性蛍光体層から離れた位置に設置され
た前記付活輝尽性蛍光体の付活剤成分を蒸気化すること
により達成される。
層を形成し、形成した後、熱処理する、付活輝尽性蛍光
体を含む輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネル
の製造方法において、付活輝尽性蛍光体を含む輝尽性蛍
光体層を熱処理するに際して、前記輝尽性蛍光体層と同
一系内の前記輝尽性蛍光体層から離れた位置に設置され
た前記付活輝尽性蛍光体の付活剤成分を蒸気化すること
により達成される。
次に本発明を具体的に説明する。
輝尽性蛍光体からなる蛍光層に前記熱処理（熱増感処
理）を施すと、その熱増感曲線に特徴的な形状が顕れ
る。
理）を施すと、その熱増感曲線に特徴的な形状が顕れ
る。
第１図に熱処理の各温度に於る熱増感曲線を示した。図
に於て曲線a,b及びｃは200,400及び600℃に於るRbBr:Tl
からなる蛍光層の熱増感曲線である。
に於て曲線a,b及びｃは200,400及び600℃に於るRbBr:Tl
からなる蛍光層の熱増感曲線である。
熱増感曲線は温度と共に増感率、感度水準を急激に上げ
てゆくが、飽和点があり、その先は単調に減感してゆ
く。
てゆくが、飽和点があり、その先は単調に減感してゆ
く。
この傾向は輝尽性蛍光体中の輝尽性蛍光体母体より該蛍
光体母体に含まれているの付活剤の蒸気圧が小さい場合
には飽和点に続く前記減感は小さいが、輝尽性蛍光体母
体と、付活剤の蒸気圧がほぼ等しいか、あるいは、付活
剤の蒸気圧が大きい場合に、顕著である。
光体母体に含まれているの付活剤の蒸気圧が小さい場合
には飽和点に続く前記減感は小さいが、輝尽性蛍光体母
体と、付活剤の蒸気圧がほぼ等しいか、あるいは、付活
剤の蒸気圧が大きい場合に、顕著である。
即ち熱増感処理によって蛍光体結晶の感度要因は感度上
昇に好都合に整備されてゆくが同時に付活剤の蛍光体母
体からの逃散が起こっており、飽和点で両者が拮抗し、
その後付活剤の逃散による減感効果が勝り、減感が露呈
してくると思われる。
昇に好都合に整備されてゆくが同時に付活剤の蛍光体母
体からの逃散が起こっており、飽和点で両者が拮抗し、
その後付活剤の逃散による減感効果が勝り、減感が露呈
してくると思われる。
この観点に立って熱増感処理温度を200,400及び600℃に
とり、蛍光体を包む雰囲気を調整して蛍光層中のRbBr:T
l輝尽性蛍光体組成が変化しないようにして熱増感処理
を行ったところ、曲線ａ′,b′及びｃ′に示すごとく増
感飽和には向うものの減感現象は顕れない。
とり、蛍光体を包む雰囲気を調整して蛍光層中のRbBr:T
l輝尽性蛍光体組成が変化しないようにして熱増感処理
を行ったところ、曲線ａ′,b′及びｃ′に示すごとく増
感飽和には向うものの減感現象は顕れない。
本発明は前記知見に基いて構成されたものである。
従って本発明の態様は、熱増感処理中及び／または後に
付活剤の逃散損を償却する点にあって、熱増感処理に於
る蛍光層の雰囲気を付活剤の蒸気圧に基づいて調整する
か或は別に準備した付活剤を含有したフィルムを蛍光層
に密着させ、付活剤を蛍光層へ滲透させる拡散法、或は
イオン注入法によってもよい。
付活剤の逃散損を償却する点にあって、熱増感処理に於
る蛍光層の雰囲気を付活剤の蒸気圧に基づいて調整する
か或は別に準備した付活剤を含有したフィルムを蛍光層
に密着させ、付活剤を蛍光層へ滲透させる拡散法、或は
イオン注入法によってもよい。
第２図（ａ）に拡散法熱増感装置の概要図を示す。
図に示すように、付活剤を含有する付活輝尽性蛍光体を
含む輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネル21
は、放射線画像変換パネル21を熱処理するための容器で
ある熱処理容器22中に設置される。また、付活剤成分を
含有する物質粉末27は、物質粉末27を蒸発させるための
容器である蒸発容器26中に設置される。この付活剤成分
を含有する物質粉末27は、例えば、放射線画像変換パネ
ル21の付活輝尽性蛍光体がRbBr:Tlからなる蛍光体であ
る場合は、RbBr:Tl蛍光体、RbBr・TlBr混合粉末、ある
いはTlBr混合粉末などである。
含む輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネル21
は、放射線画像変換パネル21を熱処理するための容器で
ある熱処理容器22中に設置される。また、付活剤成分を
含有する物質粉末27は、物質粉末27を蒸発させるための
容器である蒸発容器26中に設置される。この付活剤成分
を含有する物質粉末27は、例えば、放射線画像変換パネ
ル21の付活輝尽性蛍光体がRbBr:Tlからなる蛍光体であ
る場合は、RbBr:Tl蛍光体、RbBr・TlBr混合粉末、ある
いはTlBr混合粉末などである。
加熱手段である加熱用ヒータ23は放射線画像変換パネル
21を加熱するための手段である。また、加熱手段である
加熱用ヒータ25は物質粉末27を加熱するための手段であ
る。熱処理容器22と蒸発容器26はガス量調整バルブ28を
介して互いにつながっている。
21を加熱するための手段である。また、加熱手段である
加熱用ヒータ25は物質粉末27を加熱するための手段であ
る。熱処理容器22と蒸発容器26はガス量調整バルブ28を
介して互いにつながっている。
まず、増感を施すパネル21を熱処理容器22へ、付活剤を
含有する物質粉末27を蒸発容器26にそれぞれ設置する。
その後、加熱手段23,25でそれぞれの容器を所定の温度
まで加熱した後、ガス量調整バルブ28を徐々に開いて付
活剤ガスを熱処理容器22中へ拡散させる。ここで付活剤
の拡散量は蒸発器26の加熱温度、熱処理容器22と蒸発容
器26との温度差ガス量調整バルブ28の開閉量等によって
決まる。
含有する物質粉末27を蒸発容器26にそれぞれ設置する。
その後、加熱手段23,25でそれぞれの容器を所定の温度
まで加熱した後、ガス量調整バルブ28を徐々に開いて付
活剤ガスを熱処理容器22中へ拡散させる。ここで付活剤
の拡散量は蒸発器26の加熱温度、熱処理容器22と蒸発容
器26との温度差ガス量調整バルブ28の開閉量等によって
決まる。
パネル21の熱処理（アニール）温度Ｔは輝尽性蛍光体の
種類によっても異なるが輝尽性蛍光体母体の融点Tmより
低いことが好ましく、1/4Tm＜Ｔ＜Tmの範囲であること
がより好ましい。
種類によっても異なるが輝尽性蛍光体母体の融点Tmより
低いことが好ましく、1/4Tm＜Ｔ＜Tmの範囲であること
がより好ましい。
前記パネル21熱処理後室温まで所定の速度で冷却されて
本発明に係るパネルが完成する。
本発明に係るパネルが完成する。
この装置によれば蛍光体結晶に対する熱増感と付活剤の
保償と更に蒸着時の結晶の乱れに対するアニールが同時
に行われる。
保償と更に蒸着時の結晶の乱れに対するアニールが同時
に行われる。
第２図（ｂ）は拡散法熱増感装置の他の例を示す概要図
である。図に示すように、付活剤を含有する付活輝尽性
蛍光体を含む輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パ
ネル21は、付活剤成分を含有する物質粉末である雰囲気
粉29と一緒に、放射線画像変換パネル21を熱処理するた
めの容器である熱処理容器30中に設置される。この際、
実質的に感度ムラが発生する程度に、放射線画像変換パ
ネル21の輝尽性蛍光体層に直に接するように、付活剤成
分を含有する物質粉末である雰囲気粉29を設置すると、
本発明外となる。
である。図に示すように、付活剤を含有する付活輝尽性
蛍光体を含む輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パ
ネル21は、付活剤成分を含有する物質粉末である雰囲気
粉29と一緒に、放射線画像変換パネル21を熱処理するた
めの容器である熱処理容器30中に設置される。この際、
実質的に感度ムラが発生する程度に、放射線画像変換パ
ネル21の輝尽性蛍光体層に直に接するように、付活剤成
分を含有する物質粉末である雰囲気粉29を設置すると、
本発明外となる。
本装置では増感を施すパネル21と付活剤を含有する物質
粉末（雰囲気粉29）とを熱処理容器30中に共存させると
ころに特徴がある。
粉末（雰囲気粉29）とを熱処理容器30中に共存させると
ころに特徴がある。
このような雰囲気粉の使用によってパネル中の付活剤濃
度を簡単に調整、償却できる。
度を簡単に調整、償却できる。
雰囲気粉の付活剤濃度はアニール条件で異なるが、パネ
ル21の輝尽性蛍光体の付活剤濃度とほぼ等しいか大きい
ことが好ましい。
ル21の輝尽性蛍光体の付活剤濃度とほぼ等しいか大きい
ことが好ましい。
また、パネル21の熱処理温度Ｔは前記と同様輝尽性蛍光
体母体の融点Tmより低いことが好ましく、1/4Tm＜Ｔ＜T
mの範囲であることがより好ましい。
体母体の融点Tmより低いことが好ましく、1/4Tm＜Ｔ＜T
mの範囲であることがより好ましい。
次にイオン注入法で用いる装置の構成例を第３図に示
す。図に於て、ａ）イオン源部31では所要の付活剤イオ
ンをその固体あるいは塩化物、水素化物等のガスより生
成する。ｂ）生成されたイオンは引出し電極32によって
引き出され、加速部で平均射影飛程や付活剤分布の設定
に応じてエネルギーを選択し、加速する。ｃ）質量分析
部33では所要のエネルギーと質量をもったイオンを取り
出し、さらにｄ）偏向部34でχ−ｙ方向にイオン・ビー
ムを均一掃引して、ｅ）試料室35に取りつけられ加熱手
段37で熱処理（アニール）されているパネル36上に均一
照射する。このときチャネリングと呼ばれるイオンのト
ンネル進入を避けるために、パネル面をビーム方向に対
して７〜８゜程度傾けることが大切である。注入装置の
真空度は一般にイオン源部で約１×10-5Torr、試料部で
は10-7Torr台まで排気されている。
す。図に於て、ａ）イオン源部31では所要の付活剤イオ
ンをその固体あるいは塩化物、水素化物等のガスより生
成する。ｂ）生成されたイオンは引出し電極32によって
引き出され、加速部で平均射影飛程や付活剤分布の設定
に応じてエネルギーを選択し、加速する。ｃ）質量分析
部33では所要のエネルギーと質量をもったイオンを取り
出し、さらにｄ）偏向部34でχ−ｙ方向にイオン・ビー
ムを均一掃引して、ｅ）試料室35に取りつけられ加熱手
段37で熱処理（アニール）されているパネル36上に均一
照射する。このときチャネリングと呼ばれるイオンのト
ンネル進入を避けるために、パネル面をビーム方向に対
して７〜８゜程度傾けることが大切である。注入装置の
真空度は一般にイオン源部で約１×10-5Torr、試料部で
は10-7Torr台まで排気されている。
本発明に於て前記の付活剤の保償手段を含む熱増感処理
の対象となる蛍光層は、一般公知の気相推積法によって
形成された蛍光層である。
の対象となる蛍光層は、一般公知の気相推積法によって
形成された蛍光層である。
即ち該蛍光層は、緻密に推積された蛍光体非結晶（アモ
ルファス）からなっていてもよいし、微細柱状結晶が層
厚方向に縦に結束されて貝柱状に層を形成した形態でも
よい。或は前記貝柱状に結束して層をなした層表面には
大小の縦横に走るクレバスを配してもよい。更に微細柱
状結晶の各々の周囲に空隙を囲繞して霜柱状に蝟集した
形状の蛍光母体層であってもよい。
ルファス）からなっていてもよいし、微細柱状結晶が層
厚方向に縦に結束されて貝柱状に層を形成した形態でも
よい。或は前記貝柱状に結束して層をなした層表面には
大小の縦横に走るクレバスを配してもよい。更に微細柱
状結晶の各々の周囲に空隙を囲繞して霜柱状に蝟集した
形状の蛍光母体層であってもよい。
また前記クレバス或は空隙は層厚方向の上向き或は下向
きに消滅して微細柱状結晶が癒合していてもよい。
きに消滅して微細柱状結晶が癒合していてもよい。
また前記した各形態の混合した蛍光層でもよい。
輝尽性蛍光体のうち、熱輝尽性蛍光体は励起に対する応
答性が遅い、時系列的に読取ることがむずかしい等の理
由により実用上光輝尽性蛍光体が有用であり、また500m
m以上の輝尽励起光で輝尽発光するものが好ましい。
答性が遅い、時系列的に読取ることがむずかしい等の理
由により実用上光輝尽性蛍光体が有用であり、また500m
m以上の輝尽励起光で輝尽発光するものが好ましい。
本発明のパネルに用いられる光輝尽性蛍光体としては、
例えば特開昭55−12143号に記載されている一般式が （Ba1-x-yMgxCay）FX:eEu2+ （但し、ＸはBrおよびClの中の少なくとも１つであり、
x,yおよびｅはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦0.6、xy≠０および
10-6≦ｅ≦５×10-2なる条件を満たす数である。）で表
されるアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開昭55
−12144号に記載されている一般式が LnOX:xA （但しLnはLa,Y,GdおよびLuの少なくとも１つを、ＸはC
lおよび／またはBrを、ＡはCeおよび／またはTbを、ｘ
は０＜ｘ＜0.1を満足する数を表す。）で表され蛍光
体、特開昭55−12145号に記載されている一般式が （Ba1 -xMIIx）FX:yA （但しMIIは、Mg,Ca,Sr,ZnおよびCdのうちの少なくとも
１つを、ＸはCl,Br,およびＩのうち少なくとも１つを、
ＡはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,およびErのうちの少
なくとも１つを、ｘおよびｙは０≦ｘ≦0.6および０≦
ｙ≦0.2なる条件を満たす数を表す。）で表される蛍光
体、特開昭55−84389号に記載されている一般式が BaFX:xCe,yA （但し、ＸはCl,BrおよびＩのうち少なくとも１つ、Ａ
はIn,Tl,Gd,Sm,およびZrのうちの少なくとも１つであ
り、ｘおよびｙはそれぞれ０＜ｘ≦２×10-1および０＜
ｙ≦５×10-2である。）で表される蛍光体、特開昭55−
160078号に記載されている一般式が MIIFX・xA:yLn （但しMIIはMg,Ca,Ba,Sr,Zn,およびCdのうちの少なくと
も１種、ＡはBeO,MgO,CaO,SrO,BaO,ZnO,Al2O3,Y2O3,La2
O3,In2O3,SiO2,TiO2,ZrO2,GeO2,SnO2,Nb2O5,Ta2O5,およ
びThO2のうち少なくとも１種、LnはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,
Ho,Nd,Yb,Er,Sm,およびGdのうち少なくとも１種であ
り、ＸはCl,BrおよびＩのうちの少なくとも１種であ
り、ｘおよびｙはそれぞれ５×10-5≦ｘ≦0.5および０
＜ｙ≦0.2なる条件を満たす数である。）で表される希
土類元素付活２価金属フルオロハライド蛍光体、特開昭
59−38278号に記載されている下記いづれかの一般式 xM3（PO4）２・NX2:yA M3（PO4）２・yA （式中、ＭおよびＮはそれぞれMg,Ca,Sr,Ba,Zn,およびC
dのうち少なくとも１種、ＸはF,Cl,Br,およびＩのうち
少なくとも１種、ＡはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,
Sb,Tl,Mn,およびSnのうち少なくとも１種を表す。ま
た、ｘおよびｙは０＜ｘ≦６、０≦ｙ≦１なる条件を満
たす数である。）で表される蛍光体、下記いづれかの一
般式 nReX3・mAX2′:xEu nReX3・mAX2′:xEu,ySm （式中、ReはLa,Gd,Y,Lu,のうち少なくとも１種、Ａは
アルカリ土類金属、Ba,Sr,Caのうち少なくとも１種、Ｘ
およびＸ′はF,Cl,Brのうち少なくとも１種を表す。ま
た、ｘおよびｙは、１×10-4＜ｘ＜３×10-1、１×10-4
＜ｙ＜１×10-1なる条件を満たす数であり、n/mは１×1
0-2＜n/m＜７×10-1なる条件を満たす。）で表される蛍
光体、及び下記一般式 MIX・aMIIX2′・bMIIIX3″:cA （但し、MIはLi,Na,K,Rb,Csから選ばれる少なくとも１
種のアルカリ金属であり、MIIはBe,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cd,
CuおよびNiから選ばれる少なくとも１種の二価金属であ
る。
例えば特開昭55−12143号に記載されている一般式が （Ba1-x-yMgxCay）FX:eEu2+ （但し、ＸはBrおよびClの中の少なくとも１つであり、
x,yおよびｅはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦0.6、xy≠０および
10-6≦ｅ≦５×10-2なる条件を満たす数である。）で表
されるアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開昭55
−12144号に記載されている一般式が LnOX:xA （但しLnはLa,Y,GdおよびLuの少なくとも１つを、ＸはC
lおよび／またはBrを、ＡはCeおよび／またはTbを、ｘ
は０＜ｘ＜0.1を満足する数を表す。）で表され蛍光
体、特開昭55−12145号に記載されている一般式が （Ba1 -xMIIx）FX:yA （但しMIIは、Mg,Ca,Sr,ZnおよびCdのうちの少なくとも
１つを、ＸはCl,Br,およびＩのうち少なくとも１つを、
ＡはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,およびErのうちの少
なくとも１つを、ｘおよびｙは０≦ｘ≦0.6および０≦
ｙ≦0.2なる条件を満たす数を表す。）で表される蛍光
体、特開昭55−84389号に記載されている一般式が BaFX:xCe,yA （但し、ＸはCl,BrおよびＩのうち少なくとも１つ、Ａ
はIn,Tl,Gd,Sm,およびZrのうちの少なくとも１つであ
り、ｘおよびｙはそれぞれ０＜ｘ≦２×10-1および０＜
ｙ≦５×10-2である。）で表される蛍光体、特開昭55−
160078号に記載されている一般式が MIIFX・xA:yLn （但しMIIはMg,Ca,Ba,Sr,Zn,およびCdのうちの少なくと
も１種、ＡはBeO,MgO,CaO,SrO,BaO,ZnO,Al2O3,Y2O3,La2
O3,In2O3,SiO2,TiO2,ZrO2,GeO2,SnO2,Nb2O5,Ta2O5,およ
びThO2のうち少なくとも１種、LnはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,
Ho,Nd,Yb,Er,Sm,およびGdのうち少なくとも１種であ
り、ＸはCl,BrおよびＩのうちの少なくとも１種であ
り、ｘおよびｙはそれぞれ５×10-5≦ｘ≦0.5および０
＜ｙ≦0.2なる条件を満たす数である。）で表される希
土類元素付活２価金属フルオロハライド蛍光体、特開昭
59−38278号に記載されている下記いづれかの一般式 xM3（PO4）２・NX2:yA M3（PO4）２・yA （式中、ＭおよびＮはそれぞれMg,Ca,Sr,Ba,Zn,およびC
dのうち少なくとも１種、ＸはF,Cl,Br,およびＩのうち
少なくとも１種、ＡはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,
Sb,Tl,Mn,およびSnのうち少なくとも１種を表す。ま
た、ｘおよびｙは０＜ｘ≦６、０≦ｙ≦１なる条件を満
たす数である。）で表される蛍光体、下記いづれかの一
般式 nReX3・mAX2′:xEu nReX3・mAX2′:xEu,ySm （式中、ReはLa,Gd,Y,Lu,のうち少なくとも１種、Ａは
アルカリ土類金属、Ba,Sr,Caのうち少なくとも１種、Ｘ
およびＸ′はF,Cl,Brのうち少なくとも１種を表す。ま
た、ｘおよびｙは、１×10-4＜ｘ＜３×10-1、１×10-4
＜ｙ＜１×10-1なる条件を満たす数であり、n/mは１×1
0-2＜n/m＜７×10-1なる条件を満たす。）で表される蛍
光体、及び下記一般式 MIX・aMIIX2′・bMIIIX3″:cA （但し、MIはLi,Na,K,Rb,Csから選ばれる少なくとも１
種のアルカリ金属であり、MIIはBe,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cd,
CuおよびNiから選ばれる少なくとも１種の二価金属であ
る。
MIIIはSc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Td,Dy,Ho,Er,Tm,
Yb,Lu,Al,Ga,およびInから選ばれる少なくとも１種の三
価金属である。
Yb,Lu,Al,Ga,およびInから選ばれる少なくとも１種の三
価金属である。
X,X′およびＸ″はF,Cl,BrおよびＩから選ばれる少なく
とも１種のハロゲンである。
とも１種のハロゲンである。
ＡはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,N
a,Ag,Cu,およびMgから選ばれる少なくとも１種の金属で
ある。また、ａは０≦ａ＜0.5の範囲の数値であり、ｂ
は０≦ｂ＜0.5の範囲の数値であり、ｃは０＜ｃ≦0.2の
範囲の数値である。）で表されるアルカリハライド蛍光
体等が挙げられる。特にアルカリハライド蛍光体は、蒸
着・スパッタリング等の方法で蛍光層を形成させやすく
好ましい。
a,Ag,Cu,およびMgから選ばれる少なくとも１種の金属で
ある。また、ａは０≦ａ＜0.5の範囲の数値であり、ｂ
は０≦ｂ＜0.5の範囲の数値であり、ｃは０＜ｃ≦0.2の
範囲の数値である。）で表されるアルカリハライド蛍光
体等が挙げられる。特にアルカリハライド蛍光体は、蒸
着・スパッタリング等の方法で蛍光層を形成させやすく
好ましい。
しかし、本発明に係るパネルに用いられる輝尽性蛍光体
は、前述の蛍光体に限られるものではなく、放射線を照
射した後輝尽励起光を照射した場合に輝尽発光を示す蛍
光体であればいかなる蛍光体であってもよい。
は、前述の蛍光体に限られるものではなく、放射線を照
射した後輝尽励起光を照射した場合に輝尽発光を示す蛍
光体であればいかなる蛍光体であってもよい。
本発明に係るパネルは前記の輝尽性蛍光体の少なくとも
一種類を含む一つ若しくは二つ以上の蛍光層から成る蛍
光層群であってもよい。また、それぞれの蛍光層に含ま
れる輝尽性蛍光体は同一であってもよいが異なっていて
もよい。
一種類を含む一つ若しくは二つ以上の蛍光層から成る蛍
光層群であってもよい。また、それぞれの蛍光層に含ま
れる輝尽性蛍光体は同一であってもよいが異なっていて
もよい。
本発明に係るパネルの蛍光層の層厚はパネルの放射線に
対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異なるが、
30μｍ〜1000μｍの範囲から選ばれるのが好ましく、60
μｍ〜600μｍの範囲から選ばれるがより好ましい。
対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異なるが、
30μｍ〜1000μｍの範囲から選ばれるのが好ましく、60
μｍ〜600μｍの範囲から選ばれるがより好ましい。
さらに、本発明に係るパネルの蛍光層は前述のように輝
尽励起光および輝尽発光の指向性に優れているため、輝
尽励起光の蛍光層中での散乱が減少し、画像の鮮鋭性が
著しく向上する。
尽励起光および輝尽発光の指向性に優れているため、輝
尽励起光の蛍光層中での散乱が減少し、画像の鮮鋭性が
著しく向上する。
本発明に係るパネルにおいて用いられる支持体としては
各種高分子材料、ガラス、金属、セラミッツス等が用い
られ、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフ
ィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリア
ミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフ
ィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラスチックフ
ィルム、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属シート
或は該金属酸化物の被覆層を有する金属シートが好まし
い。
各種高分子材料、ガラス、金属、セラミッツス等が用い
られ、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフ
ィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリア
ミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフ
ィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラスチックフ
ィルム、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属シート
或は該金属酸化物の被覆層を有する金属シートが好まし
い。
さらにこれらの支持体は、蛍光層との接着性を向上させ
る目的で蛍光層が設けられる面に下引層を設けてもよ
い。また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等
によて異なるが、一般的には80μｍ〜2000μｍであり、
取扱い上の点からさらに好ましくは80μｍ〜1000μｍで
ある。
る目的で蛍光層が設けられる面に下引層を設けてもよ
い。また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等
によて異なるが、一般的には80μｍ〜2000μｍであり、
取扱い上の点からさらに好ましくは80μｍ〜1000μｍで
ある。
本発明に係るパネルにおいては、一般的に前記蛍光層が
露呈する面に、蛍光層を物理的にあるいは化学的に保護
するための保護層が設けられてもよい。この保護層は保
護層用途布液を蛍光層上に直接塗布して形成してもよい
し、或はあらかじめ別途形成した保護層を蛍光層上に接
着してもよい。保護層の材料としては酢酸セルロース、
ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビ
ニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネ
ート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレン、塩化ビニリデン、ナイロン等の通常の保護
層用材料が用いられる。
露呈する面に、蛍光層を物理的にあるいは化学的に保護
するための保護層が設けられてもよい。この保護層は保
護層用途布液を蛍光層上に直接塗布して形成してもよい
し、或はあらかじめ別途形成した保護層を蛍光層上に接
着してもよい。保護層の材料としては酢酸セルロース、
ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビ
ニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネ
ート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレン、塩化ビニリデン、ナイロン等の通常の保護
層用材料が用いられる。
また、この保護層は蒸着法、スパッタ法等により、SiC,
SiO2,SiN,Al2O3などの無機物質を積層して形成してもよ
い。これらの保護層の層厚は一般には0.1μｍ〜100μｍ
程度が好ましい。
SiO2,SiN,Al2O3などの無機物質を積層して形成してもよ
い。これらの保護層の層厚は一般には0.1μｍ〜100μｍ
程度が好ましい。
本発明に係るパネルは第４図に概略的に示される放射線
画像変換方法に用いられた場合、優れた鮮鋭性、粒状性
および感度を与える。すなわち、第４図において、41は
放射線発生装置、42は被写体、43は本発明によるパネ
ル、44は輝尽励起光源、45は該パネルにより放射された
輝尽発光を検出する光電変換装置、46は45で検出された
信号を画像として再生する装置、47は再生された画像を
表示する装置、48は輝尽励起光と輝尽蛍光とを分離し、
輝尽蛍光のみを透過させるフィルタである。尚45以降は
43からの光情報を何らかの形で画像として再生できるも
のであればよく、上記に限定されるものではない。
画像変換方法に用いられた場合、優れた鮮鋭性、粒状性
および感度を与える。すなわち、第４図において、41は
放射線発生装置、42は被写体、43は本発明によるパネ
ル、44は輝尽励起光源、45は該パネルにより放射された
輝尽発光を検出する光電変換装置、46は45で検出された
信号を画像として再生する装置、47は再生された画像を
表示する装置、48は輝尽励起光と輝尽蛍光とを分離し、
輝尽蛍光のみを透過させるフィルタである。尚45以降は
43からの光情報を何らかの形で画像として再生できるも
のであればよく、上記に限定されるものではない。
第４図に示されるように、放射線発生装置41からの放射
線は被写体42を通して本発明によるパネル43に入射す
る。この入射した放射線はパネル43の蛍光層に吸収さ
れ、そのエネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像
が形成される。次にこの蓄積像を輝尽励起光源44からの
輝尽励起光で励起して輝尽発光として放出せしめる。パ
ネル43は、蛍光層中に結着剤が含まれておらず、蛍光層
の輝尽励起光の指向性が高いため上記輝尽励起光による
走査の際に、輝尽励起光が蛍光層中で拡散するのが抑制
される。
線は被写体42を通して本発明によるパネル43に入射す
る。この入射した放射線はパネル43の蛍光層に吸収さ
れ、そのエネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像
が形成される。次にこの蓄積像を輝尽励起光源44からの
輝尽励起光で励起して輝尽発光として放出せしめる。パ
ネル43は、蛍光層中に結着剤が含まれておらず、蛍光層
の輝尽励起光の指向性が高いため上記輝尽励起光による
走査の際に、輝尽励起光が蛍光層中で拡散するのが抑制
される。
放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギ
ー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装置45で光電変換し、画像再生装置46によ
って画層として再生し、画像表示装置47によって表示す
ることにより、被写体の放射線透過像を観察することが
できる。
ー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装置45で光電変換し、画像再生装置46によ
って画層として再生し、画像表示装置47によって表示す
ることにより、被写体の放射線透過像を観察することが
できる。
（実施例） 次に実施例によって本発明を説明する。
実施例 １ 支持体として1000μｍ厚の石英ガラスを蒸着器中に設置
した。次に、抵抗加熱用のモリブデンボートに目的とす
るアルカリハライド輝尽性蛍光体（RbBr:0.0003Tl）の
原料であるRbBrを入れ、もう一方のタンタルボートには
TlBrを入れ抵抗加熱用電極にセットし、続いて蒸着器を
排気して２×10-6Torrの真空度とした。次に、モリブデ
ン、タンタルそれぞれのボートに電流を流し抵抗加熱法
によってRbBr,TlBrを蒸発させた。膜厚検出計によりRbB
r,TlBrの蒸着速度を各々コントロールしながら前記支持
体上にRbBr;0.0003Tl輝尽性蛍光体を層厚が300μｍの厚
さになるまで堆積されてパネルＳを得た。
した。次に、抵抗加熱用のモリブデンボートに目的とす
るアルカリハライド輝尽性蛍光体（RbBr:0.0003Tl）の
原料であるRbBrを入れ、もう一方のタンタルボートには
TlBrを入れ抵抗加熱用電極にセットし、続いて蒸着器を
排気して２×10-6Torrの真空度とした。次に、モリブデ
ン、タンタルそれぞれのボートに電流を流し抵抗加熱法
によってRbBr,TlBrを蒸発させた。膜厚検出計によりRbB
r,TlBrの蒸着速度を各々コントロールしながら前記支持
体上にRbBr;0.0003Tl輝尽性蛍光体を層厚が300μｍの厚
さになるまで堆積されてパネルＳを得た。
次にパネルＳを第２図（ａ）に示す拡散法熱増感装置の
熱処理容器にセットし、ここにTlBr濃度が0.0003molと
なる量のTlBr蒸気を送り込み600℃、１時間熱処理し
た。このようにして本発明の製造方法によるパネルＡを
得た。
熱処理容器にセットし、ここにTlBr濃度が0.0003molと
なる量のTlBr蒸気を送り込み600℃、１時間熱処理し
た。このようにして本発明の製造方法によるパネルＡを
得た。
このようにして得られた本発明によるパネルＡに管電圧
50KVpのＸ線を10mR照射した後、半導体レーザ光（790n
m）で輝尽励起し、輝尽性蛍光層から放射される輝尽発
光を光検出器（光電子増倍管）で光電変換し、この信号
を画像再生装置によって画像として再生し、銀塩フィル
ム上に記録した。信号の大きさより、パネルＡのＸ線に
対する感度を調べ第１表に示す。
50KVpのＸ線を10mR照射した後、半導体レーザ光（790n
m）で輝尽励起し、輝尽性蛍光層から放射される輝尽発
光を光検出器（光電子増倍管）で光電変換し、この信号
を画像再生装置によって画像として再生し、銀塩フィル
ム上に記録した。信号の大きさより、パネルＡのＸ線に
対する感度を調べ第１表に示す。
第１表において、Ｘ線に対する感度は本発明によりパネ
ルＡを100として相対値で示してある。
ルＡを100として相対値で示してある。
（実施例 ２） 実施例１に於いて得られたパネルＳを第２図（ｂ）に示
す装置の熱処理容器に入れ、この回りに、目的とする蛍
光層の組成と同じ組成の混合粉末（RbBr＋0.0003TlBr）
を充填した。次にこの容器を600℃、１時間熱処理する
ことにより、本発明の製造方法によるパネルＢを得た。
このようにして得られたパネルＢは実施例１と同様にし
て評価しその結果を第１表に示す。
す装置の熱処理容器に入れ、この回りに、目的とする蛍
光層の組成と同じ組成の混合粉末（RbBr＋0.0003TlBr）
を充填した。次にこの容器を600℃、１時間熱処理する
ことにより、本発明の製造方法によるパネルＢを得た。
このようにして得られたパネルＢは実施例１と同様にし
て評価しその結果を第１表に示す。
（実施例 ３） 熱処理条件を300℃、３時間とした以外は実施例２と同
様にして本発明の製造方法によるパネルＣを得た。この
ようにして得られたパネルＣは実施例１と同様にして評
価しその結果を第１表に示す。
様にして本発明の製造方法によるパネルＣを得た。この
ようにして得られたパネルＣは実施例１と同様にして評
価しその結果を第１表に示す。
比較例（１） 実施例１に於いて得られたパネルＳを第６図に示す装置
の熱処理容器に入れこれを600℃、１時間熱処理するこ
とにより比較のパネルＰを得た。このようにして得られ
た比較のパネルＰは実施例１と同様にして評価しその結
果を第１表に示す。
の熱処理容器に入れこれを600℃、１時間熱処理するこ
とにより比較のパネルＰを得た。このようにして得られ
た比較のパネルＰは実施例１と同様にして評価しその結
果を第１表に示す。
比較例（２） 熱処理条件を300℃、３時間とする以外は比較例１と同
様にして比較のパネルＱを得た。このようにして得られ
た比較のパネルＱは実施例１と同様にして評価し、その
結果を第１表に示す。
様にして比較のパネルＱを得た。このようにして得られ
た比較のパネルＱは実施例１と同様にして評価し、その
結果を第１表に示す。
第１表より明らかなように、本発明の製造方法によるパ
ネルA,B,Cは比較のパネルP,Qに比べて、粒状性、鮮鋭性
は同等ながらＸ線感度は約２〜３倍高いものとなった。
これは熱処理時における蛍光層からの付活剤の逃散がお
さえられ、熱増感効果が有効に生かされたためである。
一方比較のパネルP,Qは熱処理時に付活剤が逃散し、こ
のためＸ線感度が著しく低下してしまった。
ネルA,B,Cは比較のパネルP,Qに比べて、粒状性、鮮鋭性
は同等ながらＸ線感度は約２〜３倍高いものとなった。
これは熱処理時における蛍光層からの付活剤の逃散がお
さえられ、熱増感効果が有効に生かされたためである。
一方比較のパネルP,Qは熱処理時に付活剤が逃散し、こ
のためＸ線感度が著しく低下してしまった。
また、熱処理による増感効果は未熱処理パネルＳとの比
較により明らかである。
較により明らかである。
（発明の効果） 本発明により、熱処理時の付活輝尽性蛍光体の付活剤の
濃度（含有率）の変動による放射線画像変換パネルの感
度の低下を防止することができる。また、輝尽性蛍光体
層と直に接して、付活輝尽性蛍光体の付活剤成分を設置
して熱処理した場合のような、輝尽性蛍光体層の感度分
布のムラの発生も防止できる。
濃度（含有率）の変動による放射線画像変換パネルの感
度の低下を防止することができる。また、輝尽性蛍光体
層と直に接して、付活輝尽性蛍光体の付活剤成分を設置
して熱処理した場合のような、輝尽性蛍光体層の感度分
布のムラの発生も防止できる。
第１図は熱処理時間に対する感度変化を表わす図であ
る。 第２図は本発明に用いられる拡散法熱増感装置、第３図
は本発明に用いられるイオン注入装置の夫々一例を示す
概要図である。 第４図は本発明に係るパネルを用いる放射線画像変換方
法の説明図である。 第５図はRbBr:Tl蛍光体の発光強度とTl含有量との関係
図である。 第６図は従来の熱処理方法に用いられる熱処理装置の一
例である。 21……増感を施すパネル、22,30,62……熱処理容器 23,63……加熱用ヒータ、24,64……熱処理炉 25……加熱用ヒータ、26……蒸発容器 27……付活剤を含有する物質粉末 28……ガス量調整バルブ、29……雰囲気粉 31……イオン源部、32……引出・加速レンズ部 33……質料分析部、34……偏向部 35……試料室、36……増感を施すパネル 37……加熱用ヒータ
る。 第２図は本発明に用いられる拡散法熱増感装置、第３図
は本発明に用いられるイオン注入装置の夫々一例を示す
概要図である。 第４図は本発明に係るパネルを用いる放射線画像変換方
法の説明図である。 第５図はRbBr:Tl蛍光体の発光強度とTl含有量との関係
図である。 第６図は従来の熱処理方法に用いられる熱処理装置の一
例である。 21……増感を施すパネル、22,30,62……熱処理容器 23,63……加熱用ヒータ、24,64……熱処理炉 25……加熱用ヒータ、26……蒸発容器 27……付活剤を含有する物質粉末 28……ガス量調整バルブ、29……雰囲気粉 31……イオン源部、32……引出・加速レンズ部 33……質料分析部、34……偏向部 35……試料室、36……増感を施すパネル 37……加熱用ヒータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 島田 文生 東京都日野市さくら町１番地 小西六写真 工業株式会社内 審査官 田村 爾 (56)参考文献 特開 昭59−36183（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−144386（ＪＰ，Ａ)
Claims (6)
- 【請求項１】付活輝尽性蛍光体を含む輝尽性蛍光体層を
形成し、形成した後、熱処理する、付活輝尽性蛍光体を
含む輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの製
造方法において、 付活輝尽性蛍光体を含む輝尽性蛍光体層を熱処理するに
際して、前記輝尽性蛍光体層と同一系内の前記輝尽性蛍
光体層から離れた位置に設置された前記付活輝尽性蛍光
体の付活剤成分を蒸気化することを特徴とする放射線画
像変換パネルの製造方法。 - 【請求項２】前記輝尽性蛍光体層が気相堆積法により形
成されたものであることを特徴とする請求項１の放射線
画像変換パネルの製造方法。 - 【請求項３】前記付活輝尽性蛍光体が、前記付活輝尽性
蛍光体の付活剤の蒸気圧が輝尽性蛍光体母体の蒸気圧と
ほぼ等しいか大きい付活輝尽性蛍光体であることを特徴
とする請求項１または２の放射線画像変換パネルの製造
方法。 - 【請求項４】前記付活輝尽性蛍光体が付活剤の含有量に
対して輝尽発光のピークを有するものであることを特徴
とする請求項１、２または３の放射線画像変換パネルの
製造方法。 - 【請求項５】付活剤成分を蒸気化するのに、前記放射線
画像変換パネルと同一系内の前記輝尽性蛍光体層から離
れた位置に設置された前記付活輝尽性蛍光体の付活剤成
分を加熱することを特徴とする請求項１、２、３または
４の放射線画像変換パネルの製造方法。 - 【請求項６】付活剤成分を蒸気化するのに、前記放射線
画像変換パネルと同一系内の前記輝尽性蛍光体層から離
れた位置に設置されたイオン源により、前記付活輝尽性
蛍光体の付活剤成分イオンを生成することを特徴とする
請求項１、２、３または４の放射線画像変換パネルの製
造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62175382A JPH0718959B2 (ja) | 1987-07-13 | 1987-07-13 | 放射線画像変換パネルの製造方法 |
| US07/560,240 US5098813A (en) | 1987-07-13 | 1990-07-23 | Processes for preparing stimulable-phosphor radiation image storage panel using specified heat or heat and activator-containing gas treatment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62175382A JPH0718959B2 (ja) | 1987-07-13 | 1987-07-13 | 放射線画像変換パネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6418100A JPS6418100A (en) | 1989-01-20 |
| JPH0718959B2 true JPH0718959B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=15995130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62175382A Expired - Lifetime JPH0718959B2 (ja) | 1987-07-13 | 1987-07-13 | 放射線画像変換パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0718959B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6284123B1 (en) | 1998-03-02 | 2001-09-04 | Briggs & Stratton Corporation | Electroplating formulation and process for plating iron onto aluminum/aluminum alloys |
| CN119290837A (zh) * | 2024-10-30 | 2025-01-10 | 中国科学院近代物理研究所 | 用于离子加速器束流诊断的高效发光荧光靶片及其制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52144386A (en) * | 1976-05-27 | 1977-12-01 | Dainippon Toryo Co Ltd | Production of blue fluorescent substance |
| JPS5936183A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 「けい」光体の製造法 |
-
1987
- 1987-07-13 JP JP62175382A patent/JPH0718959B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6418100A (en) | 1989-01-20 |
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